專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有觸摸板功能的顯示裝置。
背景技術(shù)：
在有些顯示裝置中內(nèi)置了觸摸板功能。在該裝置中，對置配置了第一基板(TFT基板)和第二基板(濾色器基板)。在TFT基板上，在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上，以一定間隔形成了多個(gè)像素電極。這些像素電極形成為矩形狀。在濾色器基板上形成了對置電極。在多個(gè)像素電極和對置電極之間封入液晶而形成了液晶層。圖15示出該裝置的平面配置圖。多個(gè)像素電極1分別在X方向和Y方向上以一定間隔配置。在像素電極1的端部，連接了作為像素用晶體管的薄膜晶體管(以下，稱作 TFT) 2 0在各像素電極1的X方向上相鄰的間隔，配置了作為信號線的數(shù)據(jù)布線3。此外，在各像素電極1的X方向上相鄰的3個(gè)間隔中的1個(gè)間隔，配置了 X坐標(biāo)檢測布線4。如圖 15所示，在各像素電極1的X方向上的間隔中，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)方向，以依次配置 1條數(shù)據(jù)布線3，在其右相鄰的間隔配置1條數(shù)據(jù)布線3，以及在其右相鄰的間隔配置1條X 坐標(biāo)檢測布線4及1條數(shù)據(jù)布線3的順序重復(fù)地配置。另一方面，在各像素電極1的Y方向上相鄰的間隔，配置了 TFT2、作為掃描線的柵極布線5、Y坐標(biāo)檢測布線6和輔助電容布線7。TFT2的柵極與柵極布線5，漏極與數(shù)據(jù)布線3連接，源極與像素電極1連接。在像素電極1的Y方向上的間隔，在各像素電極1的X方向上的1條數(shù)據(jù)布線3 和其右相鄰的X坐標(biāo)檢測布線4之間、且在Y坐標(biāo)檢測布線6上，設(shè)置了基座部8。圖16表示基座部8的配置周邊部的平面配置圖。此外，在像素電極1的Y方向上的間隔，在X方向上的1條數(shù)據(jù)布線3和其右相鄰的X坐標(biāo)檢測布線4之間、且在Y坐標(biāo)檢測布線6上，設(shè)置了一對X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9及Y 坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10。圖17表示一對X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9及Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10的配置周邊部的平面配置圖。在一對X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9及Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10中，X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9在TFT 基板和濾色器基板上分別設(shè)有接點(diǎn)，通過這些接點(diǎn)導(dǎo)通，產(chǎn)生X坐標(biāo)信號。Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10也同樣，在TFT基板和濾色器基板上分別設(shè)有接點(diǎn)，通過這些接點(diǎn)導(dǎo)通，產(chǎn)生Y坐標(biāo)信號?；?將在未受到來自外部的按壓時(shí)的一對X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9及Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10的各接點(diǎn)間隔設(shè)定為預(yù)先設(shè)定的間隔。作為觸摸板的技術(shù)，例如有日本特開2007-095044號公報(bào)所公開的技術(shù)。但是，在具有觸摸功能的顯示裝置中，在各像素電極1的Y方向上的間隔中分別配置了 TFT2、柵極布線5、Y坐標(biāo)檢測布線6、輔助電容布線7，在X方向上的1條數(shù)據(jù)布線3和其右相鄰的X坐標(biāo)檢測布線4之間、且Y坐標(biāo)檢測布線6上，配置了基座部8或一對X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9及Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10。作為對顯示裝置的顯示性能(如顯示亮度等)的提高做出貢獻(xiàn)的主要原因，例如， 可以增大各像素電極1的大小即作為顯示裝置的開口率(aperture rate)。但是，在上述顯示裝置中，在各像素電極1的Y方向的間隔中分別配置了 TFT2、柵極布線5、Y坐標(biāo)檢測布線6、輔助電容布線7，并且，作為觸摸功能，配置Y坐標(biāo)檢測布線6，并在X方向上的1條數(shù)據(jù)布線3和其右相鄰的X坐標(biāo)檢測布線4之間、且Y坐標(biāo)檢測布線6上，配置了基座部8 或一對的X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部9及Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部10。因此，不能增大各像素電極1的大小，即不能增大顯示裝置的開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的顯示裝置的一個(gè)方式，具備具備多個(gè)像素電極，分別在第一方向及與上述第一方向不同的第二方向上排列；對置電極，與上述多個(gè)像素電極對置配置；多個(gè)像素晶體管，分別連接于上述多個(gè)像素電極；多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第一方向配設(shè)；多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第二方向配設(shè)；多個(gè)信號線，沿著上述第二方向配設(shè)，向上述多個(gè)像素晶體管供給顯示信號；多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部，分別具有第一接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線連接，通過受到來自外部的按壓而使上述第一接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第一坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通；以及多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部，分別具有第二接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線連接，通過受到來自上述外部的上述按壓而使上述第二接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第二坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通，上述第二坐標(biāo)檢測布線配設(shè)在上述多個(gè)像素電極之中在上述第一方向上連續(xù)排列的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極及第四像素電極中的、上述第二像素電極與上述第三像素電極之間的間隔中，在上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的間隔、以及上述第三像素電極與上述第四像素電極之間的間隔中的一個(gè)間隔中，配設(shè)2條上述信號線，在上述第二像素電極和上述第三像素電極上分別連接上述像素晶體管，使上述像素晶體管隔著上述第二坐標(biāo)檢測布線配置在遠(yuǎn)離上述第二坐標(biāo)檢測布線的側(cè)方，上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部配置在與上述第二像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第三像素電極連接的上述像素晶體管之間的間隔中。本發(fā)明的顯示裝置的方式之一，具備多個(gè)像素電極，分別在第一方向及與上述第一方向不同的第二方向上排列；對置電極，與上述多個(gè)像素電極對置配置；多個(gè)像素晶體管，分別連接于上述多個(gè)像素電極；多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第一方向配設(shè)；
多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第二方向配設(shè)；多個(gè)信號線，沿著上述第二方向配設(shè)，向上述多個(gè)像素晶體管供給顯示信號；多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部，分別具有第一接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線連接，通過受到來自外部的按壓而使上述第一接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第一坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通；多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部，分別具有第二接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線連接，通過受到來自上述外部的上述按壓而使上述第二接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第二坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通；以及多個(gè)基座部，該基座部具有分別保持上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部與上述對置電極之間的間隔及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部與上述對置電極之間的間隔的間隔件，并將在未受到上述按壓時(shí)的上述第一接點(diǎn)及上述第二接點(diǎn)與上述對置電極之間的間隔設(shè)定為預(yù)先設(shè)定的接點(diǎn)間隔，上述第二坐標(biāo)檢測布線配設(shè)在上述多個(gè)像素電極之中在上述第一方向上連續(xù)排列的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極及第四像素電極中的、上述第二像素電極與上述第三像素電極之間的間隔中，在上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的間隔、以及上述第三像素電極與上述第四像素電極之間的間隔中的一個(gè)間隔中配設(shè)2條上述信號線，并且，在另一個(gè)間隔中配設(shè)1條上述信號線，在上述第二像素電極和上述第三像素電極上分別連接了上述像素晶體管，使上述像素晶體管隔著上述第二坐標(biāo)檢測布線配置在遠(yuǎn)離上述第二坐標(biāo)檢測布線的側(cè)方，上述基座部、或上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部，配置在與上述第二像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第三像素電極連接的上述像素晶體管之間的間隔中。本發(fā)明中追加的要件以及優(yōu)點(diǎn)置于本說明書的后面的第四部分，并且本發(fā)明的部分優(yōu)點(diǎn)通過說明變明顯，或通過實(shí)施本發(fā)明得知。本發(fā)明的要件以及優(yōu)點(diǎn)能夠通過在后面詳細(xì)指出的裝置和組合來實(shí)現(xiàn)。


所附的附圖結(jié)合并包含于本發(fā)明的一部分，說明本發(fā)明的實(shí)施方式，并與上面給出的總的說明以及下面給出的實(shí)施方式的說明一起，用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出具有本發(fā)明的觸摸功能的顯示裝置的第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖2是示出該裝置的具體的局部平面結(jié)構(gòu)圖。圖3是示出該裝置的基座部的周邊部的平面結(jié)構(gòu)圖。圖4是示出該裝置的基座部的A-A(IVB-IVB)截面圖。圖5是示出該裝置的X坐標(biāo)檢測部及Y坐標(biāo)檢測部的周邊部的平面結(jié)構(gòu)圖。圖6是示出該裝置的X坐標(biāo)檢測部及Y坐標(biāo)檢測部的B-B(IVC-IVC及IVD-IVD) 截面圖。圖7A、圖7B、圖7C、圖7D是示出沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5 的IVC-IVC線、圖5的IVD-IVD線的、與該裝置的TFT、基座部、X坐標(biāo)檢測部、Y坐標(biāo)檢測部對應(yīng)的各部分的最初階段的制作工序的圖。圖8A、圖8B、圖8C、圖8D是示出沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5 的IVC-IVC線、圖5的IVD-IVD線的、與該裝置的TFT、基座部、X坐標(biāo)檢測部、Y坐標(biāo)檢測部對應(yīng)的各部分的下一階段的制作工序的圖。圖9A、圖9B、圖9C、圖9D是示出沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5 的IVC-IVC線、圖5的IVD-IVD線的、與該裝置的TFT、基座部、X坐標(biāo)檢測部、Y坐標(biāo)檢測部對應(yīng)的各部分的下一階段的制作工序。圖10A、圖10B、圖10C、圖IOD是示出沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、 圖5的IVC-IVC線、圖5的IVD-IVD線的、與該裝置的TFT、基座部、X坐標(biāo)檢測部、Y坐標(biāo)檢測部對應(yīng)的各部分的下一階段的制作工序的圖。圖11A、圖11B、圖11C、圖IlD是示出沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、 圖5的IVC-IVC線、圖5的IVD-IVD線的、與該裝置的TFT、基座部、X坐標(biāo)檢測部、Y坐標(biāo)檢測部對應(yīng)的各部分的下一階段的制作工序的圖。圖12是示出該裝置和現(xiàn)有裝置之間的對比的圖。圖13是示出本發(fā)明的具有觸摸板功能的顯示裝置的第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖14是示出本發(fā)明的具有觸摸板功能的顯示裝置的第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖15是示出現(xiàn)有的顯示裝置的平面配置圖。圖16是示出該裝置的基座的周邊部的平面配置圖。圖17是示出該裝置的X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部及Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)部的配置周邊部的平面配置圖。
具體實(shí)施例方式[第一實(shí)施方式]下面，參照附圖，對本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，在與圖15相同的部分標(biāo)注同一標(biāo)記來省略詳細(xì)說明。圖1示出具有觸摸板功能的顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。在本裝置100上，設(shè)有相互對置配置的第一基板(TFT基板)和第二基板(濾色器基板)。在TFT基板上設(shè)有多個(gè)像素電極 1。這些像素電極1形成為矩形狀。在X方向(稱作橫向)和Y方向(稱作縱向)上，這些個(gè)像素電極1分別每隔一定間隔配置有多個(gè)像素電極1。例如，在圖1中，將配置在Y方向的最上側(cè)的X方向的各像素電極1的行設(shè)為橫第1行，將配置在該橫第1行的下側(cè)的X方向的各像素電極1的行設(shè)為橫第2行，依次朝向下方設(shè)為橫第3行、橫第4行。此外，在圖1中，將配置在X方向的最左側(cè)的Y方向的各像素電極1的列設(shè)為縱第 1列，將配置在該縱第1列的右側(cè)的Y方向的各像素電極1的列設(shè)為縱第2列，下面，依次朝向右側(cè)，設(shè)為縱第3列、縱第4列。在第二基板上，隔著濾色器層設(shè)有對置電極20。像素電極1和對置電極20被對置配置。在像素電極1和對置電極20之間封入液晶而形成了液晶層Q。此外，在圖面上，對置電極20配置在像素電極1的上方。如圖1所示，在像素電極1上連接了作為像素用晶體管的薄膜晶體管(TFT)2。這些TFT2的各個(gè)柵極連接在柵極布線5上，漏極與數(shù)據(jù)布線3連接，源極與像素電極1連接。在圖面上，從對置電極20側(cè)觀察像素電極1時(shí)，在像素電極1的Y方向的下端邊且該下端邊的X方向的左側(cè)或右側(cè)中某一方連接TFT2的源極。具體來說，如后所述，在多個(gè)像素電極1的X方向的各間隔配置有1本或2條數(shù)據(jù)布線3。由此，在配置有數(shù)據(jù)布線3的一側(cè)的像素電極1的下端邊的左側(cè)或右側(cè)中某一方， 連接了 TFT2的源極。TFT2通過與配置有數(shù)據(jù)布線3的一側(cè)的像素電極1的下端邊連接， TFT2自身配置在像素電極1的下端邊的左側(cè)或右側(cè)中某一方。例如，在圖1的圖面上，在橫第1行中，相對于配置在最左側(cè)的像素電極1，TFT2的源極連接在該像素電極1的下端邊的左側(cè)。由此，TFT2自身配置在該像素電極1的下端邊的左側(cè)。在該橫第1行中，相對于上述像素電極1的右側(cè)相鄰的像素電極1，將TFT2的源極配置在該像素電極1的下端邊的右側(cè)。由此，該TFT2自身配置在像素電極1的下端邊的右側(cè)。并且，相對于進(jìn)一步右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2的源極連接在該像素電極1的下端邊的左側(cè)。由此，該TFT2自身配置在像素電極1的下端邊的左側(cè)。以下，與上述同樣，相對于右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2的源極連接在該像素電極 1的下端邊的左側(cè)，該TFT2自身配置在像素電極1的下端邊的左側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2的源極連接在該像素電極1的下端邊的右側(cè)，該TFT2自身配置在像素電極1的下端邊的右側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2的源極連接在該像素電極1的下端邊的左側(cè)，該TFT2自身配置在像素電極1的下端邊的左側(cè)，重復(fù)如上配置。另一方面，在多個(gè)像素電極1的Y方向的各間隔中，交替配置了一對的X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈、和基座部27。這些一對的X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26、 和基座部27配置在配置有X坐標(biāo)檢測布線4的縱列的各像素電極1之間。一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈相互相鄰配置。例如，在圖1中，在橫第1行和橫第2行的各像素電極1之間、且X坐標(biāo)檢測布線 4上的縱第1列和縱第2列的各像素電極1之間，配置有基座部27。該基座部27配置在圖中左斜上方。在橫第2行和橫第3行的各像素電極1之間、且X坐標(biāo)檢測布線4上的縱第1列和縱第2列的各像素電極1之間，配置有一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。在橫第3行和橫第4行的各像素電極1之間、且X坐標(biāo)檢測布線4上的縱第1列和縱第2列的各像素電極1之間，又配置有基座部27。下面，在各像素電極1的橫向各行的各間隔的X坐標(biāo)檢測布線4上，重復(fù)交替配置了基座部27、和一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。此外，在橫第1行和橫第2行的各像素電極1之間、且X坐標(biāo)檢測布線4上的縱第 4列和縱第5列的各像素電極1之間，配置有一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。在橫第2行和橫第3行的各像素電極1之間、且X坐標(biāo)檢測布線4上的縱第4列和縱第5列的各像素電極1之間，配置有基座部27。在橫第3行和橫第4行的各像素電極1之間、且X坐標(biāo)檢測布線4上的縱第4列和縱第5列的各像素電極1之間，又配置有一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。下面，在各像素電極1的橫向的各行的各間隔的各X坐標(biāo)檢測布線4上，交替重復(fù)配置了基座部27、和一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。在本裝置100上，設(shè)有數(shù)據(jù)驅(qū)動器(數(shù)據(jù)驅(qū)動電路)21、掃描驅(qū)動器(掃描驅(qū)動電路)22、X坐標(biāo)檢測電路23、以及Y坐標(biāo)檢測部24。數(shù)據(jù)驅(qū)動器21連接了多個(gè)作為信號線的數(shù)據(jù)布線3，并向數(shù)據(jù)布線3供給圖像信號。數(shù)據(jù)布線3與TFT2的漏極連接。掃描驅(qū)動器22連接多個(gè)柵極布線5，并在按預(yù)先設(shè)定的掃描定時(shí)沿著Y方向掃描的同時(shí)向柵極布線5發(fā)送掃描信號。該掃描信號使各TFT2依次進(jìn)行導(dǎo)通動作。柵極布線 5與TFT2的柵極連接。從掃描驅(qū)動器22輸出的掃描信號和從數(shù)據(jù)驅(qū)動器21輸出的圖像信號的定時(shí)，是在掃描驅(qū)動器22依次向各柵極布線5輸出掃描信號時(shí)，在每個(gè)向各柵極布線5輸出掃描信號的期間，從數(shù)據(jù)驅(qū)動器21向所有數(shù)據(jù)布線3同時(shí)輸出圖像信號。由此，多個(gè)TFT2中，掃描信號通過數(shù)據(jù)布線3向漏極供給、圖像信號通過柵極布線5向柵極供給的TFT2，其漏極和源極導(dǎo)通，向與該導(dǎo)通的源極連接的像素電極1寫入與圖像信號對應(yīng)的電壓。然后，在像素電極1和對置電極20之間產(chǎn)生電壓差，從而驅(qū)動該液晶層Q。在X坐標(biāo)檢測電路23上連接了多個(gè)X坐標(biāo)檢測布線4。在X坐標(biāo)檢測布線4上， 設(shè)置了多個(gè)X坐標(biāo)檢測部25。X坐標(biāo)檢測部25具有接點(diǎn)，通過接受來自外部的按壓而該接點(diǎn)接觸對置電極20，使該對置電極20和X坐標(biāo)檢測布線4導(dǎo)通。由此，X坐標(biāo)檢測電路23 例如為，將在通過操作者的觸摸而從外部接受了按壓的部分的X坐標(biāo)檢測部25導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的X坐標(biāo)信號，經(jīng)由X坐標(biāo)檢測布線4輸入該X坐標(biāo)檢測電路23，由該X坐標(biāo)檢測電路23 根據(jù)該X坐標(biāo)檢測布線4的配置位置檢測觸摸部分的X坐標(biāo)。在Y坐標(biāo)檢測電路M上連接了多個(gè)Y坐標(biāo)檢測布線7。在Y坐標(biāo)檢測布線7上， 設(shè)有多個(gè)Y坐標(biāo)檢測部26。Y坐標(biāo)檢測部沈具有接點(diǎn)，通過接受來自上述外部的按壓而該接點(diǎn)接觸對置電極20，由此使該對置電極20和Y坐標(biāo)檢測布線7導(dǎo)通。由此，Y坐標(biāo)檢測電路M為，將在接受了上述按壓的部分的Y坐標(biāo)檢測部沈?qū)〞r(shí)產(chǎn)生的Y坐標(biāo)信號，經(jīng)由 Y坐標(biāo)檢測布線7輸入該Y坐標(biāo)檢測電路M，并由該Y坐標(biāo)檢測電路M根據(jù)該Y坐標(biāo)檢測布線7的配置位置檢測觸摸部分的Y坐標(biāo)?；?7為，將未受到上述按壓時(shí)的X坐標(biāo)檢測部25的接點(diǎn)和對置電極20之間的間隔、以及Y坐標(biāo)檢測部沈的接點(diǎn)和對置電極20之間的間隔設(shè)定為預(yù)先設(shè)定的接點(diǎn)間隔。該基座部27設(shè)置在Y坐標(biāo)檢測布線7上。此外，在Y方向的相鄰的像素電極1的間隔中配置了輔助電容布線6。由像素電極 1和輔助電容布線6形成輔助電容觀，輔助電容布線6連接各輔助電容觀。在上述結(jié)構(gòu)中，在多個(gè)像素電極1的橫向的各間隔中，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)的方向，依次重復(fù)配置了 1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4以及2條數(shù)據(jù)布線3。此外，重復(fù)配置1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4以及2條數(shù)據(jù)布線3的順序不限于以1條數(shù)據(jù)布線3作為開始基準(zhǔn)的方式，也可以將X坐標(biāo)檢測布線4或2條數(shù)據(jù)布線3作為開始基準(zhǔn)。 例如，若將X坐標(biāo)檢測布線4作為開始基準(zhǔn)，則重復(fù)配置X坐標(biāo)檢測布線4、2條數(shù)據(jù)布線3 以及1條數(shù)據(jù)布線3。如上所示，通過按照1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4以及2條數(shù)據(jù)布線3的順序配置，由于1條數(shù)據(jù)布線3和2條數(shù)據(jù)布線3的配置位置，各TFT2的橫向的配置位置相對于像素電極1位于右側(cè)或左側(cè)。例如，在圖1的圖面上，在橫第1行中，相對于配置在最左側(cè)的像素電極1，TFT2配置于該像素電極1的下端邊的左側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置于該像素電極1的下端邊的右側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1， TFT2配置于該像素電極1的下端邊的左側(cè)。下面，同樣，相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置于像素電極1的下端邊的左側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置于像素電極1的下端邊的右側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2連接到該像素電極1的下端邊的左側(cè)，如上重復(fù)上述配置和連接方式。通過上述各TFT2的配置，配置于X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔形成為比圖15所示的各TFT2的橫向的間隔寬。S卩，相對于配置在X坐標(biāo)檢測布線4 的左右兩側(cè)的各像素電極1，各TFT2配置于遠(yuǎn)離X坐標(biāo)檢測布線4的一側(cè)的像素電極1的下端邊，例如，TFT2相對于X坐標(biāo)檢測布線4的左側(cè)的像素電極1而配置在其下端邊的左側(cè)，相對于X坐標(biāo)檢測布線4的右側(cè)的像素電極1而配置在其下端邊的右側(cè)?；?7、一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈分別配置在X坐標(biāo)檢測布線 4上?；?7配置成在橫向上X坐標(biāo)檢測布線4通過該基座部27的中心部。一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈在橫向上并列設(shè)置，配置成X坐標(biāo)檢測布線4通過這些X 坐標(biāo)檢測部25和Y坐標(biāo)檢測部沈之間。配置在X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔比基座部27的橫向的長度或并列設(shè)置的一對X坐標(biāo)檢測部25和Y坐標(biāo)檢測部沈的橫向長度長。因此，基座部27和一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈分別不在縱向上與TFT2 —同排列，而是能夠配置在橫向的各TFT2之間。通過將基座部27、一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部 26分別配置在橫向上的各TFT2之間，能夠?qū)⒏飨袼仉姌O1的縱向的間隔配置成比圖15所示的現(xiàn)有的各像素電極1的縱向的間隔狹窄。此外，本裝置100的顯示區(qū)域的右端的像素電極1的右側(cè)及該顯示區(qū)域的左端的像素電極1的左側(cè)也包括在像素電極1的X方向上的間隔內(nèi)。一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈夾著X坐標(biāo)檢測布線4配置在橫向上。 一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈配置于在受到上述按壓時(shí)對置電極20所產(chǎn)生的彎曲量成為最大的多個(gè)部位。即，在X坐標(biāo)檢測布線4和Y坐標(biāo)檢測布線7的交叉部分，且在橫向上對每6個(gè)像素電極1配置一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。在X坐標(biāo)檢測布線4和Y坐標(biāo)檢測布線7的交叉部分上的除了配置有一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈以外的交叉部分上，且在橫向上對每6個(gè)像素電極1配置了 1個(gè)基座部27。由此，一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈分別配置在對置電極20上所產(chǎn)生的彎曲量成為最大的各基座部27的配置位置的中央部。例如，在圖1中，存在3個(gè)基座部 27。此外，除了該3個(gè)基座部27之外，還存在第4個(gè)基座部27，以這些基座部27的配置位置作為各角形成正四邊形。實(shí)際上，在圖1中不存在的部位也存在多個(gè)基座部27。一對X 坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈配置在以4個(gè)基座部27的配置位置作為各角的正四邊形的中央部。圖2表示本裝置100的具體的局部平面結(jié)構(gòu)圖。在多個(gè)像素電極1的橫向的間隔中，如上所述，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)的方向依次重復(fù)配置了 1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4、2條數(shù)據(jù)布線3。通過這些配置，各TFT2的橫向的配置位置相對于像素電極1位于右側(cè)或左側(cè)。例如，在圖2的圖面上，在橫第1行中，相對于配置在最左側(cè)的像素電極1， TFT2配置于該像素電極1的下端邊的左側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置于該像素電極1的下端邊的右側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置于該像素電極1的下端邊的左側(cè)。以下，TFT2配置成與上述圖1所示的配置相同的配置。通過上述的各TFT2的配置，相對于配置在X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各像素電極1，各TFT2配置在遠(yuǎn)離X坐標(biāo)檢測布線4的一側(cè)的像素電極1的下端邊，例如，相對于 X坐標(biāo)檢測布線4的左側(cè)的像素電極1而配置在其下端邊的左側(cè)，相對于X坐標(biāo)檢測布線4 的右側(cè)的像素電極1而配置在其下端邊的右側(cè)。由此，配置在X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔形成為比圖15所示的各TFT2的橫向間隔寬。基座部27、一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈分別配置在X坐標(biāo)檢測布線 4上。基座部27配置成，在橫向上X坐標(biāo)檢測布線4通過該基座部27的中心部。一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈在橫向上并列設(shè)置，配置成X坐標(biāo)檢測布線4通過該X坐標(biāo)檢測部25和Y坐標(biāo)檢測部沈之間。配置在X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔比基座部27的橫向長度或并列設(shè)置的一對X坐標(biāo)檢測部25和Y坐標(biāo)檢測部沈的橫向長度長。因此，基座部 27、一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈分別不在縱向上與TFT2 —同排列，而是能夠配置在橫向的各TFT2之間。通過將基座部27、一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈分別配置在橫向上的各TFT2之間，使各像素電極1的縱向的間隔比圖15所示的現(xiàn)有的各像素電極1的縱向的間隔狹窄。一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈隔著X坐標(biāo)檢測布線4配置在橫向上。 一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈配置于在受到上述按壓時(shí)對置電極20所產(chǎn)生的彎曲量成為最大的部位。S卩，在X坐標(biāo)檢測布線4和Y坐標(biāo)檢測布線7的交叉部分上，且在橫向上對每6個(gè)像素電極1配置了一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26。在X坐標(biāo)檢測布線4和Y坐標(biāo)檢測布線7的交叉部分上的除了配置有一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈以外的交叉部分上，且在橫向上對每6個(gè)像素電極1配置了 1個(gè)基座部27。此外，在縱向的像素電極1的配置中，對于每1列，在橫向上每錯開3個(gè)像素電極 1地配置了一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈和基座部27。通過該配置，在X坐標(biāo)檢測布線4的縱向上，一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈和基座部27交替配置，在配置于接著右側(cè)的X坐標(biāo)檢測布線4的縱向上，則是基座部27和一對X坐標(biāo)檢測部25及Y 坐標(biāo)檢測部沈交替配置。即，在橫向上，對每3個(gè)像素電極1交替配置一對X坐標(biāo)檢測部 25及Y坐標(biāo)檢測部沈和基座部27。通過上述配置，一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈配置到各個(gè)對置電極20 所產(chǎn)生的彎曲量成為最大的各基座部27的配置位置的中央部。例如，在圖2中，一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈配置在以4個(gè)基座部27的配置位置作為各角的正四邊形 W的中央部。圖3示出基座部27的周邊部的平面結(jié)構(gòu)圖。在多個(gè)像素電極1的橫向的各間隔中，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)的方向依次重復(fù)配置了 1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4以及2條數(shù)據(jù)布線3。數(shù)據(jù)布線3如上所述在Y方向上布線，且在與柵極布線5交叉的部位向與該柵極布線5相同的方向(X方向)延伸配置。該延伸的數(shù)據(jù)布線(數(shù)據(jù)布線延出部)3a 連接到TFT2的漏極。各TFT2的橫向的配置位置相對于像素電極1位于右側(cè)或左側(cè)。例如，在圖3的圖面上，在配置于最左側(cè)的像素電極1和在其右側(cè)相鄰的像素電極1之間，配置有X坐標(biāo)檢測布線4。相對于上述配置于最左側(cè)的像素電極1，TFT2配置在該像素電極1的下端邊的左側(cè)。相對于接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置在該像素電極1的下端邊的右側(cè)。由此， 配置在X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔形成為比圖16所示的各TFT2 的橫向間隔寬。配置于該X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向間隔比基座部27的橫向的長度長。因此，基座部27在縱向上不與TFT2 —同排列，而是能夠配置在橫向的各TFT2 之間，能夠?qū)⒏飨袼仉姌O1的縱向的間隔設(shè)置成比圖16所示的現(xiàn)有的各像素電極1的縱向的間隔狹窄。圖4表示圖3所示的基座部27的A-A截面圖。在TFT基板上形成有TFT2。將例如由鋁、鉻或鉬構(gòu)成的柵極膜、例如由氮化硅膜構(gòu)成的柵極絕緣膜100a、例如由本征非晶硅構(gòu)成的本征硅膜、例如由氮化硅膜構(gòu)成的溝道保護(hù)膜、例如由n+非晶硅構(gòu)成的η+硅膜、例如由鋁、鉻或鉬構(gòu)成的源 漏極膜和例如由氮化硅膜構(gòu)成的被覆絕緣膜IOOb層疊而形成了該 TFT2。另一方面，在濾色器基板上，設(shè)有濾色器103、黑矩陣104和多個(gè)接點(diǎn)用突起部 105。這些接點(diǎn)用突起105分別與X坐標(biāo)檢測部25、Υ坐標(biāo)檢測部沈及基座部27的各部分對置設(shè)置。在這些接點(diǎn)用突起部105、濾色器103及黑矩陣104上，設(shè)有對置電極20。在被覆絕緣膜IOOb上，使用與像素電極1相同的材料，例如使用ITO來形成電極 108，并且，例如形成由氮化硅膜構(gòu)成的絕緣體的高度調(diào)整部11a，從而配置了基座部27。接點(diǎn)用突起部105起到柱狀間隔件的作用，與高度調(diào)整部Ila接觸。由此，將在未受到來自外部的按壓時(shí)的X坐標(biāo)檢測部25和Y坐標(biāo)檢測部沈之間的各接點(diǎn)間隔設(shè)定為預(yù)先設(shè)定的相同的接點(diǎn)間隔。圖5表示一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈的周邊部的平面結(jié)構(gòu)圖。與上述同樣，在多個(gè)像素電極1的橫向的各間隔中，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)的方向，依次重復(fù)配置了 1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4以及2條數(shù)據(jù)布線3。在X坐標(biāo)檢測布線4和Y 坐標(biāo)檢測布線7的交叉部分上、且在Y方向上，對每2個(gè)像素電極1配置了一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈。各TFT2的橫向的配置位置相對于像素電極1配置在右側(cè)或左側(cè)。例如，在圖5的圖面上，在配置于最左側(cè)的像素電極1和在其右側(cè)相鄰的像素電極1之間，配置了 X坐標(biāo)檢測布線4。相對于配置于最左側(cè)的像素電極1，TFT2配置在該像素電極1的下端邊的左側(cè)。 相對于與接著右側(cè)相鄰的像素電極1，TFT2配置在該像素電極1的下端邊的右側(cè)。由此，在配置于X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔形成為比圖17所示的各TFT2 的橫向的間隔寬。配置于該X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔比一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈的橫向的長度長。因此，一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部
1426在縱向上不與TFT2 —同排列，而是能夠配置在橫向的各TFT2之間，能夠?qū)⒏飨袼仉姌O1 的縱向的間隔設(shè)置成比圖17所示的現(xiàn)有的各像素電極1的縱向的間隔狹窄。圖6示出圖5所示的一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈的B-B向視截面圖。 在此，在圖5中，B-B線是連接了 IVC-IVC線和IVD-IVD線的線。在X坐標(biāo)檢測部25，在被覆絕緣膜IOOb上，使用與像素電極相同的材料，例如ITO形成了 X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極107。 該X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極107與層疊結(jié)構(gòu)102中的X坐標(biāo)檢測布線4連接。由此，在受到來自外部的按壓而對置電極20和X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極107導(dǎo)通時(shí)，X坐標(biāo)檢測部25向X坐標(biāo)檢測布線4生成X坐標(biāo)信號。在Y坐標(biāo)檢測部沈，在被覆絕緣膜IOOb上，使用與像素電極相同的材料，例如ITO 形成了 Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極106。該Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極106與層疊結(jié)構(gòu)102中的Y坐標(biāo)檢測布線7連接。由此，在受到來自外部的按壓而對置電極20和Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極106 導(dǎo)通時(shí)，Y坐標(biāo)檢測部沈向Y坐標(biāo)檢測布線7生成Y坐標(biāo)信號。接著，參照圖7A 圖11D，對第一基板(TFT基板)上的TFT2、基座部27、X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部沈的共同的制作工序進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，圖7A、圖8A、圖9A、圖10A、圖IlA的各圖分別示出在圖3所示的IVA-IVA部分依次形成TFT2的狀態(tài)的截面圖。圖7B、圖8B、圖9B、圖10B、圖IlB的各圖分別示出在圖3所示的A_A(IVB-IVB)部分與TFT2的制作同時(shí)依次形成的基座部27的狀態(tài)的截面圖。圖7C、圖8C、圖9C、圖10C、圖IlC的各圖分別示出在圖5所示的IVC-IVC部分與 TFT2的制作同時(shí)依次形成的X坐標(biāo)檢測部25的狀態(tài)的截面圖。圖7D、圖8D、圖9D、圖10D、圖IlD的各圖分別示出在圖5所示的IVD-IVD部分與 TFT2的制作同時(shí)依次形成的Y坐標(biāo)檢測部沈的狀態(tài)的截面圖。最初，如圖7A 圖7D所示，在與TFT2、基座部27、X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部 26對應(yīng)的各部分，在第1基板(TFT基板)上，通過光刻法，使用例如由鋁、鉻或鉬構(gòu)成的柵極膜形成柵極布線5及沿著柵極布線5延伸的Y坐標(biāo)檢測布線7。此外，在柵極布線5，在與TFT2對應(yīng)的部分提供用于TFT2的柵極5c。此外，在Y坐標(biāo)檢測布線7上，與Y坐標(biāo)檢測部沈?qū)?yīng)的部分提供用于該Y坐標(biāo)檢測部沈的連接部分7b。接著，在如圖8A 圖8D所示與TFT2、基座部27、X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部 26對應(yīng)的各部分，在第1基板(TFT基板)上，例如使用了氮化硅膜(SiNx)的透明的柵極絕緣膜100形成為覆蓋柵極布線5及Y坐標(biāo)檢測布線7。接著，例如由本征非晶硅構(gòu)成的a-Si層52及例如由η+非晶硅構(gòu)成的n+a-Si層 M，一部分隔著例如使用了 SiNx的溝道保護(hù)膜56而層疊。接著，以覆蓋n+a-Si層M的方式，例如形成了由鋁、鉻或鉬構(gòu)成的源 漏極膜58。 源·漏極膜58提供了 TFT2的附近的數(shù)據(jù)布線3及X坐標(biāo)檢測部25的附近的X坐標(biāo)檢測布線4。此外，在X坐標(biāo)檢測布線4上，與X坐標(biāo)檢測部25對應(yīng)的部分提供用于該X坐標(biāo)檢測部25的連接部分25b。如圖8A所示，n+a-Si層M及源 漏極膜58在靠近像素電極1的一側(cè)和遠(yuǎn)離像素電極1的一側(cè)分成2個(gè)。a-Si層52、溝道保護(hù)膜56和如上分成2個(gè)的n+a-Si層M的層疊的組合提供TFT2的歐姆(ohmics)層Md。此外，如上所述，分成2個(gè)的源·漏極膜58的靠近像素電極1 一側(cè)提供TFT2的源極Ma，此外，遠(yuǎn)離像素電極1的一側(cè)提供在TFT2中從數(shù)據(jù)布線3延伸的漏極Mb。接著，如圖9A 圖9D所示，在與TFT2、基座部27、X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部 26對應(yīng)的各部分，形成了覆蓋源·漏極膜58的例如使用了氮化硅膜(SiNx)的透明的被覆絕緣膜101。在此，如圖9Α中所示，在被覆絕緣膜101中，在與TFT2的對應(yīng)的部分，在與源 漏極膜58的源極2 對應(yīng)的位置，形成了用于露出源極Ma的接觸孔101a。此外，如圖9C中所示，在被覆絕緣膜101，在與X坐標(biāo)檢測布線4的用于X坐標(biāo)檢測部25的連接部分2 對應(yīng)的部分，形成有用于露出該連接部分25b的接觸孔101b。并且，如圖9D中所示，在被覆絕緣膜101中，與Y坐標(biāo)檢測布線7的用于Y坐標(biāo)檢測部沈的連接部分26b對應(yīng)的部分，形成有用于露出該連接部分26b的接觸孔101c。接觸孔IOlc還貫通存在于被覆絕緣膜101和用于Y坐標(biāo)檢測部沈的連接部分26b之間的柵極絕緣膜100。在該階段，在圖9A中所示的TFT2的對應(yīng)部分上，由基于柵極布線5的柵極5c、在柵極5c上重疊的柵極絕緣膜100的部分，在柵極絕緣膜100的上述部分上重疊的a-Si層 52、溝道保護(hù)膜56、包括分成2個(gè)的n+a-Si膜M的用于半導(dǎo)體的歐姆層Md、歐姆層24d的分成2個(gè)的n+a-Si膜M上的源極2 及漏極Mb、覆蓋源極2 及漏極24b的被覆絕緣膜 101 提供 TFT2。接著，如圖IOA 圖IOD所示，在與TFT2、基座部27、X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部沈、基座部27對應(yīng)的各部分，以覆蓋被覆絕緣膜101的方式，形成了例如由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜62。如圖IOA中所示，透明導(dǎo)電膜62還形成在用于露出與源極Ma的接觸孔IOlA中而與源極Ma電連接。如圖IOC中所示，透明導(dǎo)電膜62還形成在露出用于X坐標(biāo)檢測部25 的連接部分25b的接觸孔IOlB中而與該連接部分25b電連接。如圖IOD中所示，透明導(dǎo)電膜62還形成在露出用于Y坐標(biāo)檢測部沈的連接部分^b的接觸孔IOlc中而與該連接部
電連接。在形成了透明導(dǎo)電膜62的時(shí)刻，如圖IOA 圖IOD中所示，通過用于形成TFT2的上述制作方法，TFT2的截面的一部分、基座部27的斷面的一部分、X坐標(biāo)檢測部25的斷面的一部分以及Y坐標(biāo)檢測部26的斷面的一部分，共同同時(shí)形成在第1基板(TFT基板)上， 所以自第1基板(TFT基板)上的高度相互相同。接著，在示出基座部27的斷面的一部分的圖IOB中，在透明導(dǎo)電膜62的上，由規(guī)定的高度的例如使用了氮化硅膜(SiNx)的透明的基座部絕緣膜形成高度調(diào)整部27a，其頂點(diǎn)提供基座部27的突出端面(前端)27B。最后，對透明導(dǎo)電膜62，如圖IlA中所示，在TFT2的對應(yīng)部分，除了與源極Ma電連接的接觸孔IOla中的部分及與TFT2相鄰的用于提供像素電極1的部分之外，其余的部分都去除掉。此外，最后對于透明導(dǎo)電膜62，如圖IlB中所示，在基座部27的對應(yīng)部分，除了覆蓋高度調(diào)整部27a的部分108之外，其余部分都去除掉。
此外，最后對于透明導(dǎo)電膜62，如圖IlC中所示，在X坐標(biāo)檢測部25的對應(yīng)部分及 X坐標(biāo)檢測布線4的連接部分4b，除了用于提供X坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極106的X坐標(biāo)檢測部 25的對應(yīng)部分、以及將該X坐標(biāo)檢測部25與X坐標(biāo)檢測布線4的連接部分4b電連接的接觸孔IOlb中的部分之外，其他部分都去除掉。并且，最后對于透明導(dǎo)電膜62，如圖IlD中所示，在Y坐標(biāo)檢測部沈的對應(yīng)部分及 Y坐標(biāo)檢測布線7的連接部分7B，除了用于提供Y坐標(biāo)檢測接點(diǎn)電極107的Y坐標(biāo)檢測部 26的對應(yīng)部分、以及將該Y坐標(biāo)檢測部26與Y坐標(biāo)檢測布線7的連接部分7B電連接的接觸孔IOlc中的部分之外，其他部分都去除掉。若將圖IlA 圖IlD所示的與TFT2、基座部27、X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部沈?qū)?yīng)的各部分進(jìn)行對比，從第1基板(TFT基板)到圖IlC所示的X坐標(biāo)檢測部25的突出端面(前端)為止的高度及到圖IlD所示的Y坐標(biāo)檢測部沈的突出端面(前端)為止的高度相互相同。從第1基板(TFT基板)到圖IlA所示的TFT2的突出端面(前端)為止的高度， 與到圖IlC所示的上述X坐標(biāo)檢測部25的突出端面(前端)為止的高度、及到圖IlD所示的Y坐標(biāo)檢測部沈的突出端面(前端)為止的高度相比，低最后從TFT2的突出端面(前端)去掉的透明導(dǎo)電膜62的厚度的量。并且，從第1基板(TFT基板)到基座部27的突出端面(前端)27Β為止的高度與到圖IlC所示的上述X坐標(biāo)檢測部25的突出端面(前端)為止的高度及到圖IlD所示的Y 坐標(biāo)檢測部沈的突出端面(前端)為止的高度相比，高最后形成在透明導(dǎo)電膜62之上的高度調(diào)整部27a的到突出端面(前端)27B為止的高度的量。如上所示，根據(jù)上述第一實(shí)施方式，在多個(gè)像素電極1的橫向(X方向)的各間隔中，例如重復(fù)配置1條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4和2條數(shù)據(jù)布線3，所以通過這些1條數(shù)據(jù)布線3和2條數(shù)據(jù)布線3的配置位置，能夠?qū)⒏鱐FT2的相對于像素電極1的橫向的配置位置相對于該像素電極1配置在右側(cè)或左側(cè)。通過這種各TFT2的配置，能夠?qū)⑴渲迷赬 坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔形成為比圖15所示的現(xiàn)有的各TFT2 的橫向的間隔寬。配置在該X坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔能夠比基座部27的橫向的長度或并列設(shè)置的一對X坐標(biāo)檢測部25和Y坐標(biāo)檢測部沈的橫向的長度長。因此，基座部27和一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈能夠分別緊湊配置在橫向的各TFT2之間。其結(jié)果，各像素電極1的縱向的間隔能夠比圖15所示的現(xiàn)有的各像素電極1的縱向的間隔狹窄。S卩，在縱向(Y方向)上，能夠緊湊配置TFT2、一對X坐標(biāo)檢測部25、Y坐標(biāo)檢測部沈和基座部27，能夠使縱向(Y方向)的各像素電極1之間的間隔變狹窄。其結(jié)果，能夠使本裝置100的開口率增大相對于使各像素電極1之間的間隔變狹窄的長度的量，能夠提高本裝置100的顯示性能，例如顯示亮度等的畫質(zhì)。比較本裝置100和現(xiàn)有裝置，則如圖12所示，本裝置100的像素電極1間的Y方向的間隔La形成為比現(xiàn)有裝置的像素電極1間的間隔Lb狹窄(La < Lb)。因此，本裝置 100的各像素電極1的Y方向的長度能夠形成為比現(xiàn)有裝置的各像素電極1的Y方向的長度長。由此，本裝置100的各像素電極1的面積能夠比現(xiàn)有裝置的各像素電極1的面積 Sb 大(Sa > Sb)。
本裝置100的各像素電極1的X方向的長度與現(xiàn)有裝置的各像素電極1的同方向的長度相同，但是，關(guān)于各像素電極1的Y方向的長度，本裝置100的長度比現(xiàn)有裝置長。由此，本裝置100的各像素電極1的面積變得比現(xiàn)有裝置的各像素電極1的面積Sb大。例如，在圖2中，以一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈配置在以4個(gè)基座部 27的配置位置作為各角的正四邊形W的中央部。一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈的配置位置位于在接受到基于觸摸操作的來自外部的按壓時(shí)對置電極20所產(chǎn)生的彎曲量成為最大的部位。即，正四邊形W內(nèi)對置電極20最容易彎曲，通過基于觸摸操作的微小的按壓，一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈能夠分別生成XY坐標(biāo)信號。即，能夠提高用于接受觸摸操作的X坐標(biāo)及Y坐標(biāo)檢測的靈敏度。[第二實(shí)施方式]接著，參照附圖，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，對與圖2相同的部分， 標(biāo)注同一標(biāo)記，并省略詳細(xì)說明。圖13示出具有觸摸功能的顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。在本裝置100中，在各像素電極1 的X方向的間隔中，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)方向依次配置2條數(shù)據(jù)布線3，在其右相鄰的間隔中配置X坐標(biāo)檢測布線4，在其進(jìn)一步右相鄰的間隔中配置1條數(shù)據(jù)布線3，按上述順
序重復(fù)配置。若是如上所述的2條數(shù)據(jù)布線3、X坐標(biāo)檢測布線4和1條數(shù)據(jù)布線3的配置順序，則與上述第一實(shí)施方式同樣，能夠?qū)⑴渲迷赬坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的各TFT2的橫向的間隔形成為比圖15所示的現(xiàn)有的各TFT2的橫向的間隔寬，在這些TFT2的橫向的間隔內(nèi)，能夠在Y方向上緊湊排列一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部26、以及基座部27， 能夠使Y方向的各像素電極1的間隔狹窄。其結(jié)果，能夠使本裝置100的開口率增大相當(dāng)于使各像素電極1之間的間隔變狹窄的長度的量，能夠提高本裝置100的顯示性能，例如顯示亮度等的畫質(zhì)，能夠起到與上述第一實(shí)施方式同樣的效果。[第三實(shí)施方式]接著，參照附圖，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，在與圖2相同的部分標(biāo)注同一標(biāo)記，并省略詳細(xì)說明。圖14示出具有觸摸板功能的顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。本裝置100在各像素電極1的 X方向的間隔中，從圖面上的左側(cè)朝向右側(cè)方向依次配置1條數(shù)據(jù)布線3，在其右相鄰的間隔中配置X坐標(biāo)檢測布線4，在其進(jìn)一步右相鄰的間隔中配置2條數(shù)據(jù)布線3，按如上順序
重復(fù)配置。此外，本裝置100配置在將一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈在Y方向上布線的1條X坐標(biāo)檢測布線4上。同樣，本裝置100將基座部27配置到在Y方向上布線的 1條X坐標(biāo)檢測布線4上。此外，對于在X方向上配置的每3個(gè)像素電極1，交替配置一對 X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈和基座部27。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，與上述第一實(shí)施方式同樣，能夠?qū)⑴渲糜赬坐標(biāo)檢測布線4的左右兩側(cè)的3各TFT2的橫向的間隔形成為比圖15所示的現(xiàn)有的各TFT2的橫向的間寬，在這些 TFT2的橫向的間隔內(nèi)，在Y方向上緊湊排列一對X坐標(biāo)檢測部25及Y坐標(biāo)檢測部沈和基座部27，能夠使Y方向的各像素電極1之間的間隔變狹窄。
其結(jié)果，能夠使作為本裝置100的開口率變大，能夠提高本裝置100的顯示性能， 例如顯示亮度等的畫質(zhì)等，能夠得到與上述第一實(shí)施方式同樣的效果。此外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在實(shí)施階段，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能夠?qū)?gòu)成要素予以變形來具體實(shí)施。此外，通過上述實(shí)施方式所公開的多個(gè)構(gòu)成要素的適當(dāng)組合，能夠形成各種發(fā)明。例如，也可以從實(shí)施方式所示的全構(gòu)成要素去掉幾個(gè)構(gòu)成要素。并且，也可以適當(dāng)組合不同的實(shí)施方式的構(gòu)成要素。
權(quán)利要求
1 一種顯示裝置，其特征在于， 具備多個(gè)像素電極，分別在第一方向及與上述第一方向不同的第二方向上排列；對置電極，與上述多個(gè)像素電極對置配置；多個(gè)像素晶體管，分別連接于上述多個(gè)像素電極；多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第一方向配設(shè)；多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第二方向配設(shè)；多個(gè)信號線，沿著上述第二方向配設(shè)，向上述多個(gè)像素晶體管供給顯示信號； 多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部，分別具有第一接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線連接， 通過受到來自外部的按壓而使上述第一接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第一坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通；以及多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部，分別具有第二接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線連接， 通過受到來自上述外部的上述按壓而使上述第二接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第二坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通，上述第二坐標(biāo)檢測布線配設(shè)在上述多個(gè)像素電極之中在上述第一方向上連續(xù)排列的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極及第四像素電極中的、上述第二像素電極與上述第三像素電極之間的間隔中，在上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的間隔、以及上述第三像素電極與上述第四像素電極之間的間隔中的一個(gè)間隔中，配設(shè)2條上述信號線，在上述第二像素電極和上述第三像素電極上分別連接上述像素晶體管，使上述像素晶體管隔著上述第二坐標(biāo)檢測布線配置在遠(yuǎn)離上述第二坐標(biāo)檢測布線的側(cè)方，上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部配置在與上述第二像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第三像素電極連接的上述像素晶體管之間的間隔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部配置成一對。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，與上述第二像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第三像素電極連接的上述像素晶體管的在上述第一方向上的間隔，比上述成一對的上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部的在上述第一方向上的長度長。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，上述成一對的上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部配置在上述第一坐標(biāo)檢測布線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具備沿著上述第一方向配設(shè)并向上述多個(gè)像素晶體管供給掃描信號的多個(gè)掃描線， 上述掃描線配置在上述像素電極與上述第一坐標(biāo)檢測布線之間的間隔中，具有從上述掃描線朝向上述第一坐標(biāo)檢測布線伸出的伸出部， 上述伸出部成為上述像素晶體管的柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具有液晶層，該液晶層被封入上述多個(gè)像素電極和上述對置電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具有被封入到上述多個(gè)像素電極和上述對置電極之間的帶電的電泳粒子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具備多個(gè)基座部，該基座部具有分別保持上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部與上述對置電極之間的間隔及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部與上述對置電極之間的間隔的間隔件，并將在未受到上述按壓時(shí)的上述第一接點(diǎn)及上述第二接點(diǎn)與上述對置電極之間的間隔設(shè)定為預(yù)先設(shè)定的接點(diǎn)間隔，上述第二坐標(biāo)檢測布線配設(shè)在上述多個(gè)像素電極之中在上述第一方向上連續(xù)排列的第五像素電極、第六像素電極、第七像素電極及第八像素電極中的、上述第六像素電極與上述第七像素電極之間的間隔中，在上述第五像素電極與上述第六像素電極之間的間隔、以及上述第七像素電極與上述第八像素電極之間的間隔中的一方間隔中，配設(shè)2條上述信號線，在上述第六像素電極和上述第七像素電極上分別連接上述像素晶體管，使上述像素晶體管隔著上述第二坐標(biāo)檢測布線配置在遠(yuǎn)離上述第二坐標(biāo)檢測布線的側(cè)方，上述基座部配置在與上述第六像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第七像素電極連接的上述像素晶體管之間的間隔中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，與上述第六像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第七像素電極連接的上述像素晶體管的在上述第一方向上的間隔，比上述基座部的在上述第一方向上的長度長。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，上述基座部配置在上述第一坐標(biāo)檢測布線上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，還具備沿著上述第一方向配設(shè)并向上述多個(gè)像素晶體管供給掃描信號的多個(gè)掃描線，上述掃描線配置在上述像素電極與上述第一坐標(biāo)檢測布線之間，具有從上述掃描線向著上述第一坐標(biāo)檢測布線伸出的伸出部，上述伸出部成為上述像素晶體管的柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個(gè)信號線和上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線，在上述多個(gè)像素電極之中連續(xù)排列在上述第一方向上的上述像素電極的連續(xù)的多個(gè)間隔中，按照1條上述信號線、1條上述第二坐標(biāo)檢測布線、2條上述信號線的配置順序，或者，按照2條上述信號線、1條上述第二坐標(biāo)檢測布線、1條上述信號線的配置順序重復(fù)配設(shè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部分別以成為一對的方式沿著上述第一方向形成，在上述第一坐標(biāo)檢測布線和上述第二坐標(biāo)檢測布線的交叉部分上，在沿著上述第一方向的行上對每2個(gè)上述交叉部分配置一對上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部，并且，在上述第二方向上相鄰的每個(gè)行上，在上述第一方向上錯開1個(gè)上述交叉部分地配置，上述多個(gè)基座部沿著上述第一方向形成，配置在除了配置有上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部以外的上述交叉部分上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部分別配置于在受到上述按壓時(shí)在上述對置電極上產(chǎn)生最大彎曲量的部位上。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部分別以成為一對的方式沿著上述第一方向形成，在上述第一坐標(biāo)檢測布線和上述第二坐標(biāo)檢測布線的交叉部分上，在上述第一方向上對每2個(gè)上述交叉部分配置一對上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部，并且，在上述第二方向上在每個(gè)上述交叉部分上配置一對上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部，上述多個(gè)基座部沿著上述第一方向形成，配置在除了配置有上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部以外的上述交叉部分上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部分別配置于在受到上述按壓時(shí)在上述對置電極上產(chǎn)生最大彎曲量的部位上。
17.一種顯示裝置，其特征在于， 具備多個(gè)像素電極，分別在第一方向及與上述第一方向不同的第二方向上排列；對置電極，與上述多個(gè)像素電極對置配置；多個(gè)像素晶體管，分別連接于上述多個(gè)像素電極；多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第一方向配設(shè)；多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線，沿著上述第二方向配設(shè)；多個(gè)信號線，沿著上述第二方向配設(shè)，向上述多個(gè)像素晶體管供給顯示信號； 多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部，分別具有第一接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測布線連接， 通過受到來自外部的按壓而使上述第一接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第一坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通；多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部，分別具有第二接點(diǎn)，并分別與上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測布線連接， 通過受到來自上述外部的上述按壓而使上述第二接點(diǎn)接觸上述對置電極，從而使上述對置電極和上述第二坐標(biāo)檢測布線導(dǎo)通；以及多個(gè)基座部，該基座部具有分別保持上述多個(gè)第一坐標(biāo)檢測部與上述對置電極之間的間隔及上述多個(gè)第二坐標(biāo)檢測部與上述對置電極之間的間隔的間隔件，并將在未受到上述按壓時(shí)的上述第一接點(diǎn)及上述第二接點(diǎn)與上述對置電極之間的間隔設(shè)定為預(yù)先設(shè)定的接點(diǎn)間隔，上述第二坐標(biāo)檢測布線配設(shè)在上述多個(gè)像素電極之中在上述第一方向上連續(xù)排列的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極及第四像素電極中的、上述第二像素電極與上述第三像素電極之間的間隔中，在上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的間隔、以及上述第三像素電極與上述第四像素電極之間的間隔中的一個(gè)間隔中配設(shè)2條上述信號線，并且，在另一個(gè)間隔中配設(shè)1條上述信號線，在上述第二像素電極和上述第三像素電極上分別連接了上述像素晶體管，使上述像素晶體管隔著上述第二坐標(biāo)檢測布線配置在遠(yuǎn)離上述第二坐標(biāo)檢測布線的側(cè)方，上述基座部、或上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部，配置在與上述第二像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第三像素電極連接的上述像素晶體管之間的間隔中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于，與上述第二像素電極連接的上述像素晶體管和與上述第三像素電極連接的上述像素晶體管的在上述第一方向上的間隔，比上述第一坐標(biāo)檢測部及上述第二坐標(biāo)檢測部的在上述第一方向上的長度長，且比上述基座部的在上述第一方向上的長度長。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，還具有液晶層，該液晶層被封入上述多個(gè)像素電極和上述對置電極之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，還具有被封入到上述多個(gè)像素電極和上述對置電極之間的帶電的電泳粒子。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠加大開口率、并提高顯示性能的顯示裝置。第二坐標(biāo)檢測布線配設(shè)在多個(gè)像素電極之中在第一方向上連續(xù)排列的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極及第四像素電極中的、第二像素電極與第三像素電極之間的間隔，在第一像素電極與第二像素電極之間的間隔、以及第三像素電極與第四像素電極之間的間隔中的一個(gè)間隔中配設(shè)2條配設(shè)信號線，在第二像素電極和第三像素電極上分別連接了像素晶體管，使該像素晶體管隔著第二坐標(biāo)檢測布線配置在從第二坐標(biāo)檢測布線離開的側(cè)方，第一坐標(biāo)檢測部及第二坐標(biāo)檢測部配置在與第二像素電極連接的像素晶體管和與第三像素電極連接的像素晶體管之間的間隔中。
文檔編號G06F3/041GK102566819SQ20111043690
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者佐佐木和廣 申請人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會社