專利名稱：磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法及其系統(tǒng)的制作方法
磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法及其系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法及其系統(tǒng)，特別是一種用于轉(zhuǎn)移發(fā)生異常的硬盤的資料的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法及其系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
一般服務(wù)器通常具有一個或多個硬盤用來存取資料，其中硬盤的讀取速度與電腦的處理速度息息相關(guān)。目前的硬盤種類有傳統(tǒng)硬盤(Hard Disk Drive，HDD)與固態(tài)硬盤(Solid State,Disk SSD)兩種。其中，固態(tài)硬盤是利用揮發(fā)性記憶體或非揮發(fā)性記憶體為基材，藉此提高資料的讀寫速度，雖然固態(tài)硬盤的速度高于傳統(tǒng)硬盤的資料讀取速度，但固
態(tài)硬盤有無法長久的保存資料的問題，因此無論是固態(tài)硬盤或傳統(tǒng)硬盤仍各有優(yōu)點(diǎn)。服務(wù)器的主要目的在保存資料，因此固態(tài)硬盤無法長久保存資料的問題，使得服務(wù)器仍較常使用傳統(tǒng)硬盤作為主要的儲存資料的裝置。如上所述，硬盤的資料讀取速度與電腦的處理速度是息息相關(guān)，尤其是服務(wù)器必須具有較佳的處理速度以及較佳的資料讀取速度，以便因應(yīng)多個使用者連線儲存或提取資料。為了使傳統(tǒng)硬盤能夠達(dá)到較佳的資料讀取速度，因此普遍采用的手段是透過一種磁盤陣列方式以滿足所需。磁盤陣列又稱為獨(dú)立磁盤冗余陣列(Redundant Array ofIndependent Disks，RAID)，磁盤陣列的模式常用的五種模式分別是RAID O、RAID URAID
2、RAID 3及RAID 5，根據(jù)使用需求也有其它不同的磁盤陣列模式，例如RAID6及RAID 7等。雖然前述的磁盤陣列的模式并不相同，但基本上都是將二個以上的硬盤組成一整個磁盤陣列來使用，藉此獲得較佳的讀取速度以及資料備援的效能。雖然通過二個以上的硬盤組成一整個磁盤陣列得以發(fā)揮出電腦或服務(wù)器的處理速度，然而若其中一個硬盤發(fā)生故障時，硬盤所保存的資料有可能已經(jīng)造成毀損，尤其是將一資料分割為多份并分別保存在多個硬盤的磁盤陣列模式，例如=RAID 3等，由于資料為分別在不同的硬盤中，因此當(dāng)資料的一部份毀損時，則導(dǎo)致資料無法復(fù)原或完全遺失。因此如何解決當(dāng)磁盤陣列模式中硬盤發(fā)生異常時，能夠避免資料的毀損或遺失，乃是所屬技術(shù)領(lǐng)域的廠商所欲解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容鑒于以上的問題，本發(fā)明提供一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法及其系統(tǒng)，藉以解決習(xí)用磁盤陣列模式的硬盤發(fā)生異常時，造成資料毀損或遺失而無法回復(fù)的問題。本發(fā)明揭露一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟令磁盤陣列常態(tài)執(zhí)行邏輯儲存模式。以偵測單元偵測磁盤陣列的儲存單元的資料讀寫狀態(tài)，偵測單元依據(jù)資料讀寫狀態(tài)分別產(chǎn)生偵測訊號并傳送至處理單元。以處理單元依據(jù)偵測訊號判斷資料讀寫狀態(tài)。判斷至少一偵測訊號的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元發(fā)出控制訊號，令磁盤陣列中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并轉(zhuǎn)移資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的資料至另一儲存單
J Li ο
本發(fā)明揭露一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，用于偵測一磁盤陣列，磁盤陣列包含復(fù)數(shù)個儲存單元，磁盤陣列常態(tài)執(zhí)行一邏輯儲存模式。磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)包括一偵測單元及一處理單元。其中，偵測單元系電性連接于儲存單元，且偵測單元偵測儲存單元的資料讀寫狀態(tài)，并根據(jù)資料讀寫狀態(tài)對應(yīng)產(chǎn)生一偵測訊號。處理單元電性連接于偵測單元，且處理單元接收偵測單元的偵測訊號，并根據(jù)偵測訊號判斷資料讀寫狀態(tài)。當(dāng)至少一儲存單元的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元發(fā)出一控制訊號，令磁盤陣列中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并令資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的資料轉(zhuǎn)移至另一儲存單元。本發(fā)明的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法及其系統(tǒng)，可在磁盤陣列的儲存單元發(fā)生異常時，立即轉(zhuǎn)移儲存單元中所儲存的資料，進(jìn)而避免因為儲存單元的異?；驌p壞導(dǎo)致資料的毀損或消失的情況。有關(guān)本發(fā)明的特征、實作與功效，茲配合圖式作最佳實施例詳細(xì)說明如下。

圖IA為本發(fā)明的第一實施例的系統(tǒng)示意圖。圖IB為本發(fā)明的步驟流程圖。圖2A為本發(fā)明的第一實施例的另一系統(tǒng)示意圖。圖2B為本發(fā)明的偵測儲存單元的儲存容量的步驟流程圖。圖3A為本發(fā)明的第二實施例的系統(tǒng)示意圖。圖3B為本發(fā)明的第二實施例的另一系統(tǒng)示意圖。主要組件符號說明1000 偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng) 2000 磁盤陣列100 儲存單元110 第一儲存單元120 第二儲存單元130 第三儲存單元200 偵測單元300 處理單元400 警示單元500 控制單元步驟510令磁盤陣列常態(tài)執(zhí)行邏輯儲存模式步驟520以偵測單元偵測磁盤陣列的儲存單元的資料讀寫狀態(tài)，偵測單元依據(jù)資料讀寫狀態(tài)分別產(chǎn)生偵測訊號并傳送至處理單元步驟530以處理單元依據(jù)偵測訊號判斷資料讀寫狀態(tài)步驟540當(dāng)至少一偵測訊號的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元發(fā)出控制訊號，令磁盤陣列中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并轉(zhuǎn)移資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的資料至另一儲存單元步驟560以偵測單元偵測另一儲存單元的一儲存容量步驟570當(dāng)偵測單元偵測到儲存單元的儲存容量小于資料所需的儲存容量時，處理單元發(fā)出警告訊號至警示單元，令警示單元發(fā)出警示通知
具體實施方式請參照圖IA所示，為本發(fā)明的第一實施例的系統(tǒng)示意圖。本發(fā)明所揭露的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)1000,用于偵測一磁盤陣列2000,磁盤陣列2000包含復(fù)數(shù)個儲存單元100。為了方便說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，在第一實施例中將儲存單元100分別以第一儲存單元110、第二儲存單元120及第三儲存單元130作一說明，但并非用以限制本發(fā)明的實施方式，亦非用以限制本發(fā)明的儲存單元100的數(shù)量。其中儲存單元100系可為硬盤的邏輯磁區(qū)或硬盤本身，且第一儲存單元Iio與第二儲存單元120可為固態(tài)硬盤(SSD，SolidState Drive),第三儲存單元130可為一般硬盤(HDD,hard disk drive),在本發(fā)明中并不對此設(shè)限。磁盤陣列2000系常態(tài)執(zhí)行一邏輯儲存模式，邏輯儲存模式系可為任一種磁盤陣列(RAID) JBRAID O、RAID I或RAID 3等，在本發(fā)明中并不對此設(shè)限。本發(fā)明第一實施例的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)1000，包括有一偵測單元200及一處理單元300。其中，偵測單元200系電性連接于儲存單元110，且偵測單元200偵測儲存單元100的一資料讀寫狀態(tài)，并根據(jù)資料讀寫狀態(tài)對應(yīng)產(chǎn)生一偵測訊號。其中資料讀寫狀態(tài)系根據(jù)儲存單元100的一資料讀寫速度、一資料傳遞速度、一電壓變化值或是寫入儲存單元100的一資料完整性，只要符合本發(fā)明的功能效果，也可以為用以判斷儲存單元100的運(yùn)作狀態(tài)是否異常的任一種資訊狀態(tài)，在本發(fā)明中并不對此設(shè)限。·
本發(fā)明所揭露的偵測單元200與處理單元300為一集成電路，且此集成電路可以為南橋芯片或北橋芯片。處理單元300系電性連接于偵測單元200，且處理單元300接收偵測單元200的偵測訊號，并根據(jù)偵測訊號判斷儲存單元100的資料讀寫狀態(tài)。請參照圖IB所示，為本發(fā)明的判斷資料讀寫狀態(tài)的步驟流程圖。本發(fā)明所揭露的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)1000，其中磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟令磁盤陣列2000常態(tài)執(zhí)行邏輯儲存模式(步驟510)。以偵測單元200偵測磁盤陣列2000的儲存單元100的資料讀寫狀態(tài)，偵測單元200依據(jù)資料讀寫狀態(tài)分別產(chǎn)生偵測訊號并傳送至處理單元300 (步驟520)。以處理單元300依據(jù)偵測訊號判斷資料讀寫狀態(tài)(步驟530)。當(dāng)至少一偵測訊號的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元300發(fā)出控制訊號，令磁盤陣列2000中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并轉(zhuǎn)移資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元100的資料至另一儲存單元100 (步驟540)。請繼續(xù)再配合參照圖1A。舉例而言，在磁盤陣列2000常態(tài)執(zhí)行邏輯儲存模式下，以偵測單元200偵測磁盤陣列2000的儲存單元100的資料讀寫狀態(tài)，并依據(jù)資料讀寫狀態(tài)分別產(chǎn)生偵測訊號并傳送至處理單元300，當(dāng)處理單元300判斷儲存單元100的第一儲存單元110的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元300發(fā)出控制訊號至磁盤陣列2000，令磁盤陣列2000中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并令資料讀寫狀態(tài)為異常的第一儲存單元110的資料轉(zhuǎn)移至第二儲存單元120。同理而言，如為第二儲存單元120的資料讀取狀態(tài)異常時，處理單元300發(fā)出控制訊號至磁盤陣列2000，令磁盤陣列2000中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并令資料讀寫狀態(tài)為異常的第二儲存單元120的資料轉(zhuǎn)移至第一儲存單元110。上述的資料轉(zhuǎn)移方法并非限定在第一儲存單元110與第二儲存單元120之間，也可進(jìn)一步包含第三儲存單元130，當(dāng)資料讀寫狀態(tài)為異常的第一儲存單元110的資料欲轉(zhuǎn)移至第二儲存單元120時，如第二儲存單元120用以儲存第一處理單元110的資料的儲存容量不足時，則取消儲存于第二處理單元120，改為儲存于第三處理單元130。換句話說，無論是任一儲存單元100的資料讀寫狀態(tài)發(fā)生異常，可以儲存在第一儲存單元110、第二儲存單元120或第三儲存單元130，當(dāng)然也可儲存在其它未發(fā)生異常的儲存單元100中，本發(fā)明并不對此限定。其中儲存單元100所包含的數(shù)量，在本發(fā)明中并不對此限定。在上述步驟520中更包括下列步驟以一間隔時間方式設(shè)定偵測單元200偵測磁盤陣列2000的儲存單元100的資料讀寫狀態(tài)。在上述步驟中，所述的間隔時間方式可以為一毫秒、百分的一毫秒或千分的一毫秒，亦可以為任何一間隔時間。也就是說只要能夠透過間隔時間方式設(shè)定偵測單元200偵測磁盤陣列2000的資料讀寫狀態(tài)，皆屬本發(fā)明的實施方式，在本發(fā)明中并不對此限定。請參照圖2A所示，為本發(fā)明的第一實施例的另一系統(tǒng)示意圖。本發(fā)明的第一實施例更包括有一警示單元400，警示單元400電性連接于處理單元300。請參照圖2B所示，系本發(fā)明的偵測儲存單元的儲存容量的步驟流程圖，并同時配合參照圖2A。本發(fā)明揭露一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，其中更進(jìn)一步包括以下步驟以偵測單元200偵測另一儲存單元100的一儲存容量(步驟560)。當(dāng)偵測單元200偵測到儲存單元100的儲存容量 小于資料所需的儲存容量時，處理單元300發(fā)出警告訊號至警示單元400，令警示單元400發(fā)出警示通知(步驟570)。上述步驟560至步驟570中，所述的儲存單元100可以為第一儲存單元110、第二儲存單元120或第三儲存單元130，在本發(fā)明中并不對此限定。上述的警示單元400可以為警示燈或顯示螢?zāi)坏染哂芯婀δ艿难b置；或者是，警示單元400可以為一揚(yáng)聲器，但并不以本實施例所揭露的態(tài)樣為限。請參照圖3A所示，為本發(fā)明的第二實施例的系統(tǒng)示意圖。在本發(fā)明中更進(jìn)一步可包括有一控制單元500，控制單元500電性連接處理單元300及磁盤陣列2000。控制單元500接收處理單元300的控制信號，使控制單元500發(fā)出一指令控制資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元100的資料轉(zhuǎn)移至另一儲存單元100。其中，在上述步驟540中更包括下列步驟處理單元300發(fā)出控制訊號至控制單元500，藉由控制單元500令磁盤陣列中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并轉(zhuǎn)移資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的資料至另一儲存單元。舉例而言，當(dāng)?shù)谝粌Υ鎲卧?10的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元300發(fā)出控制訊號至控制單元500。控制單元500接收到處理單元300的控制訊號，即發(fā)出一指令使磁盤陣列2000中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并令資料讀寫狀態(tài)為異常的第一儲存單元110的資料轉(zhuǎn)移至第二儲存單元120。同理而言，如為第二儲存單元120的資料讀取狀態(tài)異常時，處理單元300發(fā)出控制訊號至控制單元500，控制單元500接收控制訊號后發(fā)出一指令，令磁盤陣列2000中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并令資料讀寫狀態(tài)為異常的第二儲存單元120的資料轉(zhuǎn)移至第一儲存單元110。上述的資料轉(zhuǎn)移方法并非限定在第一儲存單元110與第二儲存單元120之間，也可進(jìn)一步包含第三儲存單元130，無論是任一儲存單元100的資料讀寫狀態(tài)發(fā)生異常，可以儲存在第一儲存單元110、第二儲存單元120或第三儲存單元130，當(dāng)然也可儲存在其它未發(fā)生異常的儲存單元100中，本發(fā)明并不對此限定。請參照圖3B所示，為本發(fā)明的第二實施例的系統(tǒng)示意圖。本發(fā)明的第二實施例更包括有一警示單元400，警示單元400電性連接于處理單元300，當(dāng)儲存單元100的儲存容量小于資料的儲存容量時，處理單元300發(fā)出警示訊號至警示單元400，令警示單元400發(fā)出警示通知。前述的該等儲存單元100可以為第一儲存單元110、第二儲存單元120或第三儲存單元130，在本發(fā)明中并不對此限定。上述的警示單元400可以為警示燈或顯示螢?zāi)坏染哂芯婀δ艿难b置；或者是，警示單元400可以為一揚(yáng)聲器，但并不以本實施例所揭露的態(tài)樣為限。
雖然本發(fā)明的實施例揭露如上所述，然并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)相關(guān)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，舉凡依本發(fā)明申請范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及數(shù)量當(dāng)可做些許的變更，因此本發(fā)明的專利保護(hù)范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟 該磁盤陣列常態(tài)執(zhí)行一邏輯儲存模式； 以一偵測單元偵測該磁盤陣列的復(fù)數(shù)個儲存單元的一資料讀寫狀態(tài)； 該偵測單元依據(jù)該等資料讀寫狀態(tài)分別產(chǎn)生一偵測訊號并傳送至一處理單元； 該處理單元依據(jù)該等偵測訊號判斷該等資料讀寫狀態(tài)；以及 該處理單元判斷至少一該偵測訊號的該資料讀寫狀態(tài)為異常時， 該處理單元發(fā)出一控制訊號，令該磁盤陣列中斷執(zhí)行該邏輯儲存模式，并轉(zhuǎn)移該資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的該資料至另一正常的該儲存單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，其中于偵測該磁盤陣列的該等儲存單元的該資料讀寫狀態(tài)的步驟更包括 以一間隔時間方式設(shè)定該偵測單元偵測該磁盤陣列的該等儲存單元的該資料讀寫狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，其中判斷該等資料讀寫狀態(tài)是否異常的步驟是依據(jù)該等儲存單元的一資料讀寫速度、一資料傳遞速度、一電壓變化值或是寫入該等儲存單元的一資料完整性。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，其中更進(jìn)一步包括以下步驟 以該偵測單元偵測該另一儲存單元的一儲存容量；以及 當(dāng)該偵測單元偵測到該儲存容量小于該資料的容量時，該處理單元發(fā)出一警告訊號至一警示單元，令該警示單元發(fā)出一警示通知。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，其中該處理單元發(fā)出該控制訊號的步驟更包括 該處理單元發(fā)出該控制訊號至一控制單元，藉由該控制單元令該磁盤陣列中斷執(zhí)行該邏輯儲存模式，并轉(zhuǎn)移該資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的該資料至另一該儲存單元。
6.一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，用于偵測一磁盤陣列，其特征在于，該磁盤陣列包含復(fù)數(shù)個儲存單元，該磁盤陣列常態(tài)執(zhí)行一邏輯儲存模式，該偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)包括 一偵測單元，電性連接于該等儲存單元，該偵測單元偵測該等儲存單元的一資料讀寫狀態(tài)，并根據(jù)該等資料讀寫狀態(tài)對應(yīng)產(chǎn)生一偵測訊號；以及 一處理單元，電性連接于該偵測單元，該處理單元接收該偵測單元的該偵測訊號，并根據(jù)該等偵測訊號判斷該等資料讀寫狀態(tài)； 其中，當(dāng)至少一該等儲存單元的該資料讀寫狀態(tài)為異常時，該處理單元發(fā)出一控制訊號，令該磁盤陣列中斷執(zhí)行該邏輯儲存模式，并令該資料讀寫狀態(tài)為異常的該儲存單元的一資料轉(zhuǎn)移至另一該儲存單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其特征在于，其中該偵測單元為一電子電路或一集成電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其特征在于，其中更包括一警示單元，電性連接于該處理單元，當(dāng)該儲存單元的儲存容量小于該資料時，該處理單元發(fā)出一警示訊號至該警示單元，令該警示單元發(fā)出一警示通知。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其特征在于，其中更包括有一控制單元，電性連接該處理單元及該磁盤陣列，該控制單元接收該處理單元的該控制信號，該控制單元令該資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的該資料轉(zhuǎn)移至另一該儲存單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤陣列的偵測 及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其特征在于，其中該控制單元為一集成電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其特征在于，其中該處理單元為一南橋芯片或一北橋芯片。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其特征在于，其中該等資料讀寫狀態(tài)為該等儲存單元的一資料讀寫速度、一資料傳遞速度、一電壓變化值或是寫入該等儲存單元的一資料完整性。
全文摘要
一種磁盤陣列的偵測及資料轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，包括一偵測單元以及一處理單元。偵測單元偵測一磁盤陣列的復(fù)數(shù)個儲存單元的資料讀寫狀態(tài)，并對應(yīng)產(chǎn)生一偵測訊號。處理單元接收偵測單元的偵測訊號，并根據(jù)偵測訊號判斷資料讀寫狀態(tài)。當(dāng)至少一儲存單元的資料讀寫狀態(tài)為異常時，處理單元發(fā)出一控制訊號，令磁盤陣列中斷執(zhí)行邏輯儲存模式，并令資料讀寫狀態(tài)為異常的儲存單元的資料轉(zhuǎn)移至另一儲存單元。
文檔編號G06F11/20GK102902608SQ20111020808
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者林火元, 高瀚宇, 陳振順 申請人:技嘉科技股份有限公司