專利名稱：半導體存儲裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及使用半導體的存儲裝置，說得更詳細點，涉及作為主存儲用的半導體存儲器使用非易失性存儲器的半導體存儲裝置。
背景技術：
在半導體存儲裝置中，SD存儲卡或小型閃存(CompactFlash，注冊商標)等的存儲卡，由于是小型尺寸，故可以作為數字照相機等的便攜設備的可裝卸的存儲裝置提供于實用。
提供于實用的半導體存儲裝置，通常在內部內置有作為非易失性存儲器的閃速存儲器和作為其控制電路的控制器LSI。近些年來，伴隨著半導體存儲裝置的大容量化的需要的高漲，非易失性存儲器芯片自身的大容量化也不斷進步。此外，裝配到半導體存儲裝置內的非易失性存儲器的芯片個數也得益于裝配技術的進步而增加，作為半導體存儲裝置的存儲器空間超過了1GB的裝置已經實用化。
作為閃速存儲器中的地址管理信息的管理方法，粗分起來有兩種方法。第1種方法，是對存儲卡的存儲區(qū)域全體、或者把存儲區(qū)域全體分割成預定個數區(qū)域的每一個區(qū)域，都把與該區(qū)域全體對應的地址管理信息集中地存儲到預定的塊內的方法。該地址管理方法，被稱之為集中型地址管理方法。
第2種方法，是在向構成物理塊的預定的頁(扇區(qū))寫入數據時，把管理信息即表示該數據是否有效等的狀態(tài)信息或邏輯地址，寫入到該頁所含有的物理塊的冗余區(qū)域內，然后，在電源投入時，就讀出分散地寫入到各個物理塊內的管理信息，在存儲器內構筑地址管理表的方法。把該方法稱為分散型地址管理方法。本發(fā)明以分散型地址管理方法為前提。
其次，對用分散型地址管理方法進行管理的半導體存儲裝置的主存儲器的一個例子進行說明。設主存儲器具有4G位即具有512M字節(jié)的容量。主存儲器11，如圖1所示，由多個物理塊，例如，由PB0～PB2047這2048個物理塊構成，各個物理塊的數據容量設為256kB(字節(jié))。設該主存儲器是2值NAND閃速存儲器。
圖2的說明圖示出了1個物理塊。在該例中，各個物理塊由頁0～頁127這128頁構成。各個頁都由扇區(qū)0～扇區(qū)3這4個扇區(qū)的數據區(qū)域和管理區(qū)域(MR)構成。1個扇區(qū)具有512B的容量，各個頁共計具有2048B的數據區(qū)域。管理區(qū)域具有64B的容量。在管理區(qū)域內，含有表示其數據的有效或無效的狀態(tài)代碼、寫入結束標志、用來糾錯的ECC代碼等。ECC代碼在其數據區(qū)域內具有1到2位的錯誤訂正功能。該主存儲器由于是2值NAND閃速存儲器，故不僅可以以頁為單位進行寫入，還可以僅僅對頁中的扇區(qū)或者僅僅對扇區(qū)的一部分的管理區(qū)域獨立地進行寫入。
圖3的時序圖示出了1個簇(16kB)的量的數據寫入或數據改寫。在該例子中，向1個物理塊的頁0～頁7內寫入數據。該寫入時間T1例如是數毫秒。然后，在頁7的寫入結束后緊接著把寫入結束標志寫入到圖2的頁7的管理區(qū)域MR內。該寫入時間T2例如是200～300微秒。此外在進行改寫的情況下，除了頁0～頁7的寫入外，還要進行把已經寫入到別的塊內的數據拷貝到新的物理塊內的處理。設該改寫時間為T3。之后，把寫入結束標志寫入到作為有效的各個簇的最終頁的頁7、15、……、127內(T2)。
通過這樣的處理，雖然需要把寫入結束標志寫入到主存儲器內的時間，但是，即便是在發(fā)生了電源切斷的情況下，也可以在電源切斷后的電源投入時根據是否已寫入了該管理區(qū)域中的寫入結束標志，判斷數據的寫入是成功了還是失敗了。對于包括已經建立了寫入結束標志的頁的簇或塊來說，就可以當作已經記錄下了確實的數據的簇或塊對待，可以提高可靠性(參看專利文獻1)。
專利文獻1日本專利申請?zhí)亻_2003-15929號公報最近，作為可以在1個存儲單元中取超過2個邏輯狀態(tài)的存儲單元，即，作為多值閃速存儲器，多值NAND閃速存儲器受到了人們的注意。多值閃速存儲器雖然是低價格而且可以大容量化的品種，但是，對于作為寫入單位的頁卻不能分割寫入。即，不能在對頁的某一區(qū)域部分寫入了數據后不進行擦除就向同一頁的另外的區(qū)域內寫入數據。由于存在著這樣的制約，故如果把多值NAND閃速存儲器用于主存儲器，則就不能像現有技術那樣在寫入了數據后，把寫入結束標志寫入到進行過寫入的頁的管理區(qū)域內。
若不寫入寫入結束標志雖然寫入速度會變快，但是，會使可靠性降低，為此，就難于實施電源切斷對策。因此為了確?？煽啃裕捅仨氃谂c寫入數據的目標地點不同的物理區(qū)域內設置寫入結束標志區(qū)域，向那里寫入寫入結束標志。
但是，若假定設置另外的物理區(qū)域，則在作為主存儲器的容量使用512MB(字節(jié))的情況下，根據式(1)，就必須確保寫入32k個寫入結束標志的區(qū)域。
512MB÷16kB＝32k個……(1)但是，由于不能進行作為寫入單位的頁的分割寫入，故即便是把寫入結束標志定為1位，也必須確保1頁(2kB)的量的容量供該1位用。因此，根據式(2)撥給寫入結束標志用的物理塊的容量就變成為64MB。
32k個×2kB＝64MB……(2)為此，就存在著在主存儲器中可用來存儲數據的區(qū)域大幅度地減少這樣的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的課題在于在把非易失性存儲器當作主存儲器，使用分散型的管理方法的半導體存儲裝置中，在確保高可靠性的同時還可以高速地進行寫入。
本發(fā)明的半導體存儲裝置具備具有以由第1存儲容量的數據區(qū)域和管理區(qū)域構成的多個存儲容量為單位構成的存儲區(qū)域的非易失性的主存儲器；存儲上述主存儲器的地址管理信息的地址管理信息存儲部；存儲寫入結束標志表的非易失性的控制存儲器，上述寫入結束標志表由針對上述主存儲器對每一個第2存儲容量單位設置的、在數據寫入結束時建立的寫入結束標志構成；根據來自主機的數據讀寫指示對于上述主存儲器進行數據的讀寫控制，并且，進行上述地址管理信息存儲部和上述控制存儲器的更新控制的控制部。
在這里，也可以做成為上述第2存儲容量單位是簇尺寸，上述控制存儲器對由主機的文件系統(tǒng)所規(guī)定的每一個簇尺寸都記錄由1位以上的寫入結束標志構成的寫入結束標志表。
在這里，也可以做成為上述第2存儲容量單位是扇區(qū)尺寸，上述控制存儲器，對由主機的文件系統(tǒng)所規(guī)定的每一個扇區(qū)尺寸都記錄由1位以上的寫入結束標志構成的寫入結束標志表。
也可以做成為上述第2存儲容量單位為物理塊尺寸，上述控制存儲器，對上述主存儲器的每N個(N為大于等于1的整數)物理塊的容量都記錄由1位以上的寫入結束標志構成的寫入結束標志表。
也可以做成為上述控制存儲器的寫入速度比上述主存儲器快。
也可以做成為上述控制部，根據預先存儲的第2存儲容量單位，在初始化時或出廠時，構成寫入結束標志表的存儲器映像。
也可以做成為上述控制部，根據從主機傳送過來的第2存儲容量單位，在初始化時或出廠時，構成寫入結束標志表的存儲器映像。
上述主存儲器也可以做成為多值型NAND閃速存儲器。
也可以做成為上述地址管理信息存儲部，具有存儲上述主存儲器的每一個存儲容量單位的狀態(tài)的物理區(qū)域管理表，以及對由主機的文件系統(tǒng)所規(guī)定的地址和上述主存儲器的存儲容量單位的地址進行變換的地址變換表。
在這里，上述控制存儲器，也可以做成為鐵電存儲器(FeRAM)、磁記錄式隨機存取存儲器(MRAM)、雙向通用存儲器(ovonic unifiedmemory，即OUM，又被稱為相變存儲器)、電阻RAM(RRAM)。
在本發(fā)明中，做成為與數據向主存儲器的寫入相對應地把寫入結束標志寫入到控制存儲器內。因此，即便是在數據向主存儲器的寫入中發(fā)生了電源切斷，也可以通過在其后緊接著的電源投入時檢查控制存儲器的對應的寫入結束標志的有無，判斷在電源切斷之前是否正確地寫入了數據。此外，控制存儲器，通過使用以1字節(jié)以下為單位的寫入速度比主存儲器的寫入速度更快的存儲器，可以實現比現有的半導體存儲裝置更高速的寫入處理。


圖1示出了現有的半導體存儲裝置的主存儲器的結構。
圖2示出了現有的主存儲器的物理塊的結構。
圖3的時序圖示出了現有的1個簇的量的寫入和改寫。
圖4是本發(fā)明的實施形態(tài)的半導體存儲裝置的整體結構圖。
圖5是本實施形態(tài)的物理塊的說明圖。
圖6是本實施形態(tài)的邏輯地址格式的說明圖。
圖7是本實施形態(tài)的寫入結束標志表的說明圖。
圖8是本實施形態(tài)的地址變換表的說明圖。
圖9是本實施形態(tài)的物理管理區(qū)域表的說明圖。
圖10的時序圖示出了本實施形態(tài)的1個簇的量的寫入或改寫。
圖11的說明圖示出了本實施形態(tài)的1個簇的量的改寫動作。
圖12是另一實施形態(tài)的寫入結束標志表的說明圖。
符號說明100 主機102 控制部103 RAM104 ROM105 寫入結束標志表106 控制存儲器107 存儲器存取部108 地址變換表
109 物理區(qū)域管理表110 地址管理信息存儲部111 存儲器控制器112 主存儲器具體實施方式
邊參看附圖邊對本發(fā)明的實施形態(tài)的半導體存儲裝置進行說明。圖4是本實施形態(tài)的半導體存儲裝置的整體結構圖。半導體存儲裝置，由存儲器控制器111和主存儲用的非易失性存儲器(以下，簡稱為主存儲器)112構成。主機100是經過存儲器控制器111向主存儲器112傳送用戶數據(以下，叫做數據)的讀寫指令以及讀寫地址和數據的存取裝置。存儲器控制器111的構成為包括主機I/F101、控制部102、RAM103、ROM104、控制用非易失性存儲器(以下，簡稱為控制存儲器)106、存儲器存取部107和地址管理信息存儲部110。
其次，對主存儲器112進行說明。在本實施形態(tài)中，主存儲器112具有4G位的容量，即，具有512M字節(jié)的容量。主存儲器112，如圖1所示，由多個物理塊，例如由PB0～PB2047這2048個物理塊構成。各個物理塊的數據容量定為256kB(字節(jié))。設該主存儲器112為多值NAND閃速存儲器。
圖5的說明圖示出了本實施形態(tài)的物理塊。各個物理塊由頁0～頁127這128頁構成。各個頁由扇區(qū)0～扇區(qū)3這4個扇區(qū)的數據區(qū)域和管理區(qū)域(MR)構成。1個扇區(qū)具有512B的容量，各個頁具有容量為2048B的數據區(qū)域。在這里把1個頁的量的數據容量單位設為第1容量單位，與該容量單位相對應地具有管理區(qū)域。管理區(qū)域具有64B的容量。在管理區(qū)域內含有表明其數據的有效或無效的狀態(tài)代碼和用來進行糾錯的ECC代碼，不含寫入結束標志。該主存儲器112由于是多值NAND閃速存儲器，故僅僅可以以頁為單位進行寫入，不能僅僅對頁中的扇區(qū)或僅僅對扇區(qū)的一部分的管理區(qū)域獨立地進行寫入。
圖6的說明圖示出了本實施形態(tài)的邏輯地址格式。在圖6中，從低位開始依次是扇區(qū)序號、頁序號、邏輯塊序號(LBN)，與邏輯塊序號對應的11位的量相當于地址變換的對象即相當于地址變換表108的地址。另外，若設在主機100的文件系統(tǒng)中規(guī)定的扇區(qū)尺寸為512B，設簇尺寸為16kB，則簇序號的LSB與邏輯地址格式的位b5相對應。
控制部102根據存儲器控制器111內的整體控制和來自主機100的數據讀寫指示對于存儲器存取部107進行數據的讀寫控制，并且還進行地址管理信息存儲部110和控制存儲器106的更新控制，其構成為包括CPU。RAM103是控制部102的工作用的RAM。ROM104是保存有控制部102執(zhí)行的程序的ROM。控制存儲器106是存儲寫入結束標志表105的非易失性存儲器。控制存儲器106理想的是在以1位為單位或1個字節(jié)以下為單位進行寫入時的寫入速度比主存儲器112更快的存儲器?？刂拼鎯ζ?06可以使用例如鐵電存儲器(FeRAM)、磁記錄式隨機存取存儲器(MRAM)、雙向通用存儲器(OUM)或電阻RAM(RRAM)。在這里，作為控制存儲器106使用FeRAM。與一般的閃速存儲器比較起來，FeRAM具有可以覆蓋寫入(overwrite)即在改寫時不需要進行擦除，以小容量例如以1位或1個字節(jié)為單位進行寫入時的寫入速度快的優(yōu)點。
控制存儲器106的寫入結束標志表105，是用來在把主機100所傳送的數據寫入到主存儲器112內之后緊接著把寫入結束標志寫入到對應的邏輯地址內的表。
圖7的說明圖示出了本實施形態(tài)的寫入結束標志表105。寫入結束標志是對每一個第2存儲容量單位都要建立，表明向該單位的寫入，圖7示出的是對每個第2存儲容量單位，在這里是1簇(16kB)，即對每8頁就要寫入標志的情況。即，由于寫入結束標志是以簇為單位進行記錄的，故與1個邏輯塊對應的寫入結束標志是2個字節(jié)的量。在該情況下，寫入結束標志表105，即，控制存儲器106是4kB的容量。使32k簇的量的寫入結束標志(1位)從字節(jié)0的b0開始依次按照簇順序進行排列。設在把對應的簇的數據寫入到了主存儲器112內之后緊接著向對應的位內寫入值‘1’。
其次，存儲器控制器111內的存儲器存取部107，是進行主存儲器112的讀寫和擦除控制的存取部。
其次，地址管理信息存儲部110，是暫時存儲地址變換表108和物理區(qū)域管理表109的存儲器。該存儲器既可以是RAM等易失性存儲器也可以是非易失性存儲器。
圖8是本實施形態(tài)的地址變換表108的說明圖。地址變換表108是把主機100所傳送的邏輯地址變換成主存儲器112內的物理地址的表。在圖8中，其地址與主機100所指定的邏輯地址的邏輯塊序號(LBN)相對應，在地址變換表108內存儲有針對該地址的物理塊序號(PBN)。
圖9是本實施形態(tài)的物理管理區(qū)域表109的說明圖。物理區(qū)域管理表109是存儲主存儲器112內的物理區(qū)域例如作為擦除單位的物理塊的狀態(tài)的表。所謂物理塊的狀態(tài)，就是表明例如是否寫入了有效數據等的狀態(tài)。在圖9中，物理區(qū)域管理表109的地址，與主存儲器112的各個物理塊序號PSN相對應，存儲各個物理塊的狀態(tài)。2進制的值‘00’表示存儲有有效數據的有效塊。值‘11’表示擦除完畢塊或雖然已寫入了數據但是不需要的無效塊。值‘10’表示歸因于存儲單元上的固定性錯誤等而變得不能使用的不合格的塊。
首先，對本半導體存儲裝置的剛剛出廠后的主存儲器112或各種表的內容進行說明。另外，為使說明簡單起見，對于主存儲器112內的系統(tǒng)區(qū)域省略說明，僅僅對于通常區(qū)域即對于用戶要讀寫數據的區(qū)域進行說明。控制部102根據預先存儲在ROM104或主存儲器112等內的預定的存儲容量單位，在初始化時或出廠時，構成寫入結束標志表的存儲器映像(memory map)。在該情況下，以簇為單位，如圖7所示，構成寫入結束標志表105的存儲器映像。在初始化時或出廠時，寫入結束標志表105，所有的位都變成為值‘0’。
此外，主存儲器112的合格塊則變成為全部被擦除的狀態(tài)。物理區(qū)域管理表109的合格塊則變成無效塊狀態(tài)即2進制的‘11’，初始不合格塊則變成為不合格塊即2進制的‘10’。地址變換表108全部的位都變成為值‘0’。順便說一下，取不論什么值都行。
對該半導體存儲裝置的動作進行說明。本實施形態(tài)的半導體存儲裝置，由于采取分散型的地址管理方法，故在電源投入時讀出保持在主存儲器112的各個物理塊的管理區(qū)域內的管理信息。然后，在地址管理信息存儲部110內構成兩個表108、109。
其次，對在每次對1個簇的寫入時存儲寫入結束標志的情況進行說明。在進入了來自主機100的讀寫等的指令接收狀態(tài)后，就要從主機100發(fā)出向任意的邏輯地址進行寫入的指示。另外，通常主機100由于大多以簇為單位進行寫入，故以下說明以簇為單位進行的寫入。
圖10(A)的時序圖示出了本實施形態(tài)的1個簇的量的寫入。主機100把任意的簇的寫入指示和對應的邏輯地址傳送給存儲器控制器111。當從主機100傳送了任意的簇的寫入指令后，就要使與包含該簇的邏輯塊對應的2個字節(jié)的量的寫入結束標志的位復位，變成為值‘0’?？刂撇?02就要從物理區(qū)域管理表109的0號地址一側開始以從高到低的順序搜索無效塊，并把最初找到的無效塊當作寫入對象塊，在對主存儲器112的該物理塊進行擦除后寫入所送過來的數據。該寫入時間T11是數ms。
在圖10中，根據從主存儲器112反饋的忙信號(R/B信號)的上升沿，在完成了一連串的寫入動作的時刻t1之后緊挨著的時刻t2，控制部102向寫入結束標志表105的對應的位內寫入值‘1’。由于控制存儲器106使用的是FeRAM，故該寫入時間T12是100ns左右。
另一方面，如果與包含作為寫入對象的簇的邏輯塊序號對應的物理塊為有效塊，則判斷為已經向該邏輯塊的別的頁內寫入了數據。圖11的說明圖示出了1個簇的量的改寫。在圖11中，設物理塊PBi是已向頁0～頁127全都寫入了數據的物理塊。對改寫該物理塊PBi的1個簇的量、頁0～頁7的情況進行說明。物理塊PBj是為改寫而準備的新的物理塊，設是已寫入了無效的數據的物理塊。在該情況下，向作為寫入對象的物理塊PBj的頁0～頁7內寫入1個簇的量的新的數據。接著，把已有的物理塊PBi的頁8～頁127這120頁的量拷貝到物理塊PBj內。這時寫入結束標志，用于控制部102進行是否需要進行剩下的頁的拷貝的判斷。
在圖10(B)中，T21是向主存儲器112的頁0～頁7進行寫入的寫入時間，該時間例如為數毫秒。然后在該寫入結束后就要進行頁8～頁127這120頁的量的拷貝。該寫入時間T22例如為數十毫秒。控制部102根據從主存儲器112反饋的忙信號(R/B)的上升沿，在結束了一連串的寫入動作的時刻t3后緊挨著的時刻t4，把寫入結束標志寫入到結束標志表105內。該寫入時間T23是100ns左右。由于該標志的寫入是對127頁的量的所有的物理塊都進行了寫入，故作為寫入結束標志在相當于各個簇的位內建立1。
如上所述，在非易失性存儲器上把寫入結束標志表105映射為與簇對應的位排列，在一連串的寫入動作結束后，把寫入結束標志寫入到寫入結束標志表105內。為此，即便是在數據的寫入中發(fā)生了電源切斷等，通過在電源切斷后的初始化時控制部102對寫入結束標志表105的內容進行檢查，就可以判斷是否正常地寫入了數據。
其次，對在電源投入時使用寫入結束標志確認寫入的可靠性的處理進行說明。首先，控制部102對物理區(qū)域管理表109進行檢索，查找有效的物理塊。然后從地址變換表109檢索與有效的物理塊的地址對應的有效的邏輯塊地址。接著，查找與有效的邏輯塊對應的寫入結束標志表105。這時由于以簇為單位記錄下了寫入結束標志，故與1個邏輯塊對應的寫入結束標志具有2個字節(jié)的量。于是，從高位的字節(jié)(字節(jié)0)開始每次各2個字節(jié)地按照邏輯塊地址0、1、2……的順序對寫入結束標志表105進行檢索。然后，在與有效的邏輯塊地址對應的寫入結束標志表的2個字節(jié)的組全都是‘0’的情況下，就判斷為存在著該邏輯塊因在正在寫入數據的時候發(fā)生了電源切斷而未正確地寫入數據的可能性。在該情況下，就把該邏輯塊當作無效的邏輯塊。即，根據地址變換表108查找對應的物理塊地址，使物理區(qū)域管理表109的物理塊的狀態(tài)變成為無效狀態(tài)。
這樣一來，即便是把不能向作為寫入單位的頁內分割寫入的非易失性存儲器用做主存儲器112的情況下，也不會大幅度地削減作為數據的可使用區(qū)域，因而可以用簡單的電路結構，提供可靠性高的半導體存儲裝置。
此外，若在像FeRAM這樣的以小容量(至少1位～1字節(jié))進行寫入時的寫入速度快的非易失性存儲器內具備寫入結束標志表105，則可以縮短寫入結束標志的寫入時間，可以提高整體的寫入速度。
另外，在本實施形態(tài)中，記錄寫入結束標志的第2存儲容量單位，雖然如圖7所示設為以簇為單位，但是，也可以如圖12所示設為以物理塊(256kB)為單位。以該單位對寫入結束標志進行寫入。此外，也可以使第2存儲容量單位以扇區(qū)為單位或以頁為單位，以該單位對寫入結束標志進行寫入。
此外，在本實施形態(tài)中，作為非易失性的主存儲器112，雖然使用的是多值NAND閃速存儲器，但是，作為主存儲器也可以使用2值型的NAND閃速存儲器或AGAND型閃速存儲器。此外，還可以使用閃速存儲器之外的非易失性存儲器。此外，主存儲器112也可以內置多個非易失性存儲器芯片。
在本實施形態(tài)中，根據預先存儲好的存儲容量單位在初始化時或出廠時構成寫入結束標志表的存儲器映像。也可以取而代之做成為主機傳送預定的存儲容量單位的值，決定寫入結束標志表的結構。
(工業(yè)上的可利用性)本發(fā)明的半導體存儲裝置，特別是在把大容量的非易失性存儲器用做主存儲器的存儲裝置中，可以用簡單的電路實現高可靠性和高速處理化。為此，在使用半導體存儲裝置的設備，例如，靜止圖象記錄再生裝置、動畫記錄再生裝置或者移動電話等各種設備中，是有用的。
權利要求
1.一種半導體存儲裝置，具備具有以由第1存儲容量的數據區(qū)域和管理區(qū)域構成的多個存儲容量為單位構成的存儲區(qū)域的非易失性的主存儲器；存儲上述主存儲器的地址管理信息的地址管理信息存儲部；存儲寫入結束標志表的非易失性的控制存儲器，上述寫入結束標志表由針對上述主存儲器對每一個第2存儲容量單位設置的、在數據寫入結束時建立的寫入結束標志構成；根據來自主機的數據讀寫指示對于上述主存儲器進行數據的讀寫控制，并且，進行上述地址管理信息存儲部和上述控制存儲器的更新控制的控制部。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述第2存儲容量單位是簇尺寸，上述控制存儲器對由主機的文件系統(tǒng)所規(guī)定的每一個簇尺寸都記錄由1位以上的寫入結束標志構成的寫入結束標志表。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述第2存儲容量單位是扇區(qū)尺寸，上述控制存儲器對由主機的文件系統(tǒng)所規(guī)定的每一個扇區(qū)尺寸都記錄由1位以上的寫入結束標志構成的寫入結束標志表。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述第2存儲容量單位為物理塊尺寸，上述控制存儲器對上述主存儲器的每N個物理塊的容量都記錄由1位以上的寫入結束標志構成的寫入結束標志表，其中N為大于等于1的整數。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述控制存儲器的寫入速度比上述主存儲器快。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，在初始化時或出廠時，上述控制部根據預先存儲的第2存儲容量單位構成寫入結束標志表的存儲器映像。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，在初始化時或出廠時，上述控制部根據從主機傳送過來的第2存儲容量單位構成寫入結束標志表的存儲器映像。
8.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述主存儲器是多值型NAND閃速存儲器。
9.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述地址管理信息存儲部，具有存儲上述主存儲器的每一個存儲容量單位的狀態(tài)的物理區(qū)域管理表以及對由主機的文件系統(tǒng)所規(guī)定的地址和上述主存儲器的存儲容量單位的地址進行變換的地址變換表。
10.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述控制存儲器是鐵電存儲器(FeRAM)。
11.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述控制存儲器是磁記錄式隨機存取存儲器(MRAM)。
12.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述控制存儲器是雙向通用存儲器(OUM)。
13.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，上述控制存儲器是電阻RAM(RRAM)。
全文摘要
把存儲與簇或物理塊等的預定的存儲單位對應的寫入結束標志的寫入結束標志表(105)保存到非易失性的控制存儲器(106)內。然后，檢測向預定的存儲單位進行的數據寫入的結束，把寫入結束標志寫入到寫入結束標志表(105)上的對應的存儲單位的地址內。這樣就可以確認已正常地寫入了數據。即便是不能向作為主存儲器的寫入單位的頁內寫入表示寫入結束的標志的情況下，也可以提高寫入的可靠性。
文檔編號G06F12/16GK1922588SQ200580006079
公開日2007年2月28日 申請日期2005年2月25日 優(yōu)先權日2004年2月27日
發(fā)明者中西雅浩, 泉智紹, 笠原哲志, 田村和明, 松野公則, 井上學 申請人:松下電器產業(yè)株式會社