專利名稱：觸控顯示電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關(guān))技術(shù)顯示憑借其寬廣的視角、更高的對比率、更高的分辨率及更明亮的顏色呈現(xiàn)，逐漸被消費(fèi)者所追捧。在ADS模式下，通過同一層平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及不同層的狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。對incell touch (像素單元內(nèi)部觸控)技術(shù)關(guān)注將越來越大，目前大部分廠家對于觸控技術(shù)的實(shí)現(xiàn)還是在顯示顯示裝置的出光側(cè)設(shè)置一層用于觸控的電容薄膜、有少部分廠家在ADS顯示模組上使用in cell touch技術(shù),并已經(jīng)成功量產(chǎn),但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)中,存在產(chǎn)品制程工藝繁瑣，且制成品開口率較低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置，能夠減少觸摸顯示產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的制程工藝，節(jié)約成本，同時能夠提高產(chǎn)品開口率增加附加值。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一方面,提供一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu),包括觸控單元和顯示單元；與所述觸控單元連接的第一掃描線、第二掃描線、檢測信號線、數(shù)據(jù)線及信號控制線；與所述顯示單元連接的柵線和數(shù)據(jù)線；其中所述觸控單元包括第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第一電容、觸控電極及放大晶體管；所述第一開關(guān)晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接所述信號控制線；所述觸控電極連接所述第一開關(guān)晶體管的漏極；所述放大晶體管的柵極連接所述觸控電極，所述放大晶體管的源極連接所述第二掃描線；所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的源極連接所述放大晶體管的漏極，所述第二開關(guān)晶體管的漏極連接所述檢測信號線；所述第一電容的第一極連接所述第二掃描線，所述第一電容的第二極連接所述觸控電極。可選的，所述顯示單元包括第三開關(guān)晶體管及第二電容；
其中所述第三開關(guān)晶體管的柵極連接所述柵線，所述第三晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線；所述第二電容的第一極連接所述第三開關(guān)晶體管的漏極，所述第二電容的第二極連接接地端。可選的，所述第一電容的第一極為與所述顯示單元的像素電極同層的透明導(dǎo)電材料；所述第一電容的第二極為與所述顯示單元的公共電極同層的透明導(dǎo)電材料?？蛇x的，所述第三開關(guān)晶體管為“P”型晶體管或“N型晶體管”?？蛇x的，所述第一開關(guān)晶體管和所述第二開關(guān)晶體管為“P”型晶體管或“N型晶體管”；所述放大晶體管為“P”型晶體管。一方面，提供一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法，包括第一階段，第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和放大晶體管截止，柵線輸入掃描信號、本極數(shù)據(jù)線輸入控制信號控制所述顯示單元處于顯示狀態(tài)；第二階段，所述第一開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開關(guān)晶體管和所述放大晶體管截止，所述數(shù)據(jù)線輸入重置信號為第一電容的第二極充電，所述柵線輸入掃描信號關(guān)閉所述顯示單元；第三階段，所述第一開關(guān)晶體管截止，所述第二開關(guān)晶體管導(dǎo)通，第二掃描線提供耦合脈沖信號，當(dāng)觸控電極受到觸摸時，所述第一電容的第二極放電直至所述放大晶體管的柵極和源極的電壓差等于所述放大晶體管的閾值電壓，所述放大晶體管導(dǎo)通并處于放大狀態(tài)將所述第二掃描線提供耦合脈沖信號放大輸出至檢測信號線?？蛇x的，還包括所述第一階段，所述第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通；所述第二階段和所述第三階段所述第三開關(guān)晶體管截止?！矫妫峁┮环N陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的至少一個像素單元包括上述任一觸控顯示電路結(jié)構(gòu)?？蛇x的，所述檢測信號線為所述陣列基板上的一條數(shù)據(jù)線，包含所述觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的本級像素單元處于所述檢測信號線與所述本級像素單元的數(shù)據(jù)線之間，所述檢測信號線為所述本級像素單元的前一級像素單元提供顯示驅(qū)動信號。一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置，將觸控結(jié)構(gòu)的電路和顯示單元的電路集成在一起，能夠通過顯示單元的制程流程同時形成本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控結(jié)構(gòu)，能夠減少觸摸顯示產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的制程工藝，節(jié)約成本，同時能夠提高產(chǎn)品開口率增加附加值。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動信號時序狀態(tài)示意圖；圖3為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)觸控電極電壓變化示意圖；圖4為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種陣列基板顯示電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種顯示單元為ADS模式的陣列基板示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的開關(guān)晶體管和放大晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的開關(guān)晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定晶體管的中間端為柵極、信號輸入端為源極、信號輸出端為漏極。此外本發(fā)明實(shí)施例所采用的開關(guān)晶體管包括P型開關(guān)晶體管和N型開關(guān)晶體管兩種，其中，P型開關(guān)晶體管在柵極為低電平時導(dǎo)通，在柵極為高電平時截止，N型開關(guān)晶體管為在柵極為高電平時導(dǎo)通，在柵極為低電平時截止；放大晶體管包括P型和N型，其中P型放大晶體管在柵極電壓為低電平(柵極電壓小于源極電壓)，且柵極源極的壓差的絕對值大于閾值電壓時處于放大狀態(tài)，可以將源極的輸入電壓放大后在漏極輸出；其中N型放大晶體管的柵極電壓為高電平(柵極電壓大于源極電壓)，且柵極源極的壓差的絕對值大于閾值電壓時處于放大狀態(tài)，可以將源極的輸入電壓放大后在漏極輸出，當(dāng)然本發(fā)明的實(shí)施例只是采用了 P型的放大晶體管。參照圖1所示，為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)，包括觸控單元I和顯示單元2 ;與觸控單元I連接的第一掃描線S1、第二掃描線S2、檢測信號線Dn-1、數(shù)據(jù)線Dn及信號控制線Kl ;與顯示單元2連接的柵線Gn和數(shù)據(jù)線Dn ；其中觸控單元I包括第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2、第一電容Cl、觸控電極NI及放大晶體管T3 ；第一開關(guān)晶體管Tl的源極連接數(shù)據(jù)線Dn，第一開關(guān)晶體管Tl的柵極連接信號控制線Kl ；觸控電極NI連接第一開關(guān)晶體管Tl的漏極；放大晶體管T3的柵極連接觸控電極NI，放大晶體管T3的源極連接第二掃描線S2 ；第二開關(guān)晶體管T2的柵極連接第一掃描線SI，第二開關(guān)晶體管T2的源極連接放大晶體管T3的漏極，第二開關(guān)晶體管T2的漏極連接檢測信號線Dn-1 ；第一電容Cl的第一極連接第二掃描線S2，第一電容Cl的第二極連接觸控電極NI。這里第一電容可以在制作顯示單元的制程工藝中形成。
優(yōu)選的，結(jié)合制作ADS模式的顯示單元2制作第一電容，其中第一電容的一極與制作顯示單元的公共電極的同一次構(gòu)圖工藝形成，第一電容的另一極與制作顯示單元的像素電極的同一次構(gòu)圖工藝形成，即第一電容的第一極為與顯示單元的像素電極同層的透明導(dǎo)電材料；第一電容的第二極為與顯示單元的公共電極同層的透明導(dǎo)電材料。即在制作顯示單元2的公共電極和像素電極時，保留觸控單元I的部分公共電極和部分像素電極，利用觸控單元I的公共電極層與像素電極之間的交疊形成第一電容。當(dāng)然，觸控單元I和顯示單元2這兩個區(qū)域的公共電極之間和像素電極之間都是斷開的。例如圖5，顯示單元2的公共電極59為狹縫電極,像素電極55為板狀電極。當(dāng)然，其中第一電容的一極可以與制作顯示單元的像素電極的同一次構(gòu)圖工藝形成，第一電容的另一極與制作顯示單元的公共電極的同一次構(gòu)圖工藝形成。進(jìn)一步的，觸控電極NI與制作顯示單元2的像素電極在同一次構(gòu)圖工藝形成，即由顯示單元的像素電極同層的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成；且第一電容Cl的第二極與觸控電極NI通過過孔連接。當(dāng)然過孔的深度由制作顯示單元的公共電極與像素電極之間的距離而定。進(jìn)一步的,觸控單元I的所有晶體管與顯示單元2的晶體管同步形成。進(jìn)一步的，第二開關(guān)晶體管T2和放大晶體管T3位于觸控電極NI的一側(cè)，第一開關(guān)晶體管Tl位于觸控電極NI相對的另一側(cè)。進(jìn)一步的，第一掃描線S1、第二掃描線S2、及信號控制線Kl均與顯示單元2的柵線同步形成；且與柵線平行設(shè)置，均位于顯示單元2的間隙之間，不影響顯示單元2的開口率。其中，如圖5所示，顯示單元2的柵線可以與顯示單元2的柵極52在同一次構(gòu)圖工藝中形成。進(jìn)一步的，為了布線需要和信號的輸入，同一觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的第一掃描線S1、第二掃描線S2位于靠近第二開關(guān)晶體管T2和放大晶體管T3的一側(cè)，即位于柵線Gn的外偵牝柵線Gn內(nèi)側(cè)連接顯示單元2的第三開關(guān)晶體管T4 ;信號控制線Kl位于靠近第一開關(guān)晶體管Tl的一側(cè)，即位于柵線Gn+1 (未示出)的外側(cè)，柵線Gn+1內(nèi)側(cè)連接Gn+1行的顯示單元。進(jìn)一步的，第一開關(guān)晶體管Tl，第二開關(guān)晶體管T2以及放大晶體管T3均可以通過制作顯示單元2時在觸控單元I中保留的數(shù)據(jù)線層(例如數(shù)據(jù)線Dn)作為連接線，與其他部件進(jìn)行連接，并在需要的地方進(jìn)行過孔連接。例如第二開關(guān)晶體管T2的柵極通過制作顯示單元2在觸控單元I中保留的數(shù)據(jù)線層(例如數(shù)據(jù)線Dn)作為連接線，連接第一掃描線SI，并在需要的地方進(jìn)行過孔連接。比如，在該連接線靠近第一掃描線SI的一端進(jìn)行過孔連接。過孔的深度和位置，取決于第一掃描線SI與數(shù)據(jù)線層的層間距離以及部件之間的位置關(guān)系。其中，如圖5所示，顯示單元2中的數(shù)據(jù)線層可以與源極56，漏極57在同一次構(gòu)圖工藝中形成。所述構(gòu)圖工藝可以包括制作圖形的掩膜、曝光、顯影、光刻，刻蝕等過程。舉例來說，采用構(gòu)圖工藝在基板上形成柵極，具體為首先在基板上沉積柵極層薄膜，然后涂布光刻膠，利用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理來形成光刻膠圖案，接著利用該光刻膠圖案作為蝕刻掩模，通過刻蝕等工藝去除相應(yīng)的電極層，并且去除剩余的光刻膠，最終在基板上形成柵極圖形?？蛇x的，顯示單元2包括
第三開關(guān)晶體管T4及第二電容C2 ;其中第二電容C2包括顯示單元2的像素電極與公共電極之間的液晶電容及第三開關(guān)晶體管T4的寄生電容；其中第三開關(guān)晶體管T4的柵極連接?xùn)啪€Gn，第三晶體管T4的源極連接數(shù)據(jù)線Dn ；像素電極作為第二電容C2的第一極連接第三開關(guān)晶體管T4的漏極，公共電極作為第二電容T2的第二極連接接地端VSS?？蛇x的，第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2為“P”型晶體管或“N型晶體管”;放大晶體管T3為“P”型晶體管?？蛇x的，第三開關(guān)晶體管T4為“P”型晶體管或“N型晶體管”。本發(fā)明的實(shí)施例提供的觸控顯示電路結(jié)構(gòu)，將觸控結(jié)構(gòu)的電路和顯示單元的電路集成在一起，能夠通過顯示單元的制程流程同時形成本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控結(jié)構(gòu)，能夠減少觸摸顯示產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的制程工藝，節(jié)約成本，同時能夠提高產(chǎn)品開口率增加附加值。參照以上各實(shí)施例提供的觸控顯示電路本發(fā)明實(shí)施例還提供了以上各實(shí)施例觸控顯示電路的驅(qū)動方法第一階段，第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2和放大晶體管T3截止，柵線Gn輸入掃描信號、數(shù)據(jù)線Dn輸入控制信號控制顯示單元2處于顯示狀態(tài)；第二階段，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，第二開關(guān)晶體管T2和放大晶體管T3截止，數(shù)據(jù)線Dn輸入重置信號為第一電容Cl的第二極充電,柵線Gn輸入掃描信號關(guān)閉顯不單兀2 ；第三階段，第一開關(guān)晶體管Tl截止，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，第二掃描線S2提供耦合脈沖信號，當(dāng)觸控電極NI受到觸摸時，第一電容Cl的第二極放電直至放大晶體管T3的柵極和源極的電壓差等于放大晶體管T3的閾值電壓，放大晶體管T3導(dǎo)通并處于放大狀態(tài)將第二掃描線S2提供的耦合脈沖信號放大輸出至檢測信號線Dn-1。進(jìn)一步的，第一階段，第三開關(guān)晶體管T4導(dǎo)通；第二階段和第三階段第三開關(guān)晶體管T4截止。這里對第一開關(guān)晶體管Tl、所述第二開關(guān)晶體管T2、放大晶體管T3和第三開關(guān)晶體管T4均采用“P”型晶體管為例進(jìn)行說明。參照圖1提供的電路圖及圖2提供的觸控顯示電路的信號時序狀態(tài)示意圖，對本發(fā)明實(shí)施例提供一種觸控顯示電路的驅(qū)動方法進(jìn)行詳細(xì)說明，具體包括第一階段，即圖2中所示的時序狀態(tài)示意圖中的第一時間段，柵線Gn、第二掃描線S2施加低電平信號,信號控制線Kl及第一掃描線SI施加高電平,數(shù)據(jù)線Dn施加輸出灰階信號，此時顯示單元的第三開關(guān)晶體管T4導(dǎo)通，由于數(shù)據(jù)線Dn施加輸出灰階信號，此時顯示單元處于顯示階段；第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2及放大晶體管均處于截止?fàn)顟B(tài)，因此觸控單元不工作。第二階段，即圖2中所示的時序狀態(tài)示意圖中的第二時間段，柵線Gn、第一掃描線S2施加高電平信號，信號控制線Kl及第二掃描線SI施加低電平，數(shù)據(jù)線Dn施加高電平重置信號，此時顯示單元的第三開關(guān)晶體管T4截止，顯示結(jié)束；觸控單元的第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，此時數(shù)據(jù)線Dn上施加的高電平重置信號為與觸控電極NI連接的第一電容Cl充電，此時觸控電極NI連接的A節(jié)點(diǎn)的電壓升高至VI，該過程為下一階段做準(zhǔn)備。
第三階段，即圖2所示的時序狀態(tài)示意圖中的第三時間段，柵線Gn、信號控制線K1、第二掃描線S2均施加高電平信號，第一掃描線施加低電平信號，此時顯示單元的第三開關(guān)晶體管T4截止，觸控單元的第一開關(guān)晶體管截止；第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通；此階段第二掃描線S2為第一電容的一極提供高電平，形成耦合電容，參照圖3所示，由于在第二階段為第一電容充電在觸控電極上形成電壓VI，當(dāng)手指對觸控電極NI上方觸摸時，則會導(dǎo)致觸控電極上的電壓下降，此時信號控制線Kl為第一電容提供的耦合電壓同樣會保持放大晶體管T3的源極電壓，由于放大晶體管T3的柵極連接觸控電極，則當(dāng)觸控電極上的電壓下降至V2，產(chǎn)生的電壓降A(chǔ)V滿足放大晶體管的導(dǎo)通條件時(這里導(dǎo)通條件即柵極電壓和源極電壓差的絕對值大于晶體管的導(dǎo)通閾值電壓，由于采用P型晶體管因此晶體管導(dǎo)通時柵極電壓小于源極電壓)，放大晶體管T3導(dǎo)通并處于放大狀態(tài)，由于第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，則放大晶體管T3會將第二掃描線S2上的高電平信號放大后輸出至檢測信號線Dn-1，此時通過第一掃描線SI確定第一坐標(biāo)方向，通過檢測信號線Dn-1上輸出的信號變化值確定與第一坐標(biāo)方向垂直的第二坐標(biāo)方向，便可定位到觸摸位置。這里以第一掃描線SI的信號為X軸坐標(biāo)方向的信號，以檢測信號線Dn-1的信號為Y軸坐標(biāo)方向坐標(biāo)方向，當(dāng)?shù)谝粧呙杈€SI輸入信號時，便確定了 X軸方向的坐標(biāo),此時由于第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，則放大晶體管T3會將第二掃描線S2上的高電平信號放大后輸出至檢測信號線Dn-1，此時當(dāng)檢測到檢測信號線Dn-1上的信號變化情況時，邊同時確定了X、Y兩個坐標(biāo)軸上的坐標(biāo)位置，據(jù)此便確定了觸摸位置。這里在第三階段結(jié)束之后，本級之后的其他柵線陸續(xù)輸入控制信號，實(shí)現(xiàn)其他像素的驅(qū)動，由于陣列基板上每條數(shù)據(jù)線上的信號設(shè)計是相同的，因此，對于本發(fā)明的實(shí)施例所提供的觸控顯示電路是分時驅(qū)動的，即在觸控階段數(shù)據(jù)線輸入的是用作觸控的信號，而在顯示階段輸入用作像素驅(qū)動灰階信號，此外根據(jù)上述的驅(qū)動時序狀態(tài)圖，可知數(shù)據(jù)線在第二階段和第三階段是不用作顯示灰階信號輸入的，因此觸控信號在用作信號檢測線Dn-1的上一級數(shù)據(jù)線上輸出不會影響到顯示裝置的正?；译A輸出，而當(dāng)放大晶體管T3將第二掃描線S2上的高電平信號放大后輸出至檢測信號線Dn-1時，便可通過檢測信號線Dn-1檢測到此時的信號與原先輸入的觸控信號的變化值。本發(fā)明的實(shí)施例對具體的晶體管的類型不做限制，當(dāng)然在采用全P型時，更加有利于制程過程中減少工藝流程，同時由于所有晶體管可以同時形成更加有利于器件性能的統(tǒng)一，這里就體現(xiàn)出了采用LTPS工藝的優(yōu)勢，使用這種工藝形成的晶體管器件，除了載流子遷移速率高以外(可以將晶體管做小，提高開口率)，另外，能夠使得放大晶體管T3具有較高的擊穿電壓，同時，放大晶體管T3的柵極信號會隨手指的觸控而降低，因此使用P型晶體管更容易實(shí)現(xiàn)放大晶體管T3柵源之間的壓差的絕對值(柵極電壓Vg <源極電壓Vs)大于 Vth。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板的至少一個像素單元包括上述實(shí)施例提供的任一觸控顯示電路結(jié)構(gòu)?？蛇x的，檢測信號線為陣列基板上的一條數(shù)據(jù)線，包含觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的本級像素單元處于檢測信號線與本級像素單元的數(shù)據(jù)線之間，檢測信號線為本級像素單元的前一級像素單元提供顯示驅(qū)動信號。其中包含本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的像素單元在陣列基板上的分布密度根據(jù)該陣列基板能夠提供的像素大小、對觸控精度的要求可以任意設(shè)置，當(dāng)對觸控精度要求高時相應(yīng)的增加設(shè)置的密度，當(dāng)然這樣會對影響到面板的整體透過率，如圖4所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種觸控顯示電路在陣列基板上4X4分布的顯示單元電路結(jié)構(gòu)示意圖，即在陣列基板上按橫向或縱向每四個像素單元中有一個包含有本發(fā)明的實(shí)施例所提供的觸控顯示電路結(jié)構(gòu)。此外如圖4所示，包含本發(fā)明的實(shí)施例提供的觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的像素單元中的檢測信號線(前一級像素單元的數(shù)據(jù)線)Dn-l，檢測信號線作Dn-1為陣列基板上的一條數(shù)據(jù)線與包含觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的本級像素單元的數(shù)據(jù)線相鄰，本級像素單元處于檢測信號線與本級像素單元的數(shù)據(jù)線之間，該檢測信號線連接前一級像素單元的顯示單元為其提供顯示驅(qū)動信號。其中圖4還給出了觸控顯示電路所在的當(dāng)前像素單元在陣列基板上與對應(yīng)的信號線的連接結(jié)構(gòu)，參照圖4所示，以包含本發(fā)明的實(shí)施例提供的觸控顯示電路的像素單元41為例，該觸控顯示電路結(jié)構(gòu)分別連接?xùn)啪€Gn、第一掃描線S1、第二掃描線S2、信號控制線K1、數(shù)據(jù)線Dn及檢測信號線Dn-1 (上一級像素單元的數(shù)據(jù)線)；此外圖中還給出了下一級像素單元的數(shù)據(jù)線Dn+1、上一級柵線Gn-1(即在時序上先于本級的柵線Gn給出開關(guān)信號的柵線)、下一級柵線Gn+1 (即在時序上緊鄰本級的柵線Gn下一個給出開關(guān)信號的柵線)。如圖5所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種顯示單元為ADS模式的陣列基板。其中，在襯底基板51上形成有柵極522，在柵極52上形成有柵極絕緣層53，柵極絕緣層53上形成有有源層54，有源層54上形成有像素電極55和源極56、漏極57，其中像素電極55與漏極57連接，在像素電極55和源極56、漏極57上形成有保護(hù)層58，在保護(hù)層58上形成有公共電極59，其中公共電極59為狹縫狀電極，像素電極55為板狀電極。當(dāng)然本發(fā)明不局限于該種結(jié)構(gòu)的ADS模式，在此不作限定。例如還可以是公共電極59為板狀電極，像素電極55為狹縫狀電極。該結(jié)構(gòu)的具體制作工藝和工作原理為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板，將觸控結(jié)構(gòu)的電路和顯示單元的電路集成在一起，能夠通過顯示單元的制程流程同時形成本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控結(jié)構(gòu)，能夠減少觸摸顯示產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的制程工藝，節(jié)約成本，同時能夠提高產(chǎn)品開口率增加附加值。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述實(shí)施例提供的陣列基板。另外，顯示裝置還可以為電子紙、手機(jī)、電視、數(shù)碼相框等等顯示設(shè)備。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，將觸控結(jié)構(gòu)的電路和顯示單元的電路集成在一起，能夠通過顯示單元的制程流程同時形成本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控結(jié)構(gòu)，能夠減少觸摸顯示產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的制程工藝，節(jié)約成本，同時能夠提高產(chǎn)品開口率增加附加值。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括觸控單元和顯示單元；與所述觸控單元連接的第一掃描線、第二掃描線、檢測信號線、數(shù)據(jù)線及信號控制線；與所述顯示單元連接的柵線和數(shù)據(jù)線； 其中所述觸控單元包括第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第一電容、觸控電極及放大晶體管； 所述第一開關(guān)晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接所述信號控制線； 所述觸控電極連接所述第一開關(guān)晶體管的漏極； 所述放大晶體管的柵極連接所述觸控電極，所述放大晶體管的源極連接所述第二掃描線. 所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的源極連接所述放大晶體管的漏極，所述第二開關(guān)晶體管的漏極連接所述檢測信號線； 所述第一電容的第一極連接所述第二掃描線，所述第一電容的第二極連接所述觸控電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述顯示單元包括 第三開關(guān)晶體管及第二電容； 其中所述第三開關(guān)晶體管的柵極連接所述柵線，所述第三晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線. 所述第二電容的第一極連接所述第三開關(guān)晶體管的漏極，所述第二電容的第二極連接接地端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電容的第一極為與所述顯示單元的像素電極同層的透明導(dǎo)電材料；所述第一電容的第二極為與所述顯示單元的公共電極同層的透明導(dǎo)電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三開關(guān)晶體管為“P”型晶體管或“N型晶體管”。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項所述的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管和所述第二開關(guān)晶體管為“P”型晶體管或“N型晶體管”； 所述放大晶體管為“P”型晶體管。
6.一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法，其特征在于，包括 第一階段，第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和放大晶體管截止，柵線輸入掃描信號、本極數(shù)據(jù)線輸入控制信號控制所述顯示單元處于顯示狀態(tài)； 第二階段，所述第一開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開關(guān)晶體管和所述放大晶體管截止，所述數(shù)據(jù)線輸入重置信號為第一電容的第二極充電，所述柵線輸入掃描信號關(guān)閉所述顯示單元; 第三階段，所述第一開關(guān)晶體管截止，所述第二開關(guān)晶體管導(dǎo)通，第二掃描線提供耦合脈沖信號，當(dāng)觸控電極受到觸摸時，所述第一電容的第二極放電直至所述放大晶體管的柵極和源極的電壓差等于所述放大晶體管的閾值電壓，所述放大晶體管導(dǎo)通并處于放大狀態(tài)將所述第二掃描線提供的所述耦合脈沖信號放大輸出至檢測信號線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，還包括所述第一階段，所述第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通； 所述第二階段和所述第三階段所述第三開關(guān)晶體管截止。
8.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的至少一個像素單元包括權(quán)利要求1 5任一項所述的觸控顯示電路結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述檢測信號線為所述陣列基板上的一條數(shù)據(jù)線，包含所述觸控顯示電路結(jié)構(gòu)的本級像素單元處于所述檢測信號線與所述本級像素單元的數(shù)據(jù)線之間，所述檢測信號線為所述本級像素單元的前一級像素單元提供顯示驅(qū)動信號。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8或9所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例公開一種觸控顯示電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置，涉及顯示器制造領(lǐng)域，能夠減少觸摸顯示產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的制程工藝，同時提高開口率增加產(chǎn)品附加值。該觸控顯示電路結(jié)構(gòu)，包括觸控單元和顯示單元；與所述觸控單元連接的第一掃描線、第二掃描線、檢測信號線、數(shù)據(jù)線及信號控制線；與所述顯示單元連接的柵線和數(shù)據(jù)線；其中所述觸控單元包括第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第一電容、觸控電極及放大晶體管。本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用于顯示器制造。
文檔編號G06F3/041GK103034365SQ20121054057
公開日2013年4月10日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者楊盛際 申請人:北京京東方光電科技有限公司