能夠提升記憶體效能的方法和相關(guān)的記憶體系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種能夠提升記憶體效能的方法和相關(guān)的記憶體系統(tǒng)，應(yīng)用于該方法的記憶體系統(tǒng)包含一記憶體和一控制器，且該記憶體內(nèi)的一預(yù)留空間是用以儲(chǔ)存一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表。該方法包含該控制器保留該記憶體的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為一寫入緩沖區(qū)；當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行一寬度寫入操作或一深度寫入操作。該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表包含該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)邏輯位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
【專利說明】能夠提升記憶體效能的方法和相關(guān)的記憶體系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種能夠提升記憶體(存儲(chǔ)器)效能的方法和相關(guān)的記憶體系統(tǒng)，尤其涉及一種可利用控制器根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)來自主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和記憶體的寫入緩沖區(qū)執(zhí)行寬度寫入操作或深度寫入操作，以大幅降低控制器所執(zhí)行的區(qū)塊合并操作的方法和相關(guān)的記憶體系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，每一快閃記憶體(閃存)被區(qū)分成多個(gè)區(qū)塊。當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入快閃記憶體時(shí)，主機(jī)可根據(jù)多個(gè)數(shù)據(jù)，送出多個(gè)對(duì)應(yīng)于多個(gè)數(shù)據(jù)的邏輯位置至一控制器。然后控制器即可根據(jù)一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表和多個(gè)對(duì)應(yīng)于多個(gè)數(shù)據(jù)的邏輯位置，將多個(gè)數(shù)據(jù)寫入快閃記憶體內(nèi)的多個(gè)相對(duì)應(yīng)的區(qū)塊。
[0003]在控制器將多個(gè)數(shù)據(jù)寫入快閃記憶體內(nèi)的多個(gè)相對(duì)應(yīng)的區(qū)塊的過程中，控制器會(huì)對(duì)多個(gè)相對(duì)應(yīng)的區(qū)塊內(nèi)的部分區(qū)塊執(zhí)行區(qū)塊合并操作(block merge operation)以釋出多個(gè)相對(duì)應(yīng)的區(qū)塊內(nèi)的部分區(qū)塊，所以快閃記憶體的寫入效能會(huì)被降低。因此，減少區(qū)塊合并操作將是提升快閃記憶體的寫入效能的重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種可利用控制器根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)來自主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和記憶體的寫入緩沖區(qū)執(zhí)行寬度寫入操作或深度寫入操作的方法和相關(guān)的記憶體系統(tǒng)，以大幅降低該控制器所執(zhí)行的區(qū)塊合并操作，所以本發(fā)明可大幅提升該記憶體的效能。
[0005]本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種能夠提升記憶體效能的方法，其中一應(yīng)用于該方法的記憶體系統(tǒng)包含一記憶體和一控制器，且該記憶體內(nèi)的一預(yù)留空間是用以儲(chǔ)存一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表。該方法包含該控制器保留該記憶體的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為一寫入緩沖區(qū)，其中該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表包含該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)邏輯位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行一寬度寫入操作或一深度寫入操作。
[0006]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)。該記憶體系統(tǒng)包含一記憶體和一控制器。該記憶體內(nèi)的一預(yù)留空間是用以儲(chǔ)存一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表；該控制器是用以保留該記憶體的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為一寫入緩沖區(qū)，以及當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行一寬度寫入操作或一深度寫入操作；該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表包含該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)邏輯位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0007]本發(fā)明提供的能夠提升記憶體效能的方法和能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)。該方法和該記憶體系統(tǒng)是為，當(dāng)來自一主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入一記憶體時(shí)，利用一控制器根據(jù)一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)來自該主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和該記憶體的寫入緩沖區(qū)執(zhí)行一寬度寫入操作或一深度寫入操作，以大幅降低該控制器所執(zhí)行的區(qū)塊合并操作。如此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)楸景l(fā)明可利用該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)來自該主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和該記憶體的寫入緩沖區(qū)執(zhí)行寬度寫入操作或深度寫入操作，以大幅降低該控制器所執(zhí)行的區(qū)塊合并操作，所以本發(fā)明可大幅提升該記憶體的效能。
[0008]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例說明一種能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)的示意圖；
[0010]圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施例說明一種能夠提升記憶體效能的方法的流程圖；
[0011]圖3是說明寬度寫入操作的示意圖；
[0012]圖4是說明深度寫入操作的示意圖；
[0013]圖5是說明垃圾區(qū)塊操作的示意圖；
[0014]圖6是說明區(qū)塊合并操作的示意圖。
[0015]其中，附圖標(biāo)記
[0016]100記憶體系統(tǒng)
[0017]102 記憶體
[0018]104控制器
[0019]1022寫入緩沖區(qū)
[0020]1024寫入緩沖區(qū)
[0021]103、110、115、119、131、312、1100 實(shí)體區(qū)塊
[0022]LPMT邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表
[0023]PMT頁映射表
[0024]200-216 步驟
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0026]請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖6，圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例說明一種能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)100的示意圖，圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施例說明一種能夠提升記憶體效能的方法的流程圖，圖3是說明寬度寫入操作(width writing operation)的示意圖，圖4是說明深度寫入操作(depth writing operation)的示意圖，圖5是說明垃圾區(qū)塊操作(garbageblock operation)的示意圖，以及圖6是說明區(qū)塊合并操作(block merge operation)的示意圖。如圖1所示，記憶體系統(tǒng)100包含一記憶體102與一控制器104，其中記憶體102是一‘決閃記憶體(flash memory)或一與非門快閃記憶體(NAND flash memory)。記憶體102內(nèi)的一預(yù)留空間1022是用以儲(chǔ)存一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT。如圖1所示，控制器104是用以保留記憶體102的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為一寫入緩沖區(qū)1024，以及當(dāng)一主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入記憶體102時(shí)，控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，對(duì)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)執(zhí)行一相對(duì)應(yīng)的操作(例如一寬度寫入操作或一深度寫入操作)，其中邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT包含寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)邏輯位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。另外，圖2的方法是利用圖1的記憶體系統(tǒng)100說明，詳細(xì)步驟如下:[0027]步驟200:開始；
[0028]步驟202:控制器104保留記憶體102的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為寫入緩沖區(qū)1024 ；
[0029]步驟204:當(dāng)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入記憶體102且控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，對(duì)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和寫入緩沖區(qū)1024執(zhí)行一寬度寫入操作時(shí)，進(jìn)行步驟206 ;當(dāng)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入記憶體102且控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，對(duì)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和寫入緩沖區(qū)1024執(zhí)行一深度寫入操作時(shí)，進(jìn)行步驟208 ；
[0030]步驟206:控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的多個(gè)分別對(duì)應(yīng)不同邏輯位置的實(shí)體區(qū)塊，進(jìn)行步驟214 ；
[0031]步驟208:控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的多個(gè)對(duì)應(yīng)同一邏輯位置的實(shí)體區(qū)塊；
[0032]步驟210:是否多個(gè)對(duì)應(yīng)同一邏輯位置的實(shí)體區(qū)塊中具有儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊；如果是，進(jìn)行步驟212 ;如果否，跳至步驟214 ；
[0033]步驟212:控制器104對(duì)儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行一垃圾區(qū)塊操作，進(jìn)行步驟214 ；
[0034]步驟214:是否邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT已使用完畢或?qū)懭刖彌_區(qū)1024沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊；如果是，進(jìn)行步驟216 ;如果否，跳回步驟204 ；
[0035]步驟216:控制器104對(duì)對(duì)應(yīng)于同一邏輯位置的多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行一區(qū)塊合并操作，跳回步驟204。
[0036]在步驟202中，控制器104保留記憶體102的多層式儲(chǔ)存(multiple levelcell)的實(shí)體區(qū)塊與三層式儲(chǔ)存(triple level cell)的實(shí)體區(qū)塊中僅利用單層式儲(chǔ)存頁(single level cell page)的實(shí)體區(qū)塊為寫入緩沖區(qū)1024。在步驟204中，當(dāng)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入記憶體102時(shí)，主機(jī)可產(chǎn)生并輸出對(duì)應(yīng)于多個(gè)數(shù)據(jù)的邏輯位置至控制器104。因此，控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，對(duì)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)執(zhí)行寬度寫入操作或深度寫入操作。在步驟206中，控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的多個(gè)分別對(duì)應(yīng)不同邏輯位置的實(shí)體區(qū)塊。如圖3所示，根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊110、115是對(duì)應(yīng)一邏輯位置I以及寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊312、103是對(duì)應(yīng)一邏輯位置5，其中實(shí)體區(qū)塊110、312是儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)以及寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊115、103可被用以寫入新數(shù)據(jù)。因此，控制器104即可根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊115(對(duì)應(yīng)邏輯位置I)與實(shí)體區(qū)塊103(對(duì)應(yīng)邏輯位置5)，且不用對(duì)實(shí)體區(qū)塊115、110 (對(duì)應(yīng)邏輯位置I)與實(shí)體區(qū)塊103、312 (對(duì)應(yīng)邏輯位置5)執(zhí)行區(qū)塊合并操作直到邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT已使用完畢或?qū)懭刖彌_區(qū)1024沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊。另外，當(dāng)控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊115與實(shí)體區(qū)塊103時(shí)，控制器104可根據(jù)預(yù)留空間1022另儲(chǔ)存的頁映射表PMT，將主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)寫入至實(shí)體區(qū)塊115與實(shí)體區(qū)塊103內(nèi)的相對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存頁。另外，圖3僅用以說明控制器104執(zhí)行寬度寫入操作，亦即本發(fā)明并不受限于在圖3中實(shí)體區(qū)塊的編號(hào)、數(shù)量以及邏輯位置。
[0037]在步驟208中，控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的多個(gè)對(duì)應(yīng)同一邏輯位置的實(shí)體區(qū)塊。如圖4所示，根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131是對(duì)應(yīng)邏輯位置1，其中實(shí)體區(qū)塊110是儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)、實(shí)體區(qū)塊115、119、131可被用以寫入新數(shù)據(jù)。因此，控制器104即可根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊115、119、131。如圖4所示，實(shí)體區(qū)塊115、119已存滿新數(shù)據(jù)以及實(shí)體區(qū)塊131可被繼續(xù)用以寫入新數(shù)據(jù)，但控制器104不用對(duì)實(shí)體區(qū)塊110、115、119,131執(zhí)行區(qū)塊合并操作直到邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT已使用完畢或?qū)懭刖彌_區(qū)1024沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊。另外，圖4僅用以說明控制器104執(zhí)行深度寫入操作，亦即本發(fā)明并不受限于在圖4中實(shí)體區(qū)塊的編號(hào)、數(shù)量以及邏輯位置。
[0038]在步驟212中，當(dāng)控制器104根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，對(duì)主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)執(zhí)行深度寫入操作時(shí)，控制器104可對(duì)儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行垃圾區(qū)塊操作，以釋放儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊至寫入緩沖區(qū)1024。如圖5所示，根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131是對(duì)應(yīng)邏輯位置1，其中實(shí)體區(qū)塊110是儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)、實(shí)體區(qū)塊115是儲(chǔ)存無用的數(shù)據(jù)以及實(shí)體區(qū)塊119、131可被用以寫入新數(shù)據(jù)。因此，控制器104即可根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊119、131，且對(duì)實(shí)體區(qū)塊115執(zhí)行垃圾區(qū)塊操作。如圖5所示，實(shí)體區(qū)塊119已存滿新數(shù)據(jù)、實(shí)體區(qū)塊131可被繼續(xù)用以寫入新數(shù)據(jù)以及實(shí)體區(qū)塊115被釋放至寫入緩沖區(qū)1024。另外，圖5僅用以說明控制器104執(zhí)行垃圾區(qū)塊操作，亦即本發(fā)明并不受限于在圖5中實(shí)體區(qū)塊的編號(hào)、數(shù)量以及邏輯位置。
[0039]在步驟216中，當(dāng)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT已使用完畢或?qū)懭刖彌_區(qū)1024沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，控制器104可對(duì)對(duì)應(yīng)于同一邏輯位置的多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行區(qū)塊合并操作，以釋放對(duì)應(yīng)于同一邏輯位置的多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊至寫入緩沖區(qū)1024。如圖6所示，根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131、1100是對(duì)應(yīng)邏輯位置1，其中實(shí)體區(qū)塊110是儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)、實(shí)體區(qū)塊115、119、131可被用以寫入新數(shù)據(jù)。因此，控制器104即可根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT，同時(shí)寫入主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)至寫入緩沖區(qū)1024內(nèi)的實(shí)體區(qū)塊115、119、131。如圖6所示，實(shí)體區(qū)塊115、119已存滿新數(shù)據(jù)以及實(shí)體區(qū)塊131可被繼續(xù)用以寫入新數(shù)據(jù)，但此時(shí)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT已使用完畢且寫入緩沖區(qū)1024沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊。因此，控制器104對(duì)實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131執(zhí)行區(qū)塊合并操作并儲(chǔ)存實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)至實(shí)體區(qū)塊1100，以釋放實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131至寫入緩沖區(qū)1024以及邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT的部分。因?yàn)榭刂破?04是當(dāng)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表LPMT已使用完畢且寫入緩沖區(qū)1024沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，才對(duì)實(shí)體區(qū)塊110、115、119、131執(zhí)行區(qū)塊合并操作，所以可大幅減少區(qū)塊合并操作。另外，圖6僅用以說明控制器104執(zhí)行垃圾區(qū)塊操作，亦即本發(fā)明并不受限于在圖6中實(shí)體區(qū)塊的編號(hào)、數(shù)量以及邏輯位置。
[0040]綜上所述，本發(fā)明所提供的能夠提升記憶體效能的方法和能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)是當(dāng)來自主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入記憶體時(shí)，利用控制器根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)來自主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和記憶體的寫入緩沖區(qū)執(zhí)行寬度寫入操作或深度寫入操作，以大幅降低控制器所執(zhí)行的區(qū)塊合并操作。如此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)楸景l(fā)明可利用控制器根據(jù)邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)來自主機(jī)的多個(gè)數(shù)據(jù)和記憶體的寫入緩沖區(qū)執(zhí)行寬度寫入操作或深度寫入操作，以大幅降低控制器所執(zhí)行的區(qū)塊合并操作，所以本發(fā)明可大幅提升記憶體效能。
[0041]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種能夠提升記憶體效能的方法，其中應(yīng)用于該方法的一記憶體系統(tǒng)包含一記憶體和一控制器，且該記憶體內(nèi)的一預(yù)留空間是用以儲(chǔ)存一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，其特征在于，該方法包含: 該控制器保留該記憶體的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為一寫入緩沖區(qū)，其中該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表包含該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)邏輯位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；及 當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行一寬度寫入操作或一深度寫入操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，當(dāng)該多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行該寬度寫入操作包含: 該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，同時(shí)寫入該多個(gè)數(shù)據(jù)至該寫入緩沖區(qū)內(nèi)的多個(gè)分別對(duì)應(yīng)不同邏輯位置的實(shí)體區(qū)塊； 其中當(dāng)該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行該寬度寫入操作時(shí)，該控制器對(duì)對(duì)應(yīng)于一第一邏輯位置的儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊與儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊不執(zhí)行一區(qū)塊合并操作直到該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，另包含: 當(dāng)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有可利用的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，該控制器對(duì)該多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行該區(qū)塊合并操作并將該多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至一第三實(shí)體區(qū)塊，以釋放該多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊、該多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊以及該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表的部分，其中該第三實(shí)體區(qū)塊對(duì)應(yīng)該第一邏輯位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，當(dāng)該多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行該深度寫入操作包含: 該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，同時(shí)寫入該多個(gè)數(shù)據(jù)至該寫入緩沖區(qū)內(nèi)的多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊，其中該多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊是對(duì)應(yīng)一第二邏輯位置； 其中該控制器對(duì)該多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊中多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊不執(zhí)行一區(qū)塊合并操作直到該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，另包含: 當(dāng)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，該控制器對(duì)該多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行該區(qū)塊合并操作并將該多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至一第五實(shí)體區(qū)塊，以釋放該多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊、該多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊以及該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表的部分，其中該第五實(shí)體區(qū)塊對(duì)應(yīng)該第二邏輯位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，另包含: 當(dāng)該控制器同時(shí)寫入該多個(gè)數(shù)據(jù)至該多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊時(shí)，該控制器對(duì)對(duì)應(yīng)該第二邏輯位置儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行一垃圾區(qū)塊操作，以釋放對(duì)應(yīng)該第二邏輯位置儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊至該寫入緩沖區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊是為該記憶體的多層式儲(chǔ)存的實(shí)體區(qū)塊與三層式儲(chǔ)存的實(shí)體區(qū)塊中利用單層式儲(chǔ)存頁的實(shí)體區(qū)塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠提升記憶體效能的方法，其特征在于，該記憶體是一快閃記憶體或一與非門快閃記憶體。
9.一種能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，包含: 一記憶體，其中該記憶體內(nèi)的一預(yù)留空間是用以儲(chǔ)存一邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表；及 一控制器，用以保留該記憶體的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊為一寫入緩沖區(qū)，以及當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行一寬度寫入操作或一深度寫入操作； 其中該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表包含該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)邏輯位置之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)該多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行該寬度寫入操作，是該控制器據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，同時(shí)寫入該多個(gè)數(shù)據(jù)至該寫入緩沖區(qū)內(nèi)分別對(duì)應(yīng)不同邏輯位置的多個(gè)實(shí)體區(qū)塊；其中當(dāng)該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行該寬度寫入操作時(shí)，該控制器對(duì)對(duì)應(yīng)于一第一邏輯位置的儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊與儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊不執(zhí)行一區(qū)塊合并操作直到該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，該控制器對(duì)該多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行該區(qū)塊合并操作并將該多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至一第三實(shí)體區(qū)塊，以釋放該多個(gè)第一實(shí)體區(qū)塊、該多個(gè)第二實(shí)體區(qū)塊以及該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表的部分，其中該第三實(shí)體區(qū)塊對(duì)應(yīng)該第一邏輯位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)該多個(gè)數(shù)據(jù)被寫入該記憶體時(shí)，該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，對(duì)該多個(gè)數(shù)據(jù)和該寫入緩沖區(qū)執(zhí)行該深度寫入操作，是該控制器根據(jù)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表，同時(shí)寫入該多個(gè)數(shù)據(jù)至該寫入緩沖區(qū)內(nèi)的多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊，其中該多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊是對(duì)應(yīng)一第二邏輯位置；其中該控制器對(duì)該多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊中多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊與多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊不執(zhí)行一區(qū)塊合并操作直到該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表已使用完畢或該寫入緩沖區(qū)沒有能夠利用的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，該控制器對(duì)該多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行該區(qū)塊合并操作并將該多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊與該多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至一第五實(shí)體區(qū)塊，以釋放該多個(gè)儲(chǔ)存舊數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊、該多個(gè)儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)的第四實(shí)體區(qū)塊以及該邏輯位置/實(shí)體區(qū)塊映射表的部分，其中該第五實(shí)體區(qū)塊對(duì)應(yīng)該第二邏輯位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)該控制器同時(shí)寫入該多個(gè)數(shù)據(jù)至該多個(gè)第四實(shí)體區(qū)塊時(shí)，該控制器對(duì)對(duì)應(yīng)該第二邏輯位置儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊執(zhí)行一垃圾區(qū)塊操作，以釋放對(duì)應(yīng)該第二邏輯位置儲(chǔ)存無用數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊至該寫入緩沖區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，該多個(gè)實(shí)體區(qū)塊是為該記憶體的多層式儲(chǔ)存的實(shí)體區(qū)塊與三層式儲(chǔ)存的實(shí)體區(qū)塊中利用單層式儲(chǔ)存頁的實(shí)體區(qū)塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的能夠提升記憶體效能的記憶體系統(tǒng)，其特征在于，該記憶體是一快閃記憶體或 一與非門快閃記憶體。
【文檔編號(hào)】G06F12/10GK103544120SQ201310409559
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月11日
【發(fā)明者】王開屏, 王忠勝 申請(qǐng)人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司