專利名稱：標(biāo)記的讀出方法和所用的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及標(biāo)記的讀出方法和所用的設(shè)備，其中在其基底上形成了預(yù)定的功能器件的功能器件形成體上形成的標(biāo)記用光學(xué)方法讀出。
把數(shù)據(jù)記錄在諸如硬盤裝置等信息記錄介質(zhì)上/由其中重放時使用的磁頭滑動觸頭(slider)一般是利用光刻法、薄膜形成技術(shù)、蝕刻技術(shù)、拋光處理技術(shù)等制造如下在晶片上形成多個薄膜磁頭器件，切割該晶片，分離成單個磁頭滑動觸頭，其中的每一個都包括至少一個薄膜磁頭器件。
制造大量的磁頭滑動觸頭時，通過一系列制造工序在每一個磁頭滑動觸頭的預(yù)定表面上設(shè)置識別標(biāo)記。這種識別標(biāo)記提供，例如，該磁頭滑動觸頭的制造信息，諸如制造日期、制造規(guī)格、所用材料、制造序號等。識別標(biāo)記是為管理磁頭滑動觸頭的制造歷史的目的而設(shè)置的。批量制造時，利用通過識別碼提供的制造信息的過程管理使不同制造規(guī)格的產(chǎn)品避免混淆和準(zhǔn)確地跟蹤制造的產(chǎn)品序號和整個制造過程成為可能。在制造過程中在產(chǎn)品中使用了有缺陷的部件時，或者在制造過程完成之后發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品性能等有問題時，通過對所制造的一系列產(chǎn)品的每一個識別碼進(jìn)行性能測試等，快速而準(zhǔn)確地檢測出缺陷出現(xiàn)的規(guī)模并有效地清除有缺陷的產(chǎn)品。
這里，一般設(shè)置的識別標(biāo)記的實例是由字符符號串以字符或數(shù)字的排列的形式(以下稱作“字符符號”)構(gòu)成的識別標(biāo)記和以預(yù)定的圖形排列的形式由圖案構(gòu)成的識別標(biāo)記。至于由字符符號串構(gòu)成的識別標(biāo)記，單個字符符號或多個字符符號的組合表示特定的制造信息。至于由圖案構(gòu)成的識別標(biāo)記，圖形符號的數(shù)量、形狀、大小、排列等表示特定的制造信息。
在磁頭滑動觸頭上設(shè)置識別標(biāo)記的方法和形成識別標(biāo)記的方法的實例是本申請人申請的日本公開特許公報No.平9-50606中的方法。在這個公報中，在磁頭滑動觸頭表面上設(shè)置兩種類型的超小型識別標(biāo)記，其中一種由字符符號串構(gòu)成，而另一種由圖案構(gòu)成，在表面薄膜磁頭器件上形成，以指示磁頭滑動觸頭的制造信息。在這種情況下，由字符符號串構(gòu)成的識別標(biāo)記，作為薄膜磁頭器件一部分與磁層同時形成，而同時由圖案構(gòu)成的識別標(biāo)記用照射激光的方法在薄膜磁頭器件表面上形成的保護(hù)薄膜的預(yù)定區(qū)域上形成。
設(shè)置在磁頭滑動觸頭上的超小型識別標(biāo)記利用顯微鏡等由工人等視覺識別。該識別標(biāo)記就是字符和圖形的排列，因而由工人等利用轉(zhuǎn)換圖表把識別標(biāo)記轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的制造信息。若有必要，可進(jìn)行多于一次的轉(zhuǎn)換。這樣，從設(shè)置在磁頭滑動觸頭上的識別標(biāo)記便獲得必要的識別信息。
上述傳統(tǒng)的磁頭滑動觸頭識別標(biāo)記的讀出方法有以下問題有待改進(jìn)。
首先，采用傳統(tǒng)識別標(biāo)記的讀出方法，諸如識別超小型識別標(biāo)記、轉(zhuǎn)換成制造信息等繁重的工作需要由人手完成。因此，進(jìn)行這樣的工作需要大量的時間，這對提高生產(chǎn)率是一個巨大的障礙。
其次，超小型識別標(biāo)記的識別、向制造信息的轉(zhuǎn)換等工作都是利用人手完成的，使得存在諸如識別識別標(biāo)記時的讀錯字符符號和對圖形符號進(jìn)行計數(shù)出錯、從識別標(biāo)記轉(zhuǎn)換成制造信息出錯等人為差錯引起錯誤的危險。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，例如，像在日本公開特許公報No.平8-130171，No.平7-141461，No.平6-52138中，公開了用光學(xué)方法讀出設(shè)置在，例如，半導(dǎo)體晶片上的識別標(biāo)記的技術(shù)。
在這些公報中，都是在假定識別標(biāo)記在半導(dǎo)體晶片本身，亦即在其上形成半導(dǎo)體器件的基底上形成的情況下公開讀出識別標(biāo)記的方法的。但是，正如在本申請人所申請的上述日本公開特許公報No.平9-50606中，并未公開例如在基底以外的薄膜磁頭器件或者保護(hù)薄膜的一部分上形成的識別標(biāo)記的讀出方法。另外，上述有關(guān)半導(dǎo)體處理過程的三個公告都是根據(jù)識別標(biāo)記在晶片處理過程中讀出的前提下描述的，因而沒有有關(guān)基底分離成單個元件(半導(dǎo)體芯片)之后的識別信息的管理的描述。
本發(fā)明是為了克服上述問題而設(shè)計的。本發(fā)明的一個目的是提供一種標(biāo)記讀出方法及其所用的設(shè)備，其中即使標(biāo)記是在諸如磁頭滑動觸頭的功能器件形成體的基底以外的一部分形成，也能準(zhǔn)確而快速地讀出。
按照本發(fā)明，一種讀出在至少包括一個基底的功能器件形成體中的功能器件結(jié)構(gòu)層或保護(hù)層上形成的識別標(biāo)記的方法，功能器件結(jié)構(gòu)層包括通過薄膜處理在所述基底上形成的預(yù)定的功能器件結(jié)構(gòu)，而保護(hù)層覆蓋所述功能器件結(jié)構(gòu)層，所述方法包括用法向入射照明的照明光照射在功能器件形成體上，并根據(jù)從所述功能器件形成體反射的光讀出在功能器件形成體結(jié)構(gòu)層或保護(hù)層上形成的標(biāo)記的步驟。
這里，“功能器件結(jié)構(gòu)”是具有包括諸如磁記錄/重放器件結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、光記錄/重放結(jié)構(gòu)等磁、電、光的功能的預(yù)定的功能的器件結(jié)構(gòu)。“功能器件形成體”的實例是其中形成了磁記錄器件或磁重放器件的磁頭滑動觸頭、其中形成了半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體芯片、其中形成了光學(xué)記錄/重放器件的光學(xué)讀出器等。“標(biāo)記”是指表示某些事物用的感知對象?！皹?biāo)記”的實例不僅是符號，而且是語言或字母?！袄硐肴肷湔彰鳌笔鞘褂妙愃朴谶h(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)(而非理想的遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng))的照明方法。具體地說，采用這種照明方法時，照明光垂直地照射在要輻照的表面上，而反射光不僅在光軸上，而且在光軸以外變得與光軸平行。類似地，在遠(yuǎn)心虹膜后面的聚光透鏡和圖像表面之間任意點上，反射光不僅在光軸上，而且在光軸以外變得與光軸平行。
采用本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法，可以形成包括制造信息的標(biāo)記，所述制造信息指功能器件形成體的制造過程中的信息。在這種情況下，標(biāo)記最好包括表示包括在功能器件形成體中的基底的來源的來源識別信息。這里，“來源識別信息”是表示制造過程中基底的來源的信息。例如，當(dāng)基底從預(yù)定的母材分離出來時，來源識別信息包括指定母材、母材的制造批次信息和所述基底位于母材何處的位置信息等。
采用本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法時，標(biāo)記可以包括至少一個由多個像點構(gòu)成的像點圖案和一個字符符號。在這種情況下，像點圖案最好由通過預(yù)定能量束的輻照而在保護(hù)層上熔化的材料殘余形成的。像點圖案可以是能量束輻照引起保護(hù)層一部分破壞而造成的輻照疤痕。在這種情況下，標(biāo)記最好包括來源識別信息，用來代表包括在上述功能器件形成體中的基底的來源的來源識別信息。
采用本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法時，字符符號與作為功能器件結(jié)構(gòu)層一部分的預(yù)定層同時形成。在這種情況下，字符符號包括地址信息，后者代表基底在包括于功能器件形成體中的基底由之分離的母材中的地址。
采用本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法時，標(biāo)記讀出步驟最好包括通過對來自功能器件形成體的反射光進(jìn)行的光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的過程、根據(jù)所形成的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行圖像識別而獲得圖像圖案的過程、和根據(jù)所獲得的圖像圖案獲得與該圖像圖案對應(yīng)的信息的過程。
采用本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法時，功能器件結(jié)構(gòu)可以是薄膜磁頭結(jié)構(gòu)，用來執(zhí)行把信息記錄在記錄介質(zhì)上和從其中重放信息這兩個功能中的至少一個。
按照本發(fā)明，一種用來讀出包括在功能器件形成體中的標(biāo)記用的設(shè)備，所述功能器件形成體包括至少一個基底、具有通過薄膜處理在基底上形成的預(yù)定功能器件結(jié)構(gòu)的功能器件結(jié)構(gòu)層、覆蓋功能器件結(jié)構(gòu)層的保護(hù)層以及在功能器件結(jié)構(gòu)層上或在保護(hù)層上形成的預(yù)定的標(biāo)記，所述設(shè)備配有發(fā)射光用的光源；法向入射照明系統(tǒng)，用來使法向入射照明的照明光線照射在功能器件形成體上成為可能；以及根據(jù)來自所述功能器件形成體的反射光讀出在功能器件結(jié)構(gòu)層或保護(hù)層上形成的標(biāo)記用的裝置。
采用該標(biāo)記讀出方法和所用設(shè)備時，把法向入射照明的照明光線照射在功能器件形成體上，根據(jù)來自功能器件形成體的反射光讀出在功能器件結(jié)構(gòu)層上或保護(hù)層上形成的標(biāo)記。
從以下的描述中，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點將更充分地顯現(xiàn)出來。


圖1是透視圖，表示其中使用按照本發(fā)明一個實施例的標(biāo)記讀出方法及所用設(shè)備的磁頭滑動觸頭的外部結(jié)構(gòu)；圖2是拆開的圖1所示磁頭滑動觸頭主要部分的放大透視圖；圖3是在圖1所示磁頭滑動觸頭中形成的薄膜磁頭結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4是在圖1所示磁頭滑動觸頭中形成的薄膜磁頭主要結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖5是制造圖1所示磁頭滑動觸頭的方法的流程圖；圖6是磁頭滑動觸頭制造步驟的透視圖；圖7是圖6步驟之后的步驟的透視圖；圖8是圖7步驟之后的步驟的透視圖；圖9是圖8步驟之后的步驟的透視圖；圖10是圖9步驟之后的步驟的透視圖；圖11是圖10步驟之后的步驟的透視圖；圖12表示在圖1所示磁頭滑動觸頭上形成的識別標(biāo)記的一個實例；圖13是表示由圖12所示的識別標(biāo)記像點圖案構(gòu)成的放大的識別標(biāo)記的平面圖；圖14是薄膜磁頭剖面圖，解釋由圖13所示像點圖案構(gòu)成的識別號碼形成方法；圖15是方框圖，表示按照本發(fā)明一個實施例的標(biāo)記讀出設(shè)備的配置；
圖16是流程圖，解釋圖15所示標(biāo)記讀出設(shè)備的圖像處理過程；圖17是用按照本發(fā)明一個實施例的標(biāo)記讀出設(shè)備獲得的顯微照片，表示由像點圖案構(gòu)成的識別標(biāo)記的圖像的一個實例；圖18是用按照一個對照的標(biāo)記讀出設(shè)備獲得的顯微照片，表示由像點圖案構(gòu)成的識別標(biāo)記的圖像的一個實例。
下面將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的一個實施例。在該實施例中，將描述按照本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法應(yīng)用于其中的磁頭滑動觸頭的結(jié)構(gòu)及其制造過程，以及在該磁頭滑動觸頭上設(shè)置標(biāo)記的方法，然后，再描述按照本發(fā)明一個實施例的標(biāo)記讀出方法及所用設(shè)備。圖1至圖4表示本發(fā)明一個實施例的標(biāo)記讀出方法應(yīng)用于其中的磁頭滑動觸頭的配置。圖1是磁頭滑動觸頭的結(jié)構(gòu)的外形圖；圖2是薄膜磁頭器件11的結(jié)構(gòu)的分解圖；圖3是從圖2箭頭III方向看的結(jié)構(gòu)的平面圖；而圖4是沿著圖3直線IV-IV方向看的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
正如這些圖所描述的，磁頭滑動觸頭10，例如，具有由Al2O3-TiC(altic)制成的塊形基底10c。基底10c，例如，基本上呈六面體(既，矩形的平行六面體)。六面體的一面(圖1的上表面)緊密地面對磁記錄介質(zhì)的記錄面。在面對磁記錄介質(zhì)的記錄面的表面上形成兩個平行滑軌14。每一個滑軌14的表面稱為空氣支承表面(ABS)10b。當(dāng)磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)時，磁記錄介質(zhì)的記錄面和空氣支承表面10b之間產(chǎn)生的氣流使磁頭滑動觸頭10能夠略微移離記錄面。于是，在空氣支承表面10b和磁記錄介質(zhì)之間便建立一個恒定的間隙。這里，磁頭滑動觸頭10相當(dāng)于本發(fā)明的“功能器件形成體”的一個特例，而基底10c相當(dāng)于本發(fā)明的“基底”的一個特例。
與基底10c空氣支承表面10b垂直的一個側(cè)面(圖1的左側(cè)面)包括器件形成面10a。與滑軌14及其附近對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成的器件形成面10a內(nèi)是薄膜磁頭器件11、向薄膜磁頭器件11輸入記錄信號/由其中輸出重放信號的電極焊盤12a至12d、在電氣上連接薄膜磁頭器件11和電極焊盤12a至12d用的接線圖案13a至13d。
如圖2至4所示，薄膜磁頭器件11是集成型磁記錄/重放頭，具有包括重放記錄在磁記錄介質(zhì)上的磁信息用的重放頭11a和把磁信息記錄在磁記錄介質(zhì)上用的記錄頭11b的整體結(jié)構(gòu)。
重放頭11a具有包括絕緣層111、底部屏蔽層112、底部屏蔽縫隙層113、頂部屏蔽縫隙層114、頂部屏蔽層115的疊層結(jié)構(gòu)，例如，在緊靠空氣支承表面10b的一側(cè)按照上列次序?qū)盈B在基底10c上。例如，絕緣層111在層疊方向上是2μm至10μm厚(此后稱作厚度)并用Al2O3(氧化鋁)制成。例如，底部屏蔽層112是1μm至3μm厚，并用諸如NiFe(鎳-鐵合金，坡莫合金)磁性材料制成。例如，底部屏蔽縫隙層113和頂部屏蔽縫隙層114各厚10nm至100nm，并用Al2O3或AlN(氮化鋁)制成。例如，頂部屏蔽層115厚1μm至4μm厚，并用諸如NiFe等磁性材料制成。頂部屏蔽115還起記錄頭11b的底部電極的作用。
MR(磁阻)元件11c埋在底部屏蔽縫隙層113和頂部屏蔽縫隙層114之間。MR元件11c是把寫在磁記錄介質(zhì)(未示出)上的信息讀出用的元件，并位于緊靠空氣支承表面10b的一側(cè)。MR元件11c包括用AMR(各向異性磁阻)薄膜或GMR(巨磁阻)薄膜制成的MR薄膜120。AMR薄膜具有包括例如NiFe制成的磁性層的單層結(jié)構(gòu)。GMR薄膜具有除軟質(zhì)磁性層外還包括由例如CoFe(鐵鈷合金)制成的鐵磁層、由例如MnPt(錳鉑合金)制成的反鐵磁性層、由例如，Cu(銅)制成的非磁性金屬層等的多層結(jié)構(gòu)。
由例如，硬質(zhì)磁性材料制成的磁疇控制薄膜130a和130b在MR薄膜120的兩側(cè)沿著磁道寬度方向(圖2中的X方向)形成。磁疇控制薄膜130a和130b是在固定的方向上向MR薄膜120施加偏置磁場、并以此防止Barkhausen噪聲用的薄膜。彼此相隔并在軌跡寬度方向上將MR薄膜120夾于其間的一對引線層133a和133b在電氣上連接到MR薄膜120。類似于MR薄膜120，引線層133a和133b在底部屏蔽縫隙層113和頂部屏蔽縫隙層114之間形成。引線層133a和133b用諸如鉭(Ta)的金屬制成。
引線層133a和133b沿著與空氣支承表面10b相反的方向延伸。引線層133a和133b在電氣上連接到輸出端子133c和133d，后者穿過在頂部屏蔽縫隙層114中形成的開孔(未示出)在頂部屏蔽縫隙層114上形成為預(yù)定圖案。
例如，如圖2至4所示，記錄頭11b具有寫縫隙層141，厚0.1μm至0.5μm，在頂部屏蔽層115上用諸如Al2O3的絕緣薄膜制成。寫縫隙層141具有與后面將要描述的薄膜線圈143和145中心對應(yīng)的位置上的開孔141a。1μm至3μm厚的薄膜線圈143和覆蓋薄膜線圈143用的光致抗蝕劑層144在寫縫隙層141上形成，把確定喉(throat)高度用的1.0μm至5.0μm厚的光致抗蝕劑層142夾于其間。1μm至3μm厚的薄膜線圈145和覆蓋薄膜線圈145的光致抗蝕劑層146在光致抗蝕劑層144上形成。在本實施例中，把這兩個薄膜線圈疊起來作例子描述。但是，薄膜線圈的數(shù)目可以是一個或三個或更多。
約3μm厚的用諸如NiFe或FeN(氮化鐵)的具有高飽和磁通密度的磁性材料制成的頂極147在寫縫隙層141上和光致抗蝕劑層142，144和146上形成。頂極147通過與薄膜線圈143和145的中心對應(yīng)位置上的寫縫隙層141上的開孔141a與頂部屏蔽層115接觸和磁耦合。厚20μm至30μm用Al2O3制成的覆蓋層148在頂極147上形成，例如把下面整個覆蓋。
具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭器件11起的作用如下。當(dāng)寫過程中電流加在記錄頭11b的薄膜線圈143和145上時，由于這個電流在作為底極的頂部屏蔽層115和頂極147中都出現(xiàn)磁通，而且寫入用的信號磁場出現(xiàn)在記錄縫隙層141附近。這個信號磁場使磁記錄介質(zhì)的一部分磁化，從而把信息記錄在上面。另一方面，在重放過程中，檢測電流加在重放磁頭11a的MR膜120上。因為MR膜120的電阻隨著來自磁記錄介質(zhì)的重放信號磁場而變化，所以根據(jù)檢測電流的變化檢測阻抗的變化，便讀出記錄在磁記錄介質(zhì)上的信息。圖1所示的磁頭滑動觸頭10，例如，通過圖5至圖10所示的制造步驟形成。圖5表示圖1所示的磁頭滑動觸頭10的整個制造過程，而圖6至11具體地表示圖5所示的制造過程的主要步驟。下面將沿著圖5的流程圖描述每一個步驟。
(1)首先，如圖6所示，例如，這樣形成多個磁頭單元11u，使得它們規(guī)則地排列在將變成磁頭滑動觸頭10的基底10c的基底上(步驟S20)。磁頭單元11u包括一片薄膜磁頭器件11、一組電極焊盤12a至12d，和一組連線圖案13a至13d。在包括于形成磁頭單元11u的步驟中的形成MR膜120的步驟中，利用和MR膜120一樣的材料在每一個其中形成了磁頭單元11u的區(qū)域中形成由字符符號串構(gòu)成的識別標(biāo)記14a。這里，MR膜120相當(dāng)于本發(fā)明的“包括功能器件結(jié)構(gòu)層一部分的預(yù)定層”的一個特例。
(2)其次，如后面將要描述的圖12所示，例如，在其中形成了每一個磁頭單元11u的每一個區(qū)域上用激光束輻照的方法形成由像點圖案構(gòu)成的識別標(biāo)記14b(步驟1)。這里，激光束相當(dāng)于本發(fā)明的“能量束”的一個特例。
(3)接著，如圖7所示，切割其中形成了多個磁頭單元11u的基底1，以分成包括多個磁頭單元11u的磁頭塊2(步驟S22)，此時，如圖7所示，通過把基底1分離成具有不同長度的磁頭塊2，所有在基底1上形成的磁頭單元11u都包括在分離后的磁頭塊2中。
(4)接著，如圖8所示，利用為此目的設(shè)計的固定夾具5固定任意磁頭塊2的一個端面(截面)(步驟S23)，而用磨床等拋光磁頭塊2的另一個端面，以此形成ABS 10b(步驟24)。
(5)接著，如圖9所示，切割磁頭塊2，以便分離成多個磁頭棒3(步驟S25)。
(6)接著，測量薄膜磁頭器件11的特性(步驟S26)，這個特性測量是對于薄膜磁頭器件11的性能評估中的一項。任意一個薄膜磁頭器件11的測量結(jié)果被認(rèn)為是磁頭塊2中所有薄膜磁頭器件11特性的典型值。判斷該磁頭塊2中一組薄膜磁頭器件是否滿足要求的性能。
(7)接著，在磁頭棒3的ABS 10b上形成光致抗蝕劑層(未示出)之后，利用光掩模(未示出)通過光刻過程使光致抗蝕劑層形成預(yù)定形狀的圖案。此后，利用已經(jīng)形成圖案的光致抗蝕劑層作為掩模對磁頭棒3的ABS 10b進(jìn)行蝕刻，以此如圖10所示形成滑軌14(步驟27)。
(8)最后，如圖11所示，切割已經(jīng)形成滑軌的磁頭棒3，以此完成圖1所示的磁頭滑動觸頭10(步驟S28)。對在步驟S22中分離的多個磁頭塊2重復(fù)完成步驟S23至S28。對于通過上述步驟制造的磁頭滑動觸頭10，例如，如圖12所示的識別標(biāo)記14已經(jīng)設(shè)置。圖12是圖1所示磁頭滑動觸頭10的器件形成面10a一部分的放大視圖。如圖12所示，例如，識別標(biāo)記14包括識別標(biāo)記14a和識別標(biāo)記14b。識別標(biāo)記14a包括由多個字母和數(shù)字構(gòu)成的字符符號串，而識別標(biāo)記14b則包括由多個圖形符號(在本實施例中是像點形狀)排列而構(gòu)成的圖形圖案。
識別標(biāo)記14a是由多個超小型字母和數(shù)字，諸如”ABC123”排列而構(gòu)成的。識別標(biāo)記14a包括制造信息，例如，用來指定任意一個磁頭滑動觸頭10在分離之前的基底1上的地址。例如，在圖12中，識別標(biāo)記14a在器件形成面10a上，在不包括形成了磁頭單元11u的區(qū)域的鄰近區(qū)域中形成。
形成識別標(biāo)記14a的具體方法如下，例如制備具有與MR膜120對應(yīng)的圖案和與識別標(biāo)記14a形狀對應(yīng)的圖案的光掩模。這個光掩模用于形成包括一部分薄膜磁頭器件11的MR膜步驟中的光刻過程。覆蓋光致抗蝕劑層(未示出)之后，利用該光掩模完成光刻過程，然后使光致抗蝕劑層形成要求形狀的圖案。隨后，在光致抗蝕劑層中在形成了圖案的區(qū)域進(jìn)行電鍍過程。于是識別標(biāo)記14a便與MR膜120同時形成。
識別標(biāo)記14a是用和MR膜120所用的同一種材料(例如，坡莫合金)形成的超小型凸結(jié)構(gòu)。包括識別標(biāo)記14a的單個字符符號的尺寸約為，例如，20μm×30μm，而其寬度約為幾十nm(毫微米)。依照磁頭滑動觸頭11u和識別標(biāo)記14a的尺寸，例如，識別標(biāo)記14a用的字符符號的最大數(shù)目為大約10。
當(dāng)識別標(biāo)記14a指定任意一個磁頭滑動觸頭10在分離之前的基底1上的地址時，就MR膜120和識別標(biāo)記14a的形成過程所用的光掩模而言，對于一種類型的基底，只需制備一種類型的光掩模。這是因為在這種情況下，識別標(biāo)記14a對于磁頭滑動觸頭10在基底1上的地址是唯一的，并與之對應(yīng)。
另一方面，例如，識別標(biāo)記14b包括一個集合多個超小型像點14d而構(gòu)成的像點圖案。例如，識別標(biāo)記14b包括制造信息，用來指定制造磁頭滑動觸頭10時所用的基底1。例如，識別標(biāo)記14b包括基底1所特有的基底號、指示該基底制造批次的制造批號等。識別標(biāo)記14b在外覆蓋層148(圖4中未示出)上形成，例如，外覆蓋層148在不包括電極焊盤12的區(qū)域上形成。外覆蓋層148在圖12中沒有示出。這里，外覆蓋層148相當(dāng)于本發(fā)明中的“保護(hù)膜”的一個特例。
正如后面將要描述的，包括識別標(biāo)記14b的像點14d是凸結(jié)構(gòu)。識別標(biāo)記14b的凸結(jié)構(gòu)形成如下在電極焊盤12上的電極覆蓋膜(圖12中未示出)的形成過程中，令激光線照射在形成于外覆蓋層148上的金屬層的一部分上。此時，金屬層的一部分受激光線照射而熔化，作為殘余留在外覆蓋層148上，以此形成凸結(jié)構(gòu)。在這種情況下，金屬層在外覆蓋層148上形成，例如當(dāng)利用電鍍法在電極焊盤12的表面上形成電極覆蓋膜時，通過堆疊鈦、金等起晶種層的作用。如上所述，既然識別標(biāo)記14b是在外覆蓋層148上形成的，識別標(biāo)記就可以形成得與連線圖案13a至13d重疊。
圖13是包括識別標(biāo)記14b的像點圖案的放大視圖。如圖所示，構(gòu)成像點圖案的每一個像點14d排列在例如5列(垂直方向)×5行(水平方向)像點排列區(qū)域14dAR中的預(yù)定像點排列塊14dA內(nèi)。例如，每一個像點14d的尺寸約為13μm至16μm。像點排列區(qū)域14dAR在列方向(垂直方向)上的尺寸DG和在行方向(水平方向)上的尺寸DR均約為80μm。
如圖13所示，識別標(biāo)記14b由像點14d構(gòu)成，按照像點14d是否排列在任意一個像點排列塊14dA來代表雙元代碼(有代表“1”，而無代表“2”)。通過用由多個用雙元標(biāo)記顯示方式顯示的超小型像點14d排列構(gòu)成的像點圖案來構(gòu)成識別標(biāo)記14b，可以用比識別標(biāo)記14b用字符符號顯示的情況較小的區(qū)域顯示更多的信息。另外，通過用激光線照射形成像點使識別標(biāo)記14b能夠快速而容易地形成。此外，完成薄膜形成過程后，識別標(biāo)記14b便已形成，以此避免復(fù)雜的制造過程。
接著，將參照圖14描述構(gòu)成如圖13所示的識別標(biāo)記14b的像點14d的具體形成方法。圖14A至14E表示設(shè)置在薄膜磁頭器件11中的電極焊盤12(代表電極焊盤12a至12d)的區(qū)域的鄰近區(qū)域的放大剖面結(jié)構(gòu)，解釋識別標(biāo)記14b的每一個形成步驟。在圖14A中，示出形成電極焊盤12和在電極焊盤12外圍的整個表面上形成外覆蓋層148之后的步驟。
(1)如圖14A所示，在識別標(biāo)記14b形成的步驟中，用CMP法等對在電極焊盤12的整個表面上形成的外覆蓋層148的表面及其周圍進(jìn)行拋光，使得電極焊盤12表面暴露出來，以此使整個表面平整。
(2)在整個表面上具有小的寬度的粘結(jié)劑層31a和晶種層31b(以后這兩層合起來稱作金屬層31)用例如，濺射法依次淀積。粘結(jié)劑層31a，例如，由鈦制成，具有改善電極焊盤12和晶種層31b之間粘接力的功能。晶種層31b，例如，用金制成，當(dāng)在以后的步驟中利用電鍍法形成電極覆蓋膜34時，起底層的作用。例如，粘結(jié)劑層31a的厚度最好為大約50，而晶種層31b的厚度為大約500。粘結(jié)劑層31a可以用鉻或鉭代替鈦制成，而晶種層31b可以用鉑代替金制成。
(3)接著，在金屬層31的整個表面上形成光致抗蝕劑層32。隨后，利用具有與電極焊盤12的平面形狀對應(yīng)的圖案的掩模(未示出)進(jìn)行光刻(曝光和顯影過程)，以此使光致抗蝕劑層32形成圖案。這樣，電極覆蓋膜圖案開孔32x便在與光致抗蝕劑層32中設(shè)置電極焊盤12的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中形成。
(4)接著，如圖14B所示，例如，讓釔鋁鎵(YAG)激光器產(chǎn)生的激光束33(下稱激光束)輻照在光致抗蝕劑層32中預(yù)定區(qū)域(準(zhǔn)備形成像點的區(qū)域)上。通過激光束33的輻照，在光致抗蝕劑層32內(nèi)的輻照區(qū)域中形成像點圖案開孔32y。此時，金屬層31中輻照區(qū)域31c的一部分(像點圖案開孔32y的底部區(qū)域)同時熔化。其他能量束，諸如激光束以外的普通(ordinal)光束(非相干光)、電子束、離子束等也可以用來代替激光束。
(5)接著，如圖14C所示，例如，在電極覆蓋膜圖案開孔32x內(nèi)利用電鍍法在晶種層31b上形成電極覆蓋膜34。
(6)接著，如圖14D所示，清除光致抗蝕劑層32。此后，如圖14E所示，用離子研磨等方法清除外覆蓋層148上的金屬層31。這樣，如圖14E所示，包括金屬層殘余13d的像點14d在外覆蓋層148的表面上的激光線照射的區(qū)域上形成。
形成像點14d的方法不限于上述方法。例如，讓激光束33直接輻照在外覆蓋層148上，使外覆蓋層148的一部分變形。這樣生成的激光疤痕可以包括像點14d。接著，將參照圖15詳細(xì)地描述按照本發(fā)明一個實施例的識別標(biāo)記讀出設(shè)備。
圖15是示意圖，表示按照本實施例的識別標(biāo)記讀出設(shè)備60。如圖所示，識別標(biāo)記讀出設(shè)備60包括樣品臺40，用來固定磁頭滑動觸頭10；樣品臺位置控制裝置41，用來控制樣品臺40的位置；光源42，用來提供光線LI；半反射鏡43，用來反射來自光源42的光LI，使之指向磁頭滑動觸頭10；成像光學(xué)系統(tǒng)44，用來從磁頭滑動觸頭10反射的光LR形成光學(xué)圖像；電荷耦合器件(CCD)攝像頭45，用來檢拾成像光學(xué)系統(tǒng)44形成的光學(xué)圖像，并將其轉(zhuǎn)換成電的視頻信號；圖像處理裝置50，用來對來自CCD攝像頭45的視頻信號完成預(yù)定的圖像處理，識別識別標(biāo)記14，并將識別標(biāo)記14轉(zhuǎn)換成制造信息；和監(jiān)視器48，用來顯示由圖像處理裝置50獲得的制造信息。上述的每一個裝置都由控制裝置(未示出)控制。這里，光源42、半反射鏡43和成像光學(xué)系統(tǒng)44相當(dāng)于本發(fā)明的“實現(xiàn)法向入射照明的光學(xué)系統(tǒng)”的一個特例，而CCD攝像頭45和圖像處理裝置50相當(dāng)于本發(fā)明的“讀出裝置”的一個特例。
樣品臺位置控制裝置41相對于照明光LI(或LR)的光軸在水平方向上和垂直方向上移動固定樣品的樣品臺40，使得磁頭滑動觸頭10的識別標(biāo)記14a和識別標(biāo)記14b的位置處在CCD攝像頭能夠檢拾圖像的范圍內(nèi)。
裝有物鏡、準(zhǔn)直透鏡等(未示出)的成像光學(xué)系統(tǒng)44形成識別標(biāo)記14的光學(xué)圖像。通過成像光學(xué)系統(tǒng)44的作用，按預(yù)定的放大系數(shù)放大超小型的識別標(biāo)記14，并形成圖像。
CCD攝像頭45檢拾反射光LR的光學(xué)圖像，并將其轉(zhuǎn)換成電的視頻信號Sv。
圖像處理裝置50根據(jù)CCD攝像頭45輸入的視頻信號Sv識別識別標(biāo)記14，并將其轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的制造信息。圖像處理裝置50包括視頻信號識別裝置46和轉(zhuǎn)換裝置47。視頻信號識別裝置46包括字符符號識別裝置46a和圖形符號識別裝置46b。在從CCD攝像頭45輸入的視頻信號Sv中間，與識別標(biāo)記14a有關(guān)的圖像被字符符號識別裝置46a俘獲，而與識別標(biāo)記14b有關(guān)的圖像被圖形符號識別裝置46b俘獲。字符符號識別裝置46a通過對所俘獲的圖像完成預(yù)定的模式識別，抽取構(gòu)成識別標(biāo)記14a的字符符號串，并將字符符號信號ST輸入到轉(zhuǎn)換裝置47。另一方面，圖形符號識別裝置46b通過對所俘獲的圖像完成預(yù)定的模式識別，抽取構(gòu)成識別標(biāo)記14b的圖形圖案，并將圖形識別信號SG輸入轉(zhuǎn)換裝置47。后面將描述字符符號識別裝置46a和圖形符號識別裝置46b具體的圖像處理過程。
轉(zhuǎn)換裝置47在存儲器(未示出)已經(jīng)包括字符符號轉(zhuǎn)換功能FT和圖形符號轉(zhuǎn)換功能FG。從視頻信號識別裝置46輸入字符識別信號ST時，轉(zhuǎn)換裝置47利用字符符號轉(zhuǎn)換功能FT把字符識別信號ST轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的制造信息IT。從視頻信號識別裝置46輸入圖形識別信號SG時，轉(zhuǎn)換裝置47利用圖形符號轉(zhuǎn)換功能FG把圖形識別信號SG轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的制造信息IG。轉(zhuǎn)換裝置47把轉(zhuǎn)換后的信息I(IT和IG)輸出給監(jiān)視器48。
監(jiān)視器48顯示從轉(zhuǎn)換裝置47輸入的制造信息I，使得工人等能夠可視地檢查制造信息I。監(jiān)視器48包括，例如，陰極射線管(CRT)顯示器或液晶(LCD)顯示器。工人等能夠通過監(jiān)視器48獲得磁頭滑動觸頭10必要的制造信息I。下面將描述按照本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法。
(1)首先，把磁頭滑動觸頭10固定在樣品臺40預(yù)定的位置上。樣品臺40預(yù)定的位置是指在磁頭滑動觸頭10上形成的識別標(biāo)記14b的整個區(qū)域與CCD攝像頭45能夠檢拾圖像的整個區(qū)域基本上一致的位置。必要時，控制裝置(未示出)操作樣品臺位置控制裝置41，調(diào)整樣品臺40在水平方向和垂直方向上的位置，以此對圖像檢拾位置和聚焦進(jìn)行微調(diào)。然后，調(diào)整成像光學(xué)系統(tǒng)44的可變放大系數(shù)。
(2)來自光源42的以實際水平角度發(fā)射的照明光被半反射鏡43反射，垂直地射在磁頭滑動觸頭10的識別標(biāo)記14b上。于是，磁頭滑動觸頭10的識別標(biāo)記14b便被法向入射照明光LI輻照。
(3)CCD攝像頭45檢拾由成像光學(xué)系統(tǒng)44形成的光學(xué)圖像，并向圖像處理裝置50中的視頻信號識別裝置46輸出所獲得的視頻信號作為視頻信息Sv。
(4)圖像識別裝置46中的圖形符號識別裝置46b俘獲從CCD攝像頭45輸入的視頻信號Sv，以便完成模式識別過程，以此識別包括識別標(biāo)記14b的圖形圖案。這樣獲得的識別結(jié)果由圖形符號識別裝置46b作為圖形識別信號SG輸出給轉(zhuǎn)換裝置47。
(5)轉(zhuǎn)換裝置47利用預(yù)先儲存在存儲器中的圖形符號轉(zhuǎn)換功能FG把圖形識別信號SG轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的制造信息IG。轉(zhuǎn)換后的制造信息IG儲存在轉(zhuǎn)換裝置47中的存儲器(未示出)內(nèi)，并輸出給監(jiān)視器48。
(6)控制裝置(未示出)通過操作樣品臺控制裝置41，調(diào)整樣品臺40的位置，并調(diào)整成像光學(xué)系統(tǒng)44的可變放大系數(shù)。于是，在磁頭滑動觸頭10中形成的識別標(biāo)記14a的整個區(qū)域便與CCD攝像頭45能夠檢拾圖像的整個區(qū)域一致。
(7)與步驟(2)類似，令法向入射照明光LI輻照在磁頭滑動觸頭10中的識別標(biāo)記14a上。
(8)CCD攝像頭45檢拾由成像光學(xué)系統(tǒng)44形成的光學(xué)圖像，并把所獲得的視頻信號作為視頻信息Sv輸出給圖像處理裝置50中的視頻信號識別裝置46。
(9)圖像識別裝置46中的字符符號識別裝置46a俘獲從CCD攝像頭45輸入的視頻信號Sva，以便完成模式識別過程，以此識別包括識別標(biāo)記14a的字符符號串。這樣獲得的識別結(jié)果作為字符識別信號ST由字符符號識別裝置46a輸出給轉(zhuǎn)換裝置47。
(10)轉(zhuǎn)換裝置47利用預(yù)先儲存在儲存器中的字符符號轉(zhuǎn)換功能FT把字符識別信號ST轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的制造信息IT。轉(zhuǎn)換后的制造信息IT儲存在轉(zhuǎn)換裝置47中的存儲器(未示出)內(nèi)，并輸出給監(jiān)視器48以便顯示。隨后，同時把磁頭滑動觸頭10的制造信息IG和IT顯示在監(jiān)視器48上，工人便可以取得磁頭滑動觸頭10的制造歷史等。更具體地說，根據(jù)制造信息IG，人們可以了解磁頭滑動觸頭10的制造號、該磁頭滑動觸頭10所用的基底由之分離出來的母材(晶片)的制造號、制造批次等。另外，根據(jù)制造信息IT，人們可以了解該磁頭滑動觸頭10所用的基底在從其中分離出來的母材的地址。
接著，將詳細(xì)地描述識別標(biāo)記14在圖像處理裝置50中自動被識別時的圖像處理。這里，所描述的是圖像處理裝置50中的圖形符號識別裝置46b自動識別由圖形符號構(gòu)成的識別標(biāo)記14b的情況。
圖16表示圖像處理裝置50中圖形符號識別裝置46確定形成識別號碼14b的預(yù)定像點14d是否存在時的過程。圖16A表示像點識別過程的流程。圖16B至16D是圖16A中所示過程的每一步驟中的圖像。
(1)如圖16A所示，圖形符號識別裝置46b對與從CCD攝像頭45輸入的圖像(圖16B)的每一個像素對應(yīng)的每一個模擬視頻信號Sv完成多級化處理，以此獲得多級化的數(shù)字信號(步驟S51)。
(2)圖形符號識別裝置46b把所獲得的形成像點14d的每一個像素的多級化數(shù)字信號值與預(yù)先儲存的閾值(常數(shù)值或函數(shù)值)加以比較，以此抽出圖16C所示輪廓圖像的數(shù)據(jù)(步驟S52)。此時，當(dāng)每一個像素的多級化數(shù)字信號的值大于閾值時，圖形符號識別裝置46b便確定該像素的值為“1”。另一方面，當(dāng)每一個像素的多級化數(shù)字信號的值小于閾值時，圖形符號識別裝置46b便確定該像素的值為“0”。
(3)通過把輪廓圖像(圖16C)的數(shù)據(jù)與預(yù)先儲存的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)(圖16D)加以比較，圖形符號識別裝置46b確定該圖像數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于像點14d。更具體地說，當(dāng)這兩個數(shù)據(jù)的匹配率，例如，超過預(yù)定的比率(例如，80％)時，圖形符號識別裝置46b判定像點存在。當(dāng)這兩個數(shù)據(jù)的匹配率低于預(yù)定的比率時，圖形符號識別裝置46b判定像點不存在(步驟S53)。匹配率的判斷可以根據(jù)輪廓線所包圍所有像素的數(shù)目(亦即，面積)或它們的排列或者根據(jù)輪廓線上像素的數(shù)目或排列來完成。
為了精確判斷像電的存在或不存在，需要亮度等級對比度上的差異，它允許在對應(yīng)于像點14d的像素和對應(yīng)于像點14d外圍的像素之間進(jìn)行精確區(qū)分。按照本實施例，因為采用法向入射照明法，所以對應(yīng)于像點14d的像素區(qū)域與對應(yīng)于像點14d外圍的像素區(qū)域之間在亮度上存在明顯差異，例如，如圖17所示。這樣，就有可能精確地區(qū)分對應(yīng)于像點14d的像素區(qū)域和對應(yīng)于像點14d外圍的像素區(qū)域。
圖17是在本實施例中識別標(biāo)記讀出設(shè)備60中CCD攝像頭所攝得的識別標(biāo)記14b的照片圖像的一個實例。圖18是利用暗場照明法識別標(biāo)記讀出設(shè)備中CCD攝像頭所攝得的識別標(biāo)記14b的照片圖像的一個實例，作為于本發(fā)明實施例的對照。盡管在圖17中所示顯微照片中，識別標(biāo)記14b不與圖12所示的連線圖案13a至13c重疊，但識別標(biāo)記14b也可以如圖12所示與連線圖案13a至13c重疊。
采用按照圖18所示的對照的識別標(biāo)記讀出設(shè)備，完成其中光線以與形成識別標(biāo)記的表面垂直的方向傾斜的方向輻照的暗場照明，并根據(jù)反射光來形成識別標(biāo)記14b的圖像。這樣，不僅像點14d以內(nèi)和像點14d外圍之間的對比度不清楚，而且像點14d的輪廓也不清楚。
另一方面，按照本實施例，法向入射照明法的照明光LI輻照在識別號碼14b上，并根據(jù)反射光LR形成識別號碼14b的圖像。因此，如圖17所示，像點14d以內(nèi)和像點14d外圍之間的對比度高，因此就可以輕易地在像點14d存在和不存在之間作出精確的判斷。就是說，不用人手，而采用自動識別來讀出識別標(biāo)記是現(xiàn)實可行的。
順便指出，可以給字符符號識別裝置46a設(shè)置和上述自動識別識別號碼14b的功能一樣的功能，使得由字符符號串構(gòu)成的識別標(biāo)記14a能夠自動讀出。
之所以如上所述在本實施例中利用法向入射照明法獲得高對比度的圖像，其原因考慮如下采用作為本發(fā)明的傳統(tǒng)技術(shù)之一加以描述的日本專利特公No.平7-141461的技術(shù)，標(biāo)記是在半導(dǎo)體晶片表面上形成的，而且采用法向入射照明法。在這種情況下，高強度的規(guī)則的反射光達(dá)到CCD攝像頭的圖像檢拾裝置，使對比度降低。這是因為半導(dǎo)體晶片通常都具有像鏡子一樣的拋光面，使得反射率非常高。另一方面，按照本實施例，標(biāo)記不是直接在基底1上形成，而是在基底1上的功能器件結(jié)構(gòu)(在本實施例中是薄膜磁頭器件)上形成的，或者在構(gòu)成覆蓋功能器件結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜的外覆蓋層148上形成，因而反射率并不是非常高的。結(jié)果，從形成識別標(biāo)記的區(qū)域以外的區(qū)域反射的光的強度相對較低，而不像上述那樣使對比度降低，而是保證較佳的對比度。
如上所述，按照本發(fā)明該實施例的識別標(biāo)記讀出方法及其所用的設(shè)備，使法向入射照明光照在設(shè)置于磁頭滑動觸頭10上的識別標(biāo)記14上。因此，在整個圖像處理過程中保證了足夠高的對比度來識別識別標(biāo)記14。另外，所獲得的圖像信號由圖像處理裝置50俘獲，并對其進(jìn)行模式識別。于是，識別出識別標(biāo)記14，并把模式識別的結(jié)果轉(zhuǎn)換成制造信息，以此自動獲得與顯示在磁頭滑動觸頭10上的識別標(biāo)記14對應(yīng)的制造信息。因而，大大地縮短了磁頭滑動觸頭10制造過程中識別識別標(biāo)記14、轉(zhuǎn)換成制造信息的過程等所需的時間。此外，識別號碼14的識別和轉(zhuǎn)換成制造信息的過程都可以精確完成。
按照本實施例，盡管所描述的是分離成磁頭滑動觸頭10之后讀出識別標(biāo)記的情況，但是本發(fā)明不限于本實施例。例如，像圖1那樣，在分離成磁頭滑動觸頭之前的任何步驟中，都可以從磁頭塊2或磁頭棒3讀出識別號碼14。
此外，在本發(fā)明的該實施例中，所描述的是識別標(biāo)記讀出設(shè)備60應(yīng)用在磁頭滑動觸頭10的制造過程中的情況，但是，本發(fā)明并不限于該實施例。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于磁頭滑動觸頭10以外各種制造領(lǐng)域(例如，半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域)的工業(yè)產(chǎn)品制造信息的控制等。
如上所述，按照本發(fā)明的標(biāo)記讀出方法及其所用的設(shè)備，當(dāng)讀出在功能器件形成體中的功能器件結(jié)構(gòu)層或保護(hù)層上形成的預(yù)定標(biāo)記時，法向入射照明的照明光線照射在功能器件形成體上，并根據(jù)來自功能器件形成體反射的光讀出在功能器件結(jié)構(gòu)層上或保護(hù)層上形成的標(biāo)記，其中功能器件形成體至少包括基底、具有通過薄膜處理過程在基底上形成的預(yù)定的功能器件結(jié)構(gòu)的功能器件結(jié)構(gòu)層和覆蓋功能器件結(jié)構(gòu)層的保護(hù)層。因而，從反射光獲得的圖像的對比度變得清晰，因而標(biāo)記可以快速而準(zhǔn)確地讀出。
按照本發(fā)明一個方面的標(biāo)記讀出方法，構(gòu)成準(zhǔn)備讀出的該標(biāo)記的像點圖案是由保護(hù)層被預(yù)定的能量束輻照而熔化的材料殘余形成的，或者保護(hù)層一部分被能量束輻照而破壞而引起的輻照疤痕形成的。因而，從反射光獲得的圖像的對比度變得清晰，因而標(biāo)記的讀出更好地完成。
按照上述傳授，本發(fā)明顯然可以有許多修改和變化。因此，應(yīng)該明白，在后附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，本發(fā)明可以用上面具體描述的以外的其他方法實施。
權(quán)利要求
1.一種讀出在功能器件形成體中的功能器件結(jié)構(gòu)層或保護(hù)層上形成的識別標(biāo)記的方法，所述功能器件形成體至少包括一個基底、具有通過薄膜處理在所述基底上形成的預(yù)定的功能器件結(jié)構(gòu)的功能器件結(jié)構(gòu)層和覆蓋所述功能器件結(jié)構(gòu)層的保護(hù)層，所述方法包括以下步驟用法向入射照明的照明光照射在所述功能器件形成體上，以及根據(jù)從所述功能器件形成體反射的光讀出在所述功能器件結(jié)構(gòu)層或所述保護(hù)層上形成的所述標(biāo)記。
2.按照權(quán)利要求1的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述標(biāo)記具有涉及所述功能器件形成體的制造過程中的信息的制造信息。
3.按照權(quán)利要求1的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述標(biāo)記具有代表包括在所述功能器件形成體中的所述基底的來源的來源識別信息。
4.按照權(quán)利要求1的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述標(biāo)記包括由多個像點構(gòu)成的像點圖案和字符符號這兩者中的至少一個。
5.按照權(quán)利要求4的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述像點圖案是由通過能量束的預(yù)定輻照而在所述保護(hù)層上熔化的材料殘余形成的。
6.按照權(quán)利要求4的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述像點圖案是能量束輻照引起所述保護(hù)層一部分破壞而造成的輻照疤痕。
7.按照權(quán)利要求4的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述像點圖案代表包括于所述功能器件形成體中的基底由之分離的母材的制造批次。
8.按照權(quán)利要求4的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述字符符號與作為所述功能器件結(jié)構(gòu)層一部分的預(yù)定層同時形成。
9.按照權(quán)利要求8的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述字符符號包括地址信息，后者代表所述基底在包括于所述功能器件形成體中的所述基底由之分離的母材中的地址。
10.按照權(quán)利要求1的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述標(biāo)記讀出步驟包括通過對來自所述功能器件形成體的反射光進(jìn)行的光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的過程；根據(jù)所形成的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行圖像識別而獲得圖像圖案的過程；和根據(jù)所獲得的圖像圖案獲得與所述圖像圖案對應(yīng)的信息的過程。
11.按照權(quán)利要求1的標(biāo)記讀出方法，其特征在于所述功能器件結(jié)構(gòu)是薄膜磁頭結(jié)構(gòu)，用來執(zhí)行把信息記錄在記錄介質(zhì)上和從其中重放信息這兩個功能中的至少一個。
12.一種用來讀出包括在功能器件形成體中的標(biāo)記的設(shè)備，所述功能器件形成體包括至少一個基底、具有通過薄膜處理在基底上形成的預(yù)定功能器件結(jié)構(gòu)的功能器件結(jié)構(gòu)層、覆蓋功能器件結(jié)構(gòu)層的保護(hù)層以及在所述功能器件結(jié)構(gòu)層上或在保護(hù)層上形成的預(yù)定的標(biāo)記，所述設(shè)備包括發(fā)射光線的光源；法向入射照明光學(xué)系統(tǒng)，用來使得有可能把法向入射照明的照明光線照射在所述功能器件形成體上；以及用來讀出在所述功能器件結(jié)構(gòu)層或所述保護(hù)層上形成的所述標(biāo)記的裝置。
全文摘要
提供一種標(biāo)記讀出方法及其所用的設(shè)備,其中能夠快速而準(zhǔn)確地讀出在諸如磁頭滑動觸頭的功能器件形成體中基底以外部分形成的標(biāo)記。法向入射照明光線照射在其中形成了磁頭滑動觸頭的識別標(biāo)記的器件形成面上。用CCD攝像頭使這樣產(chǎn)生的反射光成像。這樣獲得的視頻信號具有足夠高的對比度來在識別標(biāo)記和識別標(biāo)記外圍之間進(jìn)行區(qū)分。來自CCD攝像頭的視頻信號輸入圖像處理裝置,后者根據(jù)視頻信號識別識別標(biāo)記,并把視頻信號轉(zhuǎn)換成識別信息。
文檔編號G06K9/20GK1308315SQ0013187
公開日2001年8月15日 申請日期2000年10月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月20日
發(fā)明者中田國正 申請人:Tdk株式會社