專利名稱：可防止數(shù)據(jù)被竊取的存儲器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及存儲器，尤其涉及可防止所存放的數(shù)據(jù)被竊取的存儲器。
背景技術：
通常，半導體集成電路包括多層結構。
圖1中示出半導體集成電路中一普通元件的布局。如本領域內(nèi)所公知的，該元件通?？砂ǘ鄠€層次，例如，襯底層、多晶硅層、金屬布線層及其間的絕緣層等。類似地，在圖2中示出一存儲器的結構。該存儲器可以是諸如非易失性存儲器等本領域內(nèi)公知的各種存儲器。如圖2所示，在存儲器中，除了主要用于存儲數(shù)據(jù)的存儲部分的區(qū)域以外，在該區(qū)域的外部還設有用于多條信號線，每條信號線由單層金屬構成。由該金屬層來構成邏輯控制線、地址線、數(shù)據(jù)線等。
如果他人想竊取存儲器中的數(shù)據(jù)，只需將存儲器芯片的封裝去掉，磨掉鈍化層，這些信號線就暴露了。此時，如果給芯片加電，同時通過探針給這些構成控制邏輯的信號線施加信號，就可以方便地讀出存儲器中所存儲的數(shù)據(jù)。這樣，存儲器中的數(shù)據(jù)就被他人所竊取了。
因此，迫切需要一種可防止所存儲的數(shù)據(jù)被竊取的存儲器。
發(fā)明內(nèi)容
如上所述，本實用新型的一個目的是提供一種可防止所存儲的數(shù)據(jù)被竊取的存儲器。
依據(jù)本實用新型的一個方面，提供了一種可防止所存儲的數(shù)據(jù)被竊取的存儲器，它包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲部分和多條信號線，其中所述信號線包括第一金屬層；覆蓋所述第一金屬層的絕緣層；覆蓋所述絕緣層的第二金屬層，所述第二金屬層上加有所述存儲器的使能信號。
附圖概述從以下詳細地描述并結合附圖，將使本實用新型的目的、特征和優(yōu)點變得更加明顯起來圖1是示出半導體集成電路中一元件的布局的示意圖；圖2是示出已有技術的存儲器的布局的示意圖；圖3是示出依據(jù)本實用新型一個實施例的存儲器的布局的示意圖；以及圖4是沿圖3中A-A線所得到的信號線結構的剖面圖。
本實用新型的較佳實施方式以下參考附圖3和4來描述依據(jù)本實用新型一個實施例的存儲器的結構。
在圖3中示出依據(jù)本實用新型一個實施例的存儲器，本領域內(nèi)技術人員可理解，圖3所示的存儲器已去除了最外層的封裝和鈍化層。如圖3所示，該存儲器包括存儲部分，該存儲部分用于存儲有各種信息。在該存儲部分的外圍設有用于實現(xiàn)控制邏輯的多條信號線，每條信號線包括第一金屬層1。如圖3所示，該第一金屬層可形成存儲器的各種邏輯控制線，諸如數(shù)據(jù)線、地址線等。
為了防止存儲器中所存儲的信號被竊取，在該第一金屬層1上還添加了第二金屬層3。如圖3所示，該第二金屬層3分別覆蓋由第一金屬層1所形成的各信號線，且在該第二金屬層3上可加上存儲器的使能信號。這樣，在他人除去該第二金屬層3時，加到該第二金屬層3的使能信號也被除去，從而不能讀出存儲器中所存儲的數(shù)據(jù)。
為了實現(xiàn)第一金屬層1與第二金屬層3之間的絕緣，在其間還設有一絕緣層2。如圖4的剖面圖所示，在構成邏輯控制線的第一金屬層1與覆蓋所述第一金屬層3的第二金屬層之間還設有絕緣層2，該絕緣層2的作用是使第一金屬層1與第二金屬層3絕緣。
雖然在圖3中示出第二金屬層3的寬度比第一金屬層1的寬度稍寬，但本領域內(nèi)的技術人員可理解，它們也可具有相同的寬度。此外，本領域內(nèi)的技術人員可根據(jù)需要來任意地選擇第二金屬層3的厚度。
如上所述，由于把使能信號加到覆蓋數(shù)據(jù)線等信號線的第二金屬層上，簡單而有效地防止了他人通過探針法來竊取存儲器中所存儲的數(shù)據(jù)。
以上根據(jù)本實用新型的較佳實施例進行了描述，但本領域內(nèi)的技術人員可知道本實用新型的各種修改和變化。
權利要求1.一種可防止所存儲的數(shù)據(jù)被竊取的存儲器，它包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲部分和多條信號線，其特征在于所述信號線包括第一金屬層；覆蓋所述第一金屬層的絕緣層；覆蓋所述絕緣層的第二金屬層，所述第二金屬層上加有所述存儲器的使能信號。
2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于所述信號線是所述存儲器的邏輯控制線、數(shù)據(jù)線或地址線。
3.如權利要求1或2所述的存儲器，其特征在于所述存儲器是非易失性存儲器。
專利摘要一種可防止所存儲的數(shù)據(jù)被竊取的存儲器，它包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲部分；位于所述存儲部分外圍的第一金屬層，用于形成存儲器的各種信號線；覆蓋所述第一金屬層的絕緣層，用于使所述第一金屬層絕緣；覆蓋在所述絕緣層上的第二金屬層，所述第二金屬層上加有所述存儲器的使能信號。
文檔編號G06F12/14GK2531450SQ02216069
公開日2003年1月15日 申請日期2002年3月11日 優(yōu)先權日2002年3月11日
發(fā)明者閔昊 申請人:上海華虹集成電路有限責任公司