專利名稱：導(dǎo)電薄膜的制備方法及其產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電薄膜技術(shù)，尤其涉及一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及其產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
隨著觸控屏幕等應(yīng)用的市場(chǎng)滲透率逐漸提升，開始大量應(yīng)用于手機(jī)及計(jì)算機(jī)屏幕，透明導(dǎo)電薄膜的需求也開始進(jìn)入爆炸性的增長(zhǎng)?，F(xiàn)有使用最多的導(dǎo)電薄膜是以ITO導(dǎo)電玻璃為主的ITO導(dǎo)電薄膜，近來產(chǎn)品的應(yīng)用逐漸開始出現(xiàn)可撓曲性及彎折的需求，此時(shí)以玻璃材料為基底的ITO導(dǎo)電薄膜便無法適用?，F(xiàn)有的導(dǎo)電薄膜的制備方法是于PET或PI高分子薄膜上涂布金屬導(dǎo)電墨水 (Conductive Ink)，成膜后的導(dǎo)電薄膜不但擁有絕佳的導(dǎo)電率而且也滿足可繞屈及可彎折的需求。然而，上述金屬導(dǎo)電墨水所使用的金屬材料皆是有色非透明的，涂布后將會(huì)影響導(dǎo)電薄膜的透光度。此外，金屬材料價(jià)錢昂貴，在相同涂布面積下，現(xiàn)有的導(dǎo)電薄膜的制備方法在維持導(dǎo)電薄膜良好的導(dǎo)電度情況下并不能有效減少金屬材料的使用量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可降低生產(chǎn)成本及提高透光度的導(dǎo)電薄膜的制備方法及其產(chǎn)品。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所提供導(dǎo)電薄膜的制備方法包括如下步驟A)按莫爾份量1 1 1比例取正硅酸乙酯、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一種或兩種混合物，得到含硅的反應(yīng)物；B)將步驟A)中含硅的反應(yīng)物與為上述含硅的反應(yīng)物總莫爾數(shù)2倍的水及酒精等溶劑混合，并均勻攪拌12h以上，得到半成品涂料；C)將占總質(zhì)量3 50%的導(dǎo)電材料加入到半成品涂料中進(jìn)行均勻攪拌，得到涂料成品；D)將涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于溫度為70 250°C的條件下加熱5 60min，從而在成膜基材表面形成連續(xù)性孔洞導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明一種導(dǎo)電薄膜，采用上述所提供之導(dǎo)電薄膜的制備方法制成。如上所述，本發(fā)明導(dǎo)電薄膜的制備方法所制得的導(dǎo)電薄膜由于具有連續(xù)性孔洞， 能夠在維持導(dǎo)電度的情況下，提高透光度，同時(shí)在相同涂布面積下，也能降低導(dǎo)電材料的使用量，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。
具體實(shí)施例方式為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式詳予說明。
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本發(fā)明導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟A)按莫爾份量1 1 1比例取正硅酸乙酯、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一種或兩種混合物，得到含硅的反應(yīng)物；B)將步驟A)中含硅的反應(yīng)物與為上述含硅的反應(yīng)物總莫爾數(shù)2倍的水及酒精等溶劑混合，并均勻攪拌12h以上，得到半成品涂料；C)將占總質(zhì)量3 50%的導(dǎo)電材料加入到半成品涂料中進(jìn)行均勻攪拌，得到涂料成品；其中，導(dǎo)電材料粒徑不大于ΙΟΟΟμπι，導(dǎo)電材料為銀、銅、奈米碳管、石墨、導(dǎo)電碳黑、 導(dǎo)電金屬氧化物、導(dǎo)電高分子中的一種或多種；D)將涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于溫度為70 250°C的條件下加熱5 60min，從而在成膜基材表面形成連續(xù)性孔洞導(dǎo)電薄膜；其中，孔洞大小范圍為 100-5000 μ m,涂布方式可為旋轉(zhuǎn)涂布、浸泡涂布或噴霧涂布，成膜基材為塑料基材或玻璃基材，塑料基材的材料為PC、ABS、PMMA, PPO、PET、PA、SEBS, TPU, PVC及PI中的一種。本發(fā)明一種導(dǎo)電薄膜，采用上述所提供之導(dǎo)電薄膜的制備方法制成。以下給出本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜的制備方法的兩種實(shí)施例。實(shí)施例一，其步驟如下A)首先按莫爾份量1 1 1比例分別取反應(yīng)物正硅酸乙酯0. Imol (20. 83g)、 3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷0. Imol (24. 84g)、乙烯基三乙氧基硅烷 0. Imol (19. 03g)，得到含硅的反應(yīng)物；B)將步驟A)中含硅的反應(yīng)物與作為溶劑的水0.6mol(10.8g)及99%酒精 0. 6mol(27. 6g)混合，并于室溫下均勻攪拌Mh，得到半成品涂料；C)將占總質(zhì)量30%的粒徑大小為50 200nm的導(dǎo)電銀粒子加入到半成品涂料中均勻攪拌，得到涂料成品；D)將步驟C)的涂料以浸泡涂布方式涂布于PC基材表面，于溫度為120°C的條件下加熱lOmin，在PC基材表面形成孔洞大小范圍為500 2000 μ m的連續(xù)性孔洞導(dǎo)電薄膜。實(shí)施例二，其步驟如下A)首先按莫爾份量1 1 1比例分別取反應(yīng)物正硅酸乙酯0. Imol 83)、 3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷0. Imol (24. 84g),乙烯基三甲氧基硅烷 0. Imol (14. 82g)，得到含硅的反應(yīng)物；B)將步驟A)中含硅的反應(yīng)物與作為溶劑的水0.6mol(10.8g)及99%酒精 0. 6mol(27. 6g)混合，并于室溫下均勻攪拌Mh，得到半成品涂料；C)將占總質(zhì)量20%的粒徑大小為100 300nm的導(dǎo)電銅粒子加入到半成品涂料中均勻攪拌，得到涂料成品；D)將步驟C)的涂料以浸泡涂布方式涂布于PC基材表面，于溫度為120°C的條件下加熱lOmin，在PC基材表面形成孔洞大小范圍為1500 3000 μ m的連續(xù)性孔洞導(dǎo)電薄膜。如上所述，本發(fā)明導(dǎo)電薄膜的制備方法制得的導(dǎo)電薄膜由于具有連續(xù)性孔洞，能夠在維持導(dǎo)電度的情況下，提高透光度，同時(shí)在相同涂布面積下，也能降低導(dǎo)電材料的使用量，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟A)按莫爾份量1 1 1比例取正硅酸乙酯、3_(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、 乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一種或兩種混合物，得到含硅的反應(yīng)物；B)將步驟A)中含硅的反應(yīng)物與為上述含硅的反應(yīng)物總莫爾數(shù)2倍的水及酒精等溶劑混合，并均勻攪拌12h以上，得到半成品涂料；C)將占總質(zhì)量3 50%的導(dǎo)電材料加入到半成品涂料中進(jìn)行均勻攪拌，得到涂料成Pm ；D)將涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于溫度為70 250°C的條件下加熱5 60min，從而在成膜基材表面形成連續(xù)性孔洞導(dǎo)電薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟B)中的攪拌時(shí)間是 24h。
3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟C)中的導(dǎo)電材料為銀、銅、奈米碳管、石墨、導(dǎo)電碳黑、導(dǎo)電金屬氧化物、導(dǎo)電高分子中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求1或3所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟C)中的導(dǎo)電材料粒徑不大于1000 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟D)中的涂布方式可為旋轉(zhuǎn)涂布、浸泡涂布或噴霧涂布。
6.如權(quán)利要求1或5所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟D)中的孔洞大小范圍為100-5000 μ m。
7.一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于采用如權(quán)利要求1 6任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法所制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及其產(chǎn)品。該導(dǎo)電薄膜的制備方法包括以下步驟A)按莫爾份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一種或兩種混合物，得到含硅的反應(yīng)物；B)將步驟A)中含硅的反應(yīng)物與為上述含硅的反應(yīng)物總莫爾數(shù)2倍的水及酒精等溶劑混合，并均勻攪拌12h以上，得到半成品涂料；C)將占總質(zhì)量3～50％的導(dǎo)電材料加入到半成品涂料中進(jìn)行均勻攪拌，得到涂料成品；D)將涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于溫度為70～250℃的條件下加熱5～60min，從而在成膜基材表面形成連續(xù)性孔洞導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明通過導(dǎo)電薄膜的制備方法制備導(dǎo)電薄膜，可降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本及提高透光度。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102194541SQ20101012467
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月6日
發(fā)明者黃志豪 申請(qǐng)人:富港電子(東莞)有限公司, 正崴精密工業(yè)股份有限公司