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一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的制作方法

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一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的制作方法
本發(fā)明涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置。

背景技術(shù):
隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展,觸摸屏(TouchScreenPanel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前,按照原理分類,觸摸屏大致包括:電阻傳感式觸摸屏、電容傳感式觸摸屏、光學(xué)傳感式觸摸屏等。按照組成結(jié)構(gòu)分類,觸摸屏大致包括:觸摸屏外掛在顯示面板上的觸摸屏(Out-celltouchpanel)、觸摸屏在顯示面板上面的觸摸屏(On-celltouchpanel)、觸摸屏內(nèi)嵌在面板中的觸摸屏(In-celltouchpanel)。其中,觸摸屏內(nèi)嵌在面板中的結(jié)構(gòu)既可以減薄觸摸屏整體的厚度,又可以大大降低觸摸屏的制作成本,受到各大面板廠家青睞。目前,主要通過(guò)電阻傳感式、電容傳感式或光學(xué)傳感式的方式,實(shí)現(xiàn)觸摸屏內(nèi)嵌在面板內(nèi)部的設(shè)計(jì)。其中,電阻傳感式屬于低端傳感技術(shù),制作出的產(chǎn)品一般壽命較短;電容傳感式發(fā)展較快也備受歡迎,但是電容傳感式觸摸屏主要適用于中小尺寸的顯示裝置,例如10寸或10寸以下的產(chǎn)品,對(duì)于較大尺寸的顯示裝置,電容傳感式觸摸屏?xí)a(chǎn)生信號(hào)干擾和信號(hào)延遲的問(wèn)題;而光學(xué)傳感式觸摸屏作為下一代觸摸傳感技術(shù),在屏幕的尺寸上不受限制,制作出的產(chǎn)品壽命較長(zhǎng),且相對(duì)穩(wěn)定,能夠解決信號(hào)干擾、信號(hào)延遲的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置,用以解決大尺寸觸摸屏的信號(hào)干擾和信號(hào)延遲的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏,包括具有呈矩陣排列的多個(gè)像素單元的陣列基板;陣列基板具有位于相鄰行的像素單元之間的觸控掃描線;陣列基板具有位于相鄰列的像素單元之間的觸控讀取線;陣列基板具有位于觸控掃描線和觸控讀取線所限定區(qū)域內(nèi)的感光晶體管和觸控切換單元;感光晶體管的漏極與觸控切換單元相連,觸控切換單元分別與觸控掃描線和觸控讀取線相連;在觸控掃描線控制觸控切換單元處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí),激光筆照射到感光晶體管所產(chǎn)生的觸控信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的觸控切換單元輸出到觸控讀取線。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置,包括本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏。本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置,在陣列基板位于相鄰行的像素單元之間設(shè)置觸控掃描線,在陣列基板位于相鄰列的像素單元之間設(shè)置觸控讀取線,并在陣列基板位于觸控掃描線和觸控讀取線所限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置感光晶體管和觸控切換單元;感光晶體管的漏極與觸控切換單元相連,觸控切換單元分別與觸控掃描線和觸控讀取線相連;在觸控掃描線控制觸控切換單元處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí),激光筆照射到感光晶體管所產(chǎn)生的觸控信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的觸控切換單元輸出到觸控讀取線,實(shí)現(xiàn)光學(xué)傳感式觸控功能,相對(duì)于電容傳感式內(nèi)嵌觸摸屏,在大尺寸時(shí)不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)干擾和信號(hào)延遲的問(wèn)題。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一;圖2為發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏的剖面圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二;圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏應(yīng)用于ADS模式時(shí)的一個(gè)亞像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖之一;圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏應(yīng)用于ADS模式時(shí)的一個(gè)亞像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖之二;圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏,如圖1所示,具體包括具有呈矩陣排列的多個(gè)像素單元01的陣列基板1;陣列基板1具有位于相鄰行的像素單元01之間的觸控掃描線ScanN(N=1,2,3......);陣列基板1具有位于相鄰列的像素單元01之間的觸控讀取線ReadoutN(N=1,2,3......);陣列基板1具有位于觸控掃描線Scan1和Scan2和觸控讀取線Readout1和Readout2所限定區(qū)域內(nèi)的感光晶體管02和觸控切換單元03(圖1中未示出感光晶體管02和觸控切換單元03的具體結(jié)構(gòu));感光晶體管02的漏極與觸控切換單元03相連,觸控切換單元03分別與觸控掃描線ScanN和觸控讀取線ReadoutN相連;在觸控掃描線ScanN控制觸控切換單元03處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí),激光筆照射感光晶體管02所產(chǎn)生的觸控信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的觸控切換單元03輸出到觸控讀取線ReadoutN。在具體實(shí)施時(shí),本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏,如圖2所示,可以應(yīng)用于彩色濾光片04設(shè)置在與陣列基板1相對(duì)的對(duì)向基板2即彩膜基板的結(jié)構(gòu),各彩色濾光片04通過(guò)黑矩陣05相互隔開(kāi);當(dāng)然,也可以應(yīng)用于彩色濾光片設(shè)置在陣列基板中的結(jié)構(gòu),在此不做限定。下面以對(duì)向基板2為彩膜基板的結(jié)構(gòu)為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏進(jìn)行說(shuō)明。如圖2所示,在具體實(shí)施時(shí),黑矩陣05在與感光晶體管02對(duì)應(yīng)的區(qū)域需要設(shè)置開(kāi)口區(qū)域,開(kāi)口區(qū)域?yàn)閳D2中虛線框所示,這樣外部光線即激光筆發(fā)射的激光就可以從該開(kāi)口區(qū)域照射到感光晶體管02,實(shí)現(xiàn)觸控功能。具體地,如圖1所示,在陣列基板1中設(shè)置位于相鄰列的像素單元01之間的觸控讀取線ReadoutN時(shí),可以將各觸控讀取線ReadoutN與陣列基板中的數(shù)據(jù)信號(hào)線DataN同層設(shè)置且相互絕緣,即在制備各數(shù)據(jù)信號(hào)線DataN的同時(shí)制備出與其相互絕緣的觸控讀取線ReadoutN,這樣,在制備陣列基板時(shí)不需要增加額外的制備工序,只需要通過(guò)一次構(gòu)圖工藝即可形成數(shù)據(jù)信號(hào)線DataN和觸控讀取線ReadoutN的圖形,能夠節(jié)省制備成本,提升產(chǎn)品附加值。當(dāng)然也可以分別制備觸控讀取線ReadoutN和數(shù)據(jù)信號(hào)線DataN,在此不做限定。同理,如圖1所示,在陣列基板中設(shè)置位于相鄰行的像素單元01之間的觸控掃描線ScanN時(shí),同樣可以將各觸控掃描線ScanN與陣列基板中的柵極信號(hào)線GateN同層設(shè)置且相互絕緣,在此不作贅述。較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏中,如圖3所示,用于連接感光晶體管02和觸控讀取線ReadoutN的觸控切換單元03具體可以是一個(gè)薄膜晶體管(TFT)器件,該TFT器件的柵極與觸控掃描線ScanN相連,漏極與觸控讀取線ReadoutN相連,源極與感光晶體管02相連。在觸控掃描線ScanN加載掃描信號(hào)即高電位信號(hào)時(shí),作為觸控切換單元03的TFT器件開(kāi)啟,若此時(shí)有激光筆照射感光晶體管02,感光晶體管02的活性層中載流子濃度會(huì)增大,感光晶體管02會(huì)通過(guò)開(kāi)啟的TFT器件輸出觸控信號(hào)到對(duì)應(yīng)的觸控讀取線ReadoutN。在具體實(shí)施時(shí),作為觸控切換單元03的TFT器件的各個(gè)部件可以和陣列基板中現(xiàn)有的控制像素單元開(kāi)關(guān)的TFT器件中各個(gè)部件同層制備,這樣不用增加新的制備工藝,僅需變更對(duì)應(yīng)的各個(gè)膜層的構(gòu)圖即可實(shí)現(xiàn),節(jié)省了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率。當(dāng)然在具體實(shí)施時(shí),觸控切換單元03也可以是其他結(jié)構(gòu),在此不作詳述。較佳地,本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏在具體實(shí)施時(shí),可以將陣列基板中的至少一條柵極信號(hào)線作為觸控掃描線,避免在陣列基板中增加新的布線,這樣可以保證觸摸屏具有較大的開(kāi)口率,并且,使用柵極信號(hào)線作為觸控掃描線,還可以避免增加單獨(dú)控制觸控掃描線的驅(qū)動(dòng)芯片IC,能節(jié)省制作成本。下面都是以陣列基板中的至少一條柵極信號(hào)線GateN作為觸控掃描線ScanN為例進(jìn)行說(shuō)明。一般地,組成觸摸屏的陣列基板中的各像素單元都是由多個(gè)亞像素單元組成,而這些亞像素單元中一般包含藍(lán)色亞像素單元。這樣,本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏在具體實(shí)施時(shí),可以將感光晶體管設(shè)置在觸控掃描線和觸控讀取線所限定區(qū)域內(nèi)的藍(lán)色亞像素單元處。由于藍(lán)色亞像素單元的透光率比較高,將感光晶體管設(shè)置在藍(lán)色亞像素單元區(qū)域內(nèi),可以提高觸控靈敏度。當(dāng)然還可以根據(jù)需要將感光晶體管設(shè)置在其他的亞像素單元區(qū)域內(nèi),在此不做限定。具體地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中,為了避免感光晶體管由于非激光筆照射而產(chǎn)生觸控信號(hào)造成誤判的問(wèn)題,如圖3所示,可以將感光晶體管02的柵級(jí)和源極分別與恒壓信號(hào)線VssN相連,該恒壓信號(hào)線VssN向感光晶體管02施加反向偏置電壓使感光晶體管02在無(wú)激光照射的情況下無(wú)信號(hào)輸出,并且恒壓信號(hào)線VssN位于相鄰像素單元之間的間隙處。在具體實(shí)施時(shí),可以在恒壓信號(hào)線VssN上加載恒定的電壓例如加載-8V的電壓。這樣,感光晶體管02的工作原理為:在沒(méi)有激光筆照射感光晶體管02時(shí),感光晶體管02由于恒壓信號(hào)線VssN加載的反向電壓一直處于反向偏置狀態(tài),即感光晶體管02上沒(méi)有觸控信號(hào)輸出;當(dāng)有激光筆照射感光晶體管02時(shí),感光晶體管02所受光強(qiáng)增大,感光晶體管02的活性層中載流子濃度增大,感光晶體管02輸出觸控信號(hào)到觸控切換單元03,并在觸控切換單元03處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí),觸控切換單元03將觸控信號(hào)輸出到觸控讀取線ReadoutN。并且,感光晶體管02輸出的觸控信號(hào)與激光筆照射的光強(qiáng)有關(guān),激光筆照射光強(qiáng)越大,感光晶體管02輸出到觸控切換單元03的觸控信號(hào)就越大。具體地,恒壓信號(hào)線可以設(shè)置在相鄰列的像素單元之間的間隙處,較佳地,可以將各恒壓信號(hào)線與陣列基板中的數(shù)據(jù)信號(hào)線同層設(shè)置且相互絕緣。恒壓信號(hào)也可以設(shè)置在相鄰行的像素單元之間的間隙處,較佳地,可以將各恒壓信號(hào)線與陣列基板中的柵極信號(hào)線同層設(shè)置且相互絕緣,在此不作贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏可以應(yīng)用于扭轉(zhuǎn)向列(TN,TwistedNematic)型液晶屏、平面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS,In-PlaneSwitch)液晶屏和高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)(ADS,AdvancedSuperDimensionSwitch)液晶屏,在此不做限定。具體地,本發(fā)明實(shí)例提供的觸摸屏在應(yīng)用于ADS型液晶屏?xí)r,為了進(jìn)一步保證觸摸屏具有較大的開(kāi)口率,如圖4a所示可以將陣列基板中的至少一條公共電極信號(hào)線Vcom設(shè)置為恒壓信號(hào)線VssN,相比于圖4b所示的在陣列基板中單獨(dú)布置恒壓信號(hào)線VssN,可以進(jìn)一步增大開(kāi)口率。值得注意的是,與感光晶體管02的柵極和源極分別相連的公共電極信號(hào)線Vcom在具體實(shí)施時(shí),可以指與像素電極相對(duì)的透明公共電極,也可以指采用金屬材料制備的公共電極信號(hào)線,在此不做限定。最佳地,為了能夠最大限度的保證大尺寸的觸摸屏的開(kāi)口率,本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏的陣列基板中的像素結(jié)構(gòu)在具體實(shí)施時(shí)可以采用雙柵結(jié)構(gòu),如圖5所示,其中DataN(N=1,2,3......)表示陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線,GateN(N=1,2,3......)表示陣列基板的柵極信號(hào)線,圖5中未示出感光晶體管02和觸控切換單元03,在雙柵結(jié)構(gòu)中,陣列基板上的相鄰行的像素單元之間具有兩個(gè)柵極信號(hào)線,例如Gate1和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6,且每相鄰的兩列像素單元為一列,共用一個(gè)位于該兩列像素單元之間的數(shù)據(jù)信號(hào)線Date1、Date2、Date3。將雙柵結(jié)構(gòu)通過(guò)增加一倍數(shù)量的柵極信號(hào)線,減少了數(shù)據(jù)信號(hào)線及源極驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)量,從而降低顯示器整體成本。進(jìn)一步地,如圖5所示的雙柵結(jié)構(gòu)通過(guò)變更相鄰兩行像素單元的柵極信號(hào)線和TFT開(kāi)關(guān)的位置,可以節(jié)省出相鄰像素單元列之間數(shù)據(jù)信號(hào)線的位置。這樣,如圖5所示,就可以在相鄰像素單元列之間的間隙處設(shè)置各觸控讀取線ReadoutN,即各觸控讀取線ReadoutN具體位于相鄰的像素單元列之間的間隙處,這樣可以進(jìn)一步減少像素單元的占用率,保證觸摸屏具有較大的開(kāi)口率。進(jìn)一步地,在陣列基板1具有向感光晶體管02施加反向偏置電壓的恒壓信號(hào)線VssN,還可以將各恒壓信號(hào)線VssN具體設(shè)置于除設(shè)置有觸控讀取線ReadoutN以外的相鄰像素單元列之間的間隙處,以便進(jìn)一步保證觸摸屏開(kāi)口率?;谕话l(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏,該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏的實(shí)施例,重復(fù)之處不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光學(xué)傳感式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置,在陣列基板位于相鄰行的像素單元之間設(shè)置觸控掃描線,在陣列基板位于相鄰列的像素單元之間設(shè)置觸控讀取線,并在陣列基板位于觸控掃描線和觸控讀取線所限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置感光晶體管和觸控切換單元;感光晶體管的漏極與觸控切換單元相連,觸控切換單元分別與觸控掃描線和觸控讀取線相連;在觸控掃描線控制觸控切換單元處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí),激光筆照射感光晶體管所產(chǎn)生的觸控信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的觸控切換單元輸出到觸控讀取線,實(shí)現(xiàn)光學(xué)傳感式觸控功能,相對(duì)于電容傳感式內(nèi)嵌觸摸屏,在大尺寸時(shí)不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)干擾和信號(hào)延遲的問(wèn)題。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
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