專利名稱：資料儲存方法及其儲存裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于閃存，特別是有關(guān)于應(yīng)用于多電平單元(multi-level cell ,MLC)閃存的資料儲存方法。
背景技術(shù)：
對非易失性存儲器(non-volati 1 e memory)而言，例如反及閘型閃存(NAND flash memory)，因為具備編程(program)時間短、晶圓面積小及低耗電量的 優(yōu)點，廣泛地作為各種多媒體資料的儲存媒體，例如安全數(shù)字卡(SDcard) 或小型快閃卡(CFcard)。
一般而言，與非型閃存可分為單電平單元(single-level cell , SLC)閃存及 多電平單元(multi-level cell , MLC)閃存，其中，每一個單電平單元可儲存"0" 或"1"兩個值，而每一個多電平單元至少可儲存"00" 、 "01" 、 "10"或 "11"四個以上的值，具有較高的儲存密度。然而，受限于多電平單元閃存的 架構(gòu)性因素，相較于單電平單元閃存，多電平單元閃存不僅資料存取速度較慢， 且容易產(chǎn)生資料損毀或遺失的情況。
因此，需要一種資料儲存方法，用以解決多電平單元閃存的資料遺失問題， 進而有效提升資料儲存的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種資料儲存方法，應(yīng)用于具有至少一存儲區(qū)塊的 一非易失性存儲器中。于一實施例中，該非易失性存儲器為一反及閘型閃存， 而該存儲區(qū)塊為一多電平單元存儲區(qū)塊。該存儲區(qū)塊包括多個的頁面，且這些
頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁面，該方法的步驟包括接收一邏輯區(qū)塊 寫入指令，用以將對應(yīng)的寫入資料儲存至該存儲區(qū)塊中；判斷該寫入資料是否 超過一頁面；當(dāng)該寫入資料超過一頁面時，根據(jù)該頁面的存儲容量，將該寫入資料分為多個的頁面資料；根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng)的一起始寫入頁 面，決定每一頁面資料的一第一儲存頁面；以及將這些頁面資料依序?qū)懭胫吝@ 些第一儲存頁面中，其中，每一第一儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一強頁面。
另一方面，本發(fā)明更提供一種資料儲存裝置，包括 一非易失性存儲器及 一控制器。該非易失性存儲器具有至少一存儲區(qū)塊。于一實施例中，該非易失 性存儲器為一與非型閃存，而該存儲區(qū)塊為一多電平單元存儲區(qū)塊。該存儲區(qū) 塊包括多個的頁面，而這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁面。該控制器 耦接于該非易失性存儲器，用以接收一主機的一邏輯區(qū)塊寫入指令、判斷該邏 輯區(qū)塊寫入指令對應(yīng)的寫入資料是否超過一頁面、根據(jù)該頁面的存儲容量將超 過-一頁面的該寫入資料分為多個的頁面資料、根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng) 的一起始寫入頁面決定每一頁面資料的一第一儲存頁面、以及將這些頁面資料 依序?qū)懭胫吝@些第一儲存頁面中，其中，每一第一儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一 強頁面。
另一方面，本發(fā)明更提供一種資料儲存方法，應(yīng)用于一非易失性存儲器中。 于一實施例中，該非易失性存儲器為一與非型閃存，包括至少一存儲區(qū)塊，且 該存儲區(qū)塊包括多個的頁面，且這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁面。 首先，接收一第一寫入指令、 一第一起始地址及一寫入資料。根據(jù)該第一起始 地址及該寫入資料的長度，將該寫入資料分成多個頁面資料，這些頁面資料對 應(yīng)多個第一儲存頁面。接著將這些第一儲存頁面轉(zhuǎn)換為多個第二儲存頁面。之 后，將多個第二寫入指令、這些第二儲存頁面的多個第二起始地址、及這些頁 面資料傳送至該非易失性存儲器中，以進行資料的寫入。值得一提的是，這些 第二儲存頁面皆為強頁面。
另一方面，本發(fā)明更提供一種資料儲存方法，應(yīng)用于一非易失性存儲器中。 于一實施例中，該非易失性存儲器為一與非型閃存，包括至少一存儲區(qū)塊，且 該存儲區(qū)塊包括多個的頁面，且這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁面。 該方法的步驟包括接收一寫入指令及一寫入資料；將該寫入資料分成多個頁 面資料；及將這些頁面資料，分別寫入至該非易失性存儲器的該存儲區(qū)塊的這 些強頁面。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)
明的具體實施方式
作詳細說明，其中
圖1是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一資料儲存裝置與一主機； 圖2是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的具有多個多電平單元存儲區(qū)塊的一存儲器
架構(gòu)示意圖3是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一對照表；
圖4是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一資料儲存方法流程圖5是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的另一資料儲存方法示意圖6是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的另一資料儲存方法流程圖；以及
圖7是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的另一資料儲存方法流程圖。
主要元件符號說明 102 資料儲存裝置； 104、 501~主機;
106、 502 控制器; 503 非易失性存儲器； 108、 208 存儲器；及 110 對照表。
具體實施例方式
下文說明本發(fā)明的較佳實施方式，用以更容易了解本發(fā)明，并非用以限制 本發(fā)明。本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
圖1是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一資料儲存裝置102與一主機104。于一 實施例中，該資料儲存裝置102為一存儲卡或一固態(tài)硬盤(solid state disk, SSD)，而該主機104，例如 一數(shù)字相機或手機，借由通用串行總線(universal serial bus , USB)接口、個人電腦存儲卡國際協(xié)會(personal computer memory card international association ， PCMCIA)接口、串列式先進附加技術(shù)(serial advanced technology attachment , SATA)接口或其它接口，將資料儲存至該資
8料儲存裝置102，或自該資料儲存裝置102讀取資料。該資料儲存裝置102包 括一控制器106及一存儲器108。于一實施例中，該存儲器108為一非易失存 儲器，例如與非型閃存(NAND flash memory)，是包括多個多電平單元存 儲區(qū)塊，如圖2所示。
圖2是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的具有多個多電平單元存儲區(qū)塊的一存儲器 208架構(gòu)示意圖。于一實施例中，該存儲器208包括1024個多電平單元存儲區(qū) 塊(block)。每一存儲區(qū)塊，如存儲區(qū)塊M，包括128個頁面(page)。每一 頁面，如頁面N，具有4個儲存段(sector)，例如4N+0、 4N+1、 4N+2及 4N+3。其中M為0到1023的正整數(shù)，N為0到63的正整數(shù)。于一實施例中， 每一儲存段具有512位元(bytes)的存儲容量，因此資料能夠以儲存段為單位 來進行儲存操作。
對多電平單元存儲區(qū)塊而言，如圖2的存儲區(qū)塊M，每一頁面區(qū)分為強頁 面(strong page)及弱頁面(weak page)。其中弱頁面較容易因為溫度、濕度 等環(huán)境因素而影響到資料的正確性，相比之下，強頁面較穩(wěn)定，資料錯誤率較 低。對于重要的資料或檔案而言，應(yīng)避免將資料儲存于弱頁面中，用以防止資 料錯誤或遺失的情況。另一方面，所謂強頁面，是指該頁面被寫入資料時的編 程忙碌時間(programbusytime)較短。反之，所謂弱頁面，是指該頁面被寫入資 料時所需的編程忙碌時間較長。
一般而言，強頁面及弱頁面以一既定排列方式交錯排列。舉例來講，于存 儲區(qū)塊M中，頁面0至頁面3為強頁面、頁面4及5為弱頁面、頁面6及7 為強頁面、頁面8及9為弱頁面、…、頁面12及13為弱頁面、…等。再者， 于每一存儲區(qū)塊中，每一強頁面對應(yīng)至一弱頁面。參考圖2，于存儲區(qū)塊M中， 頁面0為強頁面(以S0表示)，與其對應(yīng)的是弱頁面4 (以W0表示)，頁面 1為強頁面(以Sl表示)，與其對應(yīng)的是弱頁面5 (以Wl表示)，以此類推。 以下將配合第I與2圖詳細說明利用多電平單元存儲區(qū)塊的強頁面及弱頁面特
性進行資料儲存的操作。
于圖1的實施例中，該控制器106耦接于該主機104與該存儲器108之間， 用以接收該主機104的一邏輯區(qū)塊寫入指令。舉例而言，根據(jù)本發(fā)明的一實施 例，當(dāng)該主機欲將一系統(tǒng)檔案202儲存至該存儲器108時，該控制器106根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令，取得對應(yīng)的寫入資料(意即，系統(tǒng)檔案202)及一起始
邏輯區(qū)塊地址(Logical Block Address ， LBA)。于其它實施例中，該邏輯區(qū)塊
寫入指令還可包括儲存該寫入資料所需的邏輯區(qū)塊個數(shù)。該起始邏輯區(qū)塊地 址用以對應(yīng)至一存儲區(qū)塊的儲存段，例如儲存段4N+2，從而決定一起始寫 入頁面，例如于圖2中，該存儲區(qū)塊M的頁面N。
接下來，該控制器106判斷該寫入資料是否超過一頁面。于上述實施例中， 假設(shè)儲存該系統(tǒng)檔案202需要6個頁面，且該起始寫入頁面為頁面O時，該控 制器106便根據(jù)每一頁面的存儲容量，如2K位元，將該系統(tǒng)檔案202分為多 個的連續(xù)頁面資料。然后，該控制器106根據(jù)該起始寫入頁面(頁面0)來決 定每一頁面資料所對應(yīng)的原始儲存頁面。參考圖2，在并未區(qū)分強頁面及弱頁 面的情況下，該系統(tǒng)檔案202是連續(xù)性地儲存于頁面0、頁面l、…、及頁面5 中。根據(jù)每一頁面資料及對應(yīng)的原始儲存頁面，該控制器106產(chǎn)生多個的頁面 寫入指令，用以執(zhí)行連續(xù)寫入操作。
進一步，于執(zhí)行連續(xù)寫入操作前，為使該系統(tǒng)檔案202能夠完全地儲存于 強頁面中，因此，需決定每一原始儲存頁面的對應(yīng)強頁面。
于--實施例中，該控制器106可根據(jù)一對應(yīng)公式，計算出頁面0至頁面5 所對應(yīng)的強頁面，該對應(yīng)公式為
x 2 ， I S ,。股;/滅^ 63式(1)'
.、7wav(;
A 。肌/M4人一 1
2
其中，義。肌,目_為未轉(zhuǎn)換前的一原始儲存頁面，而義柳。恥為轉(zhuǎn)換后的對應(yīng) 強頁面。
舉例而言，于圖2中，若欲轉(zhuǎn)換頁面4，即1。^,^=4，經(jīng)由上述對應(yīng)公 式(l)加以轉(zhuǎn)換后，便可得到^Vw =6，表示頁面6為頁面4的對應(yīng)強頁面。 同樣地，透過上述對應(yīng)公式(l)，可知頁面5的對應(yīng)強頁面為頁面7。取得對應(yīng) 強頁面后，該控制器隨即將原本欲儲存至頁面4及頁面5的頁面資料，分別改 為寫入至頁面6及頁面7。
值得注意的是，于儲存完該系統(tǒng)檔案202后，若該主機104欲寫入其它資 料至同一存儲區(qū)塊M，同樣地，該控制器106可利用上述對應(yīng)公式(1)，將每一 原始儲存頁面轉(zhuǎn)換至對應(yīng)強頁面，再執(zhí)行寫入操作。除此之外，于另一實施例中，該資料儲存裝置102進一步包括一對照表110， 用以表示存儲區(qū)塊中，每一原始儲存頁面所對應(yīng)的一強頁面。
圖3是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一對照表110。如圖3所示，對具有128 個頁面的存儲區(qū)塊而言，由于強頁面及弱頁面為交錯排列，因此實際上可使用 的強頁面數(shù)量為總頁面數(shù)量的一半。于操作上，該控制器106可透過查詢該對 照表110，找到每一原始儲存頁面所對應(yīng)的強頁面。依據(jù)圖3的對照表110， 即可直接?xùn)嗽兊巾撁?的對應(yīng)強頁面為頁面6，而頁面5的對應(yīng)強頁面為頁面 7。
值得一提的是，該對照表110是透過上述對應(yīng)公式(1)產(chǎn)生。于其它實施例 中，針對不同的排列方式，或不同存儲容量的存儲區(qū)塊，亦可透過其它對應(yīng)公 式，或利用推導(dǎo)的方式來設(shè)定該對照表110。
更進一步，于接收該主機104的邏輯區(qū)塊寫入指令后，若該控制器106判 斷該邏輯區(qū)塊寫入指令對應(yīng)的寫入資料未滿一頁面，如上所述，可利用上述對 應(yīng)公式(l)或該對照表110，找出該起始寫入頁面的對應(yīng)強頁面，再將該寫入資 料儲存至該對應(yīng)強頁面中。
圖4是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一資料儲存方法40流程圖。如前所述， 該資料儲存方法應(yīng)用于一非易失性存儲器中，例如 一與非型閃存。該閃存具 有多個存儲區(qū)塊，例如多電平單元存儲區(qū)塊，每一存儲區(qū)塊，如圖2所示的 存儲區(qū)塊M，具有多個的頁面，可分為多個的強頁面及多個的弱頁面。
首先，控制器106接收主機104的一邏輯區(qū)塊寫入指令，用以將該邏輯區(qū) 塊寫入指令所對應(yīng)的寫入資料儲存至該存儲區(qū)塊中(步驟S402)。于一實施例 中，該寫入資料為圖2所示的系統(tǒng)檔案202。接著，控制器106判斷該寫入資 料是否超過一頁面(步驟S404)。
當(dāng)該寫入資料超過一頁面時，根據(jù)該頁面的存儲容量，將該寫入資料分為 多個的頁面資料(步驟S406)，如圖2的頁面0、頁面1、…、及頁面5。之 后，根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng)的一起始寫入頁面，控制器106決定每一 頁面資料的一第一儲存頁面。更明確地，控制器106決定用以儲存每一頁面資 料的對應(yīng)強頁面(步驟S408)。計算對應(yīng)強頁面的方式已詳述于第1至3圖及 其相關(guān)實施例中，于此不加贅述。取得每一頁面資料的對應(yīng)強頁面后，便將這些頁面資料依序?qū)懭胫吝@些對應(yīng)強頁面中(步驟S410)。
當(dāng)該寫入資料未滿一頁面時，控制器106取得該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng) 的起始寫入頁面，用以決定對應(yīng)于該起始寫入頁面的另一對應(yīng)強頁面(步驟 S412)。之后，控制器106再將該寫入資料寫入至另一對應(yīng)強頁面中(步驟 S414)。
圖5是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的另一資料儲存方法示意圖。于此實施例中， 透過控制器502的轉(zhuǎn)換，所有資料將儲存于對應(yīng)的強頁面中，詳細操作方式將 配合圖6說明如下。
圖6是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的另一資料儲存方法流程圖。配合圖2 —并 說明，首先控制器502接收由主機501傳送的第一寫入指令CAh、第一起始地 址LBA、資料長度參數(shù)Length及欲寫入資料Data (步驟S602)。之后，便根 據(jù)該第一起始地址LBA及該寫入資料的長度Length將該寫入資料分成多個頁 面資料，這些頁面資料對應(yīng)多個第一儲存頁面(步驟S604)，例如圖2所示頁 面0至頁面5。接著控制器502透過下列公式或如圖3所示的對照表，將這些 第一儲存頁面(頁面O、頁面1、頁面2、頁面3、頁面4及頁面5)轉(zhuǎn)換為多個 第二儲存頁面(頁面0、頁面1、頁面2、頁面3、頁面6、頁面7)(步驟S606)。
義cwg腿 ，w^ewIo肌'腿=0
<formula>formula see original document page 12</formula>
其中，1。股湖^為該第一儲存頁面，而義則。恥為該第二儲存頁面。 接著，控制器502便將多個第二寫入指令80h、多個第二起始地址ALEO、 ALE1、 ... 、 ALE 5、以及多個頁面資料Data 0、 Data 1 、 Data 2、 Data 3、 Data 4及Data5傳送至非易失性存儲器503，以進行資料的寫入(步驟S608)。其 中，ALE 0為頁面0的起始地址、ALE 1為頁面1的起始地址、ALE 2為頁面 2的起始地址、ALE 3為頁面3的起始地址、ALE 6為頁面6的起始地址以及 ALE7為頁面7的起始地址。需注意的是，頁面資料Data4及頁面資料Data5 原本應(yīng)儲存于弱頁面，即頁面4及頁面5中，透過控制器502的轉(zhuǎn)換，所有的 頁面資料皆儲存于強頁面，即頁面0 3及頁面6 7中，避免因為溫度、濕度等 環(huán)境因素而容易影響到資料的正確性。
圖7是顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的另一資料儲存方法流程圖，用以將資料儲存至存儲器中，如圖2所示的具有存儲區(qū)塊M的非易失性存儲器208。如上所 述，存儲器208包括多個的強頁面及多個的弱頁面，是以一排列方式交錯排列， 每一弱頁面是對應(yīng)至每一強頁面。首先，接收一寫入指令及對應(yīng)的一寫入資料 (步驟S702)。隨后，將該寫入資料分成多個頁面資料(步驟S704)。取得 這些頁面資料后，依序儲存每一頁面資料。于此實施例中，將這些頁面資料分 別寫入至存儲器208的存儲區(qū)塊M的這些強頁面中(步驟S706)。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所揭露的資料儲存裝置及方法，當(dāng)寫入資料時， 能夠彈性地選擇寫入所有頁面，或者避開存儲區(qū)塊的弱頁面，將所有寫入資料 自動地儲存至強頁面中，有效避免資料損毀或遺失，同時保存寫入資料的完整 性，進而提升資料儲存的整體穩(wěn)定度及可靠度。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種資料儲存方法，應(yīng)用于具有至少一存儲區(qū)塊的一非易失性存儲器中，該存儲區(qū)塊包括多個的頁面，且這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁面，該方法包括接收一邏輯區(qū)塊寫入指令，用以將對應(yīng)的寫入資料儲存至該存儲區(qū)塊中；判斷該寫入資料是否超過一頁面；當(dāng)該寫入資料超過一頁面時，根據(jù)該頁面的存儲容量，將該寫入資料分為多個的頁面資料；根據(jù)該寫入指令所對應(yīng)的一起始寫入頁面，決定每一頁面資料的一第一儲存頁面；以及將這些頁面資料依序?qū)懭胫吝@些第一儲存頁面中，其中，每一第一儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一強頁面。
2.如權(quán)利要求1所述的資料儲存方法，其特征在于，于該存儲區(qū)塊中， 這些強頁面及這些弱頁面以一既定排列方式交錯排列，每一弱頁面是對應(yīng)至每 一強頁面。
3.如權(quán)利要求1所述的資料儲存方法，其特征在于，每一頁面資料的第 一儲存頁面是根據(jù)下式產(chǎn)生<formula>formula see original document page 2</formula>其中，義。腦滅為未轉(zhuǎn)換前的一原始儲存頁面，且A，恥為轉(zhuǎn)換后的第-儲存頁面。
4.如權(quán)利要求1所述的資料儲存方法，其特征在于，每一頁面資料的第 --儲存頁面是透過查詢一對照表產(chǎn)生，該對照表用以儲存未轉(zhuǎn)換前的一原始儲 存頁面及對應(yīng)于該原始儲存頁面的第一儲存頁面。
5. 如權(quán)利要求1所述的資料儲存方法，其特征在于更包括 當(dāng)該寫入資料不滿一頁面時，根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng)的該起始寫入頁面，決定對應(yīng)于該起始寫入頁面的一第二儲存頁面；以及 將該寫入資料寫入至該第二儲存頁面中， 其中，該第二儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一強頁面。
6. —種資料儲存裝置，包括一非易失性存儲器，具有至少一存儲區(qū)塊，該存儲區(qū)塊包括多個的頁面， 且這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁面；及一控制器，耦接于該非易失性存儲器，用以接收一主機的一邏輯區(qū)塊寫入 指令、判斷該邏輯區(qū)塊寫入指令對應(yīng)的寫入資料是否超過一頁面、根據(jù)該頁面 的存儲容量將超過一頁面的該寫入資料分為多個的頁面資料、根據(jù)該邏輯區(qū)塊 寫入指令所對應(yīng)的一起始寫入頁面決定每一頁面資料的一第一儲存頁面、以及 將這些頁面資料依序?qū)懭胫吝@些第一儲存頁面中，其中，每一第一儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一強頁面。
7. 如權(quán)利要求6所述的資料儲存裝置，其特征在于，于該存儲區(qū)塊中， 這些強頁面及這些弱頁面以一排列方式交錯排列，每一弱頁面是對應(yīng)至每一強 頁面。
8.如權(quán)利要求6所述的資料儲存裝置，其特征在于，每一頁面資料的第 -儲存頁面是根據(jù)下式產(chǎn)生-0<formula>formula see original document page 3</formula>其中，X訓(xùn),c.為未轉(zhuǎn)換前的一原始儲存頁面，且, , 。恥為轉(zhuǎn)換后的第 儲存頁面。
9.如權(quán)利要求6所述的資料儲存裝置，其特征在于，每一頁面資料的第一儲存頁面是透過查詢一對照表產(chǎn)生，該對照表用以儲存未轉(zhuǎn)換前的一原始儲 存頁面及對應(yīng)于該原始儲存頁面的第一儲存頁面。
10.如權(quán)利要求6所述的資料儲存裝置，其特征在于，當(dāng)該寫入資料不滿 一頁面時，該控制器根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng)的該起始寫入頁面，決定 對應(yīng)于該起始寫入頁面的一第二儲存頁面，并將該寫入資料寫入至該第二儲存 頁面中，且其中，該第二儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一強頁面。
11. 一種資料儲存方法，應(yīng)用于具有至少一存儲區(qū)塊的一非易失性存儲器 中，該存儲區(qū)塊包括多個的頁面，且這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁 面，該方法包括接收一第一寫入指令、 一第一起始地址及一寫入資料；根據(jù)該第一起始地址及該寫入資料的長度，將該寫入資料分成多個頁面資 料，這些頁面資料對應(yīng)多個第一儲存頁面；將這些第一儲存頁面轉(zhuǎn)換為多個第二儲存頁面；以及傳送多個第二寫入指令、這些第二儲存頁面的多個第二起始地址及這些頁 面資料至該非易失性存儲器中，以進行資料的寫入，其中，這些第二儲存頁面 皆為強頁面。
12.如權(quán)利要求11所述的資料儲存方法，其特征在于，將這些第一儲存頁 面轉(zhuǎn)換為多個第二儲存頁面是根據(jù)下式產(chǎn)生d/鳳-1x2 ，w/z^ 1《Xo腦/w丸S63其中，1。腦,題為該第一儲存頁面，而X則o恥為該第二儲存頁面。
13. —種資料儲存方法，應(yīng)用于具有至少一存儲區(qū)塊的一非易失性存儲器 中，該存儲區(qū)塊包括多個的頁面，且這些頁面包括多個的強頁面及多個的弱頁 面，該方法包括接收一寫入指令及一寫入資料；將該寫入資料分成多個頁面資料；以及將這些頁面資料，分別寫入至該非易失性存儲器的該存儲區(qū)塊的這些強頁面。
14. 如權(quán)利要求13所述的資料儲存方法，其特征在于，于該存儲區(qū)塊中， 這些強頁面及這些弱頁面以一排列方式交錯排列，每一弱頁面是對應(yīng)至每一強 頁面。
15. 如權(quán)利要求13所述的資料儲存方法，其特征在于，該強頁面是指該頁 面被寫入資料時的編程忙碌時間較短，該弱頁面是指該頁面被寫入資料時所需 的編程忙碌時間較長。
全文摘要
本發(fā)明提出一種資料儲存方法及其儲存裝置，應(yīng)用于具有至少一存儲區(qū)塊的一非易失性存儲器中，該存儲區(qū)塊包括多個的強頁面及多個的弱頁面，該方法包括接收一邏輯區(qū)塊寫入指令，用以將對應(yīng)的寫入資料儲存至該存儲區(qū)塊中；判斷該寫入資料是否超過一頁面；當(dāng)該寫入資料超過一頁面時，根據(jù)該頁面的存儲容量，將該寫入資料分為多個的頁面資料；根據(jù)該邏輯區(qū)塊寫入指令所對應(yīng)的一起始寫入頁面，決定每一頁面資料的一第一儲存頁面；以及將這些頁面資料依序?qū)懭胫吝@些第一儲存頁面中，其中，每一第一儲存頁面為該存儲區(qū)塊的一強頁面。
文檔編號G06F3/06GK101620513SQ200810184319
公開日2010年1月6日 申請日期2008年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月3日
發(fā)明者何昆霖 申請人:慧國(上海)軟件科技有限公司;慧榮科技股份有限公司