專利名稱：一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及嵌入式設(shè)備的參數(shù)記錄技術(shù)，特別是指一種基于嵌入式設(shè)備閃 存的參數(shù)管理方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
嵌入式電子設(shè)備一般沒有硬盤這樣的存儲(chǔ)設(shè)備，而是使用Flash閃存芯片、 小型閃存卡等專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)裝置。Flash閃存是目前嵌入式系統(tǒng)中 廣泛采用的主流存儲(chǔ)器，它的主要特點(diǎn)是按整體或塊單元4察除和按字節(jié)編程， 具有低功耗、高密度、小體積等優(yōu)點(diǎn)。
目前，F(xiàn)lash閃存分為或非(NOR)和與非(NAND)兩種類型。NOR型 Flash閃存可以直接讀取閃存芯片內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，因而運(yùn)行速度比較快；NOR 型Flash閃存芯片的地址線與數(shù)據(jù)線是分開的，所以它可以像靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (SRAM, Static Random Access Memory) —樣連在數(shù)據(jù)線上，以字為基本單位 進(jìn)行操作，因此傳輸效率很高；應(yīng)用程序可以直接在NOR型Flash閃存內(nèi)運(yùn)行， 不必再把代碼讀取到系統(tǒng)P遺機(jī)存儲(chǔ)器(RAM, Random Access Memory )中運(yùn)行。 NOR型Flash閃存芯片與SRAM的最大不同在于NOR型Flash閃存芯片重復(fù) 寫入時(shí)需要經(jīng)過擦除和寫入兩個(gè)過程，其中擦除以Flash塊為單位進(jìn)行，即擦 除操作至少需要擦除一個(gè)Flash塊的區(qū)域， 一個(gè)NOR型Flash塊區(qū)尺寸通常是 64K或128K,其中Flash塊區(qū)的大小是由Flash閃存的物理特性決定的。
嵌入式系統(tǒng)中的參數(shù)是要求非易失性的、可修改和可刪除的， 一般可以借 助通用的Flash文件系統(tǒng)的管理將參數(shù)以文件的形式存儲(chǔ)在Flash閃存上，以此 來實(shí)現(xiàn)參數(shù)的安全讀、寫、修改和刪除操作。通用的Flash文件系統(tǒng)如jffs2， 要求一個(gè)Flash分區(qū)至少包含五個(gè)Flash塊區(qū)，以保證閃存的正常運(yùn)行，但實(shí)際上嵌入式系統(tǒng)的參數(shù)所占用的空間 一般只有幾十K，不需要用 一個(gè)專門的Flash 分區(qū)如此大的空間來存儲(chǔ)參數(shù)，這樣，對(duì)于低成本的嵌入式電子設(shè)備，不利于 控制產(chǎn)品的價(jià)格。
另一種折中的做法是不使用通用的Flash文件系統(tǒng)管理參數(shù)，而是在每 次參數(shù)變更時(shí)將Flash閃存中的所有參數(shù)備份到RAM中，然后擦除相應(yīng)的Flash 塊區(qū)，最后將在RAM中更新了的參數(shù)和未改變的參數(shù)再寫入Flash塊區(qū)，但這 種做法的問題在于即使僅改變一個(gè)參數(shù)，也必須將整個(gè)Flash塊區(qū)擦除再重 新寫入，若擦除或?qū)懭脒^程中設(shè)備掉電，那么會(huì)因?yàn)闆]有通用Flash文件系統(tǒng) 的數(shù)據(jù)保護(hù)功能而導(dǎo)致參數(shù)的丟失；另外，NOR型Flash閃存的每個(gè)Flash塊 區(qū)的壽命大約為IO萬次擦寫，因此，這種方式會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的使用年限縮短。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種記錄參數(shù)的方法和系統(tǒng)，可以
明顯減少對(duì)Flash塊區(qū)的擦除次數(shù)，減少參數(shù)所占用的Flash塊區(qū)，增加閃存的
空間利用率，提高寫入或修改參數(shù)時(shí)的安全性。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明提供了 一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法，該方法包括
將參數(shù)按照參數(shù)ID字段、控制字段、校驗(yàn)字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容
字段的格式進(jìn)行封裝，獲得參數(shù)數(shù)據(jù)塊，并將所述參數(shù)數(shù)據(jù)塊依次存入?yún)?shù)存
儲(chǔ)區(qū)中；
依據(jù)準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID檢索在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有 相同參數(shù)ID的參數(shù)，如果存在，則將所述檢索到的參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，然后 判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)；如果不存在，則判斷參數(shù)存 儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)；
當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間能夠容納新參數(shù)時(shí)，在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一 個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)。
其中，所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)位于閃存中一段連續(xù)的Flash區(qū)域,所述一段連續(xù)的Flash區(qū)域至少包含閃存的一個(gè)Flash塊區(qū)。
所述檢索在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有相同參數(shù)ID的參數(shù)為 從參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中的第 一個(gè)參數(shù)開始依據(jù)所述參數(shù)的存儲(chǔ)格式讀取參數(shù)； 依據(jù)所述讀取的參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段、參數(shù)內(nèi)容字段和校驗(yàn)字段對(duì) 參數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)；如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，則從當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)ID字段結(jié)束處繼續(xù)讀取參 數(shù)；如果校驗(yàn)正確，則判斷當(dāng)前參數(shù)和新參數(shù)的參數(shù)ID是否相同；如果相同， 則將該參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)；如果不同，則繼續(xù)讀取下一個(gè)參數(shù)。 當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間不能夠容納新參數(shù)時(shí)，該方法還包括 將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的參數(shù)整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài)；
判斷整理后的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)，如果能夠容納， 則在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)；如果不能夠 容納，則寫入4喿作失敗。
需要徹底刪除參數(shù)、或所述將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的參數(shù)整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài) 時(shí)，具體操作包括
將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM中，在 RAM中將所述垃圾數(shù)據(jù)刪除；
將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；
將所述RAM中刪除了垃圾數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在 的Flash塊區(qū)。
需要對(duì)參數(shù)進(jìn)行格式化時(shí)，該方法還包括
將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，在RAM中將 參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF;
將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；
將所述RAM中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF的備份數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù) 存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
本發(fā)明還提供了 一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括 參數(shù)處理模塊，用于將參數(shù)按照參數(shù)ID字段、控制字段、校驗(yàn)字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的格式進(jìn)行封裝，獲得參數(shù)數(shù)據(jù)塊，并將所述參數(shù)數(shù) 據(jù)塊依次存入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)中；
參數(shù)ID判斷模塊，用于依據(jù)準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID檢索在所述參數(shù) 存儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有相同參數(shù)ID的參數(shù)，并得到判斷結(jié)果；
第一判斷模塊，用于依據(jù)所述參數(shù)ID判斷模塊的判斷結(jié)果，將與新參數(shù)的 參數(shù)ID相同的參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，還用于判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能 夠容納新參數(shù)，并得到判斷結(jié)果；
參數(shù)寫入模塊，用于依據(jù)所述第一判斷模塊的判斷結(jié)果，在所述參數(shù)存儲(chǔ) 區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)。
其中，所述參數(shù)ID判斷模塊包括
參數(shù)讀取子模塊，用于從參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中的第 一個(gè)參數(shù)開始依據(jù)所述參數(shù)的 存儲(chǔ)格式讀取參數(shù)；
參數(shù)校驗(yàn)子模塊，用于依據(jù)所述讀取的參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段、參數(shù) 內(nèi)容字段和校驗(yàn)字段對(duì)參數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)，并得到校驗(yàn)結(jié)果；
參數(shù)ID比較子模塊，用于依據(jù)所述參數(shù)校驗(yàn)子模塊的校驗(yàn)結(jié)果，判斷當(dāng)前 參數(shù)和新參數(shù)的參數(shù)ID是否相同，得到判斷結(jié)果；并在當(dāng)前參數(shù)和新參數(shù)的參 數(shù)ID相同時(shí)，將所述當(dāng)前參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)。
該系統(tǒng)還包4舌
參數(shù)整理模塊，用于依據(jù)所述第一判斷模塊的判斷結(jié)果，將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的 參數(shù)整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài)；
第二判斷模塊，用于判斷整理后的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新
參數(shù)，并得到判斷結(jié)果。
其中，所述參數(shù)讀取子模塊，還用于依據(jù)所述參數(shù)校驗(yàn)子模塊的校驗(yàn)結(jié)果， 從當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)ID字段結(jié)束處繼續(xù)讀取參數(shù)；還用于依據(jù)所述參數(shù)ID比較 子模塊的判斷結(jié)果，繼續(xù)讀取下一個(gè)參數(shù)；
所述參數(shù)寫入模塊，還用于依據(jù)所述第二判斷模塊的判斷結(jié)果，在所述參 數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后 一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)。該系統(tǒng)還包4舌
操作反饋模塊，用于在所述參數(shù)寫入模塊寫入?yún)?shù)之后，或者依據(jù)所述第 二判斷模塊的判斷結(jié)果，反饋對(duì)參數(shù)的操作結(jié)果。
所述參數(shù)整理模塊包括
數(shù)據(jù)刪除子模塊，用于將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到 RAM中，在RAM中將所述垃圾數(shù)據(jù)刪除；
第一擦除子模塊，用于將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；
第一寫入數(shù)據(jù)子模塊，用于將所述RAM中刪除了垃圾數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)寫 回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
該系統(tǒng)還包括
數(shù)據(jù)格式化模塊，用于將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到 RAM中，在RAM中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF;
數(shù)據(jù)擦除模塊，用于將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；
寫入數(shù)據(jù)模塊，用于將所述RAM中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF的備份數(shù) 據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
本發(fā)明對(duì)于嵌入式設(shè)備閃存中參數(shù)的管理，不使用通用的Flash文件系統(tǒng)， 而是通過專門的Flash閃存驅(qū)動(dòng)將NOR型Flash閃存驅(qū)動(dòng)起來，然后將參數(shù)分 類，按照固定的格式儲(chǔ)存于閃存中，對(duì)參數(shù)進(jìn)行管理，如此，本發(fā)明的參數(shù)可 以存儲(chǔ)于閃存中任何一段連續(xù)的Flash塊區(qū)，且參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的大小可以根據(jù)需 要設(shè)置，這樣，就節(jié)省了閃存空間，提高了閃存空間的利用率。
另外，通過本發(fā)明的方法，對(duì)參數(shù)進(jìn)行操作時(shí)，不需要每次都對(duì)參數(shù)存儲(chǔ)
區(qū)所在的Flash塊區(qū)進(jìn)行擦除再重寫的操作，而是當(dāng)需要單獨(dú)地徹底刪除某個(gè)
參數(shù)，或者在寫入?yún)?shù)、修改參數(shù)的過程中，當(dāng)前參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間不夠
容納新參數(shù)，需要將垃圾數(shù)據(jù)徹底刪除或需要格式化參數(shù)時(shí)，才需要通過對(duì)
Flash塊區(qū)進(jìn)行擦除再重寫的方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的徹底刪除或者格式化，如此就
可以減少對(duì)NOR型Flash閃存的擦除次數(shù)，不僅可以延長閃存的使用壽命，而
且由于擦除、重寫次數(shù)的減少，可以降低擦除、重寫過程中因?yàn)榈綦姸鴮?dǎo)致參數(shù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。
本發(fā)明還提供了參數(shù)格式化的功能，使NOR型Flash閃存更具實(shí)用性。


圖1為本發(fā)明參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明參數(shù)存儲(chǔ)格式實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明寫入、修改參數(shù)的方法流程示意圖； 圖4為本發(fā)明刪除參^:的方法流程示意圖； 圖5為本發(fā)明格式化參數(shù)的方法流程示意圖6為本發(fā)明基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
在通過專門Flash驅(qū)動(dòng)使Flash閃存能正常工作，并能為閃存提供寫入接口 ， 使數(shù)據(jù)可以直接寫入閃存的條件下，本發(fā)明將參數(shù)進(jìn)行分類，并按照固定的格 式存入閃存中，對(duì)參數(shù)進(jìn)行管理。
本發(fā)明中，可以選擇NOR型Flash閃存中任意一段連續(xù)的Flash區(qū)域作為 參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)，參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)相對(duì)于其所處的Flash塊起始位置的偏移地址為SA， 參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的大小可以根據(jù)實(shí)際情況設(shè)置，如可以設(shè)置為L，其中，參數(shù)依次 存放在參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中。圖1所示為本發(fā)明參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖， 圖1中，SA是一個(gè)地址偏移，用來表示參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的開始地址；參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)根 據(jù)其占用的空間大小，可以存在于一個(gè)Flash塊中，也可以跨越兩個(gè)或多個(gè)連 續(xù)的Flash塊，但是實(shí)際上，需要管理的全部參數(shù)一般只有幾十K，而一個(gè)NOR 型Flash塊的大d、一般為64K或128K，所以， 一般情況下一個(gè)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)最多 能跨越兩個(gè)連續(xù)的Flash塊。
圖2所示為本發(fā)明參數(shù)存儲(chǔ)格式實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，將 每個(gè)參數(shù)按照參數(shù)ID字段、控制字段、校驗(yàn)字段、參數(shù)長度字段、參數(shù)內(nèi)容字段的格式封裝成一個(gè)數(shù)據(jù)塊，存儲(chǔ)到參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中。
其中，參數(shù)ID字段用來存儲(chǔ)參數(shù)ID，參數(shù)ID根據(jù)參數(shù)的分類來定義，參 數(shù)的分類可以根據(jù)需要設(shè)定。如，根據(jù)需要可以用十六進(jìn)制來設(shè)置參數(shù)ID， IP 地址類的參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù)ID可以定義為0x000A;子網(wǎng)掩碼類的參數(shù)對(duì)應(yīng)的參 數(shù)ID可以定義為0x000B;默認(rèn)網(wǎng)關(guān)類的參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù)ID可以定義為 0x000C。其中，對(duì)于IP地址類的參數(shù)還可以繼續(xù)分類，例如局域網(wǎng)1的IP地 址的參數(shù)ID可以定義為OxOOOAOOOl ，局域網(wǎng)2的I的IP地址可以定義為 0x000A0002等。
控制字段用來表示該參數(shù)的狀態(tài)，當(dāng)控制字段為1時(shí)，表明該參數(shù)為有效 數(shù)據(jù)；控制字段為0時(shí)，表明該參數(shù)為垃圾數(shù)據(jù)。
校驗(yàn)字段表示參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的校驗(yàn)和。
參數(shù)長度字段可以表示該參數(shù)所占用的空間大小，通過參數(shù)長度字段和SA 可以得到參數(shù)的結(jié)束位置，從而可以讀取參數(shù)內(nèi)容字段。參數(shù)的結(jié)束位置就是 參數(shù)內(nèi)容字段的結(jié)束位置，也是下一個(gè)參數(shù)的開始位置。
參數(shù)內(nèi)容字段包含了該參數(shù)的具體的內(nèi)容。
下面通過具體的實(shí)施例來說明本發(fā)明參數(shù)管理的方法。
本發(fā)明基于嵌入式設(shè)備的NOR型Flash閃存的參數(shù)管理可以分為寫入?yún)?數(shù)、修改參數(shù)、刪除參數(shù)和參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的格式化。
當(dāng)需要寫入新參數(shù)時(shí)，首先要檢索閃存中是否存在與新參數(shù)的參數(shù)ID相同 的參數(shù)。圖3所示為本發(fā)明寫入、修改參數(shù)的方法流程示意圖，如圖3所示， 具體處理流程為
步驟301,按照參數(shù)的存儲(chǔ)位置讀取參數(shù)，校驗(yàn)當(dāng)前讀取的參數(shù)。
從偏移地址SA開始，讀取參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中第一個(gè)參數(shù)的參數(shù)ID字段、控制字 段、校驗(yàn)字段和參數(shù)長度字段，并根據(jù)參數(shù)長度字段讀取參數(shù)內(nèi)容字段；然后 計(jì)算參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的校驗(yàn)和。校驗(yàn)和的計(jì)算為現(xiàn) 有技術(shù)，此處不再贅述。
步驟302，判斷參數(shù)校驗(yàn)是否正確，如果錯(cuò)誤，執(zhí)行步驟303;如果正確，執(zhí)行步驟304。
將通過計(jì)算得到的參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的校驗(yàn)和與
讀取到的校驗(yàn)字段的校驗(yàn)和相比較，如果一致，說明該參數(shù)校驗(yàn)正確，執(zhí)行步
驟304;如果不一致，說明該參數(shù)校驗(yàn)錯(cuò)誤，則執(zhí)行步驟303，從當(dāng)前參數(shù)的參 數(shù)ID字段結(jié)束處繼續(xù)讀取參數(shù)。
如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，說明該參數(shù)是無效的，即該參數(shù)是垃圾數(shù)據(jù)，其控制字段 為O,如果校驗(yàn)正確，那么控制字段為l。當(dāng)參數(shù)校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)，無法確認(rèn)該參數(shù) 的參數(shù)長度字段是否有效，從而就無法確認(rèn)該參數(shù)的結(jié)束位置，無法從該參數(shù) 的結(jié)束處直接讀取下一個(gè)參數(shù)。此時(shí)，需要從該參數(shù)的參數(shù)ID字段結(jié)束處繼續(xù) 讀取參數(shù)，在該參數(shù)的參數(shù)內(nèi)容字段結(jié)束處，可以開始讀取下一個(gè)參數(shù)，返回 步驟301。
需要指出的是，參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中可能存儲(chǔ)有參數(shù)ID相同的幾個(gè)參數(shù)，這個(gè)幾 個(gè)參數(shù)中只有 一個(gè)參數(shù)是有效數(shù)據(jù)，其他的都是垃圾數(shù)據(jù)。
步驟304 ~ 305,判斷當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)ID與準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID是否 相同，如果相同，則將當(dāng)前參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)；如果不同，則執(zhí)行步驟306。
如果校驗(yàn)正確，那么要將當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)ID與準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID 比較，判斷兩者是否相同，如果相同，說明新參數(shù)與當(dāng)前參數(shù)是同一類參數(shù)， 只是參數(shù)內(nèi)容不同，執(zhí)行步驟305,將當(dāng)前參數(shù)的控制字段置為O,即將該參數(shù) 標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，說明該參數(shù)已經(jīng)被視為無效，表明該垃圾數(shù)據(jù)被刪除，然后 執(zhí)行步驟306。需要指出的是，此處的刪除不是徹底刪除，當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余 空間不夠容納新參數(shù)時(shí)，才需要將垃圾數(shù)據(jù)徹底刪除。
如果不同，則需要從當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)內(nèi)容字段結(jié)束處開始讀取下一個(gè)參數(shù)， 直到檢索到與新參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)，執(zhí)行步驟305 306;或者直到參數(shù)存 儲(chǔ)區(qū)結(jié)束處都沒有檢索到與新參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)，執(zhí)行步驟306。
步驟306，判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)剩余空間是否大于等于準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)占用的 空間，如果小于，執(zhí)行步驟307;如果大于等于，執(zhí)行步驟310。
在當(dāng)前參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中如果沒有與新參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)，或者已經(jīng)將與新參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，那么需要將新參數(shù)寫入?yún)?shù)存 儲(chǔ)區(qū)。但是，之前要先判斷目前參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)， 即判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否大于或等于新參數(shù)所占用的空間，如果小于，
則說明參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間不能容納新參數(shù)，執(zhí)行步驟3 07;如果大于或等于， 則說明參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間可以容納新參數(shù)，執(zhí)行步驟310。 步驟307,整理參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)，將垃圾數(shù)據(jù)刪除。
參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間不能容納新參數(shù)時(shí)，需要將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行整理， 將垃圾數(shù)據(jù)徹底刪除，即將控制字段為O的無效參數(shù)徹底刪除。具體刪除參數(shù)的 流程將通過下面的實(shí)施例進(jìn)行說明。
步驟308~309,判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)剩余空間是否大于準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)占用 的空間，如果小于，則提示寫入?yún)?shù)的操作失??；如果大于等于，執(zhí)行步驟310。
將垃圾數(shù)據(jù)徹底刪除后，再次判斷參數(shù)剩余空間是否能容納新參數(shù)，如果 不能，則執(zhí)行步驟309,提示寫入?yún)?shù)的操作失敗，并結(jié)束整個(gè)流程；如果可以 容納，則執(zhí)行步驟310。
步驟310，在參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的最后一個(gè)參數(shù)結(jié)束處寫入新參數(shù)。
將垃圾數(shù)據(jù)徹底刪除后，且參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間可以容納新參數(shù)時(shí)，將 新參數(shù)寫入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)最后一個(gè)參數(shù)的參數(shù)內(nèi)容字段之后。本發(fā)明通過專門的
Flash閃存驅(qū)動(dòng)提供寫入接口 ，將參數(shù)寫入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)。 步驟311,提示操作成功。
寫入新參數(shù)成功后，提示寫入操作成功，并結(jié)束整個(gè)流程。
其中，在檢索到與新參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)的情況下，將該參數(shù)標(biāo)記為
垃圾數(shù)據(jù)，再將新參數(shù)寫入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)的操作也是修改參數(shù)的操作流程；在未
檢索到與新參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)的情況下，將新參數(shù)寫入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)的操
作，是寫入?yún)?shù)的操作流程。
圖4所示為本發(fā)明刪除參數(shù)的方法流程示意圖，如圖4所示，具體的處理流
程為
步驟401,在參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)檢索與準(zhǔn)備刪除的參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)。具體的檢索過程如圖3中的步驟310至304。 步驟402,將該參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)。
將當(dāng)前與準(zhǔn)備刪除的參數(shù)的參數(shù)ID相同的參數(shù)的控制字段置為O，表明該參 數(shù)被刪除。
需要指出的是，這里所述的刪除不是徹底的刪除，雖然將該參數(shù)標(biāo)記為垃 圾數(shù)據(jù)，但是該參數(shù)還是占用了閃存空間，如果需要將垃圾數(shù)據(jù)徹底的刪除， 則執(zhí)行步驟403、 404。
步驟403,將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，將參數(shù) 整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
Flash閃存的物理特性決定，不能在閃存中直接將數(shù)據(jù)徹底刪除，此時(shí)，需 要將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，在RAM中，將參數(shù) 存儲(chǔ)區(qū)的垃圾數(shù)據(jù)刪除，這樣參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的參數(shù)就是無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
步驟404,在閃存中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除，將整理后的RAM 中數(shù)據(jù)寫回參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
在RAM中，將參數(shù)整理成無垃圾狀態(tài)后，需要將包含無垃圾狀態(tài)參數(shù)的數(shù) 據(jù)重新寫回閃存中。此時(shí)，需要先在閃存中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊擦除， 然后再將整理后的數(shù)據(jù)寫回參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。如此，閃存的參數(shù)存 儲(chǔ)區(qū)中的垃圾數(shù)據(jù)就被徹底刪除了 。
需要指出的是，因?yàn)镹OR型Flash閃存的擦除是基于Flash塊的，所以，需要 將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)中的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，因?yàn)镕lash塊區(qū)中 可能不僅僅包含參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)，還可能有其他的數(shù)據(jù)。
由上面的描述可知，在寫入?yún)?shù)或修改參數(shù)的過程中，當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩 余空間不夠容納新參數(shù)，而需要整理參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)，將垃圾數(shù)據(jù)徹底刪除時(shí)，或 者單獨(dú)需要將某個(gè)參數(shù)徹底刪除時(shí)，才需要通過對(duì)Flash塊區(qū)進(jìn)行擦除再重寫的 方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的徹底刪除。
圖5所示為本發(fā)明格式化參數(shù)的方法流程示意圖。
步驟501，將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中。步驟502，在RAM中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF。
在RAM中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為0xFF，即將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為二進(jìn) 制的l，本發(fā)明中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充l即表示參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)被置空。
步驟503,在閃存中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除，將RAM中的數(shù)據(jù) 寫回閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
在閃存中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除，然后再將包含全部填充為1 的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。如此，閃存中 的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)為空，即表示被格式化。
圖6所示為本發(fā)明基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)關(guān)系示意 圖，如圖6所示，該系統(tǒng)包括參數(shù)處理模塊IO、參數(shù)ID判斷模塊20、第一 判斷模塊30、參數(shù)寫入模塊40、參數(shù)整理模塊50、第二判斷模塊60、操作反 饋模塊70、數(shù)據(jù)格式化模塊80、數(shù)據(jù)擦除模塊90和寫入數(shù)據(jù)模塊91，其中，
參數(shù)處理模塊10,用于將參數(shù)按照參數(shù)ID字段、控制字段、校驗(yàn)字段、 參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的格式進(jìn)行封裝，獲得參數(shù)數(shù)據(jù)塊，并將參數(shù)數(shù) 據(jù)塊依次存入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)中；
其中，參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)位于閃存中一段連續(xù)的Flash區(qū)域， 一段連續(xù)的Flash區(qū) 域至少包含閃存的 一個(gè)Flash塊區(qū)。
參數(shù)ID判斷模塊20,用于依據(jù)準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID檢索在參數(shù)存 儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有相同參數(shù)ID的參數(shù)，并得到判斷結(jié)果。
參數(shù)ID判斷模塊20還包括參數(shù)讀取子模塊21、參數(shù)校驗(yàn)子模塊22和 參數(shù)ID比較子模塊23,其中，
參數(shù)讀取子模塊21 ，用于從參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中的第一個(gè)參數(shù)開始依據(jù)參數(shù)的存 儲(chǔ)格式讀取參數(shù)；
參數(shù)校驗(yàn)子模塊22,用于依據(jù)讀取的參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段、參數(shù) 內(nèi)容字段和校驗(yàn)字段對(duì)參數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)，并得到校驗(yàn)結(jié)果；
參數(shù)ID比較子模塊23，用于依據(jù)參數(shù)校驗(yàn)子模塊22的校驗(yàn)結(jié)果，判斷當(dāng) 前參數(shù)和新參數(shù)的參數(shù)ID是否相同，并得到判斷結(jié)果；并在當(dāng)前參數(shù)和新參數(shù)的參數(shù)ID相同時(shí)，將當(dāng)前參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)；
其中，參數(shù)讀取子模塊21，還用于依據(jù)參數(shù)校驗(yàn)子模塊22的校驗(yàn)結(jié)果， 從當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)ID字段結(jié)束處繼續(xù)讀取參數(shù)；還用于依據(jù)參數(shù)ID比較子模 塊23的判斷結(jié)果，繼續(xù)讀取下一個(gè)參數(shù)。
第一判斷模塊30,用于依據(jù)參數(shù)ID判斷模塊20的判斷結(jié)果，將與新參數(shù) 的參數(shù)ID相同的參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，還用于判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否 能夠容納新參數(shù)，并得到判斷結(jié)果。
參數(shù)寫入模塊40,用于依據(jù)第一判斷模塊30的判斷結(jié)果，在參數(shù)存儲(chǔ)區(qū) 中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入新參數(shù)。
參數(shù)整理模塊50，用于依據(jù)第一判斷模塊30的判斷結(jié)果，將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū) 的參數(shù)整理成無垃圾lt據(jù)的狀態(tài)。
參數(shù)整理模塊50還包括數(shù)據(jù)刪除子模塊51、第一擦除子模塊52和第一 寫入數(shù)據(jù)子模塊53，其中，
數(shù)據(jù)刪除子模塊51 ，用于將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份 到RAM中，在RAM中將垃圾數(shù)據(jù)刪除；
第一擦除子模塊52,用于將閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；
第一寫入數(shù)據(jù)子模塊53，用于將RAM中刪除了垃圾數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)寫回 到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
第二判斷模塊60,用于判斷整理后的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納 新參數(shù)，并得到判斷結(jié)果。
其中，參數(shù)寫入模塊40，還用于依據(jù)第二判斷模塊60的判斷結(jié)果，在參 數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入新參數(shù)。
操作反饋模塊70,用于在參數(shù)寫入模塊40寫入?yún)?shù)之后，或者依據(jù)第二 判斷模塊60的判斷結(jié)果，反饋對(duì)參數(shù)的操作結(jié)果，即當(dāng)寫入?yún)?shù)后，提示寫入 成功；或者當(dāng)整理后的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間不能夠容納新參數(shù)時(shí)，提示寫入 操作失敗。
數(shù)據(jù)格式化模塊80,用于將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，在RAM中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為0xFF。
數(shù)據(jù)擦除模塊90，用于將閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除。 寫入數(shù)據(jù)模塊91，用于將RAM中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF的備份數(shù)
據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范
權(quán)利要求
1、一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法，其特征在于，該方法包括將參數(shù)按照參數(shù)ID字段、控制字段、校驗(yàn)字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的格式進(jìn)行封裝，獲得參數(shù)數(shù)據(jù)塊，并將所述參數(shù)數(shù)據(jù)塊依次存入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)中；依據(jù)準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID檢索在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有相同參數(shù)ID的參數(shù)，如果存在，則將所述檢索到的參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，然后判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)；如果不存在，則判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)；當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間能夠容納新參數(shù)時(shí)，在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法，其特征在于， 所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)位于閃存中一段連續(xù)的Flash區(qū)域，所述一段連續(xù)的Flash區(qū)域 至少包含閃存的一個(gè)Flash塊區(qū)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法，其特征在于，從參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中的第 一個(gè)參數(shù)開始依據(jù)所述參數(shù)的存儲(chǔ)格式讀取參數(shù)； 依據(jù)所述讀取的參數(shù)id字段、參數(shù)長度字段、參數(shù)內(nèi)容字段和校驗(yàn)字段對(duì) 參數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)；如果校驗(yàn)錯(cuò)誤，則從當(dāng)前參數(shù)的參數(shù)id字段結(jié)束處繼續(xù)讀取參 數(shù)；如果校驗(yàn)正確，則判斷當(dāng)前參數(shù)和新參數(shù)的參數(shù)id是否相同；如果相同， 則將該參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)；如果不同，則繼續(xù)讀取下一個(gè)參數(shù)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法，其特征在于， 當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間不能夠容納新參數(shù)時(shí)，該方法還包括將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的參數(shù)整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài)；判斷整理后的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)，如果能夠容納， 則在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)；如果不能夠容納，則寫入操作失敗。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法， 其特征在于，需要徹底刪除參數(shù)、或所述將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的參數(shù)整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài) 時(shí)，具體操作包括將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM中，在 RAM中將所述垃圾數(shù)據(jù)刪除；將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；將所述RAM中刪除了垃圾數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在 的Flash塊區(qū)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法， 其特征在于，需要對(duì)參數(shù)進(jìn)行格式化時(shí)，該方法還包括將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，在RAM中將 參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF;將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除；將所述RAM中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF的備份數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù) 存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
7、 一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)包括 參數(shù)處理模塊，用于將參數(shù)按照參數(shù)ID字段、控制字段、校驗(yàn)字段、參數(shù)長度字段和參數(shù)內(nèi)容字段的格式進(jìn)行封裝，獲得參數(shù)數(shù)據(jù)塊，并將所述參數(shù)數(shù) 據(jù)塊依次存入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)中；參數(shù)ID判斷模塊，用于依據(jù)準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID檢索在所述參數(shù) 存儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有相同參數(shù)ID的參數(shù)，并得到判斷結(jié)果；第一判斷模塊，用于依據(jù)所述參數(shù)ID判斷模塊的判斷結(jié)果，將與新參數(shù)的 參數(shù)ID相同的參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，還用于判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能 夠容納新參數(shù)，并得到判斷結(jié)果；參數(shù)寫入模塊，用于依據(jù)所述第一判斷模塊的判斷結(jié)果，在所述參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其特征在于， 所述參數(shù)ID判斷模塊包括參數(shù)讀取子模塊，用于從參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中的第 一個(gè)參數(shù)開始依據(jù)所述參數(shù)的 存儲(chǔ)格式讀取參數(shù)；參數(shù)校驗(yàn)子模塊，用于依據(jù)所述讀取的參數(shù)ID字段、參數(shù)長度字段、參數(shù) 內(nèi)容字段和校驗(yàn)字段對(duì)參數(shù)進(jìn)行校驗(yàn)，并得到校驗(yàn)結(jié)果；參數(shù)ID比較子模塊，用于依據(jù)所述參數(shù)校驗(yàn)子模塊的校驗(yàn)結(jié)果，判斷當(dāng)前 參數(shù)和新參數(shù)的參數(shù)ID是否相同，得到判斷結(jié)果；并在當(dāng)前參數(shù)和新參數(shù)的參 數(shù)ID相同時(shí)，將所述當(dāng)前參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其特征在于， 該系統(tǒng)還包括參數(shù)整理模塊，用于依據(jù)所述第一判斷模塊的判斷結(jié)果，將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的 參數(shù)整理成無垃圾數(shù)據(jù)的狀態(tài)；第二判斷模塊，用于判斷整理后的參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)，并得到判斷結(jié)果。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7、 8或9所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其 特征在于，所述參數(shù)讀取子模塊，還用于依據(jù)所述參數(shù)校驗(yàn)子模塊的校驗(yàn)結(jié)果，從當(dāng) 前參數(shù)的參數(shù)ID字段結(jié)束處繼續(xù)讀取參數(shù)；還用于依據(jù)所述參數(shù)ID比較子模 塊的判斷結(jié)果，繼續(xù)讀取下一個(gè)參^t;所述參數(shù)寫入模塊，還用于依據(jù)所述第二判斷模塊的判斷結(jié)果，在所述參 數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入所述新參數(shù)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其特征在 于，該系統(tǒng)還包括操作反饋模塊，用于在所述參數(shù)寫入模塊寫入?yún)?shù)之后，或者依據(jù)所述第 二判斷模塊的判斷結(jié)果，反饋對(duì)參數(shù)的操作結(jié)果。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其特征在 于，所述參數(shù)整理模塊包括數(shù)據(jù)刪除子模塊，用于將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，在RAM中將所述垃圾數(shù)據(jù)刪除；第一擦除子模塊，用于將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除； 第一寫入數(shù)據(jù)子模塊，用于將所述RAM中刪除了垃圾數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，其特征在 于，該系統(tǒng)還包括數(shù)據(jù)格式化模塊，用于將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)的所有數(shù)據(jù)備份到RAM中，在RAM中將參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF;數(shù)據(jù)擦除模塊，用于將所述閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)擦除； 寫入數(shù)據(jù)模塊，用于將所述RAM中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)全部填充為OxFF的備份數(shù)據(jù)寫回到閃存中參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)所在的Flash塊區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理方法，該方法將參數(shù)按照固定格式進(jìn)行封裝，獲得參數(shù)數(shù)據(jù)塊，并將參數(shù)數(shù)據(jù)塊依次存入?yún)?shù)存儲(chǔ)區(qū)中；依據(jù)準(zhǔn)備寫入的新參數(shù)的參數(shù)ID檢索在參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中是否存在含有相同參數(shù)ID的參數(shù)，如果存在，則將當(dāng)前參數(shù)標(biāo)記為垃圾數(shù)據(jù)，然后判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)；如果不存在，則直接判斷參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間是否能夠容納新參數(shù)；當(dāng)參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)的剩余空間能夠容納新參數(shù)時(shí)，在參數(shù)存儲(chǔ)區(qū)中最后一個(gè)參數(shù)的結(jié)束位置寫入新參數(shù)；本發(fā)明還公開了一種基于嵌入式設(shè)備閃存的參數(shù)管理系統(tǒng)，通過該方法和系統(tǒng)可以提高閃存空間的利用率，延長閃存的使用壽命，提高寫入或修改參數(shù)時(shí)的安全性。
文檔編號(hào)G06F12/02GK101436158SQ20081024653
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
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