專利名稱：Ic卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)要求防止偽造、改造等安全性的個(gè)人信息等的非接觸式電子卡，或者適合于薄片的個(gè)人認(rèn)證卡。
背景技術(shù)：
在身份證明卡(ID卡)或信用卡等方面，廣泛使用的是通過(guò)以往磁記錄方式記錄數(shù)據(jù)的磁卡。但是磁卡比較容易改寫數(shù)據(jù)，因此存在著防止數(shù)據(jù)改動(dòng)不夠充分，磁容易受外界影響，數(shù)據(jù)保護(hù)不夠充分，進(jìn)一步可記錄的容量小等缺點(diǎn)。
于是，近年來(lái)開始普及了內(nèi)置IC芯片的IC卡。IC卡通過(guò)設(shè)置于表面的電接點(diǎn)或卡內(nèi)部的環(huán)形天線，與外界機(jī)器讀寫數(shù)據(jù)。IC卡與磁卡相比，存儲(chǔ)容量大，并且安全性也大大提高。尤其是在卡內(nèi)部?jī)?nèi)置IC芯片以及用于與外界交換信息的天線、且卡外部沒(méi)有電接點(diǎn)的非接觸式IC卡，與在卡表面具有電接點(diǎn)的接觸式IC卡相比，安全性優(yōu)異，用于ID卡等對(duì)數(shù)據(jù)的機(jī)密性和防偽造改造性要求高的用途。
這種IC卡舉例有，第一個(gè)薄片材料與第二個(gè)薄片材料通過(guò)粘接劑粘接，在其粘接劑層中封入具有IC芯片和天線的IC模塊的IC卡。
IC卡因保密性要求高，所以從偽造改造角度看，其耐久性顯得很重要。尤其，因在卡內(nèi)部?jī)?nèi)置有用于與外界交換信息的天線等電子部件，所以為了確保其耐久性進(jìn)行了諸多嘗試。但是，在各種各樣用途的使用普及中，其進(jìn)一步高的耐久性顯得尤為重要。除了作為卡的特性外，還要求對(duì)如通常攜帶在褲袋等處的反復(fù)彎曲、掉落、硬幣等壓力的具有強(qiáng)的耐久性。對(duì)于此，提案有如對(duì)IC芯片設(shè)置牢固的增強(qiáng)構(gòu)造物等改良方案。
然而，雖然一定程度提高了耐久性，但無(wú)法對(duì)于各種狀況都能獲得充分的耐久性，如對(duì)受急劇應(yīng)力的沖擊的耐久性、受反復(fù)應(yīng)力的反復(fù)彎曲耐久性、反復(fù)局部荷重等，對(duì)這些情況會(huì)產(chǎn)生IC芯片破裂或卡破損的現(xiàn)象，進(jìn)而無(wú)法正常電工作等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上問(wèn)題點(diǎn)，目的在于提供提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，能夠保護(hù)IC芯片的IC卡。
為了解決所述問(wèn)題，并達(dá)到目的，本發(fā)明構(gòu)成如下。
第1項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于在相對(duì)置的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊膬蓚€(gè)支持體間的規(guī)定位置，通過(guò)粘接劑配置含有由IC芯片、與IC芯片鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物、天線構(gòu)成的IC模塊的部件的IC卡，其特征為，向所述IC卡賦予曲率半徑R1時(shí)，卡最外層的曲率半徑為R1’、與所述IC芯片鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物、所述IC芯片各自具有R2、R3的曲率半徑，且滿足R1＜R1’＜R2≤R3。
根據(jù)第1項(xiàng)記載的發(fā)明，在向IC卡賦予曲率半徑R1時(shí)，通過(guò)規(guī)定卡最外層、增強(qiáng)構(gòu)造物、IC芯片各自的曲率半徑，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
第2項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，當(dāng)所述增強(qiáng)構(gòu)造物和所述表面?zhèn)鹊闹С煮w間的粘接劑厚度為D1、所述增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度為T1時(shí)，D1/T1在0.001～0.05范圍內(nèi)，優(yōu)選D1/T1在0.002～0.04的范圍內(nèi)。
根據(jù)第2項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定增強(qiáng)構(gòu)造物和表面?zhèn)鹊闹С煮w間的粘接劑厚度與增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度之間的關(guān)系，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
第3項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，所述增強(qiáng)構(gòu)造物為與所述IC芯片鄰接粘接的金屬增強(qiáng)板，面積大于IC芯片面積，并且相對(duì)于金屬增強(qiáng)板水平面，從金屬增強(qiáng)板上端面連接到IC芯片上端面的角度為θ時(shí)， 滿足0.02＜tanθ＜0.2，優(yōu)選0.03＜tanθ＜0.15。
根據(jù)第3項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)將增強(qiáng)構(gòu)造物的構(gòu)造制成金屬增強(qiáng)板，將從金屬增強(qiáng)板連接到IC芯片上端面的角度設(shè)為θ，滿足0.02＜tanθ＜0.2，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
第4項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，當(dāng)所述IC芯片和所述表面?zhèn)鹊闹С煮w間的粘接劑厚度為D2、所述增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度為T1時(shí)，D2/T1在0.001～0.05范圍內(nèi)，優(yōu)選D2/T1在0.002～0.04的范圍內(nèi)。
根據(jù)第4項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定IC芯片和表面?zhèn)鹊闹С煮w間的粘接劑厚度與增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度之間的關(guān)系，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
第5項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)～第4項(xiàng)的任意一項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，鄰接于所述IC芯片及所述增強(qiáng)構(gòu)造物的粘接劑的2％彈性模量為5kg/mm2～55kg/mm2，破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度為200％～1300％，優(yōu)選2％彈性模量為6kg/mm2～50kg/mm2。另外，優(yōu)選前述增強(qiáng)構(gòu)造物的楊氏模量在150GPa～450GPa范圍內(nèi)。
根據(jù)第5項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定鄰接于IC芯片及增強(qiáng)構(gòu)造物的粘接劑的2％彈性模量、破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
第6項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)～第4項(xiàng)的任意一項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，所述IC芯片的厚度為5μm～100μm。
根據(jù)第6項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定IC芯片的厚度，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
第7項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)～第6項(xiàng)的任意一項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，相對(duì)置的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊膬蓚€(gè)支持體的表面的至少一面具有顯像層，在該顯像層上設(shè)置由姓名、面部畫像等構(gòu)成的個(gè)人識(shí)別信息，而另一面具有可筆記的筆記層。
根據(jù)第7項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)具有顯像層及筆記層，可用于存儲(chǔ)要求防止偽造、改造等安全性的個(gè)人信息等的非接觸式電子卡，或者適用于薄片的個(gè)人認(rèn)證卡。
第8項(xiàng)記載的發(fā)明是，對(duì)于第1項(xiàng)～第7項(xiàng)的任意一項(xiàng)記載的IC卡，其特征為，所述的粘接劑為反應(yīng)型熱熔粘接劑。
根據(jù)第8項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)粘接劑為反應(yīng)型熱熔粘接劑，可緩和應(yīng)力，得到高耐久性。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1為表示IC卡的簡(jiǎn)略層構(gòu)成的圖。
圖2為說(shuō)明IC卡的曲率半徑的圖。
圖3為說(shuō)明規(guī)定IC卡的粘接劑厚度與增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度之間關(guān)系的圖。
圖4為說(shuō)明連接金屬增強(qiáng)板到IC芯片上端面的角度規(guī)定的圖。
圖5為說(shuō)明IC卡的連接金屬增強(qiáng)板到IC芯片上端面的角度規(guī)定的圖。
圖6為表示IC卡的另一實(shí)施方式的簡(jiǎn)略層構(gòu)成的圖。
圖7為說(shuō)明IC卡的粘接劑厚度與增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度之間關(guān)系的圖。
圖8為表示IC模塊的構(gòu)成的圖。
圖9為表示IC模塊的另一實(shí)施方式的構(gòu)成的圖。
圖10為表示IC卡、個(gè)人認(rèn)證卡的層疊構(gòu)成的一例的圖。
圖11為表示卡制造裝置的圖。
圖12為表示IC卡的簡(jiǎn)略層構(gòu)成的圖。
圖13為沖切模裝置的整體簡(jiǎn)略斜視圖。
圖14為沖切模裝置的主要部位的正面端面圖。
圖15為表示IC卡彎曲的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的IC卡的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不局限于此。圖1為表示IC卡的簡(jiǎn)略層構(gòu)成的圖，圖2為說(shuō)明IC卡的曲率半徑的圖。
本發(fā)明IC卡在相對(duì)置的兩個(gè)支持體即表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體和第二個(gè)支持體間的規(guī)定位置，通過(guò)粘接劑3、4配置含有IC芯片5a、與IC芯片5a鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物5b、由天線5c構(gòu)成的IC模塊5的部件。該部件具有夾住IC模塊5的無(wú)紡布薄片10a、10b。
增強(qiáng)構(gòu)造物5b為在IC芯片5a的非電路面5a1上通過(guò)粘接劑20粘接的金屬增強(qiáng)板，在IC芯片5a的電路面5a2上連接有天線5c。粘接劑3、4優(yōu)選反應(yīng)型熱熔粘接劑。
還有，相對(duì)置的兩個(gè)支持體1、2的至少一方，在該實(shí)施方式中為第一個(gè)支持體1具有顯像層6，在該顯像層6上設(shè)置由姓名、面部畫像等構(gòu)成的個(gè)人識(shí)別信息7。該顯像層6上設(shè)有保護(hù)層8。還有，另一方的第二個(gè)支持體2具有可筆記的筆記層9。
還有，可在IC卡的顯像層6和支持體1之間設(shè)有緩沖層11。
本發(fā)明為，如圖2所示，向IC卡賦予曲率半徑R1時(shí)，卡最外層的曲率半徑為R1’、與IC芯片5a鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物5b、IC芯片5a各自具有曲率半徑為R2、R3，且R1＜R1’＜R2≤R3。向IC卡賦予曲率半徑時(shí)，如圖2所示，IC卡彎曲，但通過(guò)規(guī)定第一個(gè)支持體1和第二個(gè)支持體2的卡最外層、增強(qiáng)構(gòu)造物5b、IC芯片5a各自的曲率半徑為R1＜R1’＜R2≤R3，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片5a。
還有，本發(fā)明為，如圖3所示，當(dāng)增強(qiáng)構(gòu)造物5b和表面?zhèn)鹊闹С煮w1間的粘接劑厚度為D1、增強(qiáng)構(gòu)造物5b的最大長(zhǎng)度為T1時(shí)，D1/T1在0.001～0.05范圍。如果該增強(qiáng)構(gòu)造物5b和表面?zhèn)鹊闹С煮w1間的粘接劑厚度D1和增強(qiáng)構(gòu)造物5b的最大長(zhǎng)度T1之間的關(guān)系在規(guī)定范圍以下，則增強(qiáng)構(gòu)造物5b過(guò)大，而如果在規(guī)定范圍以上，則增強(qiáng)構(gòu)造物5b過(guò)小，但通過(guò)使D1/T1在0.001～0.05范圍，增強(qiáng)構(gòu)造物5b處于規(guī)定大小，因此能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片5a。
還有，如圖4和5所示，增強(qiáng)構(gòu)造物5b為與IC芯片5a鄰接粘接的金屬增強(qiáng)板，面積大于IC芯片面積，并且對(duì)于金屬增強(qiáng)板水平面，從金屬增強(qiáng)板上端面連接到IC芯片上端面的角度為θ時(shí)，0.02＜tanθ＜0.2。
通過(guò)把該增強(qiáng)構(gòu)造物5b的構(gòu)造制成金屬增強(qiáng)板，連接該金屬增強(qiáng)板到IC芯片上端面的角度θ為0.02＜tanθ＜0.2，使增強(qiáng)構(gòu)造物5b處于規(guī)定大小，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片5a。
還有，本發(fā)明為，如圖6和7所示，在PET薄片10c上設(shè)置由IC芯片5a、與IC芯片5a鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物5b、天線5c構(gòu)成的IC模塊5，當(dāng)IC芯片5a和表面?zhèn)鹊闹С煮w1間的粘接劑厚度為D2、增強(qiáng)構(gòu)造物5b的最大長(zhǎng)度為T1時(shí)，D2/T1在0.001～0.05范圍。如果該IC芯片5a和表面?zhèn)鹊闹С煮w1間的粘接劑厚度D2和增強(qiáng)構(gòu)造物5b的最大長(zhǎng)度T1之間的關(guān)系在規(guī)定范圍以下，則增強(qiáng)構(gòu)造物5b過(guò)大，而如果在規(guī)定范圍以上，則增強(qiáng)構(gòu)造物5b過(guò)小，但通過(guò)使D2/T1在0.001～0.05范圍，增強(qiáng)構(gòu)造物5b處于規(guī)定大小，因此能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片5a。
還有，本發(fā)明中，鄰接于IC芯片5a及增強(qiáng)構(gòu)造物5b的粘接劑的2％彈性模量為5kg/mm2～55kg/mm2，破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度為200％～1300％，通過(guò)規(guī)定粘接劑的2％彈性模量和破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度，可以分散IC芯片上的外界應(yīng)力，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。還有，IC芯片5a的厚度優(yōu)選為5μm～100μm。
進(jìn)一步，IC卡具有顯像層6及筆記層9，可用于存儲(chǔ)要求防止偽造改造等安全性的個(gè)人信息等的非接觸式電子卡，或者適用于薄片的個(gè)人認(rèn)證卡。
還有，作為粘接劑3、4，通過(guò)使用反應(yīng)型熱熔粘接劑，可緩和應(yīng)力，得到高耐久性。
下面，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明IC卡的構(gòu)成。
<支持體>
支持體舉例有如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯/間苯二甲酸酯共聚物等聚酯樹脂，聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯等聚烯烴樹脂，聚氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物等聚氟乙烯類樹脂，尼龍6、尼龍6.6等聚酰胺，聚氯乙烯、氯乙烯/醋酸乙烯共聚物、乙烯/醋酸乙烯共聚物、乙烯/乙烯醇共聚物、聚乙烯醇、維尼綸等乙烯共聚物，可生物降解脂肪族聚酯、可生物降解聚碳酸酯、可生物降解聚乳酸、可生物降解聚乙烯醇、可生物降解纖維素醋酸酯、可生物降解聚己內(nèi)酯等可生物降解樹脂，三醋酸纖維素、塞璐玢等纖維素類樹脂，聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丁酯等丙烯酸類樹脂，聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酰亞胺等合成樹脂片材，或優(yōu)質(zhì)紙、薄葉紙、玻璃紙、硫酸紙等紙，金屬箔等的單層體或兩層以上層疊體。
本發(fā)明的支持體的厚度為30～300μm，優(yōu)選50～200μm。如果在30μm以下，在粘合第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體時(shí)會(huì)引起熱收縮等問(wèn)題。本發(fā)明中，支持體優(yōu)選在150℃/30min的熱收縮率為縱向(MD)1.2％以下，橫向(TD)0.5％以下。
從第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體的兩方的面?zhèn)韧坎蓟蛘澈险辰觿﹣?lái)生產(chǎn)時(shí)，支持體會(huì)因溫度而引起熱收縮，在此后的裁斷工序、印刷工序中難以對(duì)齊位置，所以，優(yōu)選使用低溫粘接的粘接劑和在150℃/30min的熱收縮率為縱向(MD)1.2％以下且橫向(TD)0.5％以下的支持體，以免支持體發(fā)生收縮。
本發(fā)明中優(yōu)選使用混入白色顏料以提高隱蔽性或者進(jìn)行退火處理以減少熱收縮率得到的在150℃/30min的熱收縮率為縱向(MD)1.2％以下且橫向(TD)0.5％以下的支持體。如果縱向(MD)大于1.2％，橫向(TD)大于0.5％，則發(fā)現(xiàn)由于支持體收縮難以進(jìn)行上述的后續(xù)加工。還有，可以進(jìn)行易接處理以提高在上述支持體上的后續(xù)加工時(shí)的粘接性，也可以進(jìn)行抗靜電處理以保護(hù)芯片。
具體來(lái)說(shuō)，可以使用如帝人杜邦膜株式會(huì)社制造的U2系列、U4系列、UL系列，東洋紡織株式會(huì)社制造的クリスパ—G系列，東麗株式會(huì)社制造的E00系列、E20系列、E22系列、X20系列、E40系列、E60系列、QE系列。
第二個(gè)支持體可根據(jù)情況設(shè)置為形成該卡使用者的面部畫像的顯像層、緩沖層。個(gè)人認(rèn)證卡基體表面設(shè)置圖像要素，優(yōu)選設(shè)置選自面部畫像等認(rèn)證識(shí)別圖像、屬性信息圖像、格式印刷中的至少一種。
<顯像層>
顯像層可以使用公知的樹脂，如聚氯乙烯樹脂、氯化乙烯與其他單體(如異丁基醚、丙酸乙烯酯等)的共聚物樹脂、聚酯樹脂、聚(甲基)丙烯酸酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇、聚碳酸酯、三醋酸纖維素、聚苯乙烯、苯乙烯與其他單體(如丙烯酸酯、丙烯腈、氯化乙烯等)的共聚物、乙烯基甲苯丙烯酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰胺樹脂、尿素樹脂、環(huán)氧樹脂、苯氧樹脂、聚己內(nèi)酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、以及它們的改性物等，優(yōu)選聚氯乙烯樹脂、氯化乙烯與其他單體的共聚物樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、苯乙烯與其他單體的共聚物、環(huán)氧樹脂。
<緩沖層>
形成本發(fā)明緩沖層的材料優(yōu)選聚烯烴?？梢允褂萌缇垡蚁⒕郾⒁蚁?醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-加氫異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚丁二烯、光固化型樹脂層等具有柔軟性且導(dǎo)熱性低的材料。具體說(shuō)來(lái)可以使用特愿平2001-16934等中的緩沖層。
本發(fā)明的緩沖層是指，位于支持體和容納圖像的顯像層之間，起到緩和IC模塊等電子部件引起的凹凸影響作用的軟質(zhì)樹脂層。
該緩沖層只要是在顯像層和電子部件之間具有緩沖層的形態(tài)，則不做特殊限制，但特別優(yōu)選在支持體的單面或雙面涂布設(shè)置或者粘貼來(lái)形成。
<筆記層>
筆記層是能夠在ID卡的背面進(jìn)行筆記的層。這種筆記層可以通過(guò)把碳酸鈣、滑石、硅土、氧化鈦、硫酸鋇等無(wú)機(jī)細(xì)微粉末分散在熱塑性樹脂(聚乙烯等聚烯烴類或者各種共聚物等)薄膜中來(lái)形成?？梢杂锰亻_平1-205155號(hào)公報(bào)中記載的“寫入層”形成。所述筆記層形成于支持體上的未層疊多個(gè)層的那一面。
<粘接劑>
用于本發(fā)明IC卡的熱熔粘接劑可以使用通常所用的。熱熔粘接劑的主要成分舉例有如乙烯與醋酸乙烯酯共聚物(EVA)系、聚酯系、聚酰胺系、熱塑性彈性體系、聚烯烴系等。但是，這些發(fā)明中，如果卡基體容易彎曲，在卡表面設(shè)有通過(guò)熱敏轉(zhuǎn)印形成圖像的顯像層等高溫加工脆弱的層時(shí)，其層會(huì)受到損壞?；蛘咭蛟诟邷卣澈蠒?huì)引起基材的熱收縮而使尺寸及粘合時(shí)的位置精度變差等問(wèn)題，所以在通過(guò)粘接劑粘合時(shí)優(yōu)選在80℃以下粘合，進(jìn)一步優(yōu)選10～80℃，更進(jìn)一步優(yōu)選20～80℃。低溫粘接劑中具體地優(yōu)選反應(yīng)型熱熔粘接劑。反應(yīng)型熱熔粘接劑舉例有特開2000-036026、特開2000-219855、特開平2000-211278、特開平2000-219855、特愿平2000-369855中公開的濕氣固化型材料，特開平10-316959、特開平11-5964等中公開的光固化型粘接劑。
可以使用這些粘接劑的任意一種，優(yōu)選使用不影響本發(fā)明的材料。粘接劑的膜厚為，在本發(fā)明范圍內(nèi)，包括電子部件的厚度優(yōu)選10～600μm，更優(yōu)選10～500μm，進(jìn)一步優(yōu)選10μm～450μm。本發(fā)明中，通過(guò)使用5～55kg/mm2范圍的彈性模量低的粘接劑，可以緩和應(yīng)力，得到高耐久性。
<電子部件(IC模塊)>
電子部件是指信息記錄構(gòu)件，具體地是電存儲(chǔ)該電子卡使用者信息的、由IC芯片及連接于IC芯片的線圈狀天線構(gòu)成的IC模塊。IC芯片為儲(chǔ)存器或者包含儲(chǔ)存器的微型計(jì)算機(jī)等。根據(jù)情況也可以在電子部件中含有電容器。
本發(fā)明并不局限于此，只要是信息記錄構(gòu)件需要的電子部件則不做特別限制。IC模塊具有天線線圈，在具有天線圖案時(shí)，可以使用導(dǎo)電性糊印刷加工、或銅箔刻蝕加工、卷線熔敷加工等任意方法。
作為打印基板，使用聚酯等熱塑性膜，要求更高耐熱性時(shí)使用聚酰亞胺有利。IC芯片與天線圖案的粘接已知有使用銀糊、銅糊、碳糊等導(dǎo)電性粘接劑(日立化成工業(yè)的EN-4000系列、東芝化學(xué)的XAP系列等)、各向異性導(dǎo)電膜(日立化成工業(yè)制造的アニソルム等)的方法，或者進(jìn)行焊錫連接方法，可以使用其中的任意方法。
為了事先把含有IC芯片的部件載置在規(guī)定位置后填充粘接劑，由于粘接劑的流動(dòng)引起的剪切力而使連接部脫離，或者由于粘接劑的流動(dòng)或冷卻而損壞表面平滑性等，為了解決這些不利于穩(wěn)定性的情況，應(yīng)事先在基板片上形成粘接劑層，并在該粘接劑層內(nèi)封入部件，因此優(yōu)選將電子部件形成多孔質(zhì)樹脂薄膜、多孔質(zhì)發(fā)泡性樹脂薄膜、可撓性樹脂薄片、多孔樹脂薄片或無(wú)紡布薄片狀態(tài)來(lái)使用。例如可以使用特愿平11-105476號(hào)公報(bào)等中記載的方法。
作為無(wú)紡布薄片構(gòu)件，例如有無(wú)紡布等網(wǎng)眼狀織物，平紋織、斜紋織、緞子織的織物等。還有，也可以使用絨頭織物、長(zhǎng)絲絨、海豹絨、天鵝絨、スウェ一ド等具有絨毛的織物等。材質(zhì)舉例有選自尼龍6、尼龍66、尼龍8等聚酰胺系，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系、聚乙烯等聚烯烴系、聚乙烯醇系、聚偏氯乙烯系、聚氯乙烯系、聚丙烯腈、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等丙烯酸系，聚氰化偏乙烯系、聚氟乙烯系、聚氨酯系等合成樹脂，絲綢、棉、羊毛、纖維素系、纖維素酯系等天然纖維，再生纖維(人造絲、醋酸纖維)，アラミド纖維中的一種或組合兩種以上的纖維。
這些纖維材料中優(yōu)選尼龍6、尼龍66等聚酰胺系，聚丙烯腈、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等丙烯酸系，聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等聚酯系，纖維素系再生纖維，人造絲及醋酸纖維等纖維素酯系，アラミド纖維。還有，因?yàn)镮C芯片的點(diǎn)壓強(qiáng)度弱，所以IC芯片附近優(yōu)選有作為增強(qiáng)構(gòu)造物的金屬增強(qiáng)板。電子部件的全部厚度優(yōu)選10～300μm，進(jìn)一步優(yōu)選30～300μm，更優(yōu)選30～250μm。
作為本發(fā)明的第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體之間設(shè)置規(guī)定電子部件的制造方法，有熱粘合法、粘接劑粘合法以及注射成型法，可以使用任意方法粘合。還有，可以在粘合第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體之前或之后進(jìn)行格式印刷或信息記錄，可以用膠版印刷、照相凹版印刷、絲網(wǎng)印刷、網(wǎng)板印刷、凹版印刷、凸版印刷、噴墨方式、升華轉(zhuǎn)印方式、電子照相方式、熱熔融方式等任意方式形成。
本發(fā)明的IC卡的制造方法優(yōu)選至少具備在卡用支持體上設(shè)置常溫狀態(tài)下為固態(tài)或粘稠體、在加熱狀態(tài)軟化的粘接構(gòu)件的工序和，在該支持體上配置電子部件的工序和，為覆蓋該支持體上電子部件配置設(shè)置了粘接構(gòu)件的表面用支持體的工序和，在規(guī)定加壓加溫條件下粘合支持體、電子部件及表面用支持體的工序，進(jìn)行粘合。
該固態(tài)或粘稠體的加熱狀態(tài)下軟化的粘接構(gòu)件優(yōu)選以薄片狀形成粘接劑來(lái)設(shè)置的方法，以及在加熱或常溫下熔融粘接劑注射成型進(jìn)行粘接。
在第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體之間設(shè)置規(guī)定電子部件的可粘接溫度優(yōu)選小于80℃，更優(yōu)選在0～80℃，進(jìn)一步優(yōu)選在20～70℃。粘合后為了減少支持體的彎曲等現(xiàn)象優(yōu)選設(shè)置冷卻工序。冷卻溫度優(yōu)選小于70℃，更優(yōu)選在-10～70℃，進(jìn)一步優(yōu)選在10～60℃。
粘合時(shí)，為了提高基材的表面平滑性、第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體之間的規(guī)定的電子部件的粘接性，優(yōu)選進(jìn)行加熱及加壓，優(yōu)選用上下壓制方式、層壓方式等制造。進(jìn)一步，考慮到IC芯片的破裂，不使用與電線接觸近的只要稍微偏置就施加不需要的彎曲力的輥，優(yōu)選平面壓制模。加熱優(yōu)選10～120℃，更優(yōu)選30～100℃。加壓優(yōu)選0.1～300kgf/cm2，更優(yōu)選0.1～100kgf/cm2。如果壓力大于此，則IC芯片將破損。加熱及加壓時(shí)間優(yōu)選0.1～180sec，更優(yōu)選0.1～120sec。
本發(fā)明的IC卡優(yōu)選在IC芯片上直接設(shè)置粘接劑。這樣可以緩和IC芯片上的應(yīng)力，提高耐久性。
通過(guò)前述粘接劑粘合法或樹脂注射成型法以連續(xù)薄片形成粘合的每張薄片或連續(xù)涂布層壓卷在符合粘接劑的規(guī)定固化時(shí)間的時(shí)間內(nèi)放置后，可以記錄認(rèn)證識(shí)別圖像或目錄事項(xiàng)，也可以在此后以規(guī)定的卡尺寸成型。以規(guī)定的卡尺寸形成的方法主要使用沖切法、裁斷法等。
<圖像記錄體的圖像形成法的一般記載>
本發(fā)明的IC卡的圖像記錄體設(shè)有圖像要素，形成在設(shè)有選自面部畫像等認(rèn)證識(shí)別圖像、屬性信息圖像、格式印刷中的至少一種基體上的圖像或印刷面一側(cè)。面部畫像通常為具有色調(diào)的全彩圖像，可以根據(jù)如升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄方式、鹵化銀彩色照片方式等制成。并且，文字信息圖像是由二值圖像構(gòu)成，根據(jù)如熔融型熱敏轉(zhuǎn)印記錄方式、升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄方式、鹵化銀彩色照片方式、電子照片方式、噴墨方式等制成。
本發(fā)明中優(yōu)選根據(jù)升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄方式記錄面部畫像等認(rèn)證識(shí)別圖像、屬性信息圖像。屬性信息是指姓名、住所、生年月日、資格等，屬性信息通常以文字信息記錄，一般使用熔融型熱敏轉(zhuǎn)印記錄方式?？梢赃M(jìn)行格式印刷或信息記錄，可根據(jù)膠版印刷、照相凹版印刷、絲網(wǎng)印刷、網(wǎng)板印刷、凹版印刷、凸版印刷、噴墨方式、升華轉(zhuǎn)印方式、電子照相方式、熱熔融方式等任意方式形成。
進(jìn)一步，為了防止偽造改造，也可以采用透明印刷、全息圖、細(xì)紋等。防偽層可適當(dāng)選擇印刷物、全息圖、條形碼、無(wú)光澤花紋、細(xì)紋、底紋、凹凸圖案等，由可見光吸收顏色材料、紫外線吸收材料、紅外線吸收材料、熒光增白材料、玻璃蒸鍍層、玻璃珠層、光學(xué)變化元件層、珍珠墨水層、鄰片顏料層等構(gòu)成。
升華圖像形成方法升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄用墨水薄片可以由支持體和形成于其上的含升華性色素墨水層構(gòu)成。
-支持體-支持體只要尺寸穩(wěn)定性好，且可耐受用熱敏頭記錄時(shí)的熱，則不做特別限定，可以使用現(xiàn)有的公知的材料。
-含升華性色素墨水層-上述含升華性色素墨水層基本上含有升華性色素和粘合劑。所述升華性色素舉例有藍(lán)色素、洋紅色素、黃色素。所述藍(lán)色素舉例有特開昭59-78896號(hào)公報(bào)、59-227948號(hào)公報(bào)、60-24966號(hào)公報(bào)、60-53563號(hào)公報(bào)、60-130735號(hào)公報(bào)、60-131292號(hào)公報(bào)、60-239289號(hào)公報(bào)、61-19396號(hào)公報(bào)、61-22993號(hào)公報(bào)、61-31292號(hào)公報(bào)、61-31467號(hào)公報(bào)、61-35994號(hào)公報(bào)、61-49893號(hào)公報(bào)、61-148269號(hào)公報(bào)、62-191191號(hào)公報(bào)、63-91288號(hào)公報(bào)、63-91287號(hào)公報(bào)、63-290793號(hào)公報(bào)等中記載的萘醌系色素、蒽醌系色素、甲亞胺系色素等。
所述洋紅色素舉例有特開昭59-78896號(hào)公報(bào)、60-30392號(hào)公報(bào)、60-30394號(hào)公報(bào)、60-253595號(hào)公報(bào)、61-262190號(hào)公報(bào)、63-5992號(hào)公報(bào)、63-205288號(hào)公報(bào)、64-159號(hào)公報(bào)、64-63194號(hào)公報(bào)等各公報(bào)中記載的蒽醌系色素、偶氮色素、甲亞胺系色素等。黃色素舉例有特開昭59-78896號(hào)公報(bào)、60-27594號(hào)公報(bào)、60-31560號(hào)公報(bào)、60-53565號(hào)公報(bào)、61-12394號(hào)公報(bào)、63-122594號(hào)公報(bào)等公報(bào)中記載的甲川色素、偶氮系色素、奎酞酮色素及蒽異噻唑系色素。
還有，升華性色素尤其優(yōu)選具有開鏈型或閉鏈型活性亞甲基的化合物、與對(duì)苯二胺衍生物的氧化體或?qū)Π被椒友苌锏难趸w進(jìn)行偶合反應(yīng)得到的甲亞胺色素，以及與酚或萘酚衍生物或?qū)Ρ蕉费苌锏难趸w或?qū)Π被椒友苌锏难趸w進(jìn)行偶合反應(yīng)得到的靛苯胺色素。
還有，顯像層中混有含金屬離子化合物時(shí)，含升華性色素墨水層中優(yōu)選含有與該含金屬離子化合物反應(yīng)形成螯合物的升華性色素。這種可形成螯合物的升華性色素舉例有如特開昭59-78893號(hào)公報(bào)、59-109349號(hào)公報(bào)、特愿平2-213303號(hào)、2-214719號(hào)、2-203742號(hào)中記載的至少能夠形成兩配位的螯合物的藍(lán)色素、洋紅色素及黃色素?？尚纬沈衔锏膬?yōu)選的升華性色素可用下述通式表示。
X1-N＝N-X2-G其中，X1表示至少一個(gè)環(huán)由5～7個(gè)原子構(gòu)成的芳香族碳環(huán)，或者為完成雜環(huán)所需的原子的集合，結(jié)合成偶氮鍵的碳原子的鄰位的至少一個(gè)為氮原子或被螯合化基取代的碳原子。X2表示至少一個(gè)環(huán)由5～7個(gè)原子構(gòu)成的芳香族雜環(huán)，或芳香族碳環(huán)。G表示螯合化基。
對(duì)于任意一種升華性色素，所述含升華性色素墨水層中含有的升華性色素，只要所要形成的圖像為單色，則可以是黃色素、洋紅色素、及藍(lán)色素的任意一種，根據(jù)所要形成的圖像的色調(diào)可以含有所述三種色素中的任意兩種以上色素，或者其他升華性色素。所述升華性色素的使用量通常對(duì)每1m2支持體為0.1～20g，優(yōu)選0.2～5g。墨水層的粘合劑不做特別限制，可以使用現(xiàn)有的公知的粘合劑。進(jìn)一步，所述墨水層中可以適當(dāng)添加現(xiàn)有的公知的各種添加劑。升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄用墨水薄片的制備方法是，把形成墨水層的所述各種成分分散或溶解于溶劑中來(lái)調(diào)制墨水層形成用涂裝液，然后將其涂裝到支持體表面，并干燥。這樣形成的墨水層的膜厚通常為0.2～10μm，優(yōu)選為0.3～3μm。
<斷裂伸長(zhǎng)、2％彈性模量的測(cè)定方法>
將粘接劑制成固化后厚度500μm的粘接劑薄片，把該粘接劑薄片用株式會(huì)社オリェンテツクテンシロン公司的萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)RTA-100按照ASTM D638，測(cè)定拉伸彈性模量、拉伸破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度。
實(shí)施例下面舉實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于此。以下中“份”表示“重量份”。
(粘接劑的制作)粘接劑1使用Henkel公司制造的Macroplast QR3460(濕氣固化型粘接劑)。
(IC模塊的制作)IC模塊1把厚度50μm、3×3mm正方形的IC芯片，由SUS301構(gòu)成的厚度120μm的4×4mm正方形板狀的第一個(gè)增強(qiáng)板用環(huán)氧樹脂粘接在電路面和相反側(cè)，形成線圈型天線，粘合到形成于IC芯片的凸緣上。接著，用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯纖維構(gòu)成的無(wú)紡布從兩側(cè)夾住IC模塊，制成IC模塊1。
把IC芯片上端面和增強(qiáng)板上端面的最大角度定為θ時(shí)，tanθ＝0.11。示于圖8。
IC模塊2把厚度25μm、3×3mm正方形的IC芯片，由SUS301構(gòu)成的厚度120μm的5×5mm正方形板狀的第一個(gè)增強(qiáng)板用環(huán)氧樹脂粘接在電路面和相反側(cè)，形成線圈型天線，粘合到形成于IC芯片的凸緣上。接著，用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯纖維構(gòu)成的無(wú)紡布從兩側(cè)夾住IC模塊，制成IC模塊薄片，得到IC模塊2。把IC芯片上端面和增強(qiáng)板上端面的最大角度定為θ時(shí)，tanθ＝0.03。
IC模塊3把厚度120μm、3×3mm正方形的IC芯片，由SUS301構(gòu)成的厚度120μm的4×4mm正方形板狀的第一個(gè)增強(qiáng)板用環(huán)氧樹脂粘接在電路面和相反側(cè)，形成線圈型天線，粘合到形成于IC芯片的凸緣上。接著，用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯纖維構(gòu)成的無(wú)紡布從兩側(cè)夾住IC模塊，制成IC模塊薄片，得到IC模塊3。把IC芯片上端面和增強(qiáng)板上端面的最大角度定為θ時(shí)，tanθ＝0.25。
IC模塊4在通過(guò)刻蝕形成天線圖案的厚度38μm的支持體上設(shè)置天線印刷5μm，把厚度60μm、3×3mm正方形的IC芯片與20μm厚導(dǎo)電性粘接劑粘接，把由SUS301構(gòu)成的厚度120μm的4×4mm正方形板狀的第一個(gè)增強(qiáng)板在電路面和相反側(cè)用環(huán)氧樹脂以10μm厚粘接，得到IC模塊4。把IC芯片上端面和增強(qiáng)板上端面的最大角度定為θ時(shí)，tanθ＝0.14。示于圖9。
<實(shí)施例1>
(IC卡的制作)圖10為本發(fā)明的IC卡、個(gè)人認(rèn)證卡的層疊構(gòu)成的一例。
支持體1表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體及背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體使用厚度125μm的白色聚酯薄片。
支持體2表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體及背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體使用厚度188m的白色聚酯薄片。
(表面?zhèn)戎С煮w的制作)<支持體1>
在125μm的電暈放電處理的面上，依次涂布下述組成的第一個(gè)顯像層形成用涂裝液、第二個(gè)顯像層形成用涂裝液及第三個(gè)顯像層形成用涂裝液，并干燥，以各自厚度0.2μm、2.5μm、0.5μm層疊，形成顯像層。
<第一個(gè)顯像層形成用涂裝液>
聚乙烯醇縮丁醛樹脂[積水化學(xué)工業(yè)(株)制造エスレツクBL-1]9份異氰酸酯[日本聚氨酯工業(yè)(株)制造コロネ—トHX]1份甲基乙基酮80份醋酸丁酯 10份<第二個(gè)顯像層形成用涂裝液>
聚乙烯醇縮丁醛樹脂[積水化學(xué)工業(yè)(株)制造エスレツクBX-1]6份含金屬離子化合物(化合物MS)4份甲基乙基酮80份醋酸丁酯 10份<第三個(gè)顯像層形成用涂裝液>
聚乙烯蠟[東邦化學(xué)工業(yè)(株)制造Hightech E1000]2份聚氨酯改性乙烯丙烯酸共聚物[東邦化學(xué)工業(yè)(株)制造Hightech S6254]8份甲基纖維素[信越化學(xué)工業(yè)(株)制造SM15]0.1份水90份(格式印刷)由樹脂凸版印刷法依次印刷聯(lián)合活字(ロゴ)和OP清漆(ニス)。
(背面?zhèn)鹊谝粋€(gè)支持體的制成)(筆記層的制作)對(duì)所述支持體背面薄片125μm進(jìn)行電暈放電處理的面上，依次涂布下述組成的第一個(gè)筆記層形成用涂裝液、第二個(gè)筆記層形成用涂裝液及第三個(gè)筆記層形成用涂裝液，并干燥，以各自厚度5μm、15μm、0.2μm層疊，形成筆記層。
<第一個(gè)筆記層形成用涂裝液>
聚酯樹脂[東洋紡織(株)制造バイロン 200] 8份異氰酸酯[日本聚氨酯工業(yè)(株)制造コロネ—トHX]1份炭黑 微量二氧化鈦粒子[石原產(chǎn)業(yè)(株)制造CR80] 1份甲基乙基酮80份醋酸丁酯 10份<第二個(gè)筆記層形成用涂裝液>
聚酯樹脂[東洋紡織(株)制造バイロナ—ルMD1200]4份二氧化硅 5份二氧化鈦粒子[石原產(chǎn)業(yè)(株)制造CR80] 1份水90份<第三個(gè)筆記層形成用涂裝液>
聚酰胺樹脂[三和化學(xué)工業(yè)(株)制造サンマイド 55] 5份甲醇 95份所得筆記層的中心線平均粗度為1.34μm。
(IC卡用薄片的制作)圖11為本發(fā)明IC卡制造裝置的例子。
IC卡的制造裝置100上設(shè)置有送出第一個(gè)支持體1的送出軸110，由該送出軸110送出的第一個(gè)支持體1被導(dǎo)輥111、驅(qū)動(dòng)輥112架設(shè)來(lái)供給。送出軸110與導(dǎo)輥111之間配有涂布器113。涂布器113把粘接劑3以規(guī)定厚度涂裝到薄片上。
還有，IC卡的制造裝置100上設(shè)置有送出第二個(gè)支持體2的送出軸114，由該送出軸114送出的第二個(gè)支持體2被導(dǎo)輥115、驅(qū)動(dòng)輥116架設(shè)來(lái)供給。送出軸114與導(dǎo)輥115之間配有涂布器117。涂布器117把粘接劑4以規(guī)定厚度涂裝到薄片上。
涂裝有粘接劑的第一個(gè)支持體1和第二個(gè)支持體2是從分離對(duì)置的狀態(tài)至接觸，沿著輸送道118輸送。第一個(gè)支持體1和第二個(gè)支持體2的分離對(duì)置的位置上插入IC模塊5。IC模塊5以單體或以薄片或輥狀多個(gè)供給。IC卡的制造裝置100的輸送路118中沿著第一個(gè)支持體1和第二個(gè)支持體2的輸送方向配有加熱層壓部119、切斷部120。加熱層壓優(yōu)選為真空加熱層壓。另外，加熱層壓部119的前面可以設(shè)有保護(hù)膜供給部。加熱層壓部119由在輸送路118的上下對(duì)置配置的平模的加熱層壓上模121和加熱層壓下模122構(gòu)成。加熱層壓上模121和下模122設(shè)置成可在相互接離的方向上移動(dòng)。經(jīng)過(guò)加熱層壓部119后用切斷部從薄片材料切割成規(guī)定大小。
(IC卡用薄片1的制作)使用圖11的卡制造裝置，使用背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體及具有顯像層的表面?zhèn)鹊谝粋€(gè)支持體作為第一個(gè)支持體及第二個(gè)支持體。在具有顯像層的表面?zhèn)鹊谝粋€(gè)支持體上用T沖模涂裝粘接劑1成80μm厚，在背面?zhèn)鹊诙€(gè)支持體上用T沖模涂裝粘接劑1成380μm厚，在該附加粘接劑表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體上把圖8所示構(gòu)成的IC模塊1如圖12裝載到電路面為表面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體側(cè)上，用上下的薄片夾住，在70℃層壓1分鐘來(lái)制作。
這樣制作的IC卡用薄片的厚度為760μm。制作后在25℃、50％RH的環(huán)境下保存7天。如圖3所示增強(qiáng)板與支持體間的粘接劑的厚度D1為70μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D1/T1＝0.012。IC芯片與支持體間的粘接劑的厚度D2為210μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D2/T1＝0.037。
(沖切)把這樣制作的IC卡用薄片，根據(jù)如下IC卡的沖切模裝置實(shí)施沖切加工。
圖13為沖切模裝置的全體簡(jiǎn)略斜視圖，圖14為沖切模裝置的主要部位的正面端面圖。
該沖切模裝置具有具備上刃210及下刃220的沖切模。并且，上刃210含有在外延的內(nèi)側(cè)設(shè)有退刀槽241的沖切用沖頭211，下刃220具有沖切用沖模221。把沖切用沖頭211下降到設(shè)置于沖切用沖模221中央的沖模孔222，以沖切與沖?？?22一樣大小的IC卡。還有，因?yàn)槿绱?，沖切用沖頭211的尺寸要稍微小于沖模孔222的尺寸。
在進(jìn)行所述沖切加工的IC卡上，如下進(jìn)行設(shè)有面部畫像和屬性信息和格式印刷，制作個(gè)人認(rèn)證卡。
(升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄用墨水薄片的制作)在背面進(jìn)行了防止熔融加工的厚度6μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄片上將下述組成的黃墨水層形成用涂裝液、洋紅墨水層形成用涂裝液、藍(lán)墨水層形成用涂裝液設(shè)置成各自厚1μm，得到黃、洋紅、藍(lán)的三色墨水薄片。
<黃墨水層形成用涂裝液>
黃色染料(化合物Y-1) 3份聚乙烯醇縮乙醛[電氣化學(xué)工業(yè)(株)制造デンカブチラ—ルKY-24]5.5份聚甲基丙烯酸甲酯改性聚苯乙烯 1份[東亞合成化學(xué)工業(yè)(株)制造レデダGP-200]聚氨酯改性硅油[大日精化工業(yè)(株)制造ダイアロマ—SP-2105] 0.5份甲基乙基酮 70份甲苯 20份<洋紅墨水層形成用涂裝液>
洋紅色染料(化合物M-1)2份聚乙烯醇縮乙醛[電氣化學(xué)工業(yè)(株)制造デンカブチラ—ルKY-24)5.5份聚甲基丙烯酸甲酯改性聚苯乙烯 2份[東亞合成化學(xué)工業(yè)(株)制造レデダGP-200]聚氨酯改性硅油[大日精化工業(yè)(株)制造ダイアロマ—SP-2105] 0.5份甲基乙基酮 70份甲苯 20份<藍(lán)墨水層形成用涂裝液>
藍(lán)色染料(化合物C-1) 1.5份藍(lán)色染料(化合物C-2) 1.5份聚乙烯醇縮乙醛[電氣化學(xué)工業(yè)(株)制造デンカブチラ—ルKY-24]5.5份聚甲基丙烯酸甲酯改性聚苯乙烯 1份[東亞合成化學(xué)工業(yè)(株)制造レデダGP-200]聚氨酯改性硅油[大日精化工業(yè)(株)制造ダイアロマ—SP-2105] 0.5份甲基乙基酮 70份甲苯 20份(熔融型熱敏轉(zhuǎn)印記錄用墨水薄片的制作)在背面進(jìn)行了防止熔融加工的6μm厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄片上，將下述組成的墨水層形成用涂裝液涂布并干燥成厚度為2μm，得到墨水薄片。
<墨水層形成用涂裝液>
巴西棕櫚蠟 1份乙烯醋酸乙烯共聚物[三井杜邦化學(xué)(株)制造EV40Y] 1份炭黑 3份酚醛樹脂[荒川化學(xué)工業(yè)(株)制造タマノル521]5份甲基乙基酮 90份(面部畫像的形成)將顯像層和升華型熱敏轉(zhuǎn)印記錄用墨水薄片的墨水側(cè)重疊，從墨水薄片側(cè)使用熱頭，在功率0.23W/點(diǎn)、脈沖幅0.3～4.5m秒、點(diǎn)密度16點(diǎn)/mm的條件下加熱，在顯像層形成圖像中具有色調(diào)性的人物圖像。該圖像中上述色素和顯像層的鎳形成絡(luò)合物。
(文字信息的形成)將OP清漆部和熔融型熱敏轉(zhuǎn)印記錄用墨水薄片的墨水側(cè)重疊，從墨水薄片側(cè)使用熱頭，在功率0.5W/點(diǎn)、脈沖幅1.0m秒、點(diǎn)密度16點(diǎn)/mm的條件下加熱，在OP清漆上形成文字信息。
[表面保護(hù)層形成方法][活性光線固化型轉(zhuǎn)印箔1的制作]在設(shè)有0.1μm氟樹脂層脫膜層的25μm厚聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜2的脫膜層上，層疊下述組成物，制作活性光線固化型轉(zhuǎn)印箔1。
(活性光線固化性化合物)新中村化學(xué)社制造的A-9300/新中村化學(xué)社制造的EA-1020＝35/11.75份引發(fā)劑イルガキュア184日本チバダイギ一社制造 5份添加劑含有不飽和基的樹脂 5份其他添加劑 48份大日本油墨表面活性劑F-179 0.25份<中間層形成涂裝液> 膜厚1.0μm聚乙烯醇縮丁醛樹脂[積水化學(xué)(株)制造エスレツクBX-1] 3.5份タフテツクスM-1913(旭化成) 5份固化劑聚異氰酸酯(コロネ—トHX 日本聚氨酯工業(yè)制造)1.5份甲基乙基酮 90份涂布后固化劑的固化在50℃進(jìn)行24小時(shí)。
<粘接層形成涂裝液> 膜厚0.5μm聚氨酯改性乙烯丙烯酸乙酯共聚物[東邦化學(xué)工業(yè)(株)制造Hightech S6254B]8份聚丙烯酸酯共聚物[日本純藥(株)制造ジュリマ—AT510] 2份水 45份乙醇45份進(jìn)一步，在記錄了圖像、文字的前述顯像體上，使用由所述構(gòu)成形成的活性光線固化型轉(zhuǎn)印箔1，用加熱至表面溫度200℃、直徑5cm橡膠硬度85的加熱輥，在150kg/cm2壓力施加1.2秒的熱，進(jìn)行轉(zhuǎn)印。
將制作的IC卡如圖3、5、15沿著長(zhǎng)邊方向，使表面、背面?zhèn)染訰＝25mm各自強(qiáng)烈卷成圓筒并固定24小時(shí)后，IC正常工作。進(jìn)行100次重復(fù)彎曲試驗(yàn)后，沒(méi)有變形，IC正常工作。
反復(fù)彎曲試驗(yàn)使用JIS K的彎曲試驗(yàn)裝置，夾緊芯片上面，進(jìn)行振幅50mm、間隙30mm、120次/分鐘的反復(fù)彎曲100次。
用前端直徑R＝1mm的鋼球?qū)C芯片的電路面、非電路面各自硬度50的橡膠薄片上施加1kg荷重10次，未破壞。將制作的IC卡卷成曲率半徑R＝25mm的圓筒，并固定，直接切斷，并用圖像解析裝置分析其裁斷面的結(jié)果，如圖2所示，曲率半徑R為，卡的彎曲內(nèi)側(cè)R1＝25mm、卡最外層的R1’＝26mm、增強(qiáng)板的R2＝31mm、IC芯片的R3＝32.5mm。
<實(shí)施例2>
除了使用支持體2作為表背支持體，如下制成IC卡用薄片2以外，與實(shí)施例1相同來(lái)制作。
(IC卡用薄片2的制作)使用圖11的卡制造裝置，使用將支持體2作為第一個(gè)支持體及第二個(gè)支持體制成的前述背面支持體及具有顯像層的表面支持體。
在具有顯像層的表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體上使用T沖模將粘接劑1涂裝成34μm厚度，在背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體上使用T沖模將粘接劑1涂裝成300μm厚度，在帶有該粘接劑的表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體上，把如圖8所示構(gòu)成的IC模塊，如圖12放置成電路面為背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體側(cè)，用上下薄片夾住，在70℃層壓1分鐘來(lái)制作。
這樣制作的IC卡用薄片的厚度為760μm。制作后在25℃、50％RH的環(huán)境下保存7天。如圖3所示增強(qiáng)板與支持體間的粘接劑的厚度D1為30μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D1/T1＝0.005。
IC芯片與支持體間的粘接劑的厚度D2為120μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D2/T1＝0.022。
將制作的IC卡在長(zhǎng)邊方向使表面、背面?zhèn)染訰＝25mm各自強(qiáng)烈卷成圓筒并固定24小時(shí)后，IC正常工作。進(jìn)行100次重復(fù)彎曲試驗(yàn)后，沒(méi)有變形，IC正常工作。用前端直徑R＝1mm的鋼球?qū)C芯片的電路面、非電路面各自硬度50的橡膠薄片上施加1kg荷重10次，未破壞。將制作的IC卡卷成曲率半徑R＝25mm的圓筒，并用樹脂固定，直接切斷，用圖像解析裝置分析其裁斷面的結(jié)果，曲率半徑R為，卡的彎曲內(nèi)側(cè)R1＝25mm、卡最外層的R1’＝25.9mm、增強(qiáng)板的R2＝29mm、IC芯片的R3＝30.5mm。
<實(shí)施例3>
除了IC模塊為IC模塊2以外，與實(shí)施例2相同來(lái)制作。增強(qiáng)板與支持體間的粘接劑的厚度D1為30μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D1/T1＝0.004。IC芯片與支持體間的粘接劑的厚度D2為149μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D2/T1＝0.021。
將制作的IC卡在長(zhǎng)邊方向使表面、背面?zhèn)染訰＝25mm各自強(qiáng)烈卷成圓筒并固定24小時(shí)后，IC正常工作。進(jìn)行100次重復(fù)彎曲試驗(yàn)后，沒(méi)有變形，IC正常工作。用前端直徑R＝1mm的鋼球?qū)C芯片的電路面、非電路面各自硬度50的橡膠薄片上施加1kg荷重10次，未破壞。將制作的IC卡卷成曲率半徑R＝25mm的圓筒，并用樹脂固定，直接切斷，用圖像解析裝置分析其裁斷面的結(jié)果，曲率半徑R為，卡的彎曲內(nèi)側(cè)R1＝25mm、卡最外層的R1’＝25.9mm、增強(qiáng)板的R2＝29mm、IC芯片的R3＝29mm。
<實(shí)施例4>
除了使用支持體2作為表背支持體，如下制作IC卡用薄片3，并用IC模塊4作為IC模塊以外，與實(shí)施例1相同來(lái)制作。
(IC卡用薄片3的制作)使用圖11的卡制造裝置，把用支持體2制成的前述背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體及具有顯像層的表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體作為第一個(gè)支持體及第二個(gè)支持體。在具有顯像層的表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體上使用T沖模將粘接劑1涂裝成30μm厚度，在背面?zhèn)鹊牡诙€(gè)支持體上使用T沖模將粘接劑1涂裝成266μm厚度，在帶有該粘接劑的表面?zhèn)鹊牡谝粋€(gè)支持體上，把如圖8所示構(gòu)成的IC模塊1，如圖6放置成電路面為表面支持體側(cè)，用上下薄片夾住，在70℃層壓1分鐘來(lái)制作。這樣制成的IC卡用薄片的厚度為760μm。制作后在25℃、50％RH的環(huán)境下保存7天。
如圖7所示，增強(qiáng)板與支持體間的粘接劑的厚度D1為51μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D1/T1＝0.009。IC芯片與支持體間的粘接劑的厚度D2為30μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D2/T1＝0.009。
將制作的IC卡在長(zhǎng)邊方向使表面、背面?zhèn)染訰＝25mm各自強(qiáng)烈卷成圓筒并固定24小時(shí)后，IC正常工作。進(jìn)行100次重復(fù)彎曲試驗(yàn)后，沒(méi)有變形，IC正常工作。用前端直徑R＝1mm的鋼球?qū)C芯片的電路面、非電路面各自硬度50的橡膠薄片上施加1kg荷重10次，未破壞。
將制作的IC卡卷成曲率半徑R＝25mm的圓筒，并用粘接劑固定，直接切斷，并用圖像解析裝置分析其裁斷面的結(jié)果，曲率半徑R為，卡的彎曲內(nèi)側(cè)R1＝25mm、卡最外層的R1’＝25.9mm、增強(qiáng)板的R2＝28.5mm、IC芯片的R3＝29mm。
<實(shí)施例5>
除了用IC模塊3作為IC模塊以外，與實(shí)施例2相同來(lái)制成。增強(qiáng)板與支持體間的粘接劑的厚度D1為30μm，與作為增強(qiáng)構(gòu)造物的增強(qiáng)板的最大長(zhǎng)度T1之比為D1/T1＝0.004。IC芯片與支持體間的粘接劑的厚度D2為54μm，D2/T1＝0.01。
將制作的IC卡在長(zhǎng)邊方向使表面、背面?zhèn)染訰＝25mm各自強(qiáng)烈卷成圓筒并固定24小時(shí)后，IC正常工作。進(jìn)行100次重復(fù)彎曲試驗(yàn)后，沒(méi)有變形，IC正常工作。用前端直徑R＝1mm的鋼球?qū)C芯片的電路面、非電路面各自硬度50的橡膠薄片上施加1kg荷重10次，8次便破壞。
將制作的IC卡卷成曲率半徑R＝25mm的圓筒，并用粘接劑固定，直接切斷，并用圖像解析裝置分析其裁斷面的結(jié)果，曲率半徑R為，卡的彎曲內(nèi)側(cè)R1＝25mm、卡最外層的R1’＝25.9mm、增強(qiáng)板的R2＝29mm、IC芯片的R3＝29mm。
<比較例1>
除了使用ァロンァルフアGEL-10(2％彈性模量60kg/mm2，破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度5％，東亞合成公司制造)作為粘接劑，涂裝粘接劑后馬上在23℃層壓以外，與實(shí)施例5相同來(lái)制作。將制作的IC卡在長(zhǎng)邊方向使表面、背面?zhèn)染訰＝25mm各自強(qiáng)烈卷成圓筒并固定24小時(shí)后，IC無(wú)法工作。進(jìn)行100次重復(fù)彎曲試驗(yàn)后，卡被折斷，IC無(wú)法工作。用前端直徑R＝1mm的鋼球?qū)C芯片的電路面、非電路面各自硬度50的橡膠薄片上施加1kg荷重1次便破壞，無(wú)法工作。
將制作的IC卡卷成曲率半徑R＝25mm的圓筒，并用粘接劑固定，直接切斷，并用圖像解析裝置分析其裁斷面的結(jié)果，曲率半徑R為，卡的彎曲內(nèi)側(cè)R1＝25mm、卡最外層的R1’＝25.8mm、增強(qiáng)板的R2＝25.5mm、IC芯片的R3＝25.7mm。
如上所述，根據(jù)第1項(xiàng)記載的發(fā)明，在向IC卡賦予曲率半徑時(shí)，通過(guò)規(guī)定卡最外層、增強(qiáng)構(gòu)造物、IC芯片各自的曲率半徑，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
根據(jù)第2項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定增強(qiáng)構(gòu)造物和表面?zhèn)鹊闹С煮w間的粘接劑厚度與增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度之間的關(guān)系，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
根據(jù)第3項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)把增強(qiáng)構(gòu)造物的構(gòu)造制成金屬增強(qiáng)板，使從金屬增強(qiáng)板上端面連接IC芯片上端面的角度θ滿足0.02＜tanθ＜0.2，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
根據(jù)第4項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定IC芯片和表面?zhèn)鹊闹С煮w間的粘接劑厚度與增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度之間的關(guān)系，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
根據(jù)第5項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定鄰接于IC芯片及增強(qiáng)構(gòu)造物的粘接劑的2％彈性模量、破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
根據(jù)第6項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)規(guī)定IC芯片的厚度，能夠提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，保護(hù)IC芯片。
根據(jù)第7項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)具有顯像層及筆記層，可用于存儲(chǔ)要求防止偽造、改造等安全性的個(gè)人信息等的非接觸式電子卡，或者適用于薄片的個(gè)人認(rèn)證卡。
根據(jù)第8項(xiàng)記載的發(fā)明，通過(guò)粘接劑為反應(yīng)型熱熔粘接劑，可緩和應(yīng)力，得到高耐久性。
權(quán)利要求
1.一種IC卡，包括第一個(gè)支持體，第二個(gè)支持體，配置在第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體之間的由IC芯片、與IC芯片鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物、天線構(gòu)成的IC模塊，配置在第一個(gè)支持體和增強(qiáng)構(gòu)造物之間的第一層粘接劑層，配置在第二個(gè)支持體和IC芯片之間的第二層粘接劑層，其特征在于，當(dāng)向IC卡賦予曲率半徑R1時(shí)，滿足R1＜R1’＜R2≤R3，其中，R1’為卡最外層的曲率半徑，R2為增強(qiáng)構(gòu)造物的曲率半徑，R3為IC芯片的曲率半徑。
2.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，當(dāng)?shù)谝粚诱辰觿┖穸葹镈1、增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度為T1時(shí)，D1/T1在0.001～0.05范圍內(nèi)。
3.權(quán)利要求2所述的IC卡，其中，D1/T1在0.002～0.04范圍內(nèi)。
4.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，增強(qiáng)構(gòu)造物為在其上端面配置IC芯片的金屬增強(qiáng)板，其上端面積大于IC芯片的面積，并且，相對(duì)于金屬增強(qiáng)板水平面，從金屬增強(qiáng)板上端面連接到IC芯片上端面的角度為θ時(shí)，滿足0.02＜tanθ＜0.2。
5.權(quán)利要求4所述的IC卡，其中，滿足0.03＜tanθ＜0.15。
6.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，當(dāng)?shù)诙诱辰觿┖穸葹镈2、增強(qiáng)構(gòu)造物的最大長(zhǎng)度為T1時(shí)，D2/T1在0.001～0.05范圍內(nèi)。
7.權(quán)利要求6所述的IC卡，其中，D2/T1在0.002～0.04范圍內(nèi)。
8.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，第一、第二層粘接劑的2％彈性模量為5kg/mm2～55kg/mm2，破斷點(diǎn)伸長(zhǎng)度為200％～1300％。
9.權(quán)利要求8所述的IC卡，其中，2％彈性模量為6kg/mm2～50kg/mm2。
10.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，增強(qiáng)構(gòu)造物的楊氏模量為150Gpa～450Gpa。
11.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，IC芯片的厚度為5μm～100μm。
12.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，顯像層配置在第一個(gè)支持上。
13.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，可記筆記的筆記層配置在第二個(gè)支持上。
14.權(quán)利要求1所述的IC卡，其中，第一、第二層粘接劑層由反應(yīng)型熱熔粘接劑形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及IC卡。其包括第一個(gè)支持體，第二個(gè)支持體，配置在第一個(gè)支持體和第二個(gè)支持體之間的由IC芯片、與IC芯片鄰接的增強(qiáng)構(gòu)造物、天線構(gòu)成的IC模塊，配置在第一個(gè)支持體和增強(qiáng)構(gòu)造物之間的第一層粘接劑層，配置在第二個(gè)支持體和IC芯片之間的第一層粘接劑層；當(dāng)向IC卡賦予曲率半徑R1時(shí)，滿足R1＜R1’＜R2≤R3，其中，R1’為卡最外層的曲率半徑，R2為增強(qiáng)構(gòu)造物的曲率半徑，R3為IC芯片的曲率半徑。本發(fā)明的IC卡可以提高IC卡的彎曲強(qiáng)度，能夠保護(hù)IC芯片。
文檔編號(hào)G06K19/07GK1490762SQ0314934
公開日2004年4月21日 申請(qǐng)日期2003年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月2日
發(fā)明者高橋秀樹 申請(qǐng)人:柯尼卡株式會(huì)社