專利名稱：用于探測半導體電路中的未使用狀態(tài)的方法和設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般地涉及初始化和檢測半導體電路的方法和設備，例如一種保密集成電路，更確切地說，一種初始化和檢測一個未經(jīng)使用的半導體電路的方法和設備。
背景技術：
半導體電路，特別是芯片級系統(tǒng)(System on a Chip)的類型，通常包括微處理器和非易失性存儲器來執(zhí)行所需功能。當半導體電路第一次加電時，微處理器需要一個指令源才能工作。通常半導體電路包括一個只讀存儲器(ROM)陣列，此只讀存儲器經(jīng)常被稱為“自舉ROM”，它在制造過程中已經(jīng)被屏蔽保護，并且含有相應的程序代碼使微處理器在第一次加電時啟動并初始化半導體電路。然而這種自舉ROM增加了半導體電路所需的表面面積，同時也增加了微處理器初始化過程的復雜性。如果該ROM作為制造過程的一部分而形成，則為糾正對程序碼造成改變的錯誤將會十分昂貴且耗費時間。另外，這種自舉ROM破壞了半導體電路的安全性，因為自舉ROM中的每一個單元都是可以被檢測的，也就是說可以利用顯微鏡來識別加載到該自舉ROM中的程序碼。在半導體電路用于保密應用時，例如銀行或記錄個人和財產(chǎn)信息，這種對安全的損害特別值得注意。
還有，半導體電路通常在第一次啟動時需要經(jīng)過測試和微調(diào)。一般來說，一個新的半導體電路需要被連接到一個測試臺上來測試半導體的各種特性和功能以保障其在規(guī)定的容差范圍內(nèi)正常工作。另外，測試臺也會微調(diào)半導體電路中需要被調(diào)整的其他器件以在所要求的設定下工作。
因此，需要有一種方法和設備來確定半導體電路是否處于未用狀態(tài)以對它進行初始化或測試，或兩者均進行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一般描述了一種用于探測半導體電路中未用狀態(tài)的方法和設備。本發(fā)明也描述了用于探測半導體電路是否未使用過的未用狀態(tài)探測電路。當一個半導體電路第一次加電時，未用狀態(tài)探測電路將會探測此半導體電路以前未被使用，并自動激活啟動程序或測試程序(或兩者都進行)。當未用狀態(tài)探測電路沒有被永久清零時，一個半導體電路就是“未被使用”的。
當半導體電路第一次被加電和初始化時，未用狀態(tài)探測電路將提供一個關于本半導體電路不再是未用狀態(tài)的指示。通過這種方法，本發(fā)明使得能夠對一個未經(jīng)使用的半導體電路做特殊處理，例如測試或初始化(或兩者都進行)，然后永久清除未用狀態(tài)，因此半導體電路的安全性不會受損。未用狀態(tài)探測電路通常利用一個非易失性存儲器陣列的狀態(tài)來探測此半導體電路是否以前未被使用。未用狀態(tài)探測電路探測一個半導體電路是否未被使用時利用(1)專用非易失性存儲器單元微陣列或(2)半導體電路內(nèi)通用非易失性存儲器部分中的專用區(qū)域。
在一個利用專用非易失性存儲器單元微陣列的實施例中，至少有兩條有源位線blprg和bler，分別對應于編程和擦除。第一條位線blprg只能用于編程，不能用于擦除。第二條位線bler只能用于擦除，不能用于編程。通常專用非易失性存儲器陣列中所有的位最初大約處于相同的狀態(tài)，或者是擦除態(tài)，或者是編程態(tài)，或者是兩者之間。在位線中的一條上加偏置電流，這樣當經(jīng)過偏置的位線與未被偏置的位線相比較，兩者之間的差別可被探測到。這個電流差可以被用做指示，例如，當該位線被擦除時。因此當專用非易失性存儲器陣列中所有的位最初大約處于相同的狀態(tài)時，可以斷定這是同一種狀態(tài)，例如，一種未用狀態(tài)。隨后，被偏置的位線上的位可以被編程，未被偏置的位線上的位可以被擦除。此時，同一條位線將讀出為被編程或使用過，因為被擦除位與被編程位之間的電流差大于偏置電流。
在一個利用普通非易失性存儲器單元陣列中的一個或多個專用字節(jié)的實施例中，通過參考電流來比較專用字節(jié)，并探測預定模式。在一個應用中，處于未用狀態(tài)的一個或多個專用字節(jié)中的所有位將均處于中性狀態(tài)。中性狀態(tài)提供了一個可與參考電流相比的可預測電流電平，通過探測一種全“1”或全“0”模式來區(qū)分中性態(tài)單元和已經(jīng)被編程或被擦除的單元。在一個預定模式實現(xiàn)中，雖然在未用狀態(tài)的一個或多個專用字節(jié)中的所有位可以是已充電狀態(tài)或是未充電狀態(tài)，但是它們將會處于一個類似的狀態(tài)或至少處于一個一致的模式。當被檢測時，這些字節(jié)將不會與為比較而選擇的隨機模式相匹配，這說明是未用狀態(tài)。接著，這些字節(jié)被擦除并編程到一個特定的模式，比較器將會讀出“真”，指示這是一個使用過的狀態(tài)。通過簡單的擦除并將這些字節(jié)編程到一個特定的模式，未用狀態(tài)被消除。
對本發(fā)明及其進一步的特點和優(yōu)點的全面了解可以通過參考以下的詳細描述和附圖來獲得。


圖1是傳統(tǒng)半導體電路的示意框圖。
圖2是具有本發(fā)明特點的半導體電路示意框圖。
圖3是一個利用圖2中的測試臺進行首次使用時初始化過程的圖4是圖2中未用狀態(tài)探測電路的示意框圖。
圖5是圖4中一個非易失性存儲器陣列之范例的電路圖。
圖6是圖4中一個未用狀態(tài)測定電路之范例的電路圖。
圖7是圖4中一個編程偏置電路之范例的電路圖。
圖8是圖4中字線/源線驅動器之范例的一組電路圖。
圖9是圖4中控制信號發(fā)生器之范例的一個電路圖。
圖10是適用于圖4中未用狀態(tài)探測電路另一實施例的示意框圖。
詳細描述圖1是傳統(tǒng)半導體電路100的示意框圖。如圖1所示，傳統(tǒng)半導體電路100包括一個自舉ROM110，一個處理器120，一個外部接口130和一個非易失性存儲器140，它們之間通過一個總線150相互通信。如前所述，當傳統(tǒng)半導體電路100第一次加電時，處理器120訪問自舉ROM110以獲得用于啟動過程的相應程序代碼。
圖2是具有本發(fā)明特點的半導體電路200的示意框圖。如圖2所示，半導體電路200包括一個未用狀態(tài)探測電路400(將和圖4一起在后面討論)，一個處理器220，一個外部接口230和一個非易失性存儲器240，它們之間通過一個總線250相互通信。處理器220，接口230和非易失性存儲器240在傳統(tǒng)方式下工作?？梢杂泻芏喾N實施外部接口230的方法，但是通常采用公認的標準，例如串行接口，并行接口或通用串行總線(USB)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，當半導體電路200第一次加電時，未用狀態(tài)探測電路400將探測到半導體電路200以前未被使用，也就是說沒有被測試或初始化，也沒有被清除未用狀態(tài)。在一個實施例中，未用狀態(tài)探測電路400將自動允許專用啟動步驟或測試步驟(或兩者都進行)。這里，當未用狀態(tài)探測電路400沒有被永久清零時，該半導體電路就被認為是“未被使用”的。在此描述的本發(fā)明的各種實施例中，一個未用狀態(tài)探測電路(將在以后和圖4和圖10一起進一步討論)利用一個專用非易失性存儲器微陣列(圖4)或一個半導體電路中通用非易失性存儲器的專用部分(圖10)來探測此半導體電路是否未被使用。
如下文所述，外部接口230可以選擇連接到一個測試臺260或另一個計算裝置，該設備提供由處理器220執(zhí)行的指令流，例如具有表示適當指令的預設值的字節(jié)流。測試臺260利用外部接口230與半導體電路通信，通信方式將在后面與圖3一起描述。一般來說，測試臺260通過外部接口230向半導體電路200發(fā)出命令，該命令指明應被執(zhí)行的特殊指令。通過這種方法，半導體電路200被初始化，非易失性存儲器240被加載應用軟件。處理器220將繼續(xù)從外部接口230獲得指令，一直到初始化過程完成。初始化過程的完成可以用測試臺260發(fā)出的一些預設指令或模式來表示，也可以用其他的方法，例如切斷半導體電路200的電源。
圖3是一個利用測試臺260進行首次使用初始化進程300的示范性實施例的流程圖。如圖3所示，測試臺260在步驟310時開啟被測半導體電路電源并對其進行復位，然后在步驟315對半導體電路200進行測試來決定其是否處于未用狀態(tài)。測試臺260能夠根據(jù)通過外部接口230與半導體電路200的通信來判斷此半導體電路是否處于未用狀態(tài)。如果從半導體電路200接收到有效響應，測試臺260可以認定半導體電路200處于未用狀態(tài)并且將從測試臺260獲得指令來進行初始化。在另一變形例中，未用狀態(tài)探測電路400可設置一個標志或另一指示符，該指示符可由測試臺260訪問并提供關于半導體電路200處于未用狀態(tài)的指示。
如果在步驟315判定半導體電路200不在未用狀態(tài)，程序控制中止或在步驟318轉移到一個不同的流程，例如對已使用過的半導體電路進行測試。然而，如果在步驟315判定半導體電路200處于未用狀態(tài)，則程序控制進入步驟320，對未使用過的半導體電路200進行初始化或測試(或兩者都進行)。
首次使用初始化進程300在步驟320通過外部接口230向處理器220發(fā)出指令流以初始化半導體電路200。然后，首次使用初始化進程300在步驟325對半導體電路200進行初始化過程，該過程可包括例如對半導體電路200各種特點和功能的測試。
在步驟330非易失性存儲器330被加載后面需要執(zhí)行的適當?shù)拇a(因為在模式測試過程中以前的代碼可能已經(jīng)被重寫了)。最后，測試臺260以本說明中描述的方式確保被仿真的電可擦除可編程只讀存儲器(emulated EEPROM)陣列200中的未用狀態(tài)被永久清除。然后，程序控制在步驟340中止。
應注意，雖然首次使用初始化進程300之范例中利用一個外部測試臺260實現(xiàn)測試功能，但對半導體電路200的一些或全部測試實際也可以通過嵌套在此半導體電路200內(nèi)的測試功能來完成。這對于本領域普通技術人員來說是顯而易見的。
未用狀態(tài)的探測如前所述，當半導體電路200第一次被加電和初始化時，未用狀態(tài)探測電路400將探測到并隨后提供關于半導體電路200不再是未經(jīng)使用過的指示。一般來說，如下面進一步討論的，未用狀態(tài)探測電路400利用非易失性存儲器陣列的狀態(tài)來探測半導體電路200是否以前從未被使用過。本發(fā)明認識到一個非易失性存儲器單元的特定狀態(tài)將是未知的，也就是說無法確定這個單元是已充電還是未充電。本發(fā)明提供了一種可判斷一個半導體電路200是否以前曾經(jīng)被使用過的方法，而與這些非易失性存儲器單元是否已充電狀態(tài)或未充電狀態(tài)無關。
在一示范性實施例中，如在下面和圖4和圖5一起進一步討論的，本發(fā)明利用一個專用非易失性存儲器單元微陣列500來探測半導體電路200是否以前未被使用。非易失性存儲器單元陣列500包括兩條有源位線blprg和bler，它們分別對應編程和擦除。第一條位線只能用于編程，不能用于擦除。第二條位線只能用于擦除，不能用于編程。
通常非易失性存儲器陣列500中所有的位最初大約處于相同的狀態(tài)，或者是擦除態(tài)，或者是編程態(tài)，或者是兩者之間。在其中的一條位線上加偏置電流，這樣當經(jīng)偏置的位線與未被偏置的位線相比較，兩者之間的差可被探測到。這個電流差可被用做指示，例如，當此位線已被擦除時。偏置電流應該設定在大約一個被編程器件和一個被擦除器件之間的電流電平。例如，如果處于編程狀態(tài)的單元流過5μA電流，處于擦除狀態(tài)的單元流過50μA電流，那么對于圖5所示的每條位線有兩個單元的實施例，偏置電流應該大約為45μA(兩個單元的100μA減去兩個單元的10μA，然后再除2)。此外，根據(jù)工藝和其他信息，偏置電流可以傾向一邊，或者靠向編程態(tài)，或者靠向擦除態(tài)。
因此當非易失性存儲器陣列500中所有的位最初大約處于相同的狀態(tài)時，可以斷定是一種未用狀態(tài)。隨后，被偏置位線上的位可被編程，未被偏置的位線上的位可被擦除。這時，同一位線將讀出是已編程即已使用狀態(tài)，因為被擦除位與被編程位間的電流差大于偏置電流。非易失性存儲器500的擦除和編程操作使用與傳統(tǒng)非易失性存儲器陣列240相同的定時和電壓。
圖4是圖2中未用狀態(tài)探測電路400的一個可能實施例的示意框圖。如圖4所示，未用狀態(tài)探測電路400包括一個非易失性存儲器陣列500，將在下面和圖5進一步討論，一個未用狀態(tài)測定電路600，將在下面和圖6進一步討論，一個編程偏置電路700，將在下面和圖7進一步討論，一個控制和字線/源線驅動800，將在下面和圖8進一步討論，和一個控制信號發(fā)生器900，將在下面和圖9進一步討論。未用狀態(tài)探測電路400產(chǎn)生一個未經(jīng)使用標志指示符，直到半導體電路200第一次加電和未用狀態(tài)探測被永久清零。因此未用狀態(tài)探測電路400提供了一個說明半導體電路200不再是未經(jīng)使用的指示。
圖5是一個具有本發(fā)明特點的非易失性存儲器陣列500之范例的電路圖。應指出，這里使用的符號是用于一種非易失性存儲器技術的，然而本領域技術人員應當明白，幾乎任何非易失性存儲器都可以用在這里。如圖5所示，非易失性存儲器陣列500包括兩條有源位線blprog和blerase。非易失性存儲器陣列500還包括一些晶體管。第一對晶體管510只能被編程，不能被擦除。第二對晶體管520只能被擦除，不能被編程。非易失性存儲器陣列500中編程和擦除晶體管510，520管被分別配置成漏極通過位線blprg和bler訪問，柵極通過字線wlprg和wler訪問，源極通過源線srcprg和srcer訪問。通過對編程晶體管510進行編程以清除未用狀態(tài)，同樣，通過對擦除晶體管520進行擦除也可以清除未用狀態(tài)。需要注意的是盡管在實施例中有兩個晶體管510，520被分別用做編程和擦除操作以平均在制造過程中產(chǎn)生的奇/偶效應，然而在應用中也可以使用單個的或成組的晶體管，這對于本領域普通技術人員來說是顯而易見的。
工作時，在半導體電路200第一次加電和初始化之前(也就是說在半導體電路200未被使用時)，兩個編程晶體管510和兩個擦除晶體管520大約處于相同的狀態(tài)，或者是擦除態(tài)，或者是編程態(tài)，或者是兩者之間，并且在讀出過程中提供相等的電流量。通過在源極編程線srcprg加高壓(例如10V)，在字編程線wlprg加選擇電壓(例如1.5V)，在位編程線blprg加小電流吸收(例如2μA)，可對編程晶體管510進行編程。一旦編程完成，在讀出過程中編程晶體管510將不再提供電流。
通過將字擦除線wler加高壓(例如13V)，源擦除線srcer和位擦除線接地，對擦除晶體管520進行擦除。一旦擦除完成，在讀出過程中擦除晶體管520將提供較大的電流，例如每個晶體管提供的電流在35μA的量級。
為了防止邊緣效應，非易失性存儲器陣列500可以選擇包括一些附加的晶體管和相關的位線(沒有圖示)，使兩個有源晶體管和位線BLprog和BLerase以公知的方式保持一致。在另一變形例中，編程位線中的晶體管540的位線的位線接點被去除，從而使它們不影響編程晶體管510。同樣的，擦除位線中的晶體管530的位線的位線接點被去除，從而使它們不影響擦除晶體管520。
圖6是一個具有本發(fā)明特點的未用狀態(tài)測定電路600之范例的電路圖。如圖6所示，未用狀態(tài)測定電路600包括一個第一級聯(lián)放大器結構610，為差分對630的級聯(lián)放大器結構620的一個輸入MN10饋電。它還包括一個第二級聯(lián)放大器結構640，為差分對630的級聯(lián)放大器結構650的一個輸入MN11饋電。
如前面指出的，在其中一條位線上加偏置電流，這樣當偏置的位線與未被偏置的位線相比較時，兩者之間的差別可以被探測到。這個偏置電流由一組晶體管660產(chǎn)生。第一級聯(lián)放大器610將位線擦除輸入bler的電流轉換成電壓。第二級聯(lián)放大器640將位線編程輸入blprg的電流加上偏置電流轉換成電壓。通過這種方式，級聯(lián)放大器結構610，620，與差分對630一同對位線編程和位線擦除輸入上的電流進行比較。
偏置輸入sabias提供一個模擬電壓電平，對未用狀態(tài)測定電路600的兩級進行偏置。讀出輸入sns是一個控制信號，用以能夠讀出非易失性存儲器陣列500中單元的狀態(tài)。例如，每當半導體電路200被復位或加電時，非易失性存儲器陣列500可被允許讀出。
更加詳細的關于探測存儲器單元相應技術的討論，可以參見美國專利6,219,291(發(fā)明人為Sowards等)，該專利轉讓了給本申請人，本申請通過引用而結合其內(nèi)容。已公開的探測儲器單元的技術一般利用一個包括讀出放大器的邏輯電平探測電路，讀出放大器根據(jù)儲器單元相應的電流消耗來探測其邏輯電平。
圖7是具有本發(fā)明特點的編程偏置電路700之范例的電路圖。編程偏置電路700在編程時為位線提供電流和電壓。編程偏置電路700確保在非易失性存儲器陣列500中只有編程晶體管線510上的晶體管被編程，在非易失性存儲器陣列500中擦除晶體管線520上的晶體管不被編程。
如圖7所示，輸入prg和er在編程和擦除方式時為高電壓。如果輸入prg和er同時為低電壓，則編程偏置電路700在傳統(tǒng)模式，對位線編程線和位線擦除線不產(chǎn)生偏置和影響。在此示范性實施例中，一個電流鏡710產(chǎn)生一個2μA量級的已知偏置電流。該偏置電流由晶體管730讓其通過。
在編程方式中，也就是當prg線是高電壓時，晶體管750被允許并將位線擦除輸出(bler)拉升至Vdd。同樣的，在擦除方式中，也就是當er線是高電壓時，晶體管740被允許并將位線編程輸出(blprg)拉升至Vdd。
圖8是具有本發(fā)明特點的字線/源線驅動800之范例的一組電路圖。如圖8所示，字線/源線驅動器800包括編程字線驅動器810、一個編程源線驅動器820、擦除字線驅動器830和擦除源線驅動器840。
這些驅動器在編程和擦除方式下為與字和源線相關聯(lián)的被指示端子提供合適的工作條件。對于一種特定的工藝，這些電壓如下

還應當指出，通過位線輸入blprg和bler可訪問每個晶體管的漏極端，通過字線輸入wlprg和wler可訪問柵極端，通過源線輸入srcprg和srcer可以訪問源極端。因此，在擦除方式下驅動器810將1.5V加給字線，驅動器820將10V加給源線，在擦除方式下驅動器830將12V加給字線，驅動器840將源極接地。
圖9是具有本發(fā)明特點的控制信號發(fā)生器900之范例的電路圖。如圖4所示，控制信號發(fā)生器900產(chǎn)生的控制信號提供給字線/源線驅動器800。如圖9所示，控制信號發(fā)生器900接收到一個用于指示非易失性存儲器處于編程、讀出或擦除方式的邏輯值，然后產(chǎn)生一個相應的輸出信號加到字線/源線驅動器800。圖8中的字線/源線驅動800在編程和擦除方式時為與字和源線相關聯(lián)的晶體管端子提供合適的工作條件。
圖10是適用于圖2中未用狀態(tài)探測電路400另一實施例的示意框圖。如圖10所示，另一種未用狀態(tài)探測電路1000包括一組陣列解碼器1010，一個非易失性存儲器陣列1020，一個讀出放大器1030，一個模式比較器1040，一個地址和控制信號發(fā)生器1050，以及一個參考電流發(fā)生器1060。
比較非易失性存儲器(NVM)陣列中的字節(jié)和參考電流在此變形例中，使用了普通非易失性存儲器單元陣列240中的一個或多個專用字節(jié)。在加電過程中，加到非易失性存儲器陣列240的默認地址和控制信號將使得對這些特定字節(jié)進行讀操作。在未用狀態(tài)，該字節(jié)的所有位均處于中性狀態(tài)。對于此技術范例，中性態(tài)是指所有的單元只提供低電流電平，在1-10μA范圍。相比之下，一個被全擦除的單元將提供40μA電流，一個被編程的單元將提供0μA電流。因此，當這些中性單元與為讀出被擦除位設置的(由部件1060產(chǎn)生)參考電流相比較而被讀出時，這些位將被讀出為被全編程。對于此變形例，所有位均被讀出為已編程的條件肯定是未用狀態(tài)。隨后，這些字節(jié)可被擦除(但在任何時候都不能被編程)。此時，當與同一參考電流相比時，這些位將被讀成“已擦除”即已被使用。
部件1060產(chǎn)生的參考電流應該大約設置在中性(未使用)狀態(tài)單元電流和擦除態(tài)單元電流中間。有幾種方法可以設置此電流。兩種常用的方法是使用電流源和參考陣列。
比較非易失性存儲器(NVM)陣列中的字節(jié)和預設值在此變形例中，使用了普通非易失性存儲器單元陣列240中一個或多個字節(jié)。在加電過程中，加到非易失性存儲器陣列240的默認的地址和控制信號使得可對這些特定字節(jié)進行讀操作。在未用狀態(tài)，雖然這些字節(jié)的所有位可能處于已充電狀態(tài)或未充電狀態(tài)，但是它們將會處于一個類似的狀態(tài)或至少處于一個一致的模式。當被讀出時，這些字節(jié)將不會與專門為比較而選擇的模式比較電路1040中的隨機模式相匹配。說明這是未用狀態(tài)。隨后，這些字節(jié)被擦除和編程設置到一個特定的模式。那時，比較器將會讀出“真”，說明這是一個使用過的狀態(tài)。通過簡單的擦除和編程，這些字節(jié)被設置到一個特定的模式，未用狀態(tài)被消除。
另外，圖2中的未用狀態(tài)探測電路400可能不只依賴于上述實施例中的任何一個。它可以綜合兩個或多個實施例以實現(xiàn)圖2中的未用狀態(tài)探測電路400的功能，確實，這對于本領域技術人員是顯而易見的。通過在兩個或多個實施例的輸出上加“或”操作來簡單實現(xiàn)相同的功能，探測到未用狀態(tài)的其中任何一個或一組將被允許，并由“或”輸出給出未用狀態(tài)信號。
應該理解在這里給出和描述的實施例及其變化只是本發(fā)明原理的說明，本領域中的熟練人員可以在不偏離本發(fā)明范圍和思路的前提上做出各種改進。
權利要求
1.一個半導體電路，其中包括一個用于執(zhí)行一條或多條指令的處理器；一個存儲器；以及一個用于探測所述半導體電路是否未經(jīng)使用的電路。
2.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，還包括在所述半導體電路一旦初始化之后用以確保所述未經(jīng)使用狀態(tài)被永久清除的部件。
3.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述電路響應對所述未經(jīng)使用狀態(tài)的所述探測而啟動對所述半導體電路的測試。
4.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述電路響應對所述未經(jīng)使用狀態(tài)的所述探測而啟動對所述半導體電路的初始化。
5.如權利要求4所述的半導體電路，其特征在于，還包括接收用以初始化所述半導體電路的多個指令的外部接口。
6.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述電路利用一個非易失性存儲器陣列的狀態(tài)來探測所述半導體電路是否未經(jīng)使用。
7.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述電路包括一個用于未經(jīng)使用狀態(tài)探測的專用非易失性存儲器單元微陣列。8.如權利要求7所述的半導體電路，其特征在于，所述專用非易失性存儲器單元微陣列包括至少兩條有源位線blprg和bler，對應于編程和擦除，并且所述第一位線，blprg只能用于編程，而第二位線bler只能用于擦除。
9.權利要求8中的半導體電路，其中所述專用非易失性存儲器微陣列的單元最初均處于大約相同的狀態(tài)，并且其中未經(jīng)使用狀態(tài)是通過讀出所述至少兩條有源位線，blprg和bler來探測的。
10.如權利要求8所述的半導體電路，其特征在于，一個偏置電流被加到所述至少兩條有源位線blprg和bler中的一條，在所述半導體電路被首次使用時進行探測。
11.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述存儲器是一個非易失性存儲器陣列，并且所述電路包括所述非易失性存儲器陣列的一個專用區(qū)域。
12.如權利要求11所述的半導體電路，其特征在于，所述專用區(qū)域中的一個或多個專用字節(jié)被用來和一個參考電流做比較。
13.如權利要求12所述的半導體電路，其特征在于，當所述半導體電路未經(jīng)使用時，所述專用區(qū)域的一個或多個專用字節(jié)處于一種中性態(tài)，并且所述半導體電路的用過狀態(tài)是通過對所述一個或多個專用字節(jié)產(chǎn)生的電流進行測定來探測的。
14.如權利要求11所述的半導體電路，其特征在于，所述專用區(qū)域中的一個或多個專用字節(jié)被用來和一個預定模式做比較。
15.如權利要求11所述的半導體電路，其特征在于，所述專用區(qū)域中的一個或多個專用字節(jié)可以被擦除但不能被編程來指示一個用過狀態(tài)。
16.如權利要求14所述的半導體電路，其特征在于，所述專用區(qū)域中的一個或多個專用字節(jié)有一個與預定模式不匹配的模式，直到所述半導體電路已被使用。
17.如權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述電路還包括多個用于探測所述半導體電路是否未經(jīng)使用的所述電路，所述多個電路的每一個都有一個輸出并且還包括一個“或”門，用以判斷所述半導體電路是否未經(jīng)使用。
18.一種測試所述半導體電路的方法，所述方法包括以下步驟探測所述半導體電路是否以前未被使用；以及響應所述探測步驟而啟動對所述半導體電路的測試。
19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，還包括所述半導體電路一旦經(jīng)過測試時確保所述未經(jīng)使用狀態(tài)被清除的步驟。
20.如權利要求18所述的方法，其特征在于，所述探測步驟還包括對指示所述半導體電路是否未經(jīng)使用的電路進行測定的步驟。
21.如權利要求18所述的方法，其特征在于，所述探測步驟還包括對嵌入在所述半導體電路中的未用狀態(tài)探測電路進行測定的步驟。
22.一種初始化半導體電路的方法，所述方法包括以下步驟探測所述半導體電路是否以前未被使用；以及響應所述探測步驟而對所述半導體電路進行初始化。
23.如權利要求22所述的方法，其特征在于，還包括所述半導體電路一旦經(jīng)過初始化時確保所述未經(jīng)使用狀態(tài)被清除的步驟。
24.如權利要求22所述的方法，其特征在于，其中所述探測步驟還包括對指示所述半導體電路是否未經(jīng)使用的電路進行測定的步驟。
25.如權利要求22所述的方法，其特征在于，還包括通過外部接口接收用以初始化所述半導體電路的多個指令的步驟。
26.如權利要求22所述的方法，其特征在于，所述探測步驟還包括對嵌入在所述半導體電路中的未用狀態(tài)探測電路進行測定的步驟。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種用于探測半導體電路未用狀態(tài)的未用狀態(tài)探測電路。當未用狀態(tài)探測電路沒有被永久清零時，一個半導體電路是“未被使用”的。當一個半導體電路第一次加電時，未用狀態(tài)探測電路將會探測此半導體電路以前沒有“被使用過”，并自動激活啟動程序或測試程序(或兩者都進行)。在此半導體電路被使用過后，未用狀態(tài)探測電路將提供說明本半導體電路不再是未經(jīng)使用過的一個指示。未用狀態(tài)探測電路利用專用非易失性存儲器陣列的狀態(tài)或半導體電路中通用非易失性存儲器部分的專用區(qū)域的狀態(tài)來探測此半導體電路是否以前未被使用。
文檔編號G06F11/22GK1754101SQ200380108345
公開日2006年3月29日 申請日期2003年12月29日 優(yōu)先權日2003年1月9日
發(fā)明者S·C·霍爾默 申請人:恩莫辛美國有限公司