專(zhuān)利名稱(chēng)：感應(yīng)距離增強(qiáng)的非接觸式ic卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種非接觸式IC卡，尤其涉及一種與IC卡讀寫(xiě)器之間的感應(yīng)距離可增加的非接觸式IC卡。
背景技術(shù)：
目前，在地鐵、公交等服務(wù)行業(yè)中普遍使用的非接觸式IC卡正逐步替代著傳統(tǒng)的紙質(zhì)票證。該非接觸式IC卡在外觀上是一個(gè)塑料卡，該卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本上如

圖1所示。
圖1所示的非接觸式IC卡主要包括兩部分。一個(gè)部分是IC卡芯片部分1，用于與IC卡讀寫(xiě)器進(jìn)行通信，還可進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。另一個(gè)部分是天線部分2，用于與IC卡讀寫(xiě)器耦合，以給IC卡芯片部分1提供電源和來(lái)自IC卡讀寫(xiě)器的信號(hào)。
在圖2中示出非接觸式IC卡20與其讀寫(xiě)器10之間的通信情況。
如圖2所示，非接觸式IC卡20本身不帶電池，通過(guò)讀寫(xiě)器10與非接觸式IC卡20之間的線圈感應(yīng)(如圖2中虛線所示)所獲得的電能來(lái)給IC卡20供電。此外，IC卡20與讀寫(xiě)器10之間的信號(hào)傳送也是通過(guò)電感耦合的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
因此，如果IC卡20與讀寫(xiě)器10之間的感應(yīng)距離太小，則IC卡20的使用者必須使IC卡20與讀寫(xiě)器10足夠靠近，才能保證IC卡20獲得足夠的電能并與讀寫(xiě)器10準(zhǔn)確通信。這樣，既給使用者帶來(lái)了麻煩，也使得通信質(zhì)量難以保證。因此，IC卡20與讀寫(xiě)器10之間的感應(yīng)距離就成為衡量非接觸式IC卡性能好壞的一個(gè)重要因素。
通常，IC卡與讀寫(xiě)器之間的感應(yīng)距離主要由IC卡內(nèi)線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)確定?？赏ㄟ^(guò)增加IC卡的線圈來(lái)增強(qiáng)磁場(chǎng)強(qiáng)度。但是，如此增強(qiáng)磁場(chǎng)強(qiáng)度所產(chǎn)生的效果非常有限，且成本較高，由此獲得的感應(yīng)距離的增加也不是很明顯。
因此，非常想要一種能明顯增加其與讀寫(xiě)器之間的感應(yīng)距離的非接觸式IC卡。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供這樣一種非接觸式IC卡，該IC卡與讀寫(xiě)器之間的感應(yīng)距離有明顯提高。
依據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，一種非接觸式IC卡，包括IC卡芯片部分和天線部分，在形成所述天線部分的線圈所包圍的空間內(nèi)部分或全部地添加有增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
依據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，一種非接觸式IC卡，包括IC卡芯片部分、天線部分、上覆蓋薄膜和承載薄膜，其中在所述上覆蓋薄膜和/或承載薄膜中對(duì)應(yīng)于形成所述天線部分的線圈所包圍的空間的區(qū)域內(nèi)部分或全部地添加有增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
附圖概述從以下對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述并結(jié)合附圖，將使本實(shí)用新型的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)變得更加明顯起來(lái)，其中圖1是示出非接觸式IC卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是示出非接觸式IC卡與IC卡讀寫(xiě)器之間的通信情況的示意圖；圖3是示出依據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例填充有磁性和/或金屬介質(zhì)的非接觸式IC卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是示出沿圖3中的A-A線獲得的非接觸式IC卡的剖面圖。
本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式以下，將參考附圖3和4來(lái)具體描述依據(jù)本實(shí)用新型的非接觸式IC卡。
圖4是依據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的非接觸式IC卡的剖面圖。如圖3所示，目前所使用的非接觸式IC卡一般包括位于IC卡最外層的頂層和底層覆蓋薄膜3和6，用以保護(hù)IC卡內(nèi)部的各個(gè)部分；位于底層覆蓋薄膜6上的承載薄膜5；由承載薄膜5所承載的IC卡芯片部分1和天線部分2；位于頂層覆蓋薄膜3以下的上覆蓋薄膜4，該薄膜4通常可通過(guò)沖壓形成；以及填充在上覆蓋薄膜4中的IC卡芯片部分2上方的填充物7，用以保護(hù)該芯片部分。通過(guò)在頂層和底層覆蓋薄膜3和6上加溫和加壓，就可形成一般的非接觸式IC卡。
如圖4所示，依據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，在形成IC卡前，在承載薄膜5上由形成天線部分2的線圈所包圍的空間中添加可增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料，該空間未被IC卡芯片部分1及天線部分2所覆蓋，從而可增強(qiáng)天線部分2的線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度。這樣，可相應(yīng)地增加IC卡的感應(yīng)距離。
雖然圖4中示意性地示出了添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料的區(qū)域，但本實(shí)用新型不限于此?？筛鶕?jù)所需的感應(yīng)距離，在所述區(qū)域中部分或全部地添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。此外，還可根據(jù)所需的感應(yīng)距離來(lái)調(diào)整加到承載薄膜上的增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料的數(shù)量，可理解其數(shù)量不必是均勻的。用以提高磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁導(dǎo)率增強(qiáng)材料可以是磁導(dǎo)率高的鐵氧體等磁性材料或本領(lǐng)域內(nèi)所公知的金屬材料，還可使用本領(lǐng)域內(nèi)所公知的其他材料。
圖3是通過(guò)剝離圖4所示非接觸式IC卡的頂層覆蓋薄膜3、填充物7和上覆蓋薄膜4而得到的平面圖，用以示出依據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料的空間。如圖3的陰影部分所示，可在被天線部分所包圍但未被IC卡芯片部分1及天線部分2所覆蓋的空間中添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可理解，例如，可在天線部分2的各匝線圈之間的區(qū)域和/或天線部分2的線圈所圍繞的中心區(qū)域中添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。從而可增強(qiáng)天線部分2的線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度，這樣，可相應(yīng)地增加IC卡的感應(yīng)距離。
此外，雖然在圖中未示出，但可理解的是還可在上覆蓋薄膜4和/或承載薄膜5中對(duì)應(yīng)于天線部分2的線圈所包圍的空間的區(qū)域內(nèi)添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料，以增加IC卡的感應(yīng)距離。例如，可把增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料添加到上覆蓋薄膜4中位于天線部分2上方的區(qū)域內(nèi)，也可添加到承載薄膜5中位于天線部分下方的區(qū)域中?？稍谶@些區(qū)域部分或全部地添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
如上所述，通過(guò)在非接觸式IC卡的天線部分所包圍的區(qū)域中添加增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料，使得磁場(chǎng)強(qiáng)度的增強(qiáng)非常明顯，且成本較低，由此獲得的感應(yīng)距離的增加也不是很明顯。
很明顯，根據(jù)以上的說(shuō)明，對(duì)本實(shí)用新型還可以進(jìn)行不少的改變和變化。因此不難理解，在所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)，可以與說(shuō)明書(shū)特定的描述有所不同來(lái)實(shí)施本實(shí)用新型。
權(quán)利要求1.一種非接觸式IC卡，包括IC卡芯片部分和天線部分，其特征在于在形成所述天線部分的線圈所包圍的空間內(nèi)部分或全部地添加有增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
2.如權(quán)利要求2所述的非接觸式IC卡，其特征在于在所述線圈所包圍的中央?yún)^(qū)域內(nèi)添加有所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的非接觸式IC卡，其特征在于在所述線圈各匝之間的區(qū)域內(nèi)添加有所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
4.如權(quán)利要求1或2所述的非接觸式IC卡，其特征在于還包括上覆蓋薄膜和承載薄膜，其中在所述上覆蓋薄膜和/或承載薄膜中對(duì)應(yīng)于所述線圈所包圍的空間的區(qū)域內(nèi)部分或全部地添加有所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
5.如權(quán)利要求3所述的非接觸式IC卡，其特征在于還包括上覆蓋薄膜和承載薄膜，其中在所述上覆蓋薄膜和/或承載薄膜中對(duì)應(yīng)于所述線圈所包圍的空間的區(qū)域內(nèi)部分或全部添加有所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
6.如權(quán)利要求1、2和5中任一項(xiàng)所述的非接觸式IC卡，其特征在于所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料包括從鐵氧體、金屬中選出的至少一種材料。
7.如權(quán)利要求3所述的非接觸式IC卡，其特征在于所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料包括從鐵氧體、金屬中選出的至少一種材料。
8.如權(quán)利要求4所述的非接觸式IC卡，其特征在于所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料包括從鐵氧體、金屬中選出的至少一種材料。
9.一種非接觸式IC卡，包括IC卡芯片部分、天線部分、上覆蓋薄膜和承載薄膜，其特征在于在所述上覆蓋薄膜和/或承載薄膜中對(duì)應(yīng)于形成所述天線部分的線圈所包圍的空間的區(qū)域內(nèi)部分或全部地添加有增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料。
10.如權(quán)利要求9所述的非接觸式IC卡，其特征在于所述增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料包括從鐵氧體、金屬中選出的至少一種材料。
專(zhuān)利摘要一種非接觸式IC卡包括位于IC卡最外層的頂層和底層覆蓋薄膜，用以保護(hù)IC卡內(nèi)部的各個(gè)部分；位于底層覆蓋薄膜上的承載薄膜；由承載薄膜所承載的IC卡芯片部分和天線部分；位于IC卡芯片部分上方的填充物；以及位于天線部分上方的薄膜，該薄膜通常是通過(guò)沖壓形成的。通過(guò)在承載薄膜上未被IC卡芯片部分及天線部分所覆蓋的區(qū)域上添加一定數(shù)量的增強(qiáng)磁導(dǎo)率的材料，可增強(qiáng)天線部分線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度，繼而IC卡的感應(yīng)距離也相應(yīng)增加。
文檔編號(hào)G06K19/067GK2531458SQ02216068
公開(kāi)日2003年1月15日 申請(qǐng)日期2002年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月11日
發(fā)明者閔昊 申請(qǐng)人:上海華虹集成電路有限責(zé)任公司