0)。在一些實施例中，通過鏡像放大器級100的負(fù)載晶體管的漏電流來驅(qū)動第一晶體管。例如，負(fù)載晶體管可以是晶體管104。
[0077]在步驟620中，通過鏡像放大器級100的電流來減小控制電壓。例如，鏡像的電流可以是晶體管103的漏電流。在一些實施例中，在步驟620中，通過由晶體管130鏡像的電流到達(dá)二極管接法的晶體管(例如，晶體管131)來減小控制電壓。在一些實施例中，控制電壓是節(jié)點16處的電壓。
[0078]在步驟630中，通過控制電壓(例如，節(jié)點16處的電壓)來驅(qū)動上拉級的第二晶體管(例如，晶體管311)。在一些實施例中，第一晶體管的驅(qū)動比第二晶體管的驅(qū)動更強(qiáng)。在一些實施例中，第一晶體管具有比第二晶體管更高的漏電流。
[0079]在步驟650中，通過由下拉級所控制的晶體管(例如，晶體管300)來下拉輸出電壓(例如，輸出電壓Vo)。在一些實施例中，方法600進(jìn)一步包括:通過晶體管的交叉耦合對(例如，晶體管105、106)來將正反饋提供給放大器級。
[0080]實施例可以實現(xiàn)多個優(yōu)點。電容器160可以非常小并且集成在具有LDO穩(wěn)壓器10、20或30的其它半導(dǎo)體器件的單個IC芯片中。至少由于晶體管140和晶體管105、106，使得LDO穩(wěn)壓器10、20和30具有非常快的響應(yīng)時間。LD010、20和30的待機(jī)電流低，并且壓降也低。
[0081]根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，一種器件包括:放大器級、鏡像電流源、輔助電流源、下拉級、上拉晶體管以及第一電容器。放大器級包括:第一晶體管以及第二晶體管，該第一晶體管的控制端子電連接至器件輸出端。鏡像電流源包括:第三晶體管以及第四晶體管，第三晶體管的柵電極電連接至第二晶體管的柵電極；第四晶體管的漏電極電連接至第三晶體管的漏電極。輔助電流源的控制端子電連接至第四晶體管的柵電極。下拉級包括:第五晶體管以及第六晶體管，第五晶體管的柵電極電連接至第一晶體管的漏電極；第六晶體管的柵電極電連接至第四晶體管的柵電極。上拉晶體管的柵電極電連接至第五晶體管的漏電極。第一電容器的第一端子電連接至第一晶體管的柵電極。
[0082]根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，一種方法包括:(a)接收穩(wěn)壓器的輸出電壓的下降；(b)響應(yīng)于該下降，通過放大器級驅(qū)動下拉級的第一晶體管；(C)通過鏡像放大器級的電流來增加控制電壓；(d)通過控制電壓來驅(qū)動下拉級的第二晶體管；(e)通過由控制電壓所控制的輔助電流源來增大放大器級的偏置電流；以及(f)通過由下拉級所控制的晶體管來上拉輸出電壓。
[0083]根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，方法包括:(a)通過放大器級，將低壓降穩(wěn)壓器(LDO)的輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；(b)根據(jù)(a)步驟的比較結(jié)果，通過放大器級來生成第一電流和第二電流；(C)通過第二級的第一晶體管鏡像第一電流，以生成第一鏡像電流；(d)通過鏡像電流源鏡像第二電流，以生成第二鏡像電流；(e)根據(jù)第二鏡像電流來生成控制電壓；(f)通過控制電壓，來偏置放大器級的輔助電流源；(g)通過第二級的第二晶體管鏡像第二鏡像電流，以生成第三鏡像電流；以及(h)通過由第二級所控制的晶體管來調(diào)節(jié)輸出電壓，以接近參考電壓。
[0084]如在本申請中使用的，“或者”是指包含性“或者”而不是排他性“或者”。另外，除非另外指出或者從上下文中清楚地表明是單數(shù)形式，否則在本申請中使用的“一(a)”和“一個(an)”通常被解釋為是指“一個或多個”。而且，A和B等中的至少一個通常是指A或B或者A和B。而且，在某種意義上，在具體說明書或權(quán)利要求中使用“包括(include)”、“具有(having)”、“有(has)”、“帶有(with)”或其派生詞，這樣的術(shù)語以類似于術(shù)語“包括著(comprising)”的方式旨在為包含性的。而且，在本申請中所使用的術(shù)語“在…之間”通常是包含性的(例如，“在A和B之間”包括A和B的內(nèi)緣)。
[0085]雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了本實施例及其優(yōu)勢，但是應(yīng)該理解，可以在不背離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此作出多種改變、替換和更改。而且，本申請的范圍不旨在限于在本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法、和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、手段、方法或步驟本發(fā)明可以被使用。相應(yīng)的，附加的權(quán)利要求意指包括例如工藝、機(jī)器、制造、材料組分、手段、方法或步驟的范圍。此外，每個權(quán)利要求構(gòu)成一個獨立的實施例，并且不同權(quán)利要求及實施例的組合均在本公開的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種器件，包括: 放大器級，包括: 第一晶體管，所述第一晶體管的控制端子電連接至所述器件的輸出端；及 第二晶體管； 鏡像電流源，包括: 第三晶體管，所述第三晶體管的柵電極電連接至所述第二晶體管的柵電極；以及 第四晶體管，所述第四晶體管的漏電極電連接至所述第三晶體管的漏電極； 輔助電流源，所述輔助電流源的控制端子電連接至所述第四晶體管的柵電極； 下拉級，包括: 第五晶體管，所述第五晶體管的柵電極電連接至所述第一晶體管的漏電極；及 第六晶體管，所述第六晶體管的柵電極電連接至所述第四晶體管的柵電極； 上拉晶體管，所述上拉晶體管的柵電極電連接至所述第五晶體管的漏電極；以及 第一電容器，所述第一電容器的第一端子電連接至所述第一晶體管的柵電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 交叉耦合對，包括: 第七晶體管，所述第七晶體管的柵電極電連接至所述第一晶體管的漏電極；以及 第八晶體管，所述第八晶體管的柵電極電連接至所述第二晶體管的漏電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 上拉級，包括: 第九晶體管，所述第九晶體管的柵電極電連接至所述第一晶體管的漏電極；及 第十晶體管，所述第十晶體管的柵電極電連接至所述第四晶體管的柵電極；以及 下拉晶體管，所述下拉晶體管的柵電極電連接至所述第十晶體管的漏電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 第二電容器，所述第二電容器的第一端子電連接至所述第一晶體管的柵電極，所述第二電容器的第二端子電連接至所述上拉晶體管的柵電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 二極管電路，所述二極管電路的第一端子電連接至所述第一晶體管的柵電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括:檢測器，所述檢測器包括所述上拉晶體管和所述第一電容器。
7.一種方法，包括: (a)經(jīng)歷穩(wěn)壓器的輸出電壓的下降； (b)響應(yīng)于所述下降，通過放大器級驅(qū)動下拉級的第一晶體管； (c)通過鏡像所述放大器級的電流來增加控制電壓； Cd)通過所述控制電壓來驅(qū)動所述下拉級的第二晶體管； Ce)通過由所述控制電壓所控制的輔助電流源來增大所述放大器級的偏置電流；以及 (f )通過由所述下拉級所控制的晶體管來上拉所述輸出電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中: 所述(a)的步驟包括在所述放大器級的第三晶體管的控制端子處經(jīng)歷所述下降。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中:所述(b)的步驟包括通過所述第一晶體管鏡像所述第三晶體管的電流。
10.一種方法，包括:Ca)通過放大器級，將低壓降穩(wěn)壓器(LDO)的輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；(b)根據(jù)所述(a)的步驟的比較結(jié)果，通過所述放大器級生成第一電流和第二電流；(c)通過第二級的第一晶體管鏡像所述第一電流，以生成第一鏡像電流；Cd)通過鏡像電流源鏡像所述第二電流，以生成第二鏡像電流；Ce)根據(jù)所述第二鏡像電流生成控制電壓；Cf)通過所述控制電壓，偏置所述放大器級的輔助電流源；(g)通過所述第二級的第二晶體管鏡像所述第二鏡像電流，以生成第三鏡像電流；以及(h)通過由所述第二級控制的晶體管來調(diào)節(jié)所述輸出電壓，以接近所述參考電壓。
【專利摘要】配置本發(fā)明的一種器件以提供低壓降調(diào)節(jié)。放大器級包括：第一晶體管以及第二晶體管，其中，第一晶體管電連接至器件的輸出端的。鏡像電流源包括：第三晶體管以及第四晶體管，第三晶體管電連接至第二晶體管；第四晶體管電連接至第三晶體管。輔助電流源的控制端子電連接至第四晶體管的柵電極。下拉級包括：第五晶體管以及第六晶體管，第五晶體管的柵電極電連接至第一晶體管的漏電極；第六晶體管的柵電極電連接至第四晶體管的柵電極。上拉晶體管的柵電極電連接至第五晶體管的漏電極。第一電容器的第一端子電連接至第一晶體管的柵電極。本發(fā)明還包括低壓降穩(wěn)壓器和相關(guān)方法。
【IPC分類】G05F1-56
【公開號】CN104635824
【申請?zhí)枴緾N201410108488
【發(fā)明人】鄒宗成, 李伯浩
【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2014年3月21日
【公告號】US20150130427