專利名稱：實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，是涉及一種能夠應(yīng)用于交通、監(jiān)控等系統(tǒng)的可實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置。
背景技術(shù)：
交通監(jiān)控系統(tǒng)以及其他視頻監(jiān)控系統(tǒng)中，經(jīng)常需要使用較大容量的存儲裝置。以電子警察系統(tǒng)為例，電子警察系統(tǒng)一般安裝于交通路口，通過攝像裝置對交通路口的交通路況進行監(jiān)視，平常情況下通過網(wǎng)絡(luò)將違章視頻或圖片回傳至中心系統(tǒng)；在網(wǎng)絡(luò)不穩(wěn)定的情況下，不能夠?qū)z像裝置采集的數(shù)據(jù)直接通過網(wǎng)絡(luò)進行傳輸，需要對數(shù)據(jù)進行本地存儲，待網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定后再將本地存儲的數(shù)據(jù)通過網(wǎng)絡(luò)發(fā)送給中心系統(tǒng)。電子警察系統(tǒng)通常要求至少能夠?qū)崿F(xiàn)30天的存儲量，對于一張1200萬像素的JPEG圖像，大小約為1. 5M，按5車道每天5萬張圖像計算，每天需要存儲75G數(shù)據(jù)量，若存儲30天，需要2T空間，考慮成本、容量限制，一般使用一個機械式3. 5寸硬盤進行存儲。但是硬盤交替上電過程中讀寫響應(yīng)速度較慢，一般為15-30秒，則該段時間內(nèi)的數(shù)據(jù)沒有來得及存儲而造成數(shù)據(jù)丟失的問題。同時，電子警察系統(tǒng)一般安裝于室外，由于電壓不穩(wěn)、振動、環(huán)境高溫、頻繁讀寫、長時間工作及意外斷電等外界因素，加之普通機械式硬盤本身可靠性不高因素，在室外壞境中，經(jīng)常出現(xiàn)硬盤損壞、數(shù)據(jù)丟失等問題，對交通情況不能夠?qū)崿F(xiàn)完整監(jiān)控。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供了一種可實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，解決了現(xiàn)有監(jiān)控系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲不穩(wěn)定導(dǎo)致監(jiān)控數(shù)據(jù)不完整的技術(shù)問題。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)—種實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，所述裝置包括中央處理器、電源、供電控制電路、FLASH存儲設(shè)備以及至少兩個硬盤；電源給中央處理器和FLASH存儲設(shè)備供電，并通過供電控制電路給硬盤供電；中央處理器通過數(shù)據(jù)總線與FLASH存儲設(shè)備、硬盤相接；中央處理器檢測網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)并發(fā)出控制信號至供電控制電路，供電控制電路控制硬盤的供電狀態(tài)。優(yōu)選的，所述電源為線性電源或者穩(wěn)壓電源。優(yōu)選的，所述供電控制電路為包含開關(guān)元件的電源通斷控制電路。優(yōu)選的，所述開關(guān)元件為MOSFET管、繼電器或者可控硅。優(yōu)選的，所述的FLASH存儲設(shè)備包括SD卡、CF卡、固態(tài)硬盤、U盤或者記憶棒。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點和積極效果是本實用新型的存儲介質(zhì)包括用于緩存的FLASH存儲設(shè)備和至少兩個硬盤，采用FLASH存儲設(shè)備作為緩存，可以在硬盤交替上電響應(yīng)過程中對數(shù)據(jù)先進行緩存，當(dāng)硬盤正常工作后，再將緩存數(shù)據(jù)存儲于硬盤中，保證了數(shù)據(jù)不丟失。同時，本實用新型采用了多塊硬盤交替上電工作，可根據(jù)網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)和硬盤狀態(tài)選擇存儲方案，保證了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。結(jié)合附圖閱讀本實用新型實施方式的詳細(xì)描述后，本實用新型的其他特點和優(yōu)點將變得更加清楚。

圖1是本發(fā)明具體實施例的原理框圖；圖2-圖5是本發(fā)明具體實施例供電控制電路的原理圖；圖6是本發(fā)明具體實施例的流程圖。
具體實施方式
針對現(xiàn)有交通監(jiān)控系統(tǒng)以及其他視頻監(jiān)控系統(tǒng)中本地存儲裝置存在硬盤交替上電過程中讀寫響應(yīng)速度較慢，響應(yīng)時間內(nèi)的數(shù)據(jù)沒有來得及存儲而造成數(shù)據(jù)丟失，以及硬盤損壞數(shù)據(jù)丟失導(dǎo)致監(jiān)控數(shù)據(jù)不完整的問題。本實用新型提出了一種高可靠的本地存儲裝置以及方法。
以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細(xì)地說明參見圖1所示，首先對大容量高可靠的本地存儲裝置進行介紹本裝置包括中央處理器、電源、供電控制電路、FLASH存儲設(shè)備以及至少兩個硬盤。電源給中央處理器、FLASH存儲設(shè)備以及硬盤供電，其中，硬盤是電源通過供電控制電路給硬盤供電，中央處理器發(fā)出控制信號至供電控制電路，控制供電控制電路的導(dǎo)通與斷開。電源可根據(jù)實際需求設(shè)計，一般采用線性電源或者穩(wěn)壓電源即可實現(xiàn)。中央處理器主要負(fù)責(zé)整個系統(tǒng)的數(shù)據(jù)管理和電源管理，根據(jù)檢測到的網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)，在網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定時，將實時數(shù)據(jù)傳送至中心系統(tǒng)，在網(wǎng)絡(luò)異常時選擇相應(yīng)的存儲策略進行本地存儲。中央處理器通過數(shù)據(jù)總線與FLASH存儲設(shè)備、硬盤相接；中央處理器檢測網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)并發(fā)出控制信號至供電控制電路，供電控制電路控制硬盤的供電狀態(tài)。FLASH存儲設(shè)備主要是用于緩存，可在網(wǎng)絡(luò)異常而硬盤沒有響應(yīng)的情況下，先將數(shù)據(jù)緩存至FLASH存儲設(shè)備，當(dāng)硬盤響應(yīng)后，中央處理器讀取FLASH存儲設(shè)備的緩存數(shù)據(jù)并轉(zhuǎn)存至硬盤。FLASH存儲設(shè)備可采用SD卡、CF卡、固態(tài)硬盤、U盤、記憶棒等移動類存儲設(shè)備。供電控制電路接收中央處理器發(fā)出的控制信號，控制硬盤的上電或斷電；主要采用以開關(guān)元件為主的電源通斷控制電路，其中，開關(guān)元件可以采用MOSFET管、繼電器或可控硅等。下面以兩個硬盤為例，對大容量高可靠的本地存儲裝置的存儲方法進行介紹如圖2所示，中央處理器可通過供電控制電路分別控制兩個硬盤的上電和掉電，POffERHDDl和P0WERHDD2分別為中央處理器發(fā)出的兩個控制信號，通過MOSFET管Q11、Q14、Q18、Q21可以控制兩個硬盤的12V和5V供電。如圖3所示，中央處理器一直檢測網(wǎng)絡(luò)是否穩(wěn)定在網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定的情況下，中央處理器將當(dāng)前實時采集的數(shù)據(jù)和網(wǎng)絡(luò)異常期間產(chǎn)生的硬盤存儲的數(shù)據(jù)上傳至中心系統(tǒng)，若硬盤里的數(shù)據(jù)已上傳完畢，則中央處理器控制本地硬盤存儲系統(tǒng)掉電關(guān)閉。[0029]在網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)異常的情況下，中央處理器首先將數(shù)據(jù)備份在FLASH存儲設(shè)備中，同時檢測硬盤的工作狀態(tài)，若此時無硬盤在工作，則中央處理器發(fā)出控制信號至供電控制電路，供電控制電路中的開關(guān)元件導(dǎo)通，電源給硬盤供電。中央處理器檢測硬盤的存儲狀態(tài)，選擇最佳狀態(tài)的硬盤優(yōu)先使用，關(guān)閉另一路硬盤，然后將FLASH存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)到該上電硬盤中，之后將實時數(shù)據(jù)存儲至該上電硬盤。判斷硬盤最佳狀態(tài)的選擇方法是若雙硬盤首次同時供電，優(yōu)先選擇剩余空間較多的硬盤；若當(dāng)前已有硬盤在工作，如果該硬盤剩余空間可以滿足8小時存儲，并且已上電時間小于8小時則認(rèn)為當(dāng)前硬盤處于最佳狀態(tài)。綜上所述，本實用新型采用多硬盤交替工作，并可根據(jù)網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)和硬盤工作狀態(tài)，靈活選擇存儲方案，同時，可將硬盤響應(yīng)過程中的數(shù)據(jù)緩存至FLASH設(shè)備中，當(dāng)硬盤響應(yīng)之后再將緩存數(shù)據(jù)存儲至硬盤中，保證了存儲數(shù)據(jù)的完整性。解決了目前大容量本地存儲中單硬盤不穩(wěn)定的問題，為電子警察系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)提供了一種高可靠性的本地存儲方案。當(dāng)然，上述說明并非是對本實用新型的限制，本實用新型也并不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實用新型的實質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，其特征在于所述裝置包括中央處理器、電源、供電控制電路、FLASH存儲設(shè)備以及至少兩個硬盤；電源給中央處理器和FLASH存儲設(shè)備供電，并通過供電控制電路給硬盤供電；中央處理器通過數(shù)據(jù)總線與FLASH存儲設(shè)備、硬盤相接；中央處理器檢測網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)并發(fā)出控制信號至供電控制電路，供電控制電路控制硬盤的供電狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，其特征在于所述電源為線性電源或者穩(wěn)壓電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，其特征在于所述供電控制電路為包含開關(guān)元件的電源通斷控制電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，其特征在于所述開關(guān)元件為MOSFET管、繼電器或者可控硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，其特征在于所述的FLASH存儲設(shè)備包括SD卡、CF卡、固態(tài)硬盤、U盤或者記憶棒。
專利摘要本實用新型公開了一種實現(xiàn)大容量高可靠的本地存儲裝置，電源給中央處理器和FLASH存儲設(shè)備供電，并通過供電控制電路給硬盤供電；中央處理器通過數(shù)據(jù)總線與FLASH存儲設(shè)備、硬盤相接；中央處理器檢測網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)并發(fā)出控制信號至供電控制電路，供電控制電路控制硬盤的供電狀態(tài)。本實用新型的存儲介質(zhì)包括用于緩存的FLASH存儲設(shè)備和至少兩個硬盤，采用FLASH存儲設(shè)備作為緩存，可以在硬盤交替上電響應(yīng)過程中對數(shù)據(jù)先進行緩存，當(dāng)硬盤正常工作后，再將緩存數(shù)據(jù)存儲于硬盤中，保證了數(shù)據(jù)不丟失。同時，本實用新型采用了多塊硬盤交替上電工作，可根據(jù)網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)和硬盤狀態(tài)選擇存儲方案，保證了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。
文檔編號G06F3/06GK202838299SQ201220488129
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月24日
發(fā)明者隋守鑫, 鄭金山, 劉韶, 劉微, 裴雷, 程大軍 申請人:青島海信網(wǎng)絡(luò)科技股份有限公司