專利名稱：用于觸控裝置的復合結構以及觸控裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種觸控裝置(touch device)，特別涉及一種可提高感應精準度 的觸控裝置。
背景技術：
近年來，各式電子產品都不斷朝向操作簡便、小體積以及大螢幕尺寸的方向邁進。 特別是，攜帶式的電子產品對于體積及螢幕尺寸的要求更為嚴格。因此，許多電子產品都將 觸控裝置與液晶顯示面板整合，以省略鍵盤或是操控按鍵所需的空間，進而使螢幕可配置 的面積擴大。目前，觸控裝置大致可區(qū)分為電阻式、電容式、紅外線式及超音波式等觸控裝置， 其中以電阻式觸控裝置與電容式觸控裝置為最常見的產品。就電容式觸控裝置而言，其主 要原理是在觸控電極中產生一電場，當導體(如人類的手指)與之接觸時會產生一微小的電 容變化。通過由測量電容變化的位置，即可以判斷接觸發(fā)生點位于面板上的座標。此外，由 于電容式觸控裝置具有可多點觸控的特性以及可提供更人性化的操作模式，因此逐漸受到 市場的青睞。以電阻式觸控裝置而言，其主要是通過由單點按壓的壓力，使得原本分開的導電 層相互接觸而導通。電阻式觸控裝置在導通處產生一感測訊號，并經由感測訊號來判斷按 壓發(fā)生之處位于面板上的座標。此外，無論使用者以何種介質碰觸電阻式觸控裝置皆可以 進行操作，因而提高了電阻式觸控裝置的使用便利性。另外，電阻式觸控裝置所需成本較低 且電阻式觸控裝置技術發(fā)展較為成熟，因而市場占有率較高。一般來說，無論是電阻式觸控裝置或電容式觸控裝置，均都需要以大面積的電極 圖案作為感測用的元件，且都是透過觸碰座標的取得來通知電子裝置對使用者的觸碰作回 應。然而，無論電阻式觸控裝置或是電容式觸控裝置于感應區(qū)的邊緣(意即周圍區(qū))容易因 為電極圖案阻抗不均而造成計算結果與實際觸控位置發(fā)生差異，意即感應精準度不如預期 的好。因此，如何改善觸控裝置于周圍區(qū)的感應精準度，實為目前觸控裝置亟待克服的課 題。
發(fā)明內容本實用新型的目的在于提供一種用于觸控裝置的復合結構，可改善周圍區(qū)的電性 狀態(tài)。本實用新型的另一目的在于提供一種觸控裝置，可提高周圍區(qū)的感應精確度。本實用新型的特征在于一種用于觸控裝置的復合結構，其包括一基板以及一透 明導電圖案層；基板具有一中央區(qū)與一周圍區(qū)；透明導電圖案層配置于基板上且具有多個 凹陷部，其中凹陷部配置于透明導電圖案層遠離基板的一側表面上，且至少位于周圍區(qū)中。本實用新型的另一特征在于一種觸控裝置，其包括一復合結構以及一透明導電 層；復合結構包括一基板以及一透明導電圖案層；基板具有一中央區(qū)與一周圍區(qū)；透明導電圖案層配置于基板上且具有多個凹陷部，其中凹陷部配置于透明導電圖案層遠離基板的 一側表面上，且至少位于周圍區(qū)中；透明導電層配置于復合結構的一側。本實用新型的再一特征在于一種觸控裝置，其包括一第一復合結構、一第二基板 以及一透明導電層；第一復合結構包括一第一基板以及一透明導電圖案層；第一基板具有 一中央區(qū)與一周圍區(qū)；透明導電圖案層配置于第一基板上且具有多個第一凹陷部，其中第 一凹陷部配置于透明導電圖案層遠離第一基板的一側表面上，且至少位于周圍區(qū)中；第二 基板配置于第一復合結構的一側，且面對透明導電圖案層；透明導電層配置于第二基板上 且面對透明導電圖案層，其中透明導電層與透明導電圖案層相隔一距離，且透明導電層與 第二基板構成一第二復合結構。本實用新型的優(yōu)點本實用新型的透明導電圖案層于基板的周圍區(qū)中具有凹陷部 之設計，且利用透明導電圖案層的阻抗會與透明導電圖案層的厚度成反比之概念，因此電 流會往阻抗最低的路徑移動，意即電流會往無凹陷部的區(qū)域移動，如此一來，可改善周圍 區(qū)的電性狀態(tài)，可提升觸控裝置于周圍區(qū)感應精準度。為讓本實用新型的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附 圖式作詳細說明如下。

圖1為本實用新型的一實施例的一種復合結構的剖面示意圖。圖2為圖1的復合結構的俯視示意圖。圖3為本實用新型的另一實施例之一種復合結構的俯視示意圖。圖4為本實用新型的一實施例之一種觸控裝置的剖面示意圖。圖5為本實用新型的另一實施例之一種觸控裝置的剖面示意圖。
具體實施方式
圖1為本實用新型的一實施例之一種用于觸控裝置的復合結構的剖面示意圖。圖 2為圖1的復合結構的俯視示意圖。請同時參考圖1與圖2，在本實施例中，第一復合結構 100包括一第一基板110以及一透明導電圖案層120。詳細來說，第一基板110具有一中央 區(qū)112、一環(huán)繞中央區(qū)112的周圍區(qū)114以及彼此相對的一第一表面116以及一第二表面 118。透明導電圖案層120配置于第一基板110的第一表面116上且具有多個凹陷部122， 其中這些凹陷部122配置于透明導電圖案層120遠離第一基板110的一側表面上，且至少 位于第一基板110的周圍區(qū)114中。更具體來說，本實施例的這些凹陷部122是呈一環(huán)狀排列于第一基板110的周圍 區(qū)114中，且每一凹陷部122的深度D例如是小于或等于透明導電圖案層120的厚度。必 需說明的是，圖1中僅示意地繪示每一凹陷部122的深度D例如是小于透明導電圖案層120 的厚度來作為舉例說明。于其他實施例中，若這些凹陷部122的深度D例如是等于透明導 電圖案層120的厚度時，則這些凹陷部122會暴露出部分第一基板110的第一表面116。再 者，較佳地，每一凹陷部122的寬度W例如是介于100微米至1000微米之間，且這些凹陷部 122可通過由蝕刻制程而形成。此外，透明導電圖案層120的材質例如是氧化銦錫(Indium Tin Oxide, IT0)層，氧化銦鋅層andium Zinc Oxide, IZ0)或其他適當?shù)耐该鲗щ姴牧稀?br> 4[0020]一般來說，于相同的成膜條件下，透明導電圖案層120的阻抗會與透明導電圖案 層120的厚度成反比。也就是說，透明導電圖案層120的膜層越厚，此透明導電圖案層120 的阻抗越低。利用上述原理可得知，這些凹陷部122的所在之處而可視為一高阻抗區(qū)，而其 他無這些凹陷部122的區(qū)域(包括中央區(qū)112以及部分周圍區(qū)114)可視為一低阻抗區(qū)。由 于電流會往會阻抗最低的路徑移動，意即往低阻抗區(qū)移動，因此本實施例的透明導電圖案 層120的設計，可改善第一基板110的周圍區(qū)114的電性狀態(tài)。值得一提的是，本實用新型并不限定這些凹陷部122的位置與形態(tài)，雖然此處所 提及的這些凹陷部122是位于第一基板110的周圍區(qū)114，且這些凹陷部122的外型實質 上為圓弧形。但，于其他實施例中，請參考圖3，第一復合結構IOOa的透明導電圖案層120a 的這些凹陷部122亦可呈一陣列排列于第一基板110的中央區(qū)112以及周圍區(qū)114中，或 者是，于未繪示的實施例中，這些凹陷部122的外型亦可呈現(xiàn)方形或其他多邊形，上述仍屬 于本實用新型可采用的技術方案，不脫離本實用新型所欲保護的范圍。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采 用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分 的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。圖4為本實用新型之一實施例的一種觸控裝置的剖面示意圖。在本實施例中，觸 控裝置200a包括第一復合結構IOOa以及一透明導電層210，其中觸控裝置200a例如是一 電容式觸控裝置、一面板或一畫板，在此以觸控裝置200a為一電容式觸控裝置作為舉例說 明。詳細來說，第一復合結構IOOa包括第一基板110以及透明導電圖案層120a，其中這些 凹陷部122呈一陣列排列于第一基板110的中央區(qū)112以及周圍區(qū)114中。當然，于其他 實施例中，這些凹陷部122亦可呈環(huán)狀排列于第一基板110的周圍區(qū)114中。在此必須說 明的是，在本實施例中，第一基板110以及透明導電圖案層120a的結構、材質以及相對位置 系相似于圖1的第一基板110以及透明導電圖案層120的結構、材質以及相對位置，故于此 不再贅述。透明導電層210配置于第一復合結構IOOa的一側。具體來說，透明導電層210配 置于第一基板110上且覆蓋第二表面118。此外，本實施例的觸控裝置200a更包括一保護 層230，其中保護層230配置于透明導電圖案層120a上，且覆蓋透明導電圖案層120a，用以 保護透明導電圖案層120a。其中，保護層230的材質例如是二氧化硅(Si02)或其他適當?shù)?材質。由于本實施例的觸控裝置200a具有第一復合結構IOOa之設計，且利用透明導電 圖案層120a的阻抗會與透明導電圖案層120a的厚度成反比的概念，因此電流會往無凹陷 部122的區(qū)域移動，以改善周圍區(qū)114的電性狀態(tài)。如此一來，可提升本實施例的觸控裝置 200a于周圍區(qū)114的感應精準度。圖5為本實用新型的另一實施例的一種觸控裝置的剖面示意圖。本實施例的觸控 裝置200b與圖4的觸控裝置200a相似，兩者的差異在于圖5的觸控裝置200b為一電阻 式觸控裝置，在此以觸控裝置200b為一電阻式觸控裝置作為舉例說明。詳細來說，在本實 施例中，觸控裝置200b更包括一第二基板220，其中透明導電層210配置于第二基板220上 且面對透明導電圖案層120a。透明導電層210與透明導電圖案層120a相隔一距離d，且透 明導電層210與第二基板220構成一第二復合結構300。其中，于透明導電層210與透明導電圖案層120之間亦可配置間隙物(未繪示)來維持兩層之間的距離d，或者是，不配置任何 元件而僅存在空氣于兩者之間。值得一提的是，當觸控裝置200b為一四線式的電阻式觸控裝置時，透明導電層 210亦可同透明導電圖案層120a具有多個凹陷部(未繪示)，且這些凹陷部是配置于透明導 電層210遠離第二基板220的一側表面上，可有效改善第一基板110與第二基板220的周圍 區(qū)114的電性狀態(tài)。若觸控裝置200b為一五線式的電阻式觸控裝置時，透明導電層210僅 用來作為感應的作用，而無產生電場的功用，因此透明導電層210可選擇性地具有凹陷部。綜上所述，本實用新型的透明導電圖案層于基板的周圍區(qū)中具有凹陷部的設計， 因此電流會阻抗最低的路徑移動，意即電流會往無凹陷部的區(qū)域移動。如此一來，可改善基 板的周圍區(qū)的電性狀態(tài)，可提升觸控裝置于周圍區(qū)感應精準度。上述實施例僅是為了讓本領域技術人員理解本創(chuàng)作而提供的實施模式，本實用新 型并不僅限于上述具體實施方式
，任何本領域技術人員所易于思及的改進均在本實用新型 的構思之內，本實用新型的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權利要求1.一種用于觸控裝置的復合結構，其特征在于包括 一基板，具有一中央區(qū)與一周圍區(qū)；以及一透明導電圖案層，配置于該基板上且具有多個凹陷部，其中該些凹陷部配置于該透 明導電圖案層遠離該基板的一側表面上，且至少位于該周圍區(qū)中。
2.根據權利要求1所述的用于觸控裝置的復合結構，其特征在于 深度小于或等于該透明導電圖案層的厚度。
3.根據權利要求1所述的用于觸控裝置的復合結構，其特征在于 寬度介于100微米至1000微米之間。
4.根據權利要求1所述的用于觸控裝置的復合結構，其特征在于 狀排列或一陣列排列。
5.一種觸控裝置，其特征在于包括 一復合結構，包括一基板，具有一中央區(qū)與一周圍區(qū)；以及 一透明導電圖案層，配置于該基板上且具有多個凹陷部，其中該些凹陷部配置于該透 明導電圖案層遠離該基板的一側表面上，且至少位于該周圍區(qū)中；以及 一透明導電層，配置于該復合結構的一側。
6.根據權利要求5所述的觸控裝置，其特征在于其中各該凹陷部的深度小于或等于 該透明導電圖案層的厚度。
7.根據權利要求5所述的觸控裝置，其特征在于其中各該凹陷部的寬度介于100微 米至1000微米之間。
8.根據權利要求5所述的觸控裝置，其特征在于其中該基板具有彼此相對的一第一 表面以及一第二表面，該透明導電圖案層位于該第一表面上，而該透明導電層位于該第二 表面上。
9.根據權利要求8所述的觸控裝置，其特征在于還包括一保護層，配置于該透明導電 圖案層上，且覆蓋該透明導電圖案層。
10.一種觸控裝置，其特征在于包括 一第一復合結構，包括一第一基板，具有一中央區(qū)與一周圍區(qū)；以及一透明導電圖案層，配置于該第一基板上且具有多個第一凹陷部，其中該些第一凹陷 部配置于該透明導電圖案層遠離該第一基板的一側表面上，且至少位于該周圍區(qū)中； 一第二基板，配置于該第一復合結構的一側，且面對該透明導電圖案層；以及 一透明導電層，配置于該第二基板上且面對該透明導電圖案層，其中該透明導電層與 該透明導電圖案層相隔一距離，且該透明導電層與該第二基板構成一第二復合結構。
11.根據權利要求10所述的觸控裝置，其特征在于其中各該第一凹陷部的深度小于 或等于該透明導電圖案層的厚度。
12.根據權利要求10所述的觸控裝置，其特征在于其中各該第一凹陷部的寬度介于 100微米至1000微米之間。其中各該凹陷部的 其中各該凹陷部的 該些凹陷部呈一環(huán)
專利摘要本實用新型涉及一種用于觸控裝置的復合結構以及觸控裝置。復合結構包括一基板以及一透明導電圖案層。基板具有一中央區(qū)與一周圍區(qū)。透明導電圖案層配置于基板上且具有多個凹陷部。凹陷部配置于透明導電圖案層遠離基板的一側表面上，且至少位于周圍區(qū)中,本實用新型可以改善周圍區(qū)的電性狀態(tài)。
文檔編號G06F3/041GK201820209SQ20102052819
公開日2011年5月4日 申請日期2010年9月14日 優(yōu)先權日2010年9月14日
發(fā)明者劉綸烽, 吳德峻, 李懷安 申請人:中華映管股份有限公司, 福建華映顯示科技有限公司