專利名稱：觸控面板的制造方法
觸控面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種觸控面板的制造方法，特別涉及一種可強(qiáng)化觸控面板強(qiáng)度的制造方法。
背景技術(shù)：
目前常見的觸控面板(Touch Panel)，除了布設(shè)有感測電極陣列的基板之外，通常還會(huì)設(shè)計(jì)有一層保護(hù)用的玻璃蓋板(Cover Lens)。而隨著觸控技術(shù)的發(fā)展，感測電極陣列可直接布設(shè)于保護(hù)用的玻璃蓋板上，以形成所謂的單板觸控面板(Touch on Lens)。由于作為保護(hù)用的玻璃蓋板必須具備避免容易因外力影響而損毀的條件，因此玻璃的強(qiáng)化處理是觸控面板制程中不可缺少的重要環(huán)節(jié)。請參閱圖1，為揭示習(xí)知技術(shù)玻璃強(qiáng)化方法的流程圖。步驟S1:裁切。根據(jù)所欲制成的玻璃的尺寸規(guī)格，使用數(shù)值控制(NumericalControl, NC)機(jī)具的刀輪、刀具或激光光束，將一母玻璃裁切成若干片的子玻璃。步驟S2:修整。使用計(jì)算機(jī)數(shù)值控制(Computerized Numerical Control,CNC)機(jī)具，逐一研磨所述裁切后的子玻璃的四周端邊，以去除裁切制程所造成的毛邊、細(xì)裂痕等，并且修整出包含倒角(Chamfer Angle)的端邊形狀，以進(jìn)一步減少與機(jī)構(gòu)件組裝時(shí)因碰撞擠壓而產(chǎn)生破裂的機(jī)會(huì)。步驟S3:強(qiáng)化處理。采用化學(xué)強(qiáng)化方式，將所述已修整完成的子玻璃進(jìn)行表面強(qiáng)化。

然而，在單板觸控面板的制程上，布設(shè)感測電極陣列的制程(圖案化制程)必須是在玻璃蓋板經(jīng)過上述強(qiáng)化處理之后進(jìn)行，藉此避免因化學(xué)強(qiáng)化過程破壞感測電極陣列。但是如果單板觸控面板的制程是采用上述習(xí)知技術(shù)玻璃強(qiáng)化的方法，那么一次便只能針對一片單板觸控面板來進(jìn)行圖案化制程。如此一來，將導(dǎo)致生產(chǎn)效能不彰，無法大量生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此,本發(fā)明透過制程上的步驟改善,先設(shè)計(jì)倒角(Chamfer Angle)的斜切面，再依序進(jìn)行強(qiáng)化、感測電極陣列的布設(shè)與裁切等步驟，進(jìn)而解決單板觸控面板無法大量生產(chǎn)的問題。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種觸控面板的制造方法，其步驟包括:于一玻璃基板凹陷成形至少一凹槽，其中所述的凹槽包含一底邊及兩斜面?zhèn)冗叄唤又?，表面?qiáng)化所述玻璃基板；進(jìn)而，依據(jù)該底邊的位置來裁切該玻璃基板。進(jìn)一步的，所述凹槽是成對設(shè)計(jì)，并對應(yīng)地凹陷成形于玻璃基板的一上表面及一下表面。進(jìn)一步的，上述底邊實(shí)質(zhì)為一平面或弧凹面。進(jìn)一步的，所述玻璃基板是透過蝕刻、刻劃或機(jī)械制模來凹陷成形所述的凹槽。進(jìn)一步的，所述表面強(qiáng)化玻璃基板的步驟是采用化學(xué)強(qiáng)化的方式。
進(jìn)一步的，所述裁切該玻璃基板的步驟是包含形成一裁切面。進(jìn)一步的，所述斜面?zhèn)冗吺窍嘟佑诓ＡЩ灞砻媾c裁切面之間，以形成一倒角。進(jìn)一步的，在所述裁切該玻璃基板的步驟之后，還包含平滑化該裁切面。進(jìn)一步的，在所述表面強(qiáng)化玻璃基板的步驟后，還包含布設(shè)一感測電極陣列于玻璃基板表面。承上所述，由于本發(fā)明在裁切該玻璃基板之前，玻璃基板得以一次性地布設(shè)感測電極陣列。因此，本發(fā)明的設(shè)計(jì)能應(yīng)用于量產(chǎn)制程，并且讓所制成的單板觸控面板得以同時(shí)具有倒角設(shè)計(jì)、化學(xué)強(qiáng)化等強(qiáng)度強(qiáng)化的特性。以上所述的技術(shù)手段及其產(chǎn)生功效的具體實(shí)施細(xì)節(jié)，請參照下列實(shí)施例及圖式加以說明。

圖1是習(xí)知技術(shù)玻璃強(qiáng)化方法的流程圖；圖2是本發(fā)明觸控面板的制造方法的實(shí)施例流程圖；圖3是對應(yīng)圖2所示的方法步驟中的玻璃基板的構(gòu)造實(shí)施例示意圖；及圖4是本發(fā)明玻璃基板布設(shè)感測電極陣列的實(shí)施例俯視示意圖。
具體實(shí)施方式請合并參閱圖2及圖3。其中，圖2揭示本發(fā)明觸控面板的制造方法的實(shí)施例流程圖；圖3包含(a)結(jié)構(gòu)至(f)結(jié)`構(gòu)，分別用來對應(yīng)揭示圖2所示的方法步驟中的構(gòu)造示意圖。如圖所示，本實(shí)施例的觸控面板的制造方法的步驟包括:步驟SlO:凹陷成形(Sinking)。根據(jù)所欲制成的觸控面板的尺寸規(guī)格，于一玻璃基板100進(jìn)行一凹陷成形至少一凹槽103的加工制程，用來在玻璃基板100上劃分出如矩陣排列的多個(gè)區(qū)域。其中，每一凹槽103 (如圖3所示)，包含一底邊1031及兩斜面?zhèn)冗?032。而本實(shí)施例所述的凹陷成形的加工制程可例如圖3中的(a)結(jié)構(gòu)至(b)結(jié)構(gòu)所示，是采用藥劑或雷射來蝕刻一平面的玻璃基板100，以形成凹槽103。當(dāng)然在實(shí)際設(shè)計(jì)上，亦可采用機(jī)械刀具來刻劃平面的玻璃基板100，以形成凹槽103 ;或者直接采用機(jī)械制模來進(jìn)行一體成形具有凹槽103的玻璃基板100的加工制程方式，在此并非為本發(fā)明所限制。如圖3所示，本實(shí)施例所設(shè)計(jì)的凹槽103是成對的設(shè)計(jì)，以對應(yīng)地凹陷成形于玻璃基板100的一上表面101及一下表面102，以形成上、下倒置的架構(gòu)。其中，凹槽103的底邊1031可依實(shí)際制程需求而采用一平面或一弧凹面的設(shè)計(jì)，并且本實(shí)施例的凹槽103的任一斜面?zhèn)冗?032與玻璃基板100的上表面101或下表面102之間相接出的夾角Θ I是呈現(xiàn)出大于九十度的角度，藉以減少應(yīng)力集中的現(xiàn)象。步驟S20:表面強(qiáng)化處理。如圖3中的(C)結(jié)構(gòu)所示，本實(shí)施例是例如采用化學(xué)強(qiáng)化的方式來對上述已凹陷成形完成的整片玻璃基板100進(jìn)行表面強(qiáng)化處理，藉以讓玻璃基板100的表面區(qū)域(包含上表面101、下表面102以及每一凹槽103的底邊1031與兩斜面?zhèn)冗?032)皆因發(fā)生離子交換現(xiàn)象而形成離子交換層105，進(jìn)而達(dá)到強(qiáng)度強(qiáng)化的目的。接下來，在完成上述表面強(qiáng)化處理后，由于本實(shí)施例是用來說明觸控面板的制造過程，因此在強(qiáng)化后的玻璃基板100的上表面101及/或下表面102上即可進(jìn)行布設(shè)形成一感測電極陣列，也就是所謂的圖案化制程。然而，所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可以了解圖案化制程的詳細(xì)制造流程，在此便不再加以贅述。并且感測電極陣列可例如是由單層導(dǎo)電層或雙層導(dǎo)電層所架構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，在此并無加以限制。請參考圖4，為本發(fā)明玻璃基板布設(shè)感測電極陣列的實(shí)施例俯視示意圖。其中，由于圖4的實(shí)施例是用來揭示由單層導(dǎo)電層所架構(gòu)成的感測電極陣列108，因此感測電極陣列108是形成于玻璃基板100的上表面101或下表面102。如圖4所示，玻璃基板100上雖因凹槽103而劃分出矩陣排列的多個(gè)區(qū)域，但仍可針對整個(gè)玻璃基板100上的所有區(qū)域進(jìn)行一次性地圖案化制程，以達(dá)到大量生產(chǎn)的目的。此外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在布設(shè)感測電極陣列的步驟之前，但不限于在表面強(qiáng)化處理的步驟之前或之后，更可進(jìn)一步于玻璃基板100表面進(jìn)行抗眩、抗菌等處理，以讓用來作為保護(hù)用的玻璃基板100更具有抗眩、抗菌等效果。請復(fù)參閱圖2及圖3。構(gòu)至(f)結(jié)構(gòu)所示，本實(shí)施例是采用數(shù)值控制(NC)機(jī)具來對已布設(shè)有感測電極陣列的玻璃基板100進(jìn)行裁切加工。具體而言，本實(shí)施例利用數(shù)值控制機(jī)具的刀輪、刀具或激光光束來裁切該玻璃基板100。進(jìn)一步而言，步驟S30在裁切時(shí)，是依據(jù)該底邊1031的位置，來裁切該玻璃基板100,藉以去除該底邊1031,進(jìn)而在每一裁切成的觸控面板110上形成一裁切面106。其中，裁切面106是相接于斜面?zhèn)冗?032，且裁切面106與斜面?zhèn)冗?032之間相接出的夾角Θ 2亦呈現(xiàn)出大于九十度的角度，以減少應(yīng)力集中的現(xiàn)象。此外，更重要的是，本實(shí)施例透過所預(yù)先成形的斜面?zhèn)冗?032的設(shè)計(jì)，玻璃基板100的上表面101及下表面102即可分別與裁切面106之間形成一倒角(Chamfer Angle) 104,也就是俗稱的C角，藉以當(dāng)日后觸控面板110與機(jī)構(gòu)件組裝時(shí)得以減少因碰撞擠壓而產(chǎn)生破裂的機(jī)會(huì)。附帶一提的是，本實(shí)施例的凹槽103所成形的凹陷程度并無加以限制，較佳的設(shè)計(jì)是讓上、下對應(yīng)的兩凹槽103之間的距離越短越好，也就是讓裁切面106的長度越短越好，如此以利裁切制程的進(jìn)行。此外，倘若裁切制程造成在裁切面106上形成毛邊、細(xì)裂痕等現(xiàn)象時(shí)，本實(shí)施例更可進(jìn)一步使用計(jì)算機(jī)數(shù)值控制(CNC)機(jī)具的研磨輪或其它整平工具或設(shè)備來進(jìn)行平滑化裁切面106的處理，以去除該毛邊、細(xì)裂痕等現(xiàn)象。經(jīng)由上述所載的詳細(xì)內(nèi)容，通常知識(shí)者即可據(jù)以實(shí)施本發(fā)明，并制成保留有多數(shù)強(qiáng)度的單板觸控面板110。本發(fā)明所稱的強(qiáng)度，泛指觸控面板110在承受外力作用下所能抵抗永久變形或破壞的抗撓(彎)強(qiáng)度、抗壓強(qiáng)度及抗拉強(qiáng)度。綜上所述，本發(fā)明透過在未裁切之前的玻璃基板上直接成形出所需的倒角(Chamfer Angle)的斜切面，進(jìn)而再進(jìn)行整片玻璃基板的表面強(qiáng)化，并在布設(shè)完感測電極陣列之后，才進(jìn)行裁切。如此一來，得以讓所制成的單板觸控面板同時(shí)具有倒角設(shè)計(jì)、化學(xué)強(qiáng)化等強(qiáng)度強(qiáng)化的特性。此外由于本發(fā)明在強(qiáng)化制程或布設(shè)感測電極陣列制程上都是維持整片玻璃基板的完整來對多個(gè)觸控面板進(jìn)行一次性的加工處理，因此更可適用于同時(shí)需提供保護(hù)功能及觸控感測功能的單板觸控面板的大量生產(chǎn)流程。以上實(shí)施例僅為表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者而言，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出復(fù)數(shù)變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明應(yīng)以申請專利范圍中限定的請求項(xiàng)內(nèi)容為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板的制造方法，其特征在于，步驟包括: 于一玻璃基板凹陷成形至少一凹槽，其中該凹槽包含一底邊及兩斜面?zhèn)冗叄? 表面強(qiáng)化該玻璃基板；及 依據(jù)該底邊的位置來裁切該玻璃基板。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，所述凹槽是成對設(shè)計(jì)，并對應(yīng)地凹陷成形于該玻璃基板的一上表面及一下表面。
3.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，所述底邊是一平面或弧凹面。
4.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板是透過蝕刻、刻劃或機(jī)械制模來凹陷成形該凹槽。
5.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，所述表面強(qiáng)化該玻璃基板的步驟是采用化學(xué)強(qiáng)化。
6.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，所述裁切該玻璃基板的步驟包含形成一裁切面。
7.如權(quán)利要求6所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，所述斜面?zhèn)冗吺窍嘟佑谠摬ＡЩ宓谋砻媾c該裁切面之間，以形成一倒角。
8.如權(quán)利要求6所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，在該裁切該玻璃基板的步驟后，進(jìn)一步包含: 平滑化該裁切面。
9.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，在該表面強(qiáng)化該玻璃基板的步驟后，進(jìn)一步包含: 布設(shè)一感測電極陣列于該玻璃基板的表面。
10.如權(quán)利要求9所述的觸控面板的制造方法，其特征在于，在該布設(shè)該感測電極陣列的步驟之前，進(jìn)一步包含: 抗眩處理及/或抗菌處理該玻璃基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種觸控面板的制造方法，包括在裁切一玻璃基板之前依序先凹陷成形及強(qiáng)化該玻璃基板，以便應(yīng)用于感測電極陣列的布設(shè)制程上，最后裁切該玻璃基板，而制成具有倒角設(shè)計(jì)及化學(xué)強(qiáng)化等強(qiáng)度強(qiáng)化之特性的觸控面板。
文檔編號(hào)G06F3/041GK103105961SQ20111037940
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月9日
發(fā)明者李裕文, 陳雅婉 申請人:宸鴻科技(廈門)有限公司