一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，包括數(shù)據(jù)存儲流程及數(shù)據(jù)查詢流程，數(shù)據(jù)存儲流程包括以下步驟：抄讀子表數(shù)據(jù)；保存數(shù)據(jù)到SRAM中；得到FLASH地址；數(shù)據(jù)寫入FLASH；數(shù)據(jù)查詢流程包括以下步驟：根據(jù)時間在SRAM中查找FLASH地址；查找到有效地址后讀取FLASH中的數(shù)據(jù)。從而保證了存儲數(shù)據(jù)的正確性以及存儲及查詢的方便性。
【專利說明】一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲及查詢的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，根據(jù)電力負(fù)荷系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸規(guī)約的要求，CPU主卡需要存儲大量的二類數(shù)據(jù)，軟件設(shè)計的存儲方式一定要保證存儲數(shù)據(jù)的正確性以及存儲及查詢的方便性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種可方便智能終端上數(shù)據(jù)存儲及查詢的方法。
[0004]相應(yīng)地，本發(fā)明的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，包括數(shù)據(jù)存儲流程及數(shù)據(jù)查詢流程，數(shù)據(jù)存儲流程包括以下步驟:抄讀子表數(shù)據(jù)；保存數(shù)據(jù)到SRAM中；得到FLASH存儲器地址；數(shù)據(jù)寫入FLASH ;數(shù)據(jù)查詢流程包括以下步驟:根據(jù)時間在SRAM中查找FLASH地址；查找到有效地址后讀取FLASH中的數(shù)據(jù)。
[0005]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，SRAM保存FLASH存儲器存儲地址并及時更新。
[0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，數(shù)據(jù)寫入FLASH后，還包括回讀數(shù)據(jù)并比較的步驟，每次將數(shù)據(jù)寫入FLASH存儲器后，隨即讀取驗證。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，數(shù)據(jù)分為多個數(shù)據(jù)塊，每一數(shù)據(jù)塊后加入一個和校驗字節(jié)，通過讀取該校驗位可判斷數(shù)據(jù)保存是否正確。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，如果數(shù)據(jù)保存錯誤，則重新將數(shù)據(jù)寫入FLASH，然后重復(fù)回讀數(shù)據(jù)并比較步驟。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，重復(fù)寫入次數(shù)超過3次，即確認(rèn)FLASH存儲器上產(chǎn)生壞塊。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在SRAM存儲中保持壞塊的狀態(tài)，屏蔽該塊的讀寫。
[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，每一數(shù)據(jù)塊存儲在FLASH上的兩個存儲區(qū)。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在查找到有效地址后讀取FLASH中的數(shù)據(jù)這一步驟中，首先讀取FLASH中的信息，將該信息與查詢數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，確認(rèn)是否正確。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，確認(rèn)正確后，則讀取FLASH中的數(shù)據(jù)。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:保證了存儲數(shù)據(jù)的正確性以及存儲及查詢的方便性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1示出了本發(fā)明一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法中數(shù)據(jù)存儲流程圖；
圖2示出了本發(fā)明一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法中數(shù)據(jù)查詢流程圖。
【具體實施方式】
[0016]以下將結(jié)合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0017]如圖1和圖2所示，根據(jù)終端對于數(shù)據(jù)存儲的要求及各類數(shù)據(jù)存儲器的特點比較，CPU主卡選擇SRAM+NOR FLASH存儲器的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲。CPU主卡采用256K容量的SRAM存儲器保存實時的一類數(shù)據(jù)及參數(shù)，為了保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，CPU主卡每次進(jìn)行數(shù)據(jù)抄讀時，將數(shù)據(jù)保存在讀寫速度很快的SRAM存儲器中，在數(shù)據(jù)抄讀完成后，需要存儲時，再存儲到FLASH存儲器中。CPU主卡采用64M容量的NAND FLASH存儲器保存二類曲線數(shù)據(jù)，F(xiàn)ALSH存儲器進(jìn)行循環(huán)存儲數(shù)據(jù)，CPU抄讀完數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲時，按FLASH存儲器地址依次進(jìn)行存儲，當(dāng)FLASH存儲器存儲滿時，從低地址重新循環(huán)存儲，為了保證每次存儲數(shù)據(jù)的正確性，SRAM保存FLASH存儲器現(xiàn)存儲的地址并每次更新。
[0018]中心主站是以數(shù)據(jù)發(fā)生時間對CPU主卡請求二次數(shù)據(jù)，所以FLASH存儲器存儲數(shù)據(jù)時需要保存數(shù)據(jù)的發(fā)生時間。為了保證數(shù)據(jù)查詢的快捷和準(zhǔn)確，SRAM存儲器中保存了一份FLASH存儲器保存數(shù)據(jù)的發(fā)送時間與FLASH存儲地址的映射表，當(dāng)中心主站進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢時，CPU根據(jù)數(shù)據(jù)發(fā)生時間從SRAM中讀取FLASH存儲數(shù)據(jù)的地址，判斷FLASH存儲地址的有效性，迅速的從FLASH存儲地址中獲取數(shù)據(jù)。具體地，首先讀取FLASH中的信息，通過對比讀出信息與查詢數(shù)據(jù)，確定是否正確，如果正確則讀取FLASH中的數(shù)據(jù)。
[0019]SRAM的讀寫次數(shù)在理論上是無限次，對其操作的次數(shù)是不受限制的。而FLASH存儲器的擦寫次數(shù)是有限定的(MX25L6445E安全擦寫次數(shù)為10萬次)，如果頻繁對其操作，存儲器有可能損害，系統(tǒng)就失去了數(shù)據(jù)保存功能，引起采集數(shù)據(jù)的丟失，造成系統(tǒng)工作的不正常。在數(shù)據(jù)存儲算法上，實時的電能采樣一類數(shù)據(jù)正常情況下保存在SRAM中，在FLAHS存儲器中僅保存凍結(jié)、事件等周期比較長的數(shù)據(jù)，保證盡可能少對FLASH操作。
[0020]在數(shù)據(jù)存儲時，為了保證數(shù)據(jù)的完整性，通過校驗+冗余存儲的方式雙重手段來加以保證。在每一個數(shù)據(jù)塊后加入一個和校驗字節(jié)，通過讀取該校驗位可判斷出數(shù)據(jù)保存的正確性；每一個數(shù)據(jù)塊的存儲均考慮冗余存儲，即同一數(shù)據(jù)均保證兩個存儲區(qū)，這樣能保證一個數(shù)據(jù)塊發(fā)生故障后，數(shù)據(jù)還能夠保證有據(jù)可循。雖然付出了存儲容量的代價，但是保證了數(shù)據(jù)的安全性。
[0021]FLASH在使用過程中，壞塊的形成是比較常見的故障。通常的處理需要非常復(fù)雜的算法。而本方案中，可以通過在SRAM中采用位的形式保存FLASH存儲器中塊狀態(tài)，很容易的實現(xiàn)了 FLASH存儲器壞塊的處理。每次將數(shù)據(jù)寫入FLASH存儲器后，隨即讀取驗證，如果發(fā)現(xiàn)壞塊的產(chǎn)生，在SRAM存儲中保持壞塊的狀態(tài)，屏蔽該塊的讀寫。最大程度的延長了產(chǎn)品的安全運行壽命。
[0022]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個整體，各實施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
[0023]上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對本發(fā)明的可行性實施方式的具體說明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，包括數(shù)據(jù)存儲流程及數(shù)據(jù)查詢流程，其特征在于: 數(shù)據(jù)存儲流程包括以下步驟: 抄讀子表數(shù)據(jù)； 保存數(shù)據(jù)到SRAM中； 得到FLASH存儲器地址； 數(shù)據(jù)寫入FLASH; 數(shù)據(jù)查詢流程包括以下步驟: 根據(jù)時間在SRAM中查找FLASH地址； 查找到有效地址后讀取FLASH中的數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:SRAM保存FLASH存儲器存儲地址并及時更新。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:數(shù)據(jù)寫入FLASH后，還包括回讀數(shù)據(jù)并比較的步驟，每次將數(shù)據(jù)寫入FLASH存儲器后，隨即讀取驗證。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:數(shù)據(jù)分為多個數(shù)據(jù)塊，每一數(shù)據(jù)塊后加入一個和校驗字節(jié)，通過讀取該校驗位可判斷數(shù)據(jù)保存是否正確。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:如果數(shù)據(jù)保存錯誤，則重新將數(shù)據(jù)寫入FLASH，然后重復(fù)回讀數(shù)據(jù)并比較步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:重復(fù)寫入次數(shù)超過3次，即確認(rèn)FLASH存儲器上產(chǎn)生壞塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:在SRAM存儲中保持壞塊的狀態(tài)，屏蔽該塊的讀寫。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:每一數(shù)據(jù)塊存儲在FLASH上的兩個存儲區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:在查找到有效地址后讀取FLASH中的數(shù)據(jù)這一步驟中，首先讀取FLASH中的信息，將該信息與查詢數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，確認(rèn)是否正確。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種智能終端的數(shù)據(jù)管理方法，其特征在于:確認(rèn)正確后，則讀取FLASH中的數(shù)據(jù)。
【文檔編號】G06F17/30GK103514176SQ201210206411
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月21日
【發(fā)明者】阮海波 申請人:蘇州工業(yè)園區(qū)新宏博通訊科技有限公司