專利名稱：：智能卡集成電路之電壓調(diào)整器電路的制作方法〔發(fā)明領(lǐng)域〕本發(fā)明系有關(guān)于一種電壓調(diào)整器電路，其系應(yīng)用于智能卡集成電路設(shè)計之領(lǐng)域中。〔習(xí)知技藝〕使用不同電壓領(lǐng)域(外部及內(nèi)部電壓)之集成電路通常會具有電壓調(diào)整器電路，舉例來說，如國家半導(dǎo)體公司(NS)在1999年6月發(fā)表之文件”LP2954/LP2954A5yandAdjustableLow-DropoutVoltageRegulators”之第10頁所繪示。這個集成電路之操作電壓系地點連接點(VSS)及供應(yīng)電位間之電位差。這個電壓，其低于內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint，系利用一串聯(lián)調(diào)整器形成的復(fù)雜電壓調(diào)整器電路、由外部供應(yīng)電壓VDDext產(chǎn)生。為簡化說明這個電壓調(diào)整器電路(如第1圖之習(xí)知技藝所示)之串聯(lián)調(diào)整器系使用一電路圖繪示，其系表示這個電路驅(qū)動一串聯(lián)調(diào)整晶體管之基本方式。第1圖所示之電路系包括一串聯(lián)調(diào)整器1，其系具有一串聯(lián)調(diào)整晶體管、并將外部供應(yīng)電壓VDDext轉(zhuǎn)換為內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint。這個串聯(lián)調(diào)整晶體管M1之閘極連接點，如這個串聯(lián)調(diào)整器之一調(diào)整器連接點R，系施加一電位以控制這個電壓轉(zhuǎn)換。這個信號系這個調(diào)整器內(nèi)部之一模擬信號。這個內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint系供應(yīng)電壓至這個智能卡集成電路。另外，這個核心電容器Ccore系表示在圖中，藉以解釋這個電路之操作。這個串聯(lián)調(diào)整器之電路通常系更加復(fù)雜、并且不同于圖標(biāo)簡單范例，雖然仍具備相同操作原理。另外，第1圖所示之電壓調(diào)整器電路系具有下列缺點，即當(dāng)外部供應(yīng)電壓VDDext快速開啟時，內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint可能會出現(xiàn)過沖(overshooting)、并在特定級積分后變得無法忍受，因為連接至內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint之晶體管之薄閘極氧化層將會受到損害。第4圖系表示內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint及外部供應(yīng)電壓VDDext開啟過程期間、隨時間變化之電壓輪廓。另外，僅有五個連接接觸區(qū)域，通常是焊墊(VDDext、VSS、Clock、IO、Reset)，及其根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)組織/泛歐數(shù)字式行動電話系統(tǒng)(ISO/GSM)標(biāo)準(zhǔn)之開啟序列系規(guī)定于智能卡集成電路。因此，這種方法并無法借著額外焊墊或不同開啟序列之提供而得到理想之瞬時響應(yīng)。有鑒于此，本發(fā)明之主要目的便是提供一種智能卡集成電路之電壓調(diào)整器電路，其系能夠僅可能簡單、并且能夠克服開啟過程期間之過沖(overshooting)問題。本發(fā)明之上述及其它目的系利用具有申請專利范圍第1項特征之電壓調(diào)整器電路達(dá)成。另外，進(jìn)一步之調(diào)整及變動則揭露于其它附屬項中?！舶l(fā)明概述〕本發(fā)明之電壓調(diào)整器系具有一串聯(lián)調(diào)整器，如習(xí)知技藝、并由一外部供應(yīng)電壓VDDext產(chǎn)生一內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint，一電容器及一場效晶體管，其用以做為一轉(zhuǎn)移閘極、并串聯(lián)于外部供應(yīng)電壓VDDext之一連接點及串聯(lián)調(diào)整器之一調(diào)整器連接點間。這個轉(zhuǎn)移閘極系施加一電位，其系與一智能卡集成電路之一控制信號同時變動。特別是，這個串聯(lián)調(diào)整器系包括一串聯(lián)調(diào)整晶體管，其源極及汲極系串聯(lián)于外部供應(yīng)電壓VDDext及內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint之間、且其閘極連接點系這個串聯(lián)調(diào)整器之調(diào)整器連接點、或至少能夠路由至這個調(diào)整器連接點。如此，這個串聯(lián)調(diào)整晶體管在其閘極之電位便可以調(diào)整。〔圖式之簡單說明〕本發(fā)明系配合較佳實施例，參考所附圖標(biāo)詳細(xì)說明如下，其中第1圖系表示習(xí)知技藝之電壓調(diào)整器電路，其系說明于習(xí)知技藝；第2圖系表示本發(fā)明電壓調(diào)整器電路之較佳實施例；第3圖系表示激活重設(shè)(POR)信號之圖標(biāo)；第4圖系表示第1圖所示電路之內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint及外部供應(yīng)電壓VDDext之圖標(biāo)；以及第5圖系表示第2圖所示電路、對應(yīng)第4圖之圖標(biāo)?！草^佳實施例之詳細(xì)說明〕第2圖系表示本發(fā)明電壓調(diào)整器電路之較佳實施例，其中，該串聯(lián)調(diào)整器L系示于圖中，藉以說明第1圖電路之操作方式。這個串聯(lián)調(diào)整器之各種調(diào)整及變動系產(chǎn)生本發(fā)明電路之對應(yīng)較佳實施例，其將不需要分別詳細(xì)說明。一電容器C1及一轉(zhuǎn)移閘極TG1(其利用一場效晶體管形成)系串聯(lián)于這個串聯(lián)調(diào)整晶體管M1(其源極/汲極路徑系用于電壓轉(zhuǎn)換)之源極與門極間。這個電路組件之其余部分系與習(xí)知電路相同，如第1圖所示。這個轉(zhuǎn)移閘極系利用一信號產(chǎn)生器SG產(chǎn)生之一信號，諸如一激活重設(shè)(POR)信號，驅(qū)動、且通常具備第3圖所示之一時間特征。這個激活重設(shè)(POR)信號系一數(shù)字信號且具有兩種數(shù)值，即地點電位(或VSS)及外部供應(yīng)電壓VDDext。根據(jù)本發(fā)明，這個激活重設(shè)(POR)信號系獨立于提供電路區(qū)塊地產(chǎn)生于一智能卡集成電路中、并且用于一開啟過程中。在開啟過程時，這個電容器C1系進(jìn)行放電。當(dāng)外部供應(yīng)電壓VDDext施加且轉(zhuǎn)移閘極開啟時，這個串聯(lián)調(diào)整晶體管M1系與目前進(jìn)行之電容器C1充電同時關(guān)閉。由于這個充電過程占去特定時間，因此這個串聯(lián)調(diào)整器L僅需要緩慢地關(guān)閉。本發(fā)明之電路組件(電容器C1及轉(zhuǎn)移閘極TG1)系本發(fā)明之基本組件，無論這個串聯(lián)調(diào)整器之精確形成為何。這些組件最好能夠利用大于(內(nèi)部)電壓調(diào)整器時間常數(shù)之一時間常數(shù)標(biāo)出尺寸。這個過程達(dá)到之效果系，這個(內(nèi)部)核心電容器Ccore亦可以緩慢地充電，進(jìn)而避免內(nèi)部供應(yīng)電壓VDDint產(chǎn)生過沖(overshooting)。在這種電路中，這些隨時間之電壓輪廓系對應(yīng)于第5圖所示之曲線。等內(nèi)部瞬時過程結(jié)束后，這個轉(zhuǎn)移閘極系利用這個激活重設(shè)(POR)信號永久地開啟。由于額外電容器C1僅附加于外部供應(yīng)電壓VDDext、且轉(zhuǎn)移閘極在整個操作過程中亦維持開啟，因此這個智能卡集成電路之動態(tài)響應(yīng)并不會受到這個電壓調(diào)整器電路影響。另外，操作期間之靜態(tài)及動態(tài)電流消耗亦維持不受影響。另外，降低之峰值電流水準(zhǔn)亦會具備降低電致遷移(electromigration)之優(yōu)點。權(quán)利要求1.一種電壓調(diào)整器電路，用于具有一電路之智能卡集成電路，其具有一串聯(lián)調(diào)整器(L)，藉以由一外部供應(yīng)電壓(VDDext)產(chǎn)生一內(nèi)部供應(yīng)電壓(VDDint)，其中，該串聯(lián)調(diào)整器(L)系包括一串聯(lián)調(diào)整晶體管(M1)，其源極及汲極系串聯(lián)于該外部供應(yīng)電壓(VDDext)及該內(nèi)部供應(yīng)電壓(VDDint)之間；以及其中，一電容器(C1)及做為一轉(zhuǎn)移閘極(TG1)之一場效晶體管系串聯(lián)于該外部供應(yīng)電壓(VDDext)之一連接點及該串聯(lián)調(diào)整器(L)之一調(diào)整器連接點(R)，藉以調(diào)整該串聯(lián)調(diào)整晶體管于該閘極連接點之電位；以及其中，對于該轉(zhuǎn)移閘極(TG1)而言，一可變電位系在該電路之一瞬時過程期間關(guān)閉該轉(zhuǎn)移閘極、并在該瞬時過程結(jié)束后永久開啟該轉(zhuǎn)移閘極。2.如申請專利范圍第1項所述之電壓調(diào)整器電路，其中，該轉(zhuǎn)移閘極(TG1)之連接點系連接至一電路區(qū)塊，其系隨時間、連續(xù)遞送具有兩不同數(shù)值之一電壓信號。3.如申請專利范圍第2項所述之電壓調(diào)整器電路，其中，該兩級電壓信號系一激活重設(shè)(POR)信號，其系對應(yīng)于一智能卡集成電路之一控制信號。全文摘要本電路系包括一串聯(lián)調(diào)整器(L)，其具有一場效晶體管(M1)。串聯(lián)于其源極，用以施加外部供應(yīng)電壓(VDDext)，與門極間系一電容器(C1)及另一場效晶體管，其系用以做為一轉(zhuǎn)移閘極(TG1)、并利用激活重設(shè)信號(POR)驅(qū)動。當(dāng)外部供應(yīng)電壓(VDDext)施加且轉(zhuǎn)移閘極(TG1)開啟時，場效晶體管(M1)系與目前進(jìn)行之電容器充電同時關(guān)閉。由于充電過程占去特定時間，因此內(nèi)部供應(yīng)電壓(VDDint)便可以免于過沖(overshooting)。文檔編號G06K7/00GK1479909SQ01820229公開日2004年3月3日申請日期2001年11月21日優(yōu)先權(quán)日2000年12月6日發(fā)明者U·維德,U維德申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司