專利名稱：四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)，特別涉及一種四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
在有源射頻器件的建模過(guò)程中，需要得到多端口的射頻參數(shù)(如射頻器件的散射 參數(shù)S參數(shù)等)。例如針對(duì)如圖1所示的片上(on-chip)型變壓器(transformer)等射 頻器件，射頻建模需要有關(guān)片上型變壓器主次兩級(jí)共四個(gè)端口的射頻參數(shù)。為了得到四端 口射頻器件準(zhǔn)確的射頻參數(shù)，傳統(tǒng)方法是使用四端口射頻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行四端口射頻器件射 頻參數(shù)測(cè)試，這種方法不僅需要采購(gòu)價(jià)格昂貴的四端口射頻測(cè)試設(shè)備，極大地提高了射頻 器件的建模成本，而且還需要設(shè)計(jì)特殊的四端口射頻測(cè)試版圖結(jié)構(gòu)(例如特定某一端口接 地)以滿足四端口測(cè)試設(shè)備的測(cè)試條件要求，增加了四端口射頻器件射頻測(cè)試版圖的設(shè)計(jì) 難度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，成本低 且簡(jiǎn)單方便。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，四端口射頻 器件具有射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3、射頻端口 4四個(gè)端口，其特征在于，包括以下 步驟一 .先設(shè)計(jì)四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)，將其中任意兩個(gè)射頻端口接地，接地的任 意兩個(gè)端口分別標(biāo)示為射頻端口 3、射頻端口 4 ；二 .采用二端口射頻測(cè)試設(shè)備，將所述四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)另外兩個(gè)端口射 頻端口 1、射頻端口 2作為射頻測(cè)試的兩個(gè)端口進(jìn)行二端口測(cè)試，得到二端口射頻S參數(shù)，即 S11_2P、S12_2P、S21_2P 和 S22_2P，Si j_2P 是二端口從端口 i 到端口 j 的傳輸系數(shù)(i = 1， 2 ； j = 1,2)；三.基于上述二端口測(cè)試所得到的四個(gè)射頻S參數(shù)，推導(dǎo)得出四端口射頻晶體管 射頻S參數(shù)；進(jìn)行推導(dǎo)的數(shù)學(xué)式如下設(shè)射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3所對(duì)應(yīng)的三端口射頻S參數(shù)分別是: S11_3P、S12_3P、S13_3P、S21_3P、S22_3P、S23_3P、S31_3P、S32_3P 和 S33_3P, Si j_3P 是 三端口從端口 i到端口 j的傳輸系數(shù)(i = 1,2,3 ；j = 1，2，3)，同時(shí)設(shè)射頻端口 1、射頻端 口 2、射頻端口 3、射頻端口 4所對(duì)應(yīng)的四端口射頻S參數(shù)分別是S11_4P、S12_4P、S13_4P、 S14_4P、S21_4P、S22_4P、S23_4P、S24_4P、S31_4P、S32_4P、S33_4P、S34_4P、S41_4P、S42_4P、 S43_4P和S44_4P，Si j_4P是四端口從端口 i到端口 j的傳輸系數(shù)(i = 1,2,3,4 ； j = 1， 2,3,4)；S33_3P = (S11_2P+S12_2P+S21_2P+S22_2P)/(4_S11_2P_S12_2P_S21_2P_S22_2P)；S32_3P = ((1+S33_3P)/2)*(1-S12_2P-S22_2P)；
S23__3P =((1+S33_3P)/2)*(1-S21_2P-S22_2P)；
S22__3P =S22_2P+(S23_3P*S32_3P)/(1+S33_3P)；
S21__3P =1-S22_3P-S23_3P
S12__3P =1-S22_3P-S32_3P
S31__3P =1-S33_3P-S32_3P
S13__3P =1-S23_3P-S33_3P
Sll__3P =1-S21_3P-S31_3P
S44__4P =(S11_3P+S12_3P+S13_3P+S21_3P+S22_3P+S23_3P+S31_3P+S32_3P+S33—3P-1)//(δ-ΞΙΙ,βΡ--S12_3P-S13_3P-S21_3P-S22_3P-S23_3P-S31_3P-S32_3P-S33_3P)；
S14__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S11_3P-S12_3P-S13__3P)；
S24__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S21_3P-S22_3P-S23__3P)；
S34__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S31_3P-S32_3P-S33__3P)；
S41__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S11_3P-S21_3P-S31__3P)；
S42__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S12_3P-S22_3P-S32__3P)；
S43__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S13_3P-S23_3P-S33__3P)；
Sll__4P =(S14_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+S11_3P ；
S12__4P =(S14_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S12_3P ；
S13__4P =(S14_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S13_3P ；
S21__4P =(S24_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+S21_3P ；
S22__4P =(S24_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S22_3P ；
S23__4P =(S24_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S23_3P ；
S31__4P =(S34_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+S31_3P ；
S32__4P =(S34_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S32_3P ；
S33__4P =(S34_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S33_3P。
所述四端口射頻器件可以為片上型變壓器。
可以將片上型變壓器版圖結(jié)構(gòu)的主級(jí)的一端作為射頻端口 3和地短接，將片上型
變壓器版圖結(jié)構(gòu)的次級(jí)的一端作為射頻端口 4和地短接。本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，摒棄了使用高端四端口射頻測(cè)試 設(shè)備進(jìn)行射頻器件測(cè)試的傳統(tǒng)做法，設(shè)計(jì)四端口射頻器件特殊的版圖結(jié)構(gòu)，使用簡(jiǎn)單的 二端口射頻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行射頻參數(shù)測(cè)試，然后通過(guò)推導(dǎo)的二端口與四端口射頻參數(shù)的轉(zhuǎn) 換公式，得到準(zhǔn)確的四端口射頻器件射頻參數(shù)。此發(fā)明可用于片上(on-chip)型變壓器 (transformer)等四端口射頻器件的測(cè)試。本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，設(shè) 計(jì)的四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)是可以將其中任意兩個(gè)端口接地，而不必固定將一個(gè)或多個(gè) 確定的端口接地，降低了射頻測(cè)試版圖的設(shè)計(jì)難度，使用常規(guī)簡(jiǎn)單的二端口射頻測(cè)試設(shè)備 來(lái)進(jìn)行射頻參數(shù)測(cè)試，二端口射頻測(cè)試設(shè)備價(jià)格遠(yuǎn)低于四端口射頻測(cè)試設(shè)備價(jià)格，能極大 地降低四端口射頻器件的建模成本。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
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圖1是片上型變壓器結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法一實(shí)施方式流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法一實(shí)施方式如圖2所示，四端口射頻 器件具有射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3、射頻端口 4四個(gè)端口，包括以下步驟一.先設(shè)計(jì)四端口射頻器件特殊的版圖結(jié)構(gòu)，將其中任意兩個(gè)射頻端口接地，接 地的任意兩個(gè)端口標(biāo)示為射頻端口 3、射頻端口 4 ；二 .采用常規(guī)的二端口射頻測(cè)試設(shè)備，將所述四端口射頻器件特殊的版圖結(jié)構(gòu)另 外兩個(gè)端口射頻端口 1、射頻端口 2作為射頻測(cè)試的兩個(gè)端口進(jìn)行測(cè)試，得到二端口射頻S 參數(shù)，即S11_2P、S12_2P、S21_2P和S22_2P, Sij_2P是二端口從端口 i到端口 j的傳輸系 數(shù)(i = 1,2 ;j = 1,2)；三.基于上述常規(guī)二端口測(cè)試所得到的四個(gè)射頻S參數(shù)，推導(dǎo)得出四端口射頻晶 體管射頻S參數(shù)，即十六個(gè)四端口射頻S參數(shù)。如果設(shè)ai(i = 1,2,3,4)為四端口射頻測(cè)試的入射電壓波，設(shè)bi (i = 1,2,3,4) 為四端口射頻測(cè)試的反射電壓波，同時(shí)設(shè)射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3所對(duì)應(yīng)的三端 口射頻 S 參數(shù)分別是S11_3P、S12_3P、S13_3P、S21_3P、S22_3P、S23_3P、S31_3P、S32_3P 和
S33_3P，Sij_:3P是三Ξ端口從端口 i到端口 j的傳輸系數(shù)(i = 1，2，3 ； j = 1，2，3)，則有以下關(guān)系
bl ==Sll__3P*a1+S12_3P*a2+S13_3P*a3(1)
b2 ==S21__3P*al+S22_3P*a2+S23_3P*a3(2)
b3 ==S31__3P*al+S32_3P*a2+S33_3P*a3(3)
由于實(shí)際測(cè)試時(shí)，射頻端口 3及射頻端口 4和地短接，于是有
a3 ==-b3, a4 = -b4(4)
由式(1)‘ 式⑷可進(jìn)一步推出
Sll__2P =Sl1_3P-(S13_3P*S31_3P)/(1+S33_3P)(5)
S12__2P =S12_3P-(S13_3P*S32_3P)/(1+S33_3P)(6)
S21__2P =S21_3P-(S31_3P*S23_3P)/(1+S33_3P)(7)
S22__2P =S22_3P- (S23_3P*S32_3P)/(1+S33_3P)(8)
S33__3P =(S11_2P+S12_2P+S21_2P+S22_2P)/(4-Sll_2P-S12_2P-S21_2P-S22_2P)(9)
S32__3P =((1+S33_3P)/2)*(1-S12_2P-S22_2P)(10)
S23__3P =((1+S33_3P)/2)*(1-S21_2P-S22_2P)(11)
S22__3P =S22_2P+(S23_3P*S32_3P)/(1+S33_3P)(12)
S21__3P =1-S22_3P-S23_3P(13)
S12__3P =1-S22_3P-S32_3P(14)
S31__3P =1-S33_3P-S32_3P(15)
S13__3P =1-S23_3P-S33_3P(16)
Sll__3P =1-S21_3P-S31_3P(17)
由式(9)-式(17)可看出射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3所對(duì)應(yīng)的九個(gè)三端 口射頻S參數(shù)都可以基于常規(guī)二端口測(cè)試所得到的四個(gè)射頻S參數(shù)推導(dǎo)而得出。設(shè)射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3、射頻端口 4所對(duì)應(yīng)的四端口射頻S參數(shù)分 別是S11_4P、S12_4P、S13_4P、S14_4P、S21_4P、S22_4P、S23_4P、S24_4P、S31_4P、S32_4P、 S33_4P、S34_4P、S41_4P、S42_4P、S43_4P 和 S44_4P，Si j_4P 是四端 口從端 口 i 到端 口 j 的 傳輸系數(shù)(i = 1,2,3,4 ;j = 1，2，3，4)，則有以下關(guān)系Sll__3P =Sll__4P-(S14_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)(22)
S12__3P =S12__4P-(S14_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)(23)
S13__3P =S13__4P-(S14_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)(24)
S21__3P =S21__4P-(S24_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)(25)
S22__3P =S22__4P-(S24_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)(26)
S23__3P =S23__4P-(S24_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)(27)
S31__3P =S31__4P-(S34_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)(28)
S32__3P =S32__4P-(S34_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)(29)
S33__3P =S33__4P-(S34_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)(30)
由式(22) 式(30)可進(jìn)一步推出S14__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(-S11_3P-S12_3P-S13__3P)(32)
S24__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(-S21_3P-S22_3P-S23__3P)(33)
S34__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(-S31_3P-S32_3P-S33__3P)(34)
S41__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(-S11_3P-S21_3P-S31__3P)(35)
S42__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(-S12_3P-S22_3P-S32__3P)(36)
S43__4P =0. 5*(1+S44_4P)*(-S13_3P-S23_3P-S33__3P)(37)
Sll__4P =(S14_4P*S41_4P)/1+S44_4P)+S11_3P(38)
S12__4P =(S14_4P*S42_4P)/1+S44_4P)+S12_3P(39)
S13__4P =(S14_4P*S43_4P)/1+S44_4P)+S13_3P(40)
S21__4P =(S24_4P*S41_4P)/1+S44_4P)+S21_3P(41)
S22__4P =(S24_4P*S42_4P)/1+S44_4P)+S22_3P(42)
S23__4P =(S24_4P*S43_4P)/1+S44_4P)+S23_3P(43)
S31__4P =(S34_4P*S41_4P)/1+S44_4P)+S31_3P(44)
S32__4P =(S34_4P*S42_4P)/1+S44_4P)+S32_3P(45)
S33__4P =(S34_4P*S43_4P)/1+S44_4P)+S33_3P(46)
由式(31) 06)可看出射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3、射頻端口 4所對(duì) 應(yīng)的十六個(gè)四端口射頻S參數(shù)都可以基于常規(guī)二端口測(cè)試所得到的四個(gè)射頻S參數(shù)推導(dǎo)而 得出。一實(shí)施例，片上型變壓器結(jié)構(gòu)如圖1所示，片上型變壓器結(jié)構(gòu)主要包括主次兩級(jí) 共四個(gè)電極，主級(jí)分別對(duì)應(yīng)射頻端口 1、射頻端口 3，次級(jí)分別對(duì)應(yīng)射頻端口 2、射頻端口 4， 包括以下步驟一 .先設(shè)計(jì)片上型變壓器特殊的版圖結(jié)構(gòu)，將主級(jí)的射頻端口 3以及次級(jí)的射頻 端口4和地短接；二 .將主級(jí)的射頻端口 1和次級(jí)的射頻端口 2作為射頻測(cè)試的二端口，采用常規(guī) 的二端口射頻測(cè)試設(shè)備對(duì)以上片上型變壓器特殊的版圖結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試，能得到二端口射頻 S 參數(shù)，即 S11_2P、S12_2P、S21_2P 和 S22_2P ；三.基于上述常規(guī)二端口測(cè)試所得到的四個(gè)射頻S參數(shù)，推導(dǎo)得出片上型變壓器 射頻S參數(shù)；設(shè)射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3所對(duì)應(yīng)的三端口射頻S參數(shù)分別是: S11_3P、S12_3P、S13_3P、S21_3P、S22_3P、S23_3P、S31_3P、S32_3P 和 S33_3P, Sij_3P 是 三端口從端口 i到端口 j的傳輸系數(shù)(i = 1,2,3 ；j = 1，2，3)，同時(shí)設(shè)射頻端口 1、射頻端 口 2、射頻端口 3、射頻端口 4所對(duì)應(yīng)的四端口射頻S參數(shù)分別是S11_4P、S12_4P、S13_4P、 S14_4P、S21_4P、S22_4P、S23_4P、S24_4P、S31_4P、S32_4P、S33_4P、S34_4P、S41_4P、S42_4P、 S43_4P 和 S44_4P，Sij_4P 是四端口從端口 i 到端口 j 的傳輸系數(shù)(i = 1,2,3,4 ； j = 1,2, 3，4)，則有以下關(guān)系:S33_3P = (S11_2P+S12_2P+S21_2P+S22_2P)/(4-S11_2P-S12_2P-S21_2P-S22_2P )；S32_3P = ((1+S33_3P)/2)*(1-S12_2P-S22_2P)；S23_3P = ((1+S33_3P)/2)*(1-S21_2P-S22_2P)；S22_3P = S22_2P+(S23_3P*S32_3P)/(1+S33_3P)；S21_3P = 1-S22_3P-S23_3P ；S12_3P = 1-S22_3P_S32_3P ；S31_3P = 1-S33_3P-S32_3P ；S13_3P = 1-S23_3P-S33_3P ；S11_3P = 1-S21_3P-S31_3P ；S44_4P = (S11_3P+S12_3P+S13_3P+S21_3P+S22_3P+S23_3P+S31_3P+S32_3P+S33 _3P-1)/(5-S11_3P-S12_3P-S13_3P_S21_3P-S22_3P_S23_3P_S31_3P_S32_3P_S33_3P)；S14_4P = 0. 5*(1+S44_4P)*(1-S11_3P-S12_3P-S13_3P)；S24_4P = 0. 5*(1+S44_4P)*(1-S21_3P_S22_3P_S23_3P)；S34_4P = 0. 5* (1+S44_4P)*(1-S31_3P_S32_3P_S33_3P)；S41_4P = 0. 5*(1+S44_4P)*(1-S11_3P-S21_3P-S31_3P)；S42_4P = 0. 5*(1+S44_4P)*(1-S12_3P_S22_3P_S32_3P)；S43_4P = 0. 5*(1+S44_4P)*(1-S13_3P_S23_3P_S33_3P)；Sl1_4P = (S14_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+Sl1_3P ；S12_4P = (S14_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S12_3P ;
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S13_4P = (S14_4P*S43_4P),S21_4P = (S24_4P*S41_4P),S22_4P = (S24_4P*S42_4P),S23_4P = (S24_4P*S43_4P),S31_4P = (S34_4P*S41_4P),S32_4P = (S34_4P*S42_4P),
(1+S44_4P)+S13_3P (1+S44_4P)+S21_3P (1+S44_4P)+S22_3P (1+S44_4P)+S23_3P (1+S44_4P)+S31_3P (1+S44_4P)+S32_3PS33_4P = (S34_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S33_3P。本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，摒棄了使用高端四端口射頻測(cè)試 設(shè)備進(jìn)行射頻器件測(cè)試的傳統(tǒng)做法，設(shè)計(jì)四端口射頻器件特殊的版圖結(jié)構(gòu)，使用簡(jiǎn)單的 二端口射頻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行射頻參數(shù)測(cè)試，然后通過(guò)推導(dǎo)的二端口與四端口射頻參數(shù)的轉(zhuǎn) 換公式，得到準(zhǔn)確的四端口射頻器件射頻參數(shù)。此發(fā)明可用于片上(on-chip)型變壓器 (transformer)等四端口射頻器件的測(cè)試。本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，設(shè) 計(jì)的四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)是可以將其中任意兩個(gè)端口接地，而不必固定將一個(gè)或多個(gè) 確定的端口接地，降低了射頻測(cè)試版圖的設(shè)計(jì)難度，使用常規(guī)簡(jiǎn)單的二端口射頻測(cè)試設(shè)備 來(lái)進(jìn)行射頻參數(shù)測(cè)試，二端口射頻測(cè)試設(shè)備價(jià)格遠(yuǎn)低于四端口射頻測(cè)試設(shè)備價(jià)格，能極大 地降低四端口射頻器件的建模成本。
權(quán)利要求
1. 一種四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，四端口射頻器件具有射頻端口 1、射頻端 口 2、射頻端口 3、射頻端口 4四個(gè)端口，其特征在于，包括以下步驟一.先設(shè)計(jì)四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)，將其中任意兩個(gè)射頻端口接地，接地的任意兩 個(gè)端口分別標(biāo)示為射頻端口 3、射頻端口 4 ；二.采用二端口射頻測(cè)試設(shè)備，將所述四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)另外兩個(gè)端口射頻 端口 1、射頻端口 2作為射頻測(cè)試的兩個(gè)端口進(jìn)行二端口測(cè)試，得到二端口射頻S參數(shù)，即 S11_2P、S12_2P、S21_2P 和 S22_2P，Si j_2P 是二端口從端口 i 到端口 j 的傳輸系數(shù)(i = 1， 2 ； j = 1,2)；三.基于上述二端口測(cè)試所得到的四個(gè)射頻S參數(shù)，推導(dǎo)得出四端口射頻晶體管射頻 S參數(shù)；進(jìn)行推導(dǎo)的數(shù)學(xué)式如下設(shè)射頻端口 1、射頻端口 2、射頻端口 3所對(duì)應(yīng)的三端口射頻S參數(shù)分別是S11_3P、 S12_3P、S13_3P、S21_3P、S22_3P、S23_3P、S31_3P、S32_3P 和 S33_3P, Sij_3P 是三端口從 端口 i到端口 j的傳輸系數(shù)(i = 1,2,3 ；j = 1，2，3)，同時(shí)設(shè)射頻端口 1、射頻端口 2、射頻 端口 3、射頻端口 4所對(duì)應(yīng)的四端口射頻S參數(shù)分別是S11_4P、S12_4P、S13_4P、S14_4P、 S21_4P、S22_4P、S23_4P、S24_4P、S31_4P、S32_4P、S33_4P、S34_4P、S41_4P、S42_4P、S43_4P 和 S44_4P，Sij_4P 是四端口從端口 i 到端口 j 的傳輸系數(shù)(i = 1,2,3,4 ； j = 1,2,3,4)；S33__3P=(S11_2P+S12_2P+S21_2P+S22_2P)/(4-Sll_2P-S12_2P-S21_2P-S22_2P)；S32__3P=((1+S33_3P)/2)*(1-S12_2P-S22_2P)；S23__3P=((1+S33_3P)/2)*(1-S21_2P-S22_2P)；S22__3P=S22_2P+(S23_3P*S32_3P)/(1+S33_3P)；S21__3P=1-S22__3P-S23_3P;S12__3P=1-S22__3P-S32_3P；S31__3P=1-S33__3P-S32_3P；S13__3P=1-S23__3P-S33_3P；Sll__3P=1-S21__3P-S31_3P；S44__4P=(Sll-_3P+S12!_3P+S13_3P+S21_3P+S22_3P+S23_3P+S31_3P+S32_3P+S33.P-I)/(5-S11_3P-S12_3P-S13_3P_S21_3P-S22_3P_S23_3P_S31_3P_S32_3P_S33_3P)； =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S11_3P-S12_3P-S13_3P)； =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S21_3P-S22_3P-S23_3P)； =0.5*(1+S44_4P)*(1-S31_3P-S32_3P-S33_3P)； =0.5*(1+S44_4P)*(1-S11_3P-S21_3P-S31_3P)； =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S12_3P-S22_3P-S32_3P)； =0. 5*(1+S44_4P)*(1-S13_3P-S23_3P-S33_3P)； =(S14_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+S11_3P ； =(Si4_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S12_3P ； =(Si4_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S13_3P ； =(S24_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+S21_3P ； =(S24_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S22_3P ； =(S24_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S23_3P ；S31_4P = (S34_4P*S41_4P)/(1+S44_4P)+S31_3P ； S32_4P = (S34_4P*S42_4P)/(1+S44_4P)+S32_3P ； S33_4P = (S34_4P*S43_4P)/(1+S44_4P)+S33_3P。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，其特征在于，所述四端 口射頻器件為片上型變壓器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，其特征在于，將片上型 變壓器版圖結(jié)構(gòu)的主級(jí)的一端作為射頻端口 3和地短接，將片上型變壓器版圖結(jié)構(gòu)的次級(jí) 的一端作為射頻端口 4和地短接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法，先設(shè)計(jì)四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)，將其中任意兩個(gè)射頻端口接地，然后采用二端口射頻測(cè)試設(shè)備，將所述特定四端口射頻器件版圖結(jié)構(gòu)另外兩個(gè)端口作為射頻測(cè)試的兩個(gè)端口進(jìn)行二端口測(cè)試，得到二端口射頻S參數(shù)，基于上述二端口測(cè)試所得到射頻S參數(shù)，推導(dǎo)得出四端口射頻晶體管射頻S參數(shù)。本發(fā)明的四端口射頻器件射頻參數(shù)測(cè)試方法成本低且簡(jiǎn)單方便。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102063514SQ200910201828
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2009年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月18日
發(fā)明者周天舒 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司