專利名稱：電容的器件失配的修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的失配修正方法。
背景技術(shù)：
在集成電路設(shè)計和生產(chǎn)過程中，由于不確定性、隨機誤差、梯度誤差等原因， 一些設(shè)計時完全相同的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)后卻存在偏差，這便稱為半導(dǎo)體器件的失配 (mismatch)。器件失配會引起器件結(jié)構(gòu)參數(shù)和電學(xué)參數(shù)變化，從而極大地影響模擬電路的特性。隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，器件失配主要由隨機誤差造成，而這種隨機誤差通常是由集成電路生產(chǎn)工藝引起的。SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)是一款通用的集成電路仿真軟件。由于器件失配對集成電路的影響很大，有必要通過軟件仿真及早發(fā)現(xiàn)并加以修正。目前SPICE軟件中缺少針對電容的器件失配模型。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種電容的器件失配模型，該模型可在SPICE 軟件中對電容由于隨機誤差導(dǎo)致的失配進行仿真并予以修正。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明電容的器件失配的修正方法為首先，確定電容的工藝失配參數(shù)為3個，分別為面積型電容密度(area-dominated capacitance density)(perimeter-dominated capacitance density) >
(Capacitance)；其次，設(shè)定面積型電容密度的隨機偏差σ^0Α =Jl^+ D2XTIca-,
crACA，WxL設(shè)定周長型電容密度的隨機偏差〃2 o\CP+ + XT^cp ；
ciACP，W L設(shè)定電容值的隨機偏差σ<j\c =a\CA χ (W χ L)2 +a2ACP x[2x(fF + Z)]2；其中W為電容寬度、L為電容長度、D為電容之間的間距，S,CA、ΤΔα、S,m、S,CP2、 ΤΔα>為隨機偏差修正因子；再次，對電容的器件失配進行修正，具體包括
C = CA _ original χ (W xZ)x[l + fFxZx ACA χ agauss(0,\,3) + D χ ThCA χ agauss{0Xy)\ 一^lWxL
CC
+ CP _ original χ [2 χ (fF + Z)] χ {1 + 2 χ (W + L) χ χ agauss{0X >) + ^^ χ agauss{0X >) 一WL+D χT\cp χagauss(0X3)\}其中C為修正后的電容值，CA_original為原始的面積型電容密度，CP_original為原始的周長型電容密度；所述agauss(0，l，3)表示期望值為 1、標準差(standard deviation)為 1/3 的正態(tài)分布取值范圍內(nèi)的隨機數(shù)。本發(fā)明可以在SPICE軟件中對電容的器件失配進行仿真分析，而且充分考慮到電容寬度W、電容長度L和器件間距D對電容的器件失配的影響。
具體實施例方式本發(fā)明電容的器件失配的修正方法為首先，確定電容的工藝失配參數(shù)為為3個，分別為面積型電容密度CA、周長型電容密度CP、電容值C。之所以采用這三個參數(shù)作為電容的工藝失配參數(shù)，是由于這三個參數(shù)之間如有如下物理意義C = CAX (WXL)+CPX2X (W+L)，這是公式0。其中W為電容寬度、L為電容長度。其次，基于對大量電容的器件失配數(shù)據(jù)的研究及分析，發(fā)現(xiàn)上述3個參數(shù)的隨機偏差都是和電容寬度W和電容長度L成反比，與電容之間的間距D成正比，由此得到各個工藝失配參數(shù)的隨機誤差，包括面積型電容密度CA的隨機偏差〃
權(quán)利要求
1.一種電容的器件失配的修正方法，其特征是首先，確定電容的工藝失配參數(shù)為3個，分別為面積型電容密度、周長型電容密度、電容值；其次，設(shè)定面積型電容密度的隨機偏差〃2心=J^- + D2 xTlCA ；crACA，WxL設(shè)定周長型電容密度的隨機偏差σ2ΑΟΡ=^ψ + ^ + 2 XT^cp-,ciACP，W L設(shè)定電容值的隨機偏差
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容的器件失配的修正方法，其特征是，所述隨機偏差修正因子ΤΔα和ΤΔ。Ρ僅與D相關(guān)，所述隨機偏差修正因子僅與W和L相關(guān)，所述隨機偏差修正因子僅與W相關(guān)，所述隨機偏差修正因子S,CP2僅與L相關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容的器件失配的修正方法，其特征是，所述隨機偏差修正因子
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電容的器件失配的修正方法，首先，確定電容的工藝失配參數(shù)為3個，分別為面積型電容密度、周長型電容密度、電容值；其次，設(shè)定這3個參數(shù)的隨機偏差；再次，對電容的器件失配進行修正。本發(fā)明可以在SPICE軟件中對電容的器件失配進行仿真分析，而且充分考慮到電容寬度W、電容長度L和器件間距D對電容的器件失配的影響。
文檔編號G06F17/50GK102385645SQ20101027161
公開日2012年3月21日 申請日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者周天舒, 王正楠 申請人:上海華虹Nec電子有限公司