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觸摸屏導(dǎo)電層及其制作工藝的制作方法

文檔序號:6362846閱讀:346來源:國知局
專利名稱:觸摸屏導(dǎo)電層及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種觸摸屏導(dǎo)電層及其制作工藝。
背景技術(shù)
目前,市場普遍使用的一種電容觸摸屏是由鋼化玻璃、光學(xué)膠及ITO導(dǎo)電薄膜構(gòu)成,其特性是不易破損、容易加工、產(chǎn)品成本較低、良品率高、厚度薄、透光度高達89%的-種高透光度電容觸摸屏,但現(xiàn)有的觸摸屏存在如下缺陷I、采用這種ITO薄膜很難做成大尺寸的觸摸屏;2、ITO導(dǎo)電薄膜是以樹脂作為基材涂上ΙΤ0,ITO是在氧化銦(In203)中添加氧化錫(Sn02)而形成的化合物,英文名稱為Indium Tin Oxide,而這種化合物中的銦和錫均屬于稀有金屬,其開發(fā)成本及生產(chǎn)成本均較高;3、ITO薄膜外觀偏黃,影響產(chǎn)品的視覺美觀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種觸摸屏導(dǎo)電層及其制作工藝,本發(fā)明的生產(chǎn)成本低,產(chǎn)品質(zhì)量好。其技術(shù)方案如下。一種觸摸屏導(dǎo)電層,包括納米級銀絲及填充料,納米級銀絲占導(dǎo)電層的97. 5%至99. 5%,填充料占導(dǎo)電層的O. 5%至2. 5% ;納米級銀絲的線徑為5納米至30納米,線長為10納米至40納米。下面對本發(fā)明進一步技術(shù)方案進行說明。所述納米級銀絲的線徑為10納米至20納米,線長為20納米至30納米。一種觸摸屏導(dǎo)電層制作工藝,制作溶劑,并將納米級銀絲及填充料攪拌入溶劑中形成導(dǎo)電混合物,使納米級銀絲的線徑為10納米至20納米,線長為20納米至30納米;將導(dǎo)電混合物涂覆于基板上,并以90至110度的溫度進行干燥,再涂覆表面層,并進行干燥。涂覆所述表面層后,通過紫外光源的方式進行干燥。所述溶劑包括98%至99. 5%的純水,其余為O. 2%至O. 5%的乙酸乙酯和O. 5%至2%的乙醇。所述填充料為聚氨酯或丙烯酸樹脂。下面對本發(fā)明的優(yōu)點或原理進行說明I、采用納米級銀絲形成的觸摸屏導(dǎo)電層,由于減少了稀土材料的應(yīng)用,降低了研發(fā)成本及生產(chǎn)成本,使得所生產(chǎn)的觸摸屏具有極強的市場競爭力;2、采用納米級銀絲作為導(dǎo)電層,可以通過印刷技術(shù),以建立面向大尺寸面板的大規(guī)模生產(chǎn)體制;3、采用納米級銀絲作為導(dǎo)電層,其透光性更好,產(chǎn)品更美觀。
具體實施方式
下面對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。一種觸摸屏導(dǎo)電層,包括納米級銀絲及填充料,納米級銀絲占導(dǎo)電層的97. 5%至99. 5%,填充料占導(dǎo)電層的O. 5%至2. 5% ;納米級銀絲的線徑為5納米至30納米,線長為10納米至40納米。進一步,所述納米級銀絲的線徑為10納米至20納米,線長為20納米至30納米。本實施例中,觸摸屏導(dǎo)電層制作工藝為首先采用roll to roll wet coating(卷對卷濕式涂布工藝,也叫“slot diecoating狹縫型擠壓式涂布方式)涂布納米銀導(dǎo)電油墨,再以100度溫度干燥,接著以相同的方式涂布覆蓋層油墨,以UV紫外光源干燥。具體如下制作溶劑,并將納米級銀絲及填充料攪拌入溶劑中形成導(dǎo)電混合物,使納米級銀絲的線徑為10納米至20納米,線長為20納米至30納米;將導(dǎo)電混合物涂覆于基板上,并以90至110度的溫度進行干燥,再涂覆表面層,并通過紫外光源的方式進行干燥。所述溶劑包括98%至99. 5%的純水,其余為0. 2%至0. 5%的乙酸乙酯和0. 5%至2%的乙醇。所述填充料為聚氨酯或丙烯酸樹脂。本實施例具有如下優(yōu)點I、采用納米級銀絲形成的觸摸屏導(dǎo)電層,由于減少了稀土材料的應(yīng)用,降低了研發(fā)成本及生產(chǎn)成本,使得所生產(chǎn)的觸摸屏具有極強的市場競爭力;2、采用納米級銀絲作為導(dǎo)電層,可以通過印刷技術(shù),以建立面向大尺寸面板的大規(guī)模生產(chǎn)體制;3、采用納米級銀絲作為導(dǎo)電層,其透光性更好,產(chǎn)品更美觀。以上僅為本發(fā)明的具體實施例,并不以此限定本發(fā)明的保護范圍;在不違反本發(fā)明構(gòu)思的基礎(chǔ)上所作的任何替換與改進,均屬本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種觸摸屏導(dǎo)電層,其特征在于,包括納米級銀絲及填充料,納米級銀絲占導(dǎo)電層的97. 5%至99. 5%,填充料占導(dǎo)電層的O. 5%至2. 5% ;納米級銀絲的線徑為5納米至30納米,線長為10納米至40納米。
2.如權(quán)利要求I所述觸摸屏導(dǎo)電膜,其特征在于,所述納米級銀絲的線徑為10納米至20納米,線長為20納米至30納米。
3.一種觸摸屏導(dǎo)電層制作工藝,其特征在于,制作溶劑,并將納米級銀絲及填充料攪拌入溶劑中形成導(dǎo)電混合物,使納米級銀絲的線徑為10納米至20納米,線長為20納米至30納米;將導(dǎo)電混合物涂覆于基板上,并以90至110度的溫度進行干燥,再涂覆表面層,并進行干燥。
4.如權(quán)利要求3所述觸摸屏導(dǎo)電膜,其特征在于,涂覆所述表面層后,通過紫外光源的方式進行干燥。
5.如權(quán)利要求3所述觸摸屏導(dǎo)電膜,其特征在于,所述溶劑包括98%至99.5%的純水,其余為O. 2%至O. 5%的乙酸乙酯和O. 5%至2%的乙醇。
6.如權(quán)利要求3所述觸摸屏導(dǎo)電膜,其特征在于,所述填充料為聚氨酯或丙烯酸樹脂。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種觸摸屏導(dǎo)電層及其制作工藝,該觸摸屏導(dǎo)電層包括納米級銀絲及填充料,納米級銀絲占導(dǎo)電層的97.5%至99.5%,填充料占導(dǎo)電層的0.5%至2.5%;納米級銀絲的線徑為5納米至30納米,線長為10納米至40納米。本發(fā)明的生產(chǎn)成本低,產(chǎn)品質(zhì)量好。
文檔編號G06F3/044GK102637103SQ20121008918
公開日2012年8月15日 申請日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月29日
發(fā)明者曾慧, 李麗 申請人:意力(廣州)電子科技有限公司
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