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具有多個動作模式的半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號:6582895閱讀:172來源:國知局
專利名稱:具有多個動作模式的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,尤其涉及具有多個動作模式的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
在具備需要初始調(diào)整的傳感器等的半導(dǎo)體裝置中,為了從半導(dǎo)體裝置外部可以切 換用于進(jìn)行初始調(diào)整的測試模式和用于進(jìn)行正常的讀出(sensing)動作的正常模式,設(shè)有 用于模式切換的端子。這種用于模式切換的端子,在初始調(diào)整后是不需要的,因此要求減少 其數(shù)目以實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化。 作為用于減少這種半導(dǎo)體裝置的端子數(shù)的技術(shù),例如,在日本特開平04-039784 號公報(專利文獻(xiàn)l)中公開了如下的結(jié)構(gòu)。即,一種微型計算機,內(nèi)置存儲了用于CPU執(zhí)行 的程序及數(shù)據(jù)的EPROM,且作為動作模式,具有以微型計算機方式動作的微型計算機模式、 測試CPU動作的測試模式、和進(jìn)行EPROM的寫入及讀出的EPROM模式。其中設(shè)有測試/程 序電源端子和控制端子,該測試/程序電源端子共用用于切換微型計算機模式及測試模式 的端子功能和用于施加EPROM的用于寫入的程序電壓的端子功能,該控制端子用于切換測 試模式及EPROM模式。微型計算機模式是在測試/程序電源端子為第一邏輯電平時被選擇 的,而測試模式及EPROM模式是在測試/程序電源端子為第二邏輯電平時被選擇的。根據(jù) 控制端子的邏輯電平切換測試模式及EPROM模式,若切換至EPROM模式,則從測試/程序電 源端子施加程序電壓。 此外,在日本特開平01-171036號公報(專利文獻(xiàn)2)中公開了如下的結(jié)構(gòu)。艮P, 在微型計算機中,施加用于模式切換的高電壓信號的端子與復(fù)位端子是被共用的。
此外,在日本特開2008-152621號公報(專利文獻(xiàn)3)中公開了如下的結(jié)構(gòu)。艮P, 在微型計算機中,將模式設(shè)定信號和復(fù)位信號共同化,根據(jù)供給復(fù)位端子的信號的變化而 指定動作模式。由此,無需獨立設(shè)置模式設(shè)定端子,而能夠減少微型計算機的端子數(shù)。
此外,在日本特開平05-166391號公報(專利文獻(xiàn)4)中公開了如下的結(jié)構(gòu)。艮P, 在讀出數(shù)據(jù)時,根據(jù)從輸入/輸出端子輸入的讀出模式信號及地址信號,進(jìn)行從存儲單元 陣列的符合地址讀出數(shù)據(jù)并向輸入/輸出端子輸出的控制。此外,在進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入或者 改寫時,根據(jù)從輸入/輸出端子輸入的寫入模式信號及地址信號,進(jìn)行將來自輸入/輸出端 子的數(shù)據(jù)寫入存儲單元陣列的符合地址的控制。通過使模式控制信號輸入端子及輸入/輸 出端子能夠共同化,實現(xiàn)減少端子數(shù)。 此外,在日本特開2001-188770號公報(專利文獻(xiàn)5)中公開如下的結(jié)構(gòu)。即,用一 個端子共用在內(nèi)置的接口與外部的串行存儲器之間傳送的信號線和在總線開路請求(bus release request)信號線、總線開路允許(bus release acknowledge)信號線、I/0請求信 號線、或等待(wait)信號線中的對應(yīng)的信號線,從而減少端子數(shù)。 但是,在專利文獻(xiàn)l所記載的結(jié)構(gòu)中,在接受程序電壓的測試/程序電源端子外, 還需要另外的接受用于使微型計算機動作的動作電源電壓的電源端子,因此最終會需要測 試/程序電源端子、控制端子及電源端子這三個端子。又,在專利文獻(xiàn)2 5中也沒有公開用于解決這種問題的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述課題構(gòu)思而成,其目的在于提供可從外部切換多個動作模式且 能夠減少端子數(shù)的半導(dǎo)體裝置。 為了解決上述課題,本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是具有多個動作模式的半導(dǎo)體裝置,其 中包括控制端子;電源端子,被供給電源電壓;第一電平檢測電路,檢測自電源端子上被 供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后的控制端子的電壓電平;控制部,基于第一電平檢測電路 的檢測結(jié)果,選擇以多個動作模式中的任意模式動作;以及調(diào)節(jié)器(regulator),該調(diào)節(jié)器 基于供給電源端子的電源電壓生成內(nèi)部電源電壓,第一 電平檢測電路及控制部接受內(nèi)部電 源電壓,并將該內(nèi)部電源電壓作為動作電源電壓,在多個動作模式中,對電源端子供給與其 它動作模式不同電平的電源電壓的動作模式中,控制部利用供給電源端子的電源電壓來進(jìn) 行數(shù)據(jù)處理。 依據(jù)本發(fā)明,可從外部切換多個動作模式且能夠減少端子數(shù)。 本發(fā)明的上述以及其它目的、特征、局面及優(yōu)點,通過以下參照


的本發(fā)明 相關(guān)的詳細(xì)說明,當(dāng)會更加清晰。

圖1是本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)示圖。 圖2是表示本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置切換動作模式的動作的時序圖。
圖3是本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)示圖。 圖4是表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置切換動作模式的動作的時序圖。
具體實施例方式以下,參照附圖,就本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。此外,圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠植?用相同的符號,且不重復(fù)其說明。
〈第一實施方式〉
[結(jié)構(gòu)及基本動作] 圖1是本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)示圖。 參照圖1,半導(dǎo)體裝置101包括存儲部(控制部)1、電平檢測電路11、比較器(電 平檢測電路)3、調(diào)節(jié)器5、傳感器6、傳感器信號處理電路7、控制端子TCK、數(shù)據(jù)端子TD、電 源端子TPS1、 TPS2和輸出端子TDET。電平檢測電路11包括觸發(fā)器2和延遲電路4。
傳感器6例如為壓力傳感器或加速度傳感器,將表示檢測結(jié)果的信號輸出至傳感 器信號處理電路7。 傳感器信號處理電路7基于從存儲部1接受的調(diào)整數(shù)據(jù)對從傳感器6接受的信號 進(jìn)行調(diào)整,將調(diào)整后的信號作為檢測信號,從輸出端子TDET向半導(dǎo)體裝置101外部輸出。調(diào) 整數(shù)據(jù)例如是放大率及補償(offset)值,傳感器信號處理電路7基于從存儲部1接受的調(diào) 整數(shù)據(jù)所表示的放大率,對傳感器6的輸出信號進(jìn)行放大,并且,基于該調(diào)整數(shù)據(jù)所表示的 補償值,對傳感器6的輸出信號供給補償電壓。
5
調(diào)節(jié)器5基于供給電源端子TPS 1的電源電壓生成內(nèi)部電源電壓IPS。例如,調(diào)節(jié)器5對供給電源端子TPS1的5V電源電壓進(jìn)行降壓而生成3. 8V的內(nèi)部電源電壓IPS。內(nèi)部電源電壓IPS是作為動作電源電壓供給圖l所示的各塊(block)等半導(dǎo)體裝置101內(nèi)的各塊的。此外,電源端子TPS2接地。
[動作] 下面,對本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置切換動作模式時的動作進(jìn)行說明。
半導(dǎo)體裝置101具有正常模式RM、調(diào)整模式TM及存儲器寫入模式麗。
電平檢測電路11檢測在剛向電源端子TPS1供給電源電壓后即自電源端子TPS1上被供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后的控制端子TCK的電壓電平。 更詳細(xì)地說,延遲電路4使表示供給電源端子TPS1的電源電壓的電平的信號延遲規(guī)定時間,然后向觸發(fā)器2輸出。表示控制端子TCK接受的電壓的電平的信號供給觸發(fā)器2。觸發(fā)器2在從延遲電路4接受的信號的上升沿的定時中保持從控制端子TCK接受的信號并向存儲部l輸出。 比較器3檢測供給電源端子TPS1的電源電壓的電平。更詳細(xì)地說,比較器3比較供給電源端子TPS1的電源電壓和基準(zhǔn)電壓VREF,并將表示比較結(jié)果的信號輸出至存儲部1。 存儲部1基于觸發(fā)器2的電平檢測結(jié)果,選擇是以正常模式RM動作還是以調(diào)整模式TM或存儲器寫入模式麗動作的任一方式。此外,在以調(diào)整模式TM或存儲器寫入模式WM動作的場合,存儲部1基于比較器3的檢測結(jié)果,選擇是以調(diào)整模式TM動作還是存儲器寫入模式動作的任一方式。 例如,存儲部1基于從觸發(fā)器2接受的信號,選擇是以正常模式RM動作還是以調(diào)整模式TM動作的任一方式,當(dāng)以調(diào)整模式TM進(jìn)行動作時,基于比較器3的檢測結(jié)果進(jìn)行從調(diào)整模式TM到存儲器寫入模式麗的切換。更加詳細(xì)地說,在以調(diào)整模式TM動作時,存儲部1在觸發(fā)器2檢測的電壓電平的絕對值成為規(guī)定值以上時,進(jìn)行從調(diào)整模式TM到存儲器寫入模式麗的切換。 圖2是表示本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置切換動作模式的動作的時序圖。
參照圖2,首先,電源端子TPS1上被供給例如5V的電源電壓,并且控制端子TCK上被供給例如3. 8V的電壓。這時調(diào)節(jié)器5對供給電源端子TPS1的5V的電源電壓進(jìn)行降壓,生成3. 8V的內(nèi)部電源IPS。半導(dǎo)體裝置101內(nèi)的各塊接受內(nèi)部電源電壓IPS,并將它作為動作電源電壓。 該場合,電源電壓的上升沿通過延遲電路4延遲,然后傳輸至觸發(fā)器2。觸發(fā)器2在從延遲電路4傳輸?shù)纳仙氐亩〞r中保持從控制端子TCK接受的3. 8V的電壓,并向存儲部1輸出。這樣存儲部1就選擇調(diào)整模式TM。 然后,從半導(dǎo)體裝置101的外部向控制端子TCK供給控制信號例如基準(zhǔn)時鐘,從外部向數(shù)據(jù)端子TD供給調(diào)整數(shù)據(jù)。存儲部1利用來自控制端子TCK的基準(zhǔn)時鐘,從數(shù)據(jù)端子TD接受調(diào)整數(shù)據(jù),并將該調(diào)整數(shù)據(jù)輸出至傳感器信號處理電路7。 傳感器信號處理電路7基于從存儲部1接受的調(diào)整數(shù)據(jù),調(diào)整從傳感器6接受的信號,并將調(diào)整后的信號作為檢測信號,從輸出端子TDET向半導(dǎo)體裝置101的外部輸出。
在調(diào)整模式TM中,從半導(dǎo)體裝置101的外部向數(shù)據(jù)端子TD供給各種調(diào)整數(shù)據(jù),在
6半導(dǎo)體裝置101的外部測定從輸出端子TDET輸出的檢測信號,并得到最佳調(diào)整數(shù)據(jù)。
接著,在電源端子TPS1上,作為寫入電壓供給比調(diào)整模式TM及正常模式RM的電源電壓高的例如12V的電源電壓。這時,調(diào)節(jié)器5對供給電源端子TPS1的12V的電源電壓進(jìn)行降壓而生成3.8V的內(nèi)部電源電壓IPS。半導(dǎo)體裝置101內(nèi)的各塊,作為動作電源電壓接受內(nèi)部電源電壓IPS。此外,從半導(dǎo)體裝置101的外部分別向控制端子TCK供給控制信號例如基準(zhǔn)時鐘。 該場合,比較器3比較供給電源端子TPS1的12V的電源電壓和例如12V的基準(zhǔn)電壓VREF,并將表示供給電源端子TPS1的電源電壓為基準(zhǔn)電壓VREF以上的信號向存儲部1輸出。這樣存儲部l就選擇存儲器寫入模式麗。 存儲部1利用來自控制端子TCK的基準(zhǔn)時鐘,接受來自數(shù)據(jù)端子TD的調(diào)整數(shù)據(jù)。該調(diào)整數(shù)據(jù)是在調(diào)整模式TM中得到的最佳調(diào)整數(shù)據(jù)。又,存儲部l向調(diào)節(jié)器5輸出控制信號WC0NT。調(diào)節(jié)器5所包含的開關(guān)接受來自存儲部1的控制信號WCONT,將經(jīng)由電源端子TPS1接受的12V的寫入電壓輸出至存儲部1。存儲部1利用從調(diào)節(jié)器5接受的12V的寫入電壓,將調(diào)整數(shù)據(jù)寫入存儲部1內(nèi)的非易失半導(dǎo)體存儲元件,從而將調(diào)整數(shù)據(jù)非易失地進(jìn)行存儲。 接著,停止向電源端子TPS1供給電源電壓,停止向控制端子TCK供給基準(zhǔn)時鐘,并停止向數(shù)據(jù)端子TD供給調(diào)整數(shù)據(jù),各端子的電壓例如設(shè)定為OV。然后,電源端子TPSl上被供給例如5V的電源電壓。這時,調(diào)節(jié)器5對供給電源端子TPS1的5V的電源電壓進(jìn)行降壓而生成3.8V的內(nèi)部電源電壓IPS。半導(dǎo)體裝置101內(nèi)的各塊,作為動作電源電壓接受內(nèi)部電源電壓IPS。 該場合,電源電壓的上升沿通過延遲電路4延遲后傳達(dá)至觸發(fā)器2。觸發(fā)器2在從延遲電路4傳達(dá)的上升沿的定時中保持從控制端子TCK接受的0V的電平并向存儲部1輸出。這樣存儲部1就選擇正常模式RM。 在正常模式RM中,存儲部l將在存儲器寫入模式麗中存儲的調(diào)整數(shù)據(jù)輸出到傳感器信號處理電路7。 傳感器信號處理電路7基于從存儲部1接受的調(diào)整數(shù)據(jù),對從傳感器6接受的信號進(jìn)行調(diào)整,并將調(diào)整后的信號作為檢測信號,從輸出端子TDET向光半導(dǎo)體裝置101的外部輸出。 可是,在專利文獻(xiàn)1所記載的結(jié)構(gòu)中,除了接受程序電壓的測試/程序電源端子以外,還需要另外的接受用于使微型計算機動作的動作電源電壓的電源端子,結(jié)果,存在需要測試/程序電源端子、控制端子及電源端子這3個端子的問題。 但是,在本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置中,觸發(fā)器2檢測在對電源端子TPS1剛開始供給電源電壓后即自電源端子TPS1上被供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后的控制端子TCK的電壓電平。比較器3檢測供給電源端子TPS1的電源電壓的電平。然后,存儲部l基于觸發(fā)器2的電平檢測結(jié)果,選擇是以正常模式RM動作,還是以調(diào)整模式TM或存儲器寫入模式麗動作的任一方式,當(dāng)以調(diào)整模式TM或存儲器寫入模式麗動作的場合,基于比較器3的檢測結(jié)果選擇調(diào)整模式TM及存儲器寫入模式麗中的任一模式。
通過這種結(jié)構(gòu),例如,在存儲器寫入模式麗中,即使比調(diào)整模式TM及正常模式RM中的電源電壓高的電平的寫入電壓供給電源端子,也能對該寫入電壓進(jìn)行降壓而生成內(nèi)部電源電壓,并向各塊供給。即,以用于生成內(nèi)部電源電壓的端子及用于寫入電壓的端子的方式共用電源端子TPS1,因此能夠減少端子數(shù)。此外,由于能夠用電源端子TPS1和控制端子TCK這2個端子切換3個動作模式,能夠?qū)崿F(xiàn)端子數(shù)的減少。 此外,在專利文獻(xiàn)l所記載的結(jié)構(gòu)中,對于測試/程序電源端子供給用于寫入EPR0M的程序電壓,因此在寫入EPR0M時能夠?qū)y試/程序電源端子供給用于寫入EPR0M的控制信號。 但是,在本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置中,存儲部1在選擇是以調(diào)整模式TM或存儲器寫入模式麗進(jìn)行動作之后,利用經(jīng)由控制端子TCK接受的控制信號即基準(zhǔn)時鐘來進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。更詳細(xì)地說,存儲部1在調(diào)整模式TM及存儲器寫入模式麗中,利用經(jīng)由控制端子TCK接受的基準(zhǔn)時鐘接受來自數(shù)據(jù)端子TD的調(diào)整數(shù)據(jù)。 S卩,與專利文獻(xiàn)l所記載的結(jié)構(gòu)不同的是在本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置中,寫入電壓供給電源端子,所以在存儲器寫入模式麗中,能夠經(jīng)由控制端子TCK向存儲部l供給基準(zhǔn)時鐘。由此,無需為存儲器寫入模式麗而另外設(shè)置端子,能夠達(dá)到減少端子數(shù)的目的。 再者,本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置具備電平檢測電路11和比較器3,構(gòu)成為基于它們的電平檢測結(jié)果,切換正常模式RM、調(diào)整模式TM及存儲器寫入模式麗這三個動作模式,但并不限于此。即使半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)中不具備比較器3,只要是如下結(jié)構(gòu)即可。即,基于電平檢測電路11的檢測結(jié)果,存儲部1選擇以多個動作模式中的任意模式動作。電平檢測電路11和存儲部1接受來自調(diào)節(jié)器5的內(nèi)部電源電壓,將它作為動作電源電壓。又,在多個動作模式中對電源端子供給與其它動作模式時不同電平的電源電壓的動作模式中,存儲部1將供給電源端子的電源電壓作為寫入電壓而使用。 此外,在本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置中,存儲部1構(gòu)成為在存儲器寫入模式麗中,使用比調(diào)整模式TM及正常模式RM的電源電壓高的電平的寫入電壓非易地存儲調(diào)整數(shù)據(jù),但并不限定于此。存儲部1只要構(gòu)成為在對電源端子TPS1供給不同于其它動作模式的電平的電源電壓的動作模式中,使用供給電源端子TPS1的電源電壓進(jìn)行一些數(shù)據(jù)處理即可。 此外,在本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置中,采用了使用12V的寫入電壓及3. 8V的內(nèi)部電源電壓的結(jié)構(gòu),但并不限定于此,寫入電壓及內(nèi)部電源電壓也可為負(fù)電壓。
下面,借助附圖對本發(fā)明的其它實施方式進(jìn)行說明。此外,圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠植捎孟嗤姆?,且不重?fù)其說明。
〈第二實施方式> 與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置相比,本實施方式涉及變更對調(diào)整模式的切換條件的半導(dǎo)體裝置。除以下所說明的內(nèi)容以外,與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置相同。
圖3是本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)示圖。 參照圖3,與本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置相比,半導(dǎo)體裝置102具備電平檢測電路12,以取代電平檢測電路110。電平檢測電路12包含觸發(fā)器2、延遲電路4和濾波電路8。 電平檢測電路12自電源端子TPS1上被供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后,檢測控制端子TCK的電壓電平是否在規(guī)定時間繼續(xù)規(guī)定值以上的狀態(tài)。
更詳細(xì)地說,濾波電路8例如為低通濾波器,使控制端子TCK接受的表示電壓的電平的信號的頻率分量中規(guī)定頻率以上的分量衰減,將衰減后的信號輸出至觸發(fā)器2。延遲電路4使供給電源端子TPS1的表示電源電壓的電平的信號延遲規(guī)定時間,并輸出至觸發(fā)器2。觸發(fā)器2在從延遲電路4接受的信號的上升沿的定時中保持從濾波電路8接受的信號并向存儲部l輸出。 圖4是表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置切換動作模式的動作的時序圖。
參照圖4,首先,電源端子TPS1上被供給例如5V的電源電壓,并且控制端子TCK上被供給例如3. 8V的電壓。這時,調(diào)節(jié)器5對供給電源端子TPS1的5V的電源電壓進(jìn)行降壓而生成3. 8V的內(nèi)部電源電壓IPS。半導(dǎo)體裝置102內(nèi)的各塊接受內(nèi)部電源電壓IPS,并將它作為動作電源電壓。 該場合,如果控制端子TCK上的電壓電平例如成為3. 8V的狀態(tài)持續(xù)高保持時間(high hold time)THLD,則從濾波電路8向觸發(fā)器2供給3.8V的電壓。此外,電源電壓的上升沿通過延遲電路4而得到延遲,然后傳輸至觸發(fā)器2。觸發(fā)器2在從延遲電路4傳達(dá)的上升沿的定時中保持從濾波電路8接受的3. 8V的電壓,并且向存儲部1輸出。這樣存儲部1就選擇調(diào)整模式TM。 在此,以正常模式RM使半導(dǎo)體裝置102動作時的電源剛上升后,因外噪聲而控制端子TCK上的電壓成為邏輯高電平,從而半導(dǎo)體裝置102有可能誤以調(diào)整模式TM動作。
因此,在本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置中,構(gòu)成為通過將高保持時間THLD設(shè)定為設(shè)想的噪聲時間以上,僅在控制端子TCK上的電壓成為邏輯高電平的狀態(tài)持續(xù)高保持時間THLD以上的情況下切換到調(diào)整模式TM。通過這種結(jié)構(gòu),能夠防止噪聲導(dǎo)致的誤動作,并能實現(xiàn)穩(wěn)定的動作。 再者,在本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置中,采用了具備濾波電路8的結(jié)構(gòu),但并不限定于此,也可以是例如具備電壓圖案判定電路的結(jié)構(gòu)。即,該電壓圖案判定電路在從控制端子TCK接受的信號具有規(guī)定圖案的場合,向觸發(fā)器2輸出邏輯高電平的信號,當(dāng)從控制端子TCK接受的信號并不具有規(guī)定圖案的場合,向觸發(fā)器2輸出邏輯低電平的信號。
其它結(jié)構(gòu)及動作與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置相同,因此在這里不重復(fù)其詳細(xì)的說明。 以上對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明,但這只是示例,并不是本發(fā)明的限定,應(yīng)當(dāng)清楚本發(fā)明的范圍是由權(quán)利要求來解釋的。
權(quán)利要求
一種具有多個動作模式的半導(dǎo)體裝置,其中包括控制端子;電源端子,被供給電源電壓;第一電平檢測電路,檢測自所述電源端子上被供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后的所述控制端子的電壓電平;控制部,基于所述第一電平檢測電路的檢測結(jié)果,選擇以所述多個動作模式中的任意模式動作;以及調(diào)節(jié)器,基于供給所述電源端子的電源電壓生成內(nèi)部電源電壓,所述第一電平檢測電路及所述控制部接受所述內(nèi)部電源電壓,并將該內(nèi)部電源電壓作為動作電源電壓,在所述多個動作模式中對所述電源端子上供給不同于其它動作模式的電平的電源電壓的動作模式中,所述控制部利用供給所述電源端子的電源電壓來進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述控制部包含非易失地存儲數(shù)據(jù)的存儲 元件,在所述供給不同電平的電源電壓的動作模式中,將供給所述電源端子的電源電壓用 作向所述存儲元件存儲數(shù)據(jù)的寫入電壓。
3. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述控制部在選擇以所述多個動作模式中 的任意模式動作后,利用經(jīng)由所述控制端子接受的控制信號來進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述半導(dǎo)體裝置具有第一動作模式至第三動作模式,在所述第三動作模式中,所述電 源端子上被供給不同于所述第一動作模式及所述第二動作模式的電平的電源電壓,還具備第二電平檢測電路,該第二電平檢測電路接受所述內(nèi)部電源電壓,并將該內(nèi)部 電源電壓作為動作電源電壓,檢測供給所述電源端子的電源電壓的電平,所述控制部基于所述第一電平檢測電路的檢測結(jié)果,選擇是以所述第一動作模式動作 還是以所述第二動作模式或所述第三動作模式動作的任一方式,在以所述第二動作模式或 所述第三動作模式動作的場合,基于所述第二電平檢測電路的檢測結(jié)果,選擇是以所述第 二動作模式動作還是以所述第三動作模式動作的任一方式。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述控制部在選擇是以所述第二動作模式或所述第三動作模式動作后,利用經(jīng)由所述控制端子接受的控制信號進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
6. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述控制部在以所述第二動作模式動作時, 若所述第二電平檢測電路檢測到的電壓電平的絕對值成為規(guī)定值以上,則進(jìn)行向所述第三 動作模式的切換,所述調(diào)節(jié)器將供給所述電源端子的電源電壓降壓成不足所述規(guī)定值而生成內(nèi)部電源 電壓。
7. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中還包括 接受調(diào)整數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)端子;傳感器;以及調(diào)整從所述傳感器接受的信號的傳感器信號處理電路,所述控制部在所述第二動作模式中,將經(jīng)由所述數(shù)據(jù)端子接受的所述調(diào)整數(shù)據(jù)輸出至 所述傳感器信號處理電路,所述控制部在所述第三動作模式中,將經(jīng)由所述數(shù)據(jù)端子接受的所述調(diào)整數(shù)據(jù)非易失 地存儲,所述控制部在所述第一動作模式中,將在所述第三動作模式中存儲的所述調(diào)整數(shù)據(jù)輸 出至所述傳感器信號處理電路,所述傳感器信號處理電路基于從所述控制部接受的調(diào)整數(shù)據(jù),調(diào)整從所述傳感器接受 的信號。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述控制部在所述第二動作模式及所述第 三動作模式中,利用經(jīng)由所述控制端子接受的控制信號,經(jīng)由所述數(shù)據(jù)端子接受所述調(diào)整 數(shù)據(jù)。
9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述控制部包含非易失地存儲數(shù)據(jù)的存儲 元件,在所述第三動作模式中,使用供給所述電源端子的電源電壓作為用于對所述存儲元 件存儲所述調(diào)整數(shù)據(jù)的寫入電壓。
10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述第一電平檢測電路檢測自所述電源端 子上被供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后所述控制端子的電壓電平是否持續(xù)規(guī)定時間的成 為規(guī)定值以上的狀態(tài)。
全文摘要
半導(dǎo)體裝置(101)包括第一電平檢測電路(11),用于檢測自電源端子(TPS1)上被供給電源電壓起經(jīng)過規(guī)定時間后的控制端子(TCK)上的電壓電平;控制部(1),基于第一電平檢測電路(11)的檢測結(jié)果,選擇以多個動作模式中的任意模式動作;以及調(diào)節(jié)器(5),基于供給電源端子(TPS1)的電源電壓生成內(nèi)部電源電壓。第一電平檢測電路(11)及控制部(1)接受內(nèi)部電源電壓作為動作電源電壓,在多個動作模式中電源端子(TPS1)上被供給不同于其它動作模式的電平的電源電壓的動作模式中,控制部(1)利用供給電源端子(TPS1)的電源電壓進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
文檔編號G06F15/78GK101770810SQ20091020824
公開日2010年7月7日 申請日期2009年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月6日
發(fā)明者末次英治, 林涉 申請人:三菱電機株式會社
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