專利名稱：Rfid高頻易碎防偽天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種RFID高頻易碎防偽天線。
背景技術(shù)：
RFID (射頻識(shí)別)標(biāo)簽在防偽領(lǐng)域的需求越來越廣泛，將成為一種普遍的趨勢，為了滿足防偽的特殊需要必然要求RFID天線更加易碎，由于當(dāng)前天線設(shè)計(jì)和工藝的限制，目前普遍采用UHF (超高頻)易碎天線，現(xiàn)工藝制作HF (高頻)易碎天線仍面臨很大的難度?，F(xiàn)有設(shè)計(jì)與制造方法對(duì)于RFID高頻(HF)易碎天線的不足(I)、因需使用易碎基材，目前的模切沖壓搭橋工藝極易造成基材破裂，不能滿足生產(chǎn)要求；(2)、有些銅天線或者銀漿印刷天線采用印刷搭橋，但耐彎折性、耐候性差，而對(duì)于鋁天線因表面有致密氧化層，印刷搭橋法更加不可靠；(3)、因?yàn)槭褂靡姿榛模瑹o法對(duì)搭橋連接點(diǎn)做繞卷測試，產(chǎn)品存在可靠性隱患；(4)、現(xiàn)有的單面超高頻(UHF)易碎天線的生產(chǎn)方法不適合制造雙面的高頻(HF)易碎天線；(5)、在高溫、潮濕及霉菌的環(huán)境下容易引起天線模切搭橋點(diǎn)阻抗的劣化甚至失效，使用壽命短、可靠性差；(6)、現(xiàn)有工藝的高頻(HF)天線耐候性差、使用有效期短，不適合需要長期保存商品的防偽，如名貴酒類等；(7)、因?yàn)槟Ｇ写顦虻目煽啃栽驘o法使用更薄的天線基材和更薄的鋁箔，影響了天線的易碎性。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種RFID高頻易碎防偽天線，可靠性高且易生產(chǎn)。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種RFID高頻易碎防偽天線，包括易碎膜基層、復(fù)合在所述易碎膜基層上表面的第一膠合層、復(fù)合在所述易碎膜基層下表面的第二膠合層、與第一膠合層復(fù)合的第一天線導(dǎo)電層和與第二膠合層復(fù)合的第二天線導(dǎo)電層。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述易碎膜為易碎PET膜。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述第一天線導(dǎo)電層包括第一耦合電容第一電極和第二稱合電容第一電極，所述第二天線導(dǎo)電層包括第一稱合電容第二電極和第二 I禹合電容第二電極，所述第一稱合電容第一電極和所述第一稱合電容第二電極相對(duì)設(shè)置，所述第二耦合電容第一電極和所述第二耦合電容第二電極相對(duì)設(shè)置，且相對(duì)設(shè)置的電極分別為環(huán)形電極、條形電極、矩形電極、圓形電極或半圓形電極。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述第一耦合電容電極和所述第二耦合電容電極開設(shè)有若干槽結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述第一天線導(dǎo)電層或第二天線導(dǎo)電層邊緣開設(shè)有易撕裂結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述易碎膜基層邊緣開設(shè)有易撕裂結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述天線與芯片連接，在芯片放置位置附近的所述易碎膜基層上開設(shè)有易撕裂結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述易撕裂結(jié)構(gòu)為槽結(jié)構(gòu)或鋸齒結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述天線導(dǎo)電層還包括加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述第一膠合層或第二膠合層包括由離型基材、低強(qiáng)度的復(fù)合膠水、防粘劑或者防粘涂層形成的低剝離力復(fù)合層。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線，通過直接印刷、蝕刻、導(dǎo)電層轉(zhuǎn)移、復(fù)合的方法在易損毀的天線基材(如普通紙、易碎紙、易碎的聚酯薄膜等)上形成高頻(HF)天線，此新型防偽天線摒棄了傳統(tǒng)的模切溝通工藝，使用聚酯膜、紙、淋膜紙、油墨、膠粘劑和其它材料形成的薄膜構(gòu)成介電材料，再加上合理的電容電極設(shè)計(jì)構(gòu)建交流信號(hào)的通路、很好地解決了高頻渦流損耗，在保證易碎性的前提下使天線的讀寫性能、可靠性和耐候性獲得極大提高，更適合需要常年收藏的物品防偽，如名貴的酒類等。

圖I是本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線一較佳實(shí)施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I所示導(dǎo)電層中的耦合電容電極一種實(shí)施例的正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2的后視圖；圖4是圖I所示導(dǎo)電層中的耦合電容電極另一種實(shí)施例的正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4的后視圖；圖6是本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線第一實(shí)施例的正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是圖6的后視圖；圖8是本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線第二實(shí)施例的正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是圖8的后視圖；圖10是本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線第三實(shí)施例排布正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是圖10的后視圖；圖12是本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線第四實(shí)施例排布正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是圖10的后視圖；附圖中各部件的標(biāo)記如下10、10d-易碎膜基層，Ild-易撕裂結(jié)構(gòu)，21-第一膠合層，22 第二膠合層，31、31b、31c、31e、31f-第一天線導(dǎo)電層，32、32b、32c、32e、32f-第二天線導(dǎo)電層，31 la、31 Ib-第一稱合電容第一電極，312a、312b_第一稱合電容第二電極，321a-第二耦合電容第一電極，322a-第二耦合電容第一電極，3111b、3121b、315c、325c-槽，316e、326e、316f、326f-加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例包括一種RFID高頻易碎防偽天線，包括易碎膜基層10、復(fù)合在所述易碎膜基層10上表面的第一膠合層21、復(fù)合在所述易碎膜基層10下表面的第二膠合層22、與第一膠合層21復(fù)合的第一天線導(dǎo)電層31和與第二膠合層22復(fù)合的第二天線導(dǎo)電層32。其中易碎膜基層優(yōu)選采用更薄的12 μ m易碎PET膜，特別優(yōu)選使用沒有添加防老化劑或者使用加速老化添加劑的薄膜材料做天線基材，在天線加工完成后使用紫外線、高溫高濕加速基材老化，使基材變得更易碎；所述天線導(dǎo)電層32由鋁箔或銅箔等作為基材形成，包括天線電路，所述天線電路包括天線線圈、薄膜電容(耦合電容電極)和IC等效輸入電路，具體內(nèi)容可參見專 利名稱為無橋接射頻識(shí)別高頻天線，專利號(hào)為201220010395. X的中國專利，在此就不再詳述。優(yōu)選地，所述第一膠合層和/或第二膠合層為低剝離力復(fù)合層，可通過降低天線導(dǎo)電層31、32和易碎膜基層10復(fù)合時(shí)的剝離強(qiáng)度，使天線在被剝離時(shí)容易造成一面或者兩面的天線線圈脫落，引起天線失效，從而起到易碎防偽的效果。例如所述第一膠合層和/或第二膠合層可以采用合適剝離力的離型基材、低強(qiáng)度的復(fù)合膠水、防粘劑或者防粘涂層等，但不限于這些方法。請(qǐng)參閱圖2和圖3,所述第一天線導(dǎo)電層31包括第一稱合電容第一電極311a和第二稱合電容第一電極321a,所述第二天線導(dǎo)電層32包括第一稱合電容第二電極312a和第二稱合電容第二電極322a,所述第一稱合電容第一電極311a和所述第一稱合電容第二電極312a相對(duì)設(shè)置,所述第二稱合電容第一電極311 a和所述第二稱合電容第二電極322a相對(duì)設(shè)置，且相對(duì)設(shè)置的電極分別為環(huán)形電極、條形電極、矩形電極、圓形電極或半圓形電極。兩面對(duì)應(yīng)的條狀、環(huán)形信號(hào)耦合電容電極設(shè)計(jì)，除了可以避免了大面積金屬的渦流損耗，還可以提高信號(hào)感應(yīng)強(qiáng)度，保證了天線性能。請(qǐng)參閱圖4和圖5,對(duì)第一電容f禹合第一電極311b、第一電容稱合電極312b的進(jìn)行開槽處理，本實(shí)施例僅顯示了對(duì)第一電容耦合電極的開槽處理，也可根據(jù)需要對(duì)第二電容耦合電極進(jìn)行開槽處理，這樣可以適合各種形狀的和不同面積的電容電極設(shè)計(jì)，進(jìn)一步降低渦流對(duì)電磁信號(hào)的衰減。請(qǐng)參閱圖6和圖7，將第一天線導(dǎo)電層31c和/或第二天線導(dǎo)電層32c的邊緣設(shè)計(jì)成帶有槽315c、325c或者鋸齒形等易撕裂結(jié)構(gòu)，降低天線導(dǎo)電層邊緣的撕裂強(qiáng)度，使天線從被防偽的物品上剝離時(shí)更易破碎損壞。請(qǐng)參閱圖8和圖9，將易碎膜基層IOd邊緣模切成齒狀或者刻成槽狀等易撕裂結(jié)構(gòu)lld，使剝離時(shí)易碎膜基層IOd更容易破裂，從而引起天線線圈的損壞、失效。請(qǐng)參閱圖10和圖11，天線版面排布時(shí)，在所述第一天線導(dǎo)電層31e和/或第二天線導(dǎo)電層32e上設(shè)計(jì)成縱、橫、網(wǎng)狀或者掏空狀的交叉相連的加強(qiáng)結(jié)構(gòu)316e、326e，增加在蝕刻、脫墨、分切等生產(chǎn)過程中的基材強(qiáng)度。請(qǐng)參閱圖12和圖13，天線版面排布時(shí)，在所述第一天線導(dǎo)電層31f和/或第二天線導(dǎo)電層32f上設(shè)計(jì)成鋪滿的加強(qiáng)結(jié)構(gòu)316f、326f，增加在蝕刻、脫墨、分切等生產(chǎn)過程中的基材強(qiáng)度。對(duì)于直接在易碎基材上制作的蝕刻天線，通過在天線圖案的縱、橫方向上按照一定間隔加入加強(qiáng)線條，確?；脑谏a(chǎn)過程中有足夠的強(qiáng)度，從而簡化工藝、方便生產(chǎn)、降低成本。后續(xù)在復(fù)合制作標(biāo)簽的過程中加強(qiáng)條不僅有利于模切排廢，也確保了天線的易碎性。本實(shí)用新型RFID高頻易碎防偽天線,有以下優(yōu)點(diǎn)(1)、簡化了生產(chǎn)工藝流程，減少了工序和設(shè)備需求，降低了制造成本；(2)、可以直接使用易碎基材制作天線，不會(huì)因?yàn)槟Ｇ袥_壓搭橋工藝造成基材破裂問題；(3)、天線的耐彎折性、耐候性好，性能更加穩(wěn)定；(4)、因?yàn)楠?dú)特的信號(hào)電路設(shè)計(jì)，無需做繞卷測試，產(chǎn)品的可靠性可以得到保證；(5)、解決了以往普通設(shè)計(jì)在現(xiàn)有工藝條件下很難生產(chǎn)出高頻(HF)易碎天線的問題；(6)、不會(huì)因?yàn)樵诟邷?、潮濕及霉菌的環(huán)境下使用引起天線搭橋點(diǎn)阻抗的劣化甚至失效問題，使用壽命長、可靠性高；(7)、尤其適合需要長期保存、收藏商品的防偽，如名貴酒類等；(8)、因?yàn)楠?dú)特的設(shè)計(jì)，可以使用更薄的天線基材和鋁箔，使得天線的易碎性更佳和提聞了防偽效果。以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，包括易碎膜基層、復(fù)合在所述易碎膜基層上表面的第一膠合層、復(fù)合在所述易碎膜基層下表面的第二膠合層、與第一膠合層復(fù)合的第一天線導(dǎo)電層和與第二膠合層復(fù)合的第二天線導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述易碎膜為易碎PET 膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述第一天線導(dǎo)電層包括第一稱合電容第一電極和第二稱合電容第一電極，所述第二天線導(dǎo)電層包括第一 I禹合電容第二電極和第二稱合電容第二電極，所述第一稱合電容第一電極和所述第一稱合電容第二電極相對(duì)設(shè)置，所述第二耦合電容第一電極和所述第二耦合電容第二電極相對(duì)設(shè)置，且相對(duì)設(shè)置的電極分別為環(huán)形電極、條形電極、矩形電極、圓形電極或半圓形電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述第一耦合電容電極和所述第二耦合電容電極開設(shè)有若干槽結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述第一天線導(dǎo)電層或第二天線導(dǎo)電層邊緣開設(shè)有易撕裂結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述易碎膜基層邊緣開設(shè)有易撕裂結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線,其特征在于,所述天線與芯片連接，在芯片放置位置附近的所述易碎膜基層上開設(shè)有易撕裂結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7之一所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述易撕裂結(jié)構(gòu)為槽結(jié)構(gòu)或鋸齒結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述天線導(dǎo)電層還包括加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID高頻易碎防偽天線，其特征在于，所述第一膠合層或第二膠合層包括由離型基材、低強(qiáng)度的復(fù)合膠水、防粘劑或者防粘涂層形成的低剝離力復(fù)合層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種RFID高頻易碎防偽天線，包括易碎膜基層、復(fù)合在所述易碎膜基層上表面的第一膠合層、復(fù)合在所述易碎膜基層下表面的第二膠合層、與第一膠合層復(fù)合的第一天線導(dǎo)電層和與第二膠合層復(fù)合的第二天線導(dǎo)電層。本實(shí)用新型的RFID高頻易碎防偽天線，通過選擇合適的材料和天線本身設(shè)計(jì)、天線版面設(shè)計(jì)，配合相應(yīng)的生產(chǎn)工藝，在保證易毀性的前提下不僅提高了天線的可靠性，而且簡化了工藝、降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G06K19/077GK202678515SQ201220312800
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月2日
發(fā)明者陸鳳生 申請(qǐng)人:陸鳳生