專利名稱：光盤、光盤存取裝置和存取方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及以能進(jìn)行光學(xué)性重寫的光盤為代表的存儲介質(zhì)、存取裝置和存取方法。更具體地說涉及即使在大容量化的情況下也能進(jìn)行高速隨機(jī)存取動(dòng)作的以光盤為代表的存儲介質(zhì)、存取裝置和存取方法。
背景技術(shù)：
以往，具有為了對介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)存取動(dòng)作而對每個(gè)確定數(shù)據(jù)長度的信息單位附加數(shù)據(jù)識別信息的存儲介質(zhì)。利用了光磁存儲的光磁盤(以下稱為MO)或利用了介質(zhì)相變的DVD盤(以下稱為DVD)等光盤具有代表性。該光盤被用于計(jì)算機(jī)作為大容量外部存儲介質(zhì)。此外，也用于存儲電影等圖象信息。隨著計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理日益大規(guī)模化以及對更高像質(zhì)、更長時(shí)間的圖象存儲的要求，人們期待著進(jìn)一步的大容量化。
圖9表示的作為現(xiàn)有技術(shù)的光盤100是由多個(gè)信息單位構(gòu)成的信息單位群作為磁道，以光盤100的螺旋狀1周為1個(gè)單位的磁道T100來構(gòu)成的。把各磁道T100作為以規(guī)定長度的數(shù)據(jù)長度為1個(gè)單位的信息單位分割成扇區(qū)S100，構(gòu)成數(shù)據(jù)的記錄格式。在圖9所示的光盤100上的4個(gè)磁道100A的擴(kuò)大圖中，扇區(qū)S100是由作為數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)域的數(shù)據(jù)部120和控制信息部110所構(gòu)成，該控制信息部110由作為用于識別數(shù)據(jù)部120的內(nèi)容的數(shù)據(jù)識別信息的ID部112和用于識別扇區(qū)S100的開始位置的作為識別信息的扇區(qū)標(biāo)識部111所構(gòu)成。
圖10表示在光盤100中的控制信息部110和數(shù)據(jù)部120的邊界區(qū)域的凹坑結(jié)構(gòu)放大圖。在圖10中，只在光盤100的數(shù)據(jù)部120中的地面(Land)L100處存儲數(shù)據(jù)。而且，雖然在圖10中未表示，但也可以只在凹槽(Groove)G100處存儲。在此，數(shù)據(jù)部120的各數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)125如果是MO，則通過光磁存儲來構(gòu)成，如果是DVD則通過相變化存儲來構(gòu)成，是可以重寫(改寫)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。對此，控制信息部110的扇區(qū)標(biāo)識部111或ID部112的各控制信息凹坑結(jié)構(gòu)115是在光盤100上用蝕刻法等進(jìn)行加工后的凹凸結(jié)構(gòu)，是由所謂的壓紋凹坑結(jié)構(gòu)構(gòu)成的固定結(jié)構(gòu)。
關(guān)于數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)125，與拾波器用激光等的射束光點(diǎn)相比，在凹坑結(jié)構(gòu)尺寸、凹坑結(jié)構(gòu)間距等不斷細(xì)微化的情況下，仍可利用射束光點(diǎn)內(nèi)的溫度分布進(jìn)行讀取。通過所謂的磁超析像(MSR)技術(shù)等的開發(fā)，可以對應(yīng)于數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)125的高密度化進(jìn)行讀取。
接著，圖11表示在數(shù)據(jù)部220的高密度化發(fā)展的情況下的高密度光盤200。與圖9的情況相同，結(jié)合4磁道200A的擴(kuò)大圖表示。在高密度光盤200中，如圖12所示，為了進(jìn)一步高密度化，采用地面凹槽(Land Groove)存儲方式。以往是一面利用磁超析像技術(shù)一面把只在地面(Land)L100或凹槽(Groove)G100中存儲的數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)125(參照圖10)的凹坑結(jié)構(gòu)(即凹坑圖案)的間距縮短，其結(jié)構(gòu)是只在地面(Land)L200和凹槽(Groove)G200這兩處存儲。為此，與只將地面(Land)L100或凹槽(Groove)G100作為磁道T100的情況(參照圖9，10)相比，由地面(Land)L200和凹槽(Groove)G200雙方構(gòu)成的磁道T200的數(shù)量倍增，以實(shí)現(xiàn)高密度化。
但是，與這樣的數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)(即數(shù)據(jù)凹坑圖案)125、225相比，控制凹坑結(jié)構(gòu)115、215，為了通過制造光盤100、高密度光盤200時(shí)的壓紋凹坑結(jié)構(gòu)來形成凹坑結(jié)構(gòu)，在細(xì)微化時(shí)需要提高制造工程中的加工精度，細(xì)微化沒有進(jìn)展。因此，在光盤100中，由數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)125記錄的磁道T100的間距由控制凹坑結(jié)構(gòu)115的壓紋凹坑結(jié)構(gòu)的尺寸來決定，存在著達(dá)不到高密度化這一問題。
另外，在圖11所示的在希望高密度化的高密度光盤200中，對于在地面(Land)L200和凹槽(Groove)G200中構(gòu)成的數(shù)據(jù)部220的2個(gè)磁道寬度，把1個(gè)控制信息部210在1列中排列配置。也就是接著扇區(qū)標(biāo)識部211，在1列中排列記錄兩個(gè)ID部212、213。在數(shù)據(jù)部220內(nèi)，作為數(shù)據(jù)222的數(shù)據(jù)識別信息分配ID部212，作為數(shù)據(jù)223的數(shù)據(jù)識別信息分配ID部213。隨著高密度光盤200中的數(shù)據(jù)凹坑結(jié)構(gòu)225的細(xì)微化，磁道T200中的控制信息部210的成本增大，存在著妨礙高密度光盤200的高密度化這一問題。
另外，為了實(shí)現(xiàn)控制信息部110、210中的控制凹坑結(jié)構(gòu)115、215的壓紋凹坑結(jié)構(gòu)尺寸的細(xì)微化(微小化)，需要提高制造工程中的加工精度，從而產(chǎn)生了制造成本增大這一問題。
而且，在控制凹坑結(jié)構(gòu)115、215的壓紋凹坑結(jié)構(gòu)的尺寸被細(xì)微化的情況下，為了準(zhǔn)確檢測被細(xì)微化的壓紋凹坑結(jié)構(gòu)，就需要把拾波器用激光等的波長調(diào)整到淺藍(lán)色激光等的短波長，從而產(chǎn)生了零部件成本增加這一問題。
另外，為了降低高密度光盤200中的控制信息部210的成本，考慮采取對多個(gè)扇區(qū)共用ID部的方法來代替在每個(gè)扇區(qū)內(nèi)作為數(shù)據(jù)識別信息而設(shè)定的ID部212、213。但是，在這種情況下，在激光等的射束光點(diǎn)從正常的存取位置上產(chǎn)生位置偏差時(shí)，就不能進(jìn)行正常的存取位置檢測，或者導(dǎo)致檢測需要很長的時(shí)間，存在著有可能產(chǎn)生向錯(cuò)誤位置進(jìn)行存取這一問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題的存在，本發(fā)明的目的在于在對以能進(jìn)行隨機(jī)存取動(dòng)作的光盤為代表的存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)密度進(jìn)行高密度化時(shí)，提供能在降低附隨在存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)部上的控制信息部的成本的同時(shí)，能準(zhǔn)確、迅速地進(jìn)行存取動(dòng)作的以光盤為代表的存儲介質(zhì)、存取裝置和存取方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的存儲介質(zhì)包括具有數(shù)據(jù)部和控制信息部的信息單位；和將給定數(shù)量的上述信息單位作為1個(gè)單位，具有用于把存儲在上述各數(shù)據(jù)部內(nèi)的數(shù)據(jù)作為整體來進(jìn)行識別的1組的群數(shù)據(jù)識別信息的信息單位群；上述控制信息部具有用于識別上述信息單位的識別信息；上述識別信息在每個(gè)上述信息單位群中為不同的信息。
作為群數(shù)據(jù)識別信息，是用于識別構(gòu)成信息單位群的信息單位中的、包含先頭的任意一個(gè)信息單位中的數(shù)據(jù)部內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)識別信息，或者是在構(gòu)成信息單位群的信息單位中的各數(shù)據(jù)識別信息中共用的上位識別信息。
而且，該群數(shù)據(jù)信息包含在構(gòu)成信息單位群的信息單位中的相應(yīng)的信息單位中的控制信息部中。
據(jù)此，可以在每個(gè)信息單位群中存儲1組的群數(shù)據(jù)識別信息，而不必在每個(gè)信息單位都設(shè)置數(shù)據(jù)識別信息。進(jìn)而，在控制信息部中存儲群數(shù)據(jù)識別信息的情況下，不用縮小凹坑結(jié)構(gòu)的尺寸就可以減少存儲介質(zhì)上的控制信息部所占的成本。因此，不縮小凹坑結(jié)構(gòu)的尺寸就可以實(shí)現(xiàn)存儲介質(zhì)的高密度化。由于伴隨高密度化的印紋凹坑結(jié)構(gòu)的加工精度提高和拾波器用激光等的短波長化等必要事項(xiàng)不再需要，所以能夠抑制制造成本和零部件成本的增加。
另外，在本發(fā)明的存儲介質(zhì)中，信息單位群是在光盤上排列的信息單位的存取磁道之間，由不同的信息單位群構(gòu)成的。
識別信息包含用于檢測出信息單位的先頭位置的信息、或者對信息單位進(jìn)行存取時(shí)的同步信息，對每個(gè)給定數(shù)量的信息單位群復(fù)歸性地進(jìn)行重復(fù)。該給定數(shù)量是根據(jù)偏離正常存取位置的偏差預(yù)期值來決定的，進(jìn)而，對于偏差預(yù)期值的區(qū)域內(nèi)所包含的信息單位群，以唯一能夠被識別來確定。在此，所謂偏差預(yù)期值是指在基于存取裝置的存取動(dòng)作中，有可能從正常的存取位置上偏離而被存取的區(qū)域。
據(jù)此，存儲介質(zhì)上排列信息單位的存取磁道之間，由不同的信息單位群而構(gòu)成，在每個(gè)這樣的信息單位群中可以設(shè)定不同的識別信息。如果在偏差預(yù)期值的區(qū)域內(nèi)識別信息被唯一確定，則拾波器用激光等的從正常存取位置偏離的偏差，可以在讀取識別信息，對各個(gè)信息單位的先頭位置或同步信息進(jìn)行檢測時(shí)確認(rèn)。根據(jù)本發(fā)明的存儲介質(zhì)，就可以迅速地檢測出位置偏差。
而且，如果把識別信息設(shè)定為對位于偏差預(yù)期值區(qū)域內(nèi)的每個(gè)給定數(shù)量的信息單位群復(fù)歸性地進(jìn)行重復(fù)，則可以通過所需的最小限度的識別信息種類來確認(rèn)偏差。
另外，在本發(fā)明的存取裝置或存取方法中，把信息單位按給定數(shù)量集中作為1個(gè)單位，對于具有1組的群數(shù)據(jù)識別信息的信息單位群，當(dāng)對每個(gè)信息單位群具有不同識別信息的存儲介質(zhì)進(jìn)行存取時(shí)，通過識別信息檢測裝置檢測出所存取的信息單位群中的識別信息，通過預(yù)期值發(fā)生裝置把最初檢測出的識別信息作為預(yù)期值，來依次發(fā)生識別信息預(yù)期值。而且，通過比較部來比較來自識別信息檢測裝置的檢測結(jié)果和來自預(yù)期值發(fā)生裝置的識別信息預(yù)期值。
此時(shí)，通過測量裝置就可以測量當(dāng)進(jìn)行存取時(shí)掃描信息單位群的定時(shí)，預(yù)期值發(fā)生裝置根據(jù)該測量結(jié)果就可以變更識別信息預(yù)期值。在此，測量裝置可以根據(jù)基準(zhǔn)同步信號來進(jìn)行測量。
另外，具有存儲群數(shù)據(jù)識別信息和識別信息的對應(yīng)關(guān)系的存儲裝置，當(dāng)進(jìn)行存取時(shí)，可以通過選擇裝置選擇具有由存儲裝置付加了對應(yīng)關(guān)系的識別信息的信息單位群，從被選擇的信息單位群中檢測出所指示的群數(shù)據(jù)識別信息。
據(jù)此，就可以一面迅速地檢測出位置偏差一面完成對控制信息部所占成本很小的存儲介質(zhì)進(jìn)行的存取。


圖1是表示本實(shí)施例的光盤存儲格式的概念圖。
圖2是表示本實(shí)施例的對光盤的存取裝置的電路框圖。
圖3是表示本實(shí)施例的光盤存取裝置中光盤控制器的電路框圖。
圖4是表示光盤控制器中的比較部的電路圖。
圖5是表示設(shè)定預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識的第1具體例的順序的流程圖。
圖6是表示設(shè)定預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識的第2具體例的順序的流程圖。
圖7是表示設(shè)定預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識的第3具體例的順序的流程圖。
圖8是本實(shí)施例的扇區(qū)標(biāo)識圖案例。
圖9是表示現(xiàn)有技術(shù)光盤的存儲格式的概念圖。
圖10是表示現(xiàn)有技術(shù)光盤的凹坑結(jié)構(gòu)的概念圖。
圖11是表示現(xiàn)有技術(shù)的高密度光盤的存儲格式的概念圖。
圖12是表示現(xiàn)有技術(shù)的高密度光盤的凹坑結(jié)構(gòu)的概念圖。
圖13是表示現(xiàn)有技術(shù)的扇區(qū)標(biāo)識圖案的例子。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)圖1至圖8，參照圖面來詳細(xì)說明本發(fā)明的以光盤為代表的存儲介質(zhì)、存取裝置和存取方法具體化的實(shí)施例。在圖1中，表示本實(shí)施例的光盤1。與現(xiàn)有技術(shù)的高密度光盤200相同，采用地面、凹槽(Land Groove)存儲方式。在地面(Land)和凹槽(Groove)雙方構(gòu)成數(shù)據(jù)部20以達(dá)到高密度化。在光盤1，如4磁道1A的放大圖所表示的那樣，各磁道T1由在控制信息部10中具有扇區(qū)標(biāo)識部11和ID部12的扇區(qū)S1和只具有扇區(qū)標(biāo)識部13的扇區(qū)S2這兩種扇區(qū)S1、S2構(gòu)成。也就是說扇區(qū)S2的控制信息部就是扇區(qū)標(biāo)識部13本身。扇區(qū)S1成為磁道T1的先頭扇區(qū)，接著構(gòu)成扇區(qū)S2。只對先頭扇區(qū)S1設(shè)置ID部12。進(jìn)而，在扇區(qū)S1、S2內(nèi)的扇區(qū)標(biāo)識部11、13中，配置有與磁道T1相同的扇區(qū)標(biāo)識，在磁道之間配置有不同種類的扇區(qū)標(biāo)識。在圖1中表示了3種扇區(qū)標(biāo)識SM1至SM3在每條磁道T1中依次循環(huán)配置的情況。
如果有以上那樣構(gòu)成的光盤1，則在每個(gè)構(gòu)成信息單位群的磁道T100的信息單位扇區(qū)S100中，與具有數(shù)據(jù)識別信息ID部112的現(xiàn)有技術(shù)的光盤100相比，進(jìn)而把每個(gè)構(gòu)成磁道T200的扇區(qū)S200與具有ID部212、213的現(xiàn)有技術(shù)的高密度光盤200相比，在包含給定數(shù)量扇區(qū)的磁道T1中有關(guān)先頭扇區(qū)S1的ID部12只是作為群數(shù)據(jù)識別信息被設(shè)置。這樣，不通過縮小凹坑結(jié)構(gòu)的尺寸，也可以使控制信息部10的存儲區(qū)域比現(xiàn)有技術(shù)減小。還可以減小ID部12的成本。那樣的部分就可以確保大區(qū)域的數(shù)據(jù)部20、從而實(shí)現(xiàn)高密度光盤1。另外伴隨高密度化，由于提高凹坑結(jié)構(gòu)的加工精度和拾波器用激光等的短波長化等必須事項(xiàng)不存在了，可以抑制制造成本和零部件成本的增加。
圖2表示本實(shí)施例1對光盤1進(jìn)行讀取的光盤存取裝置30的電路框圖。必要時(shí)取得控制程序和數(shù)據(jù)并在光盤1之間進(jìn)行讀出、寫入數(shù)據(jù)等讀取控制的中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31，通過總線33連接存儲器32、磁盤控制器34和伺服控制器36。用于控制的必要的控制程序和數(shù)據(jù)存儲在存儲器32中，需要時(shí)依照從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31的指令讀取。中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31根據(jù)裝載的控制程序，參照數(shù)據(jù)控制對光盤1的存取動(dòng)作。即存取動(dòng)作時(shí)，為了控制光盤1的轉(zhuǎn)動(dòng)而控制伺服控制器36。伺服控制器36對應(yīng)從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31來的控制指令，為了對光盤1等的轉(zhuǎn)動(dòng)次數(shù)進(jìn)行控制而控制馬達(dá)37。另一方面，根據(jù)給磁盤控制器34的指令進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取。接收從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31發(fā)出的指令的磁盤控制器34通過讀取放大器38R、寫入放大器38W、光盤拾波裝置39進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸入輸出。此時(shí)輸入輸出的數(shù)據(jù)，通過讀取放大器38R、寫入放大器38W、在磁盤控制器34接受存取位置的位置偏差和數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤訂正等規(guī)定的檢查后，存入數(shù)據(jù)存儲器35中。
圖3表示光盤存取裝置30的磁盤控制器34中，涉及檢測存取位置的位置偏差的電路框圖?？偩€33連接了控制部51和存儲位置偏差結(jié)果的寄存器53。控制部51是在磁盤控制器34中控制數(shù)據(jù)讀取的部分。在圖3中，只顯示了這其中涉及檢測存取位置的位置偏差的部分。詳細(xì)內(nèi)容在以后敘述。從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31接受指令，或者根據(jù)中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31的指令依次輸出通過應(yīng)當(dāng)讀取的扇區(qū)位置算出的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1～SSM3。預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號裝置55選擇表示輸出的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1～SSM3的種類的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SSM1～SSM3)并將其激活。
另一方面，通過讀取放大器38R被讀出的光盤1上的表示讀出扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3的種別的讀出扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SM1～SM3)是由讀取扇區(qū)標(biāo)識信號裝置54選擇并激活。從控制部51的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號裝置55輸出的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SSM1～SSM3)和通過讀出扇區(qū)標(biāo)識信號裝置54輸出的讀出扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SM1～SM3)在比較部52中進(jìn)行比較。在此扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3是圖1中所表示的每個(gè)磁道T1中循環(huán)變化的3種標(biāo)識。
因此，從預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號裝置55，對應(yīng)于表示扇區(qū)位置的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1至SSM3，依次選擇并輸出預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SSM1～SSM3)。當(dāng)比較結(jié)果一致時(shí)，表示對光盤1的存取動(dòng)作在與中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31的指令一致的扇區(qū)上進(jìn)行，作為處于所謂的在磁道上狀態(tài)，在寄存器53中設(shè)有在磁道上標(biāo)識53N。在不一致的情況下，對光盤1的存取動(dòng)作在與中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31的指令不一致的扇區(qū)中進(jìn)行，即作為處在拾波器的位置偏離本來位置的偏離磁道狀態(tài)，在寄存器53中設(shè)定偏離磁道標(biāo)識53F。在該寄存器53中存儲的標(biāo)識內(nèi)容通過總線33，由中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31隨時(shí)監(jiān)視。中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31可以檢測對光盤1的存取動(dòng)作是否正常進(jìn)行。
圖4表示比較部52的電路例。在圖4的比較部52中，如在圖1的光盤1中所表示的那樣，是在由3種扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3在每個(gè)磁道T1上依次循環(huán)配置的光盤1上進(jìn)行存取動(dòng)作時(shí)必要的電路構(gòu)成。比較部52是由檢測預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SSM1～SSM3)與讀出扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SM1～SM3)的一致狀態(tài)的在磁道上檢測裝置52N和檢測不一致狀態(tài)的偏離磁道檢測裝置52F所構(gòu)成。
在磁道上檢測裝置52N具有輸入預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號1(SSM1)和讀出扇區(qū)標(biāo)識信號1(SM1)的“與”門(即“與”門電路)A1；輸入預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號2(SSM2)和讀出扇區(qū)標(biāo)識信號2(SM2)的“與”門A2；輸入預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號3(SSM3)和讀出扇區(qū)標(biāo)識信號3(SM3)的“與”門A3；輸入從“與”門A1～A3輸出信號的“或”門(即“或”門電路)O1。在各“與”門A1～A3中，檢測預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SSM1～SSM3)與讀出扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3)(SM1～SM3)的一致性。對于選擇激活的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3中的任一信號)，如果與其對應(yīng)的讀出扇區(qū)標(biāo)識信號(1～3中的任一信號)也被選擇激活，則對應(yīng)“與”門(A1～A3中任意一個(gè)“與”門)的輸出信號被激活。因?yàn)楦鱾€(gè)“與”門A1～A3的輸出信號輸入到“或”門O1，從“或”門O1輸出的信號表示“與”門A1～A3中的某一個(gè)“與”門被激活。即3種讀出扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3表示與預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1～SSM3一致。這樣，從“或”門O1的輸出信號作為在磁道上信號可以在寄存器53設(shè)定在磁道上標(biāo)識53N。
偏離磁道檢測裝置52F也是同樣的構(gòu)成。在偏離磁道檢測裝置52F中，預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1～SSM3與讀出扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3的不一致作為偏離磁道標(biāo)識信號從“或”門O2輸出。這樣，設(shè)置了檢測不一致用的“與”門A4～A9。在“與”門A4中輸入預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號1(SSM1)與讀出扇區(qū)標(biāo)識信號2(SM2)，對于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號1(SSM1)讀出扇區(qū)標(biāo)識信號2(SM2)被選擇激活，檢測出發(fā)生了預(yù)測/讀出扇區(qū)標(biāo)識的不一致。以下相同，“與”門A5～A9分別是，對于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號1(SSM1)讀出扇區(qū)標(biāo)識信號3(SM3)被檢測出不一致；對于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號2(SSM2)讀出扇區(qū)標(biāo)識信號1(SM1)被檢測出不一致；對于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號2(SSM2)讀出扇區(qū)標(biāo)識信號3(SM3)被檢測出不一致；對于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號3(SSM3)讀出扇區(qū)標(biāo)識信號1(SM2)被檢測出不一致；對于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識信號3(SSM3)讀出扇區(qū)標(biāo)識信號2(SM2)被檢測出不一致。
在光盤1中，在盤1上排列的磁道之間構(gòu)成不同的磁道T1。例如，如果以盤1的1周構(gòu)成1個(gè)磁道T1，與盤1上排列相鄰的磁道間就成為不同的磁道T1。進(jìn)而，扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3，作為為了檢測信息單位的各個(gè)扇區(qū)S1、S2的先頭位置的信息，或者包含讀取各個(gè)扇區(qū)S1、S2時(shí)的同步信息，在每個(gè)磁道T1配置不同的種類的標(biāo)識，使其在給定數(shù)量的每個(gè)磁道T1上進(jìn)行回歸性重復(fù)。給定數(shù)量是根據(jù)從存取位置的正常位置偏移到作為可以讀取的區(qū)域的偏離預(yù)期值來決定的。即對于偏離預(yù)期值的區(qū)域內(nèi)包含的磁道T1，每個(gè)磁道T1上配置可以唯一識別的不同種類的扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3。
涉及圖1的光盤1上復(fù)歸性地循環(huán)配置有3種扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3。扇區(qū)標(biāo)識的種類為3種是由于作為偏差預(yù)期值從正常的存取位置有前后兩個(gè)磁道偏移的可能性。在這樣的偏離預(yù)期值中，如果在每個(gè)磁道中依次設(shè)定3種扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3，則當(dāng)存取位置偏移的情況下，讀出的扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3與作為正常情況下被讀出的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1～SSM3肯定是不同的標(biāo)識，可以準(zhǔn)確地檢測出位置偏移。
通過在上述說明的光盤存取裝置30上所進(jìn)行這種向光盤1的存取動(dòng)作，直接檢測出存儲在寄存器53內(nèi)的偏離磁道標(biāo)識53F，通過中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31來中止存取動(dòng)作，進(jìn)行再存取動(dòng)作等。
如果通過上述表示的光盤存取裝置30來對具有上述那樣構(gòu)成的光盤1進(jìn)行存取，則在光盤1上排列的扇區(qū)S1、S2的存取磁道(存取軌道)之間由不同的磁道T1所構(gòu)成。在每個(gè)這樣的磁道T1上，關(guān)于作為識別信息的扇區(qū)標(biāo)識，可以設(shè)定不同種類的SM1～SM3。拾波器用激光等，把有可能從正常的存取位置偏移的區(qū)域作為偏離預(yù)期值來設(shè)定，在該偏離預(yù)期值區(qū)域內(nèi)，唯一確定扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3。據(jù)此，拾波器用激光等從正常存取位置的偏移可以在檢測各扇區(qū)S1、S2的先頭位置和為了檢測同步信息而讀取扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3時(shí)被檢測出來。光盤存取裝置30把該檢測結(jié)果存儲在寄存器53中，中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31通過總線33隨時(shí)監(jiān)視寄存器53的內(nèi)容，可以迅速檢測出存取位置的偏移。而且可以準(zhǔn)確迅速地進(jìn)行讀取中止、再讀取等動(dòng)作。
另外，由于在偏離預(yù)期值的區(qū)域內(nèi)具有的給定數(shù)的每個(gè)磁道T1上復(fù)歸性地循環(huán)設(shè)定扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3，由所需的最小限度的扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3就可以確認(rèn)偏移。
接著，通過圖5至圖7，由作為實(shí)施例1至實(shí)施例3的流程圖來說明涉及光盤控制器34的控制部51、涉及使預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識SSM1～SSM3依次變化的設(shè)定順序，圖5是表示實(shí)施例1的順序的流程圖。首先，在步驟1(以下，略記為STEP)中，根據(jù)存儲在存儲器32中的光盤1上的所有扇區(qū)的ID信息(D1)，從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31接收應(yīng)該讀取的目的扇區(qū)的指定。該指定根據(jù)為了唯一識別光盤1上各扇區(qū)S1、S2的數(shù)據(jù)部20的數(shù)據(jù)識別信息ID的指定來進(jìn)行。在控制信息部10的ID部中存儲的ID是為了識別磁道T1的先頭扇區(qū)的數(shù)據(jù)部20的ID。
接著，被指定的目的扇區(qū)判斷磁道T1的先頭扇區(qū)S1是否是存在ID部的扇區(qū)S1(STEP2)。如果存在ID部(STEP2YES)，由于從光盤1直接讀出目的扇區(qū)對應(yīng)的ID，目的扇區(qū)作為期待的扇區(qū)，存儲比較ID(STEP3)。如果不存在ID部(STEP2NO)，目的扇區(qū)把所屬的磁道T1的先頭扇區(qū)作為期待扇區(qū)、從被指定ID算出先頭扇區(qū)S1的ID，或者進(jìn)行對應(yīng)表的檢索，作為比較ID來存儲(STEP4)。
期待扇區(qū)被決定以后，開始讀取光盤，從各磁道T1的先頭扇區(qū)S1的ID部讀取ID(STEP5)。而且，確認(rèn)所存取的扇區(qū)S1的ID與比較ID是否一致(STEP6)。如果不一致(STEP6NO)，繼續(xù)讀取先頭扇區(qū)的ID部(STEP5)。該動(dòng)作進(jìn)行到一致(STEP6YES)為止。
當(dāng)先頭扇區(qū)S1的ID與比較ID一致時(shí)(STEP6YES)，那時(shí)的讀取扇區(qū)的扇區(qū)標(biāo)識(SM1～SM3中的某一個(gè)標(biāo)識)作為預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識(SSM1～SSM3中的某一個(gè)標(biāo)識)來設(shè)定(STEP7)。而且為了計(jì)算所存取的扇區(qū)數(shù)，累計(jì)值加1(STEP8)。
判斷累加值是否達(dá)到構(gòu)成磁道T1的扇區(qū)數(shù)(STEP9)。如果未達(dá)到(STEP9NO)、測量拾波器通過扇區(qū)的時(shí)間(STEP11)，每次測量時(shí)累計(jì)值加1(STEP8)并繼續(xù)進(jìn)行判斷。累計(jì)值達(dá)到上述給定值時(shí)(STEP9YES)，把預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識變更為以下與磁道T1一致的標(biāo)識(SSM1～SSM3中的某一個(gè)標(biāo)識)(STEP10)，然后通過中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31對應(yīng)于讀取，反復(fù)進(jìn)行STEP8至STEP11的步驟，依次變更扇區(qū)標(biāo)識。
在此，通過扇區(qū)的時(shí)間的測量(STEP11)是由與光盤1的轉(zhuǎn)動(dòng)次數(shù)之間有所確定關(guān)系的時(shí)鐘信號累計(jì)來測量的。另外，預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識的變更(STEP10)是根據(jù)光盤1的規(guī)格參照預(yù)先存儲的扇區(qū)標(biāo)識表，如下述圖8表示的那樣，當(dāng)扇區(qū)間的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)有規(guī)律時(shí)，可以根據(jù)其規(guī)律性決定數(shù)據(jù)的變換處理。
圖6是表示實(shí)施例2順序的流程圖。涉及與實(shí)施例1相同的步驟付加相同的步驟序號，此處省略了說明。在實(shí)施例2中，加上實(shí)施例1的情況，在存儲器32中存儲光盤1上的各磁道T1的先頭扇區(qū)信息(D21)。這樣，從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31根據(jù)扇區(qū)的ID信息(D1)和先頭扇區(qū)信息(D21)，接收應(yīng)該讀取的目的扇區(qū)的所屬磁道T1的先頭扇區(qū)S1的指定(STEP21)。而且，把先頭扇區(qū)作為期待扇區(qū)而被指定的ID作為比較ID來設(shè)定(STEP22)。
即，在實(shí)施例1的情況下所進(jìn)行的目的扇區(qū)的位置判斷(STEP2)與根據(jù)位置判斷設(shè)定比較ID的步驟(STEP3、STEP4)是不需要的。
圖7是表示實(shí)施例3的順序的流程。對涉及與實(shí)施例1和實(shí)施例2相同的步驟附加了相同的步驟序號，并省略了其說明。在實(shí)施例3中，是在實(shí)施例2情況的基礎(chǔ)上，還在存儲器32中存儲有各磁道T1的扇區(qū)標(biāo)識信息(D41)。因此，從中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31根據(jù)扇區(qū)的ID信息(D1)和先頭扇區(qū)信息(D21)，進(jìn)而每個(gè)磁道T1的扇區(qū)標(biāo)識信息(D41)，接收應(yīng)該讀取的目的扇區(qū)的所屬磁道T1的先頭扇區(qū)S1和那個(gè)磁道T1所具有的扇區(qū)標(biāo)識的指定(STEP41)。而且，把先頭扇區(qū)作為期待扇區(qū)來設(shè)定比較ID(STEP42)。
接著，讀取光盤1上的扇區(qū)標(biāo)識(STEP43)，比較所存取的扇區(qū)標(biāo)識與被指定的扇區(qū)標(biāo)識(STEP44)。如果不一致(STEP44NO)，就移動(dòng)磁道讀取下一個(gè)扇區(qū)標(biāo)識(STEP43)。如果一致(STEP44YES)，就讀取先頭扇區(qū)的ID部(STEP5)。確認(rèn)所存取的扇區(qū)S1的ID與比較ID是否一致(STEP6)。該ID部的讀取處理與實(shí)施例1、2相同，但是在實(shí)施例3中，比較結(jié)果不一致的情況下(STEP6NO)，在移動(dòng)磁道讀取下一個(gè)扇區(qū)標(biāo)識(STEP43)這一點(diǎn)上與實(shí)施例1、2不同。
如以上的說明，根據(jù)實(shí)施例1至3的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識的設(shè)定順序，由于預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識被依次設(shè)定，實(shí)際上通過與所存取的扇區(qū)標(biāo)識的比較，既使不檢測每個(gè)扇區(qū)的ID也可以迅速檢測出存取位置的偏移。
還有，在實(shí)施例2的存儲器32中，存儲了光盤1上的全部扇區(qū)的ID信息(D1)，還加上光盤1上的各磁道T1的先頭扇區(qū)信息(D21)，所以被指定的目的扇區(qū)所屬磁道的先頭扇區(qū)的ID是預(yù)先已知值。這樣，在實(shí)施例1中需要的目的扇區(qū)的位置判斷(STEP2)和比較ID的設(shè)定步驟(STEP3、STEP4)就沒有必要了。通過中央運(yùn)算處理裝置(CPU)31的指令，可以直接設(shè)定比較ID(STEP22)。因此，可以實(shí)現(xiàn)迅速的處理。
進(jìn)而，在實(shí)施例3的存儲器32中存儲了扇區(qū)的ID信息(D1)與先頭扇區(qū)信息(D21)，還加上每個(gè)磁道T1的扇區(qū)標(biāo)識信息(D41)，所以被指定的目的扇區(qū)所屬磁道的扇區(qū)標(biāo)識是預(yù)先已知值。這樣，在讀取光盤1時(shí)涉及全部磁道T1，先頭扇區(qū)S1的ID部讀取并與比較ID的比較就沒有進(jìn)行的必要了，只對涉及被指定種類的扇區(qū)標(biāo)識進(jìn)行該處理就行了。光盤1上依次設(shè)定了3種扇區(qū)標(biāo)識，先頭扇區(qū)的ID讀取與比較ID的比較處理在光盤1上1/3的磁道T1上進(jìn)行就可以了。因此，可以實(shí)現(xiàn)更迅速的處理。
接著，根據(jù)圖8來說明本發(fā)明可使用的扇區(qū)標(biāo)識的標(biāo)識結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。圖8表示在實(shí)施例中光盤1上可以使用的4種扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)的變形例。不管哪一個(gè)都是以圖13所示的現(xiàn)有被使用的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)的奇數(shù)帶(Odd Band)、偶數(shù)帶(Even Band)為基礎(chǔ)變形后的結(jié)構(gòu)例。在此，奇數(shù)帶(Odd Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)和偶數(shù)帶(Even Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)在現(xiàn)有技術(shù)中的光盤1中，由于光盤內(nèi)外側(cè)的周長不同而被分割的光盤上，設(shè)定復(fù)數(shù)區(qū)段，從光盤外側(cè)分別配置奇數(shù)個(gè)區(qū)段和偶數(shù)個(gè)區(qū)段，并不是有意用來識別本發(fā)明那樣的磁道。
另外，在圖8、圖13中、“6T”、“12T”各自表示6比特長、12比特長的比特持續(xù)時(shí)間。還有，“0”、“1”表示2位的比特?cái)?shù)據(jù)。進(jìn)而，“no mark”、“mark”表示光盤上有無凹凸結(jié)構(gòu)?！皀o mark”表示沒有凹凸結(jié)構(gòu)的狀態(tài)；“mark”表示有的狀態(tài)?！皀o mark”、“mark”通過光盤存取裝置30作為電氣信號讀出時(shí)，被作為高/低電平讀出。
圖8所示的例1的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)是以圖13的奇數(shù)帶(Odd Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)生成。末尾的6比特結(jié)構(gòu)(“000101”)不變，奇數(shù)帶(Odd Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)位置A以后的部分位移到前段結(jié)構(gòu)，后段結(jié)構(gòu)中配置結(jié)構(gòu)位置A以前的部分來構(gòu)成。以結(jié)構(gòu)位置A作為分界在其前后替換結(jié)構(gòu)順序。
例2的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)是以圖13的偶數(shù)帶(Even Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)生成的。末尾的6比特結(jié)構(gòu)(“000001”)不變，偶數(shù)帶(EvenBand)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)位置B以后的部分位移到前段結(jié)構(gòu)，后段結(jié)構(gòu)中配置結(jié)構(gòu)位置B以前的部分來構(gòu)成。以結(jié)構(gòu)位置B作為分界，在其前后替換結(jié)構(gòu)順序。
例3的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)是以例1的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)生成。末尾的6比特結(jié)構(gòu)(“000101”)不變，例1的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)位置C以后的部分位移到前段結(jié)構(gòu)，后段結(jié)構(gòu)中配置結(jié)構(gòu)位置C以前的部分來構(gòu)成。以結(jié)構(gòu)位置C作為分界，在其前后替換結(jié)構(gòu)順序。
例4的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)是以例2的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)生成。末尾的6比特結(jié)構(gòu)(“000001”)不變，例2的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)位置D以后的部分位移到前段結(jié)構(gòu)，后段結(jié)構(gòu)中配置結(jié)構(gòu)位置D以前的部分來構(gòu)成。以結(jié)構(gòu)位置D作為分界，在其前后替換結(jié)構(gòu)順序。
在圖8中，作為在現(xiàn)有技術(shù)中使用的以奇/偶帶(Odd/Even Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)而進(jìn)行變形后的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)，表示了4種扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)。此外也可以通過替換結(jié)構(gòu)位置順序等的適當(dāng)變形來構(gòu)成更多的扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)。
另外，不進(jìn)行扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)位置順序替換等，而是在現(xiàn)有的奇/偶帶(Odd/Even Band)扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)或圖8所示的變形結(jié)構(gòu)中，通過追加給定的識別結(jié)構(gòu)，就可以構(gòu)成多種扇區(qū)標(biāo)識結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明并不局僅限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種改良和變形。
例如，在本實(shí)施例中，雖然是設(shè)定3種扇區(qū)標(biāo)識SM1～SM3，對應(yīng)偏離預(yù)期值可能在正常存取位置前后2個(gè)磁道范圍內(nèi)偏移的情況而構(gòu)成的，但扇區(qū)標(biāo)識的種類并不僅限于此。也可以是在偏離預(yù)期值是1個(gè)磁道的情況下設(shè)定成2種，反之，也可以是偏離預(yù)期值在3個(gè)磁道以上的情況下，設(shè)定4種以上。當(dāng)然可以對應(yīng)于光盤的規(guī)格、光盤存取裝置、存取方法來進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)定。
另外，雖然是把磁道長度作為光盤的1個(gè)周長，以在相鄰排列的存取磁道之間設(shè)定不同的扇區(qū)標(biāo)識的情況作為例子進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并不僅限于此。即，也可以在包含了相鄰存取磁道，在偏離預(yù)期值的區(qū)域內(nèi)，對每個(gè)磁道設(shè)定唯一的扇區(qū)標(biāo)識。能以更適當(dāng)?shù)拈L度來分割光盤的1周。另外，由于光盤的內(nèi)周和外周的周長不同，也可以變更在內(nèi)外占有光盤1周的磁道區(qū)域來設(shè)定。其他也可以適應(yīng)光盤和光盤存取裝置等中的存取位置偏移的特性來設(shè)定適當(dāng)?shù)拇诺绤^(qū)劃。
另外，雖然例示了只在磁道T1的先頭扇區(qū)S1處配置ID部12的情況，但本發(fā)明并不僅限于此。只要是構(gòu)成磁道的扇區(qū)，不必是先頭扇區(qū)，也可以根據(jù)相對于適當(dāng)?shù)奈恢蒙葏^(qū)的ID來配置ID部。
另外，雖然作為被配置的扇區(qū)上的數(shù)據(jù)識別信息說明了在ID部配置的ID，但并不僅限于此，也可以只具有為了識別整體磁道而被給予的上位識別信息而配置。
另外，雖然在實(shí)施例1至3的預(yù)測扇區(qū)標(biāo)識的設(shè)定順序中表示了扇區(qū)通過時(shí)間的測量(STEP11)通過時(shí)鐘信號的累計(jì)(計(jì)算)來測量的，但是并不僅限于此，如果是一般的測量裝置也可以適用。例如可以設(shè)定為測量實(shí)際時(shí)間。另外，測量處理也可以使用硬件/軟件或它們的結(jié)合等任意一種方法來進(jìn)行。
另外，在本發(fā)明的說明中，作為光盤雖然表示了MO和DVD的例子，但如果是對數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)存取動(dòng)作的介質(zhì)，也同樣可以適用于其他的介質(zhì)。而且，也并不僅限定于光盤。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明，不用伴隨介質(zhì)的細(xì)微化而使制造成本和存取裝置的構(gòu)成零部件成本增大，通過將光盤等進(jìn)行隨機(jī)存取動(dòng)作的存儲介質(zhì)上的控制信息部的占有區(qū)域壓縮到所需的最小限度來使數(shù)據(jù)存儲容量增大，進(jìn)而可以迅速地檢測存取時(shí)的位置偏移。
權(quán)利要求
1.一種存儲介質(zhì)，其特征在于包括具有數(shù)據(jù)部和控制信息部的信息單位；和將給定數(shù)量的上述信息單位作為1個(gè)單位，具有用于把存儲在上述各數(shù)據(jù)部內(nèi)的數(shù)據(jù)作為整體來進(jìn)行識別的1組的群數(shù)據(jù)識別信息的信息單位群；上述控制信息部具有用于識別上述信息單位的識別信息；上述識別信息在每個(gè)上述信息單位群中為不同的信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述群數(shù)據(jù)識別信息是用于識別上述數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)識別信息，上述數(shù)據(jù)存儲在構(gòu)成上述信息單位群的上述信息單位中的任意1個(gè)信息單位的上述數(shù)據(jù)部中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述群數(shù)據(jù)識別信息是用于識別上述數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)識別信息，上述數(shù)據(jù)存儲在構(gòu)成上述信息單位群的上述信息單位中的先頭的信息單位的上述數(shù)據(jù)部中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述群數(shù)據(jù)識別信息是構(gòu)成上述信息單位群的上述信息單位中的各數(shù)據(jù)識別信息中共用的上位識別信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意1項(xiàng)所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述群數(shù)據(jù)識別信息包含在構(gòu)成上述信息單位群的上述信息單位中的任意一個(gè)信息單位的上述控制信息部中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述群數(shù)據(jù)識別信息包含在構(gòu)成上述信息單位群的上述信息單位中的先頭的信息單位的上述控制信息部中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述信息單位群在光盤上排列的上述信息單位的存取磁道之間構(gòu)成不同的上述信息單位群。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述識別信息包含用于檢測上述信息單位的先頭位置的信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述識別信息包含對上述信息單位進(jìn)行存取時(shí)的同步信息。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述識別信息在給定數(shù)量的每個(gè)上述信息單位群中進(jìn)行回歸性重復(fù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲介質(zhì)，其特征在于應(yīng)該對上述識別信息進(jìn)行回歸性重復(fù)的上述信息單位群的給定數(shù)量是根據(jù)偏離正常存取位置的偏離預(yù)期值來決定的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述識別信息被確定為對包含在上述偏離預(yù)期值的區(qū)域內(nèi)的上述信息單位群進(jìn)行唯一識別。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意1項(xiàng)所述的存儲介質(zhì)，其特征在于上述存儲介質(zhì)是光盤。
14.一種存儲介質(zhì)存取裝置，在權(quán)利要求1至13中任意1項(xiàng)所述的存儲介質(zhì)上進(jìn)行存取動(dòng)作，其特征在于包括用于檢測所存取的上述信息單位群中的上述識別信息的識別信息檢測裝置；把最初檢測出的上述識別信息作為初期值，來依次發(fā)生識別信息預(yù)期值的預(yù)期值發(fā)生裝置；和把從上述識別信息檢測裝置得出的檢測結(jié)果與從上述預(yù)期值發(fā)生裝置得到的上述識別信息預(yù)期值進(jìn)行比較的比較部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲介質(zhì)存取裝置，其特征在于具有在進(jìn)行上述存取時(shí)，對掃描上述信息單位群的定時(shí)進(jìn)行測量的測量裝置；上述預(yù)期值發(fā)生裝置根據(jù)上述測量裝置的測量結(jié)果，依次變更上述識別信息預(yù)期值。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲介質(zhì)存取裝置，其特征在于上述測量裝置根據(jù)基準(zhǔn)同步信號來進(jìn)行測量。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任意1項(xiàng)所述的存儲介質(zhì)存取裝置，其特征在于包括具有存儲上述群數(shù)據(jù)識別信息與上述識別信息的對應(yīng)關(guān)系的存儲裝置；當(dāng)進(jìn)行上述存取時(shí)，對具有通過上述存儲裝置附加了對應(yīng)關(guān)系的上述識別信息的上述信息單位群進(jìn)行選擇的選擇裝置；從通過上述選擇裝置選擇的上述信息單位群當(dāng)中檢測出所指示的上述群數(shù)據(jù)識別信息。
18.一種存儲介質(zhì)存取方法，在權(quán)利要求1至13中任意1項(xiàng)所述的存儲介質(zhì)上進(jìn)行存取動(dòng)作，其特征在于包括在對所存取的上述信息單位群中的上述識別信息進(jìn)行檢測的同時(shí)，把最初檢測出的上述識別信息作為初期值來依次產(chǎn)生識別信息預(yù)期值，對上述檢測出的結(jié)果和上述識別信息預(yù)期值進(jìn)行比較。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲介質(zhì)存取方法，其特征在于在進(jìn)行上述存取時(shí)，對掃描上述信息單位群的定時(shí)進(jìn)行測量，根據(jù)上述測量出的定時(shí)來依次變更上述識別信息預(yù)期值。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的存儲介質(zhì)存取方法，其特征在于通過預(yù)先掌握上述群數(shù)據(jù)信息與上述識別信息的對應(yīng)關(guān)系，在進(jìn)行上述存取時(shí)選擇具有附加了對應(yīng)關(guān)系的上述識別信息的上述信息單位群，從所選擇的上述信息群當(dāng)中檢測出所指示的上述群數(shù)據(jù)認(rèn)別信息。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲介質(zhì)，光盤1的磁道T1由具備ID部12的先頭扇區(qū)S1和只具有扇區(qū)標(biāo)識部13的后續(xù)扇區(qū)S2構(gòu)成，在磁道之間配置有不同的扇區(qū)標(biāo)識。在壓縮ID部、增加數(shù)據(jù)區(qū)域的同時(shí)，通過在磁道之間配置不同的扇區(qū)標(biāo)識，可以迅速地檢測出位置偏移。能增大數(shù)據(jù)存儲容量并迅速地檢測出進(jìn)行存取時(shí)的位置偏移，能進(jìn)行隨機(jī)存取。
文檔編號G06F12/00GK1589472SQ0182373
公開日2005年3月2日 申請日期2001年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月23日
發(fā)明者堀部康司 申請人:富士通株式會(huì)社