專利名稱：一種電容觸控屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電容觸控屏結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)上生產(chǎn)的觸控屏主要是電容觸控屏，它主要分為表面式和投射式兩種，其中投射式又稱感應(yīng)電容觸控屏，電容觸控屏機(jī)械結(jié)構(gòu)簡單，且無需人工校正，采用矩陣結(jié)構(gòu)，精確度很高，非常適合在便攜式電子產(chǎn)品上使用。因此電容觸摸屏占據(jù)了市場(chǎng)的主要份額，電容觸摸屏其昂貴的生產(chǎn)成本成為競(jìng)爭(zhēng)的主要原因，為了減少生產(chǎn)成本，在原料價(jià)格不變的情況下，減少制程，提供有效產(chǎn)出成為減低成本的最大 關(guān)鍵。在電容觸控屏制程中，主要分為兩種制成結(jié)構(gòu)雙面(DITO)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品功能更好，結(jié)構(gòu)更牢固?？煽啃詢?yōu)秀。但缺點(diǎn)在制成難度高。專利容易沖突；參見圖2，單面(SITO)結(jié)構(gòu)成熟，制成簡單，但缺點(diǎn)在jumper大小，整體參數(shù)不易控制.外觀在某種意義上達(dá)不到客戶要求(外觀會(huì)存在跳躍導(dǎo)體圖層眩光產(chǎn)生“麻點(diǎn)”現(xiàn)象)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是實(shí)現(xiàn)一種無“麻點(diǎn)”現(xiàn)象的單面(SITO)電容觸控屏結(jié)構(gòu)，以及這種電容觸控屏的生產(chǎn)エ藝。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為一種電容觸控屏，包括基板，布置于基板上的ITO圖層，覆蓋于ITO圖層外的絕緣架橋?qū)?，以及覆蓋于絕緣架橋?qū)由戏降奶S導(dǎo)體圖層，所述的跳躍導(dǎo)體圖層上方覆蓋有用于遮擋金屬跳躍導(dǎo)體圖層眩光的黑膜圖層。所述的ITO圖層、絕緣架橋?qū)?、跳躍導(dǎo)體圖層和黑膜圖層的圖案結(jié)構(gòu)相同并相互重疊。所述的黑膜圖層上覆蓋樹脂保護(hù)層，所述的基板背面依次設(shè)有防靜電ITO層和ニ氧化硅保護(hù)層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于利用該生產(chǎn)エ藝制作觸摸屏的做黑膜(BM)制成曝光后只蝕刻不剝膜，既能達(dá)到低眩光，又能減少一道金屬光刻制程和剝離制程，提高產(chǎn)出良率。同時(shí)該電容觸控屏結(jié)構(gòu)利用黑膜(BM)來遮擋跳躍導(dǎo)體圖層產(chǎn)生的高眩光，提高了外觀水平。

下面對(duì)本實(shí)用新型說明書中每幅附圖表達(dá)的內(nèi)容及圖中的標(biāo)記作簡要說明圖I為本實(shí)用新型電容觸控屏剖視圖；圖2為傳統(tǒng)エ藝電容觸控屏剖視圖；上述圖中的標(biāo)記均為1、黑膜圖層；2、樹脂保護(hù)層；3、跳躍導(dǎo)體圖層；4、絕緣架橋?qū)樱?、IT0圖層；6、基板；7、防靜電ITO層；8、ニ氧化硅保護(hù)層；9、金屬線路。
具體實(shí)施方式
參見圖I可知，電容觸控屏設(shè)有玻璃基板6，基板一面設(shè)有ITO圖層5，基板6該面四周圍有金屬線路9，在ITO圖層每條線路外包裹有POC絕緣架橋?qū)?，絕緣架橋?qū)?外覆蓋有跳躍導(dǎo)體圖層3，跳躍導(dǎo)體圖層3可采用ITO或者金屬導(dǎo)電材料作為涂層，在跳躍導(dǎo)體圖層3外還覆蓋有黑膜(BM)圖層1，該黑膜圖層I用來遮擋金屬(mo/al/mo)跳躍導(dǎo)體帶來的眩光。上述I TO圖層5、絕緣架橋?qū)?、跳躍導(dǎo)體圖層3和黑膜圖層I的圖案結(jié)構(gòu)相同并相互重疊構(gòu)成電容觸控屏的觸控部。且跳躍導(dǎo)體圖層3和黑膜圖層I的圖案完全重疊，零偏移，有利高效的完全遮擋金屬(mo/al/mo)跳躍導(dǎo) 體帶來的眩光。在觸控部覆蓋樹脂保護(hù)層2，基板6背面依次設(shè)有防靜電ITO層7和ニ氧化硅保護(hù)層8。上述電容觸控屏的觸控部制造エ藝如下a、采用真空磁控濺射方法鍍制ITO膜；b、之后制作ITO圖層5，這里制作ITO圖層5為常規(guī)手段，即采用觸控屏的觸控部黃光光刻技術(shù)，對(duì)ITO膜進(jìn)行涂布，烘烤，曝光、顯影，蝕刻，剝離エ藝處理，制作成ITO圖層5 ；C、之后在ITO圖層5上制作一層絕緣架橋?qū)?，這里制作緣架橋?qū)?也是常規(guī)手段，即采用觸控屏的觸控部黃光光刻技術(shù)，依次進(jìn)行涂布，烘烤，曝光、顯影，硬烤エ藝處理，制作絕緣架橋?qū)? ；d、之后利用真空磁控濺射鍍膜機(jī)在制作好的絕緣架橋?qū)?外鍍ー層金屬導(dǎo)電材料或ITO材料，并在上述金屬導(dǎo)電材料或ITO材料外涂ー層黑膜，然后使用傳統(tǒng)エ藝中制作跳躍導(dǎo)體圖層3的掩膜板，并利用觸控屏的觸控部黃光光刻技術(shù)，將這層導(dǎo)電材料和黑膜制一起做成所需圖形，即制成跳躍導(dǎo)體圖層3和黑膜圖層I。該黃光光刻技術(shù)包括涂布，烘烤，曝光、顯影，蝕刻，僅去除跳躍導(dǎo)體圖層3傳統(tǒng)制作エ藝中的剝離エ藝，其他黃光光刻技木工藝步驟與制作跳躍導(dǎo)體圖層3傳統(tǒng)制作エ藝相同，將原先兩個(gè)圖層制作エ序合ニ為一，從而節(jié)約了制作步驟，也提高了產(chǎn)品質(zhì)量。步驟d中，在進(jìn)行黃光光刻技術(shù)的曝光エ藝時(shí)，傳統(tǒng)曝光機(jī)能量控制在100-150mj/ cm2左右，這樣曝光后的導(dǎo)電材料間會(huì)殘留黑膜導(dǎo)致短路；為了避免導(dǎo)電材料圖形線之間有黑色光阻及金屬導(dǎo)體殘留，導(dǎo)致機(jī)能短路不良，采用過曝光的掩膜板，即曝光エ藝中使用的掩膜板上設(shè)計(jì)圖形的尺寸成比例的大于產(chǎn)品實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)值6-7um，通過調(diào)節(jié)曝光機(jī)能由原來100-150 mj/ cm2至現(xiàn)在250-300mj/ cm2，優(yōu)選300mj/ cm2，調(diào)節(jié)曝光能量時(shí)間由DNK曝光機(jī)自身軟件限定的，正常光通量為35 mj/ cm2，按機(jī)臺(tái)軟件設(shè)定一直到達(dá)エ藝設(shè)定參數(shù)后自動(dòng)停止。通過上述エ藝調(diào)節(jié)，改變掩膜板上設(shè)計(jì)值達(dá)到實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)值，同時(shí)改善圖形線間光阻殘留。步驟d中，在進(jìn)行黃光光刻技術(shù)的蝕刻エ藝時(shí)，還會(huì)存在耐化學(xué)性問題，BM黑光阻受到強(qiáng)酸攻擊導(dǎo)致脫落，BM光阻脫落區(qū)域金屬袒露在外面，導(dǎo)致蝕刻過蝕刻，產(chǎn)生機(jī)能NG(short短路)。因此在導(dǎo)電材料和黑膜進(jìn)行蝕刻前后都需要進(jìn)行硬烤エ序，以增強(qiáng)BM附著力，蝕刻前硬烤溫度220-240°C持續(xù)時(shí)間8-10min ;蝕刻后硬烤溫度220_240°C持續(xù)時(shí)間30-35min,來增強(qiáng)蝕刻前黑光阻耐酸性和蝕刻后黑光阻附著力。[0023]說明書中所述的黃光光刻技術(shù)，除說明書說明的部分參數(shù)エ藝更改外，其他均為TP行業(yè)內(nèi)常規(guī)的觸摸屏光刻技術(shù)。上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了示例性描述，顯然本實(shí)用新型具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型的構(gòu)思和技術(shù)方 案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容觸控屏，包括基板，布置于基板上的ITO圖層，覆蓋于ITO圖層外的絕緣架橋?qū)?，以及覆蓋于絕緣架橋?qū)由戏降奶S導(dǎo)體圖層，其特征在于，所述的跳躍導(dǎo)體圖層上方覆蓋有用于遮擋金屬跳躍導(dǎo)體圖層眩光的黑膜圖層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容觸控屏，其特征在于所述的ITO圖層、絕緣架橋?qū)?、跳躍導(dǎo)體圖層和黑膜圖層的圖案結(jié)構(gòu)相同并相互重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電容觸控屏，其特征在于所述的黑膜圖層上覆蓋樹脂保護(hù)層，所述的基板背面依次設(shè)有防靜電ITO層和二氧化硅保護(hù)層。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種電容觸控屏，包括基板，布置于基板上的ITO圖層，覆蓋于ITO圖層外的絕緣架橋?qū)?，以及覆蓋于絕緣架橋?qū)由戏降奶S導(dǎo)體圖層，所述的跳躍導(dǎo)體圖層上方覆蓋有黑膜圖層。利用該生產(chǎn)工藝制作觸摸屏的黑膜(BM)制成曝光后只蝕刻不剝膜，既能達(dá)到低眩光，又能減少一道剝離制程，提高產(chǎn)出良率。同時(shí)該電容觸控屏結(jié)構(gòu)利用黑膜(BM)來遮擋跳躍導(dǎo)體圖層產(chǎn)生的高眩光，提高了外觀水平。
文檔編號(hào)G06F3/044GK202615367SQ201220238849
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月25日
發(fā)明者周琦, 胡里程, 黃理, 沈勵(lì), 遲曉輝, 陳奇 申請(qǐng)人:蕪湖長信科技股份有限公司