專利名稱：升壓脈沖產(chǎn)生電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，更詳細(xì)地說，涉及一種利用連接成二極管的MOS晶體管的閾值電壓來設(shè)計(jì)升壓脈沖產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體集成電路。
近來，在諸如筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、蜂窩電話、個(gè)人手持電話等便攜設(shè)備的廣泛和迅速的普及的背景下，對(duì)低功耗型的半導(dǎo)體集成電路的需求日益增加。作為一種最常用的得到低功耗的方法是使半導(dǎo)體集成電路在低壓電源下工作。但用低壓電源來驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體集成電路時(shí)會(huì)產(chǎn)生下述缺點(diǎn)由MOS晶體管的閾值電壓引起的電壓降對(duì)電源電位的比值較大，故利用由MOS晶體管的閾值電壓引起的電壓降來進(jìn)行電位調(diào)節(jié)是困難的，這一點(diǎn)嚴(yán)重地影響電路的設(shè)計(jì)。
圖7是例如在日本實(shí)用型專利出版物61-166627中描述的一種通常的升壓脈沖產(chǎn)生電路的電路圖。
在圖7中，將參考電位結(jié)點(diǎn)1連接到接地電位Vss，將參考電位結(jié)點(diǎn)3連接到電源電位Vcc。輸出結(jié)點(diǎn)8是一個(gè)用于產(chǎn)生升壓脈沖OUT的端子，輸入結(jié)點(diǎn)14是一個(gè)用于接受圖8(a)中示出的從高電平變化到低電平的輸入信號(hào)的端子。在電源電位結(jié)點(diǎn)3和接地電位結(jié)點(diǎn)1之間連接一個(gè)包括P溝MOS晶體管17和N溝MOS晶體管18的反相電路2。將該反相器2的輸入端13連接到輸入結(jié)點(diǎn)14，將反相器2的輸出端4通過一個(gè)電容器6連接到一個(gè)結(jié)點(diǎn)7。在電源電位結(jié)點(diǎn)3和該結(jié)點(diǎn)7之間連接一個(gè)二極管，在結(jié)點(diǎn)7和接地電位結(jié)點(diǎn)1之間連接另一個(gè)包括P溝MOS晶體管19和N溝MOS晶體管20的反相電路16。將該反相器16的輸入端連接到輸入結(jié)點(diǎn)14，將該反相器16的輸出端連接到輸出結(jié)點(diǎn)8。
以下參照?qǐng)D8的定時(shí)圖來描述通常的升壓脈沖產(chǎn)生電路工作的情況。當(dāng)輸入信號(hào)IN是高電平時(shí)，P MOS晶體管被17關(guān)斷和N MOS晶體管18被接通，反相器2的輸出是低電平。同樣，由于P MOS晶體管19被關(guān)斷和N MOS晶體管20被接通，將反相器16的輸出保持在低電平。此時(shí)，從電源電位Vcc通過二極管5和晶體管18對(duì)電容器6充電，因而結(jié)點(diǎn)4的電壓電位是零，結(jié)點(diǎn)7的電壓電位V7是以下等式中示出的電壓。V7＝Vcc-Vf＝Vcc-0.7其次，當(dāng)輸入信號(hào)IN從高電平變到低電平時(shí)，晶體管17被接通，晶體管18被關(guān)斷，結(jié)點(diǎn)4的電壓升到Vcc。其結(jié)果是結(jié)點(diǎn)7的電壓電位V7如下述等式那樣升高。
V7＝Vcc-Vf+Vcc＝2Vcc-Vf同時(shí)，由于輸入信號(hào)IN的變化，晶體管被19接通，晶體管20被關(guān)斷，故結(jié)點(diǎn)7的電壓轉(zhuǎn)移到輸出端8。因此，結(jié)點(diǎn)8的電壓電位用下述等式來表示。
V8＝V7＝2Vcc-Vf一般而言，把完成這樣一種操作的電路稱為升壓脈沖產(chǎn)生電路。但是，當(dāng)使用諸如1.5至2.0V的低壓電源時(shí)，由于MOS晶體管的閾值電壓1Vth1通常是0.7V左右，故MOS晶體管的電壓降占據(jù)電源電壓中一個(gè)很大的百分比，這就導(dǎo)致了低效率。
因而，在如以上所描述的通常的升壓脈沖產(chǎn)生電路中，存在MOS晶體管的閾值電壓1Vth1對(duì)于電源電壓Vcc所占的百分比較大的問題，這個(gè)問題在使用低壓電源進(jìn)行工作時(shí)尤其嚴(yán)重，因此升壓脈沖產(chǎn)生電路的性能很差。
本發(fā)明是為了解決上面討論的問題而進(jìn)行的，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種關(guān)于具有良好性能的升壓脈沖產(chǎn)生電路。電源電壓、特別是用在低壓電源工作中。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能迅速地產(chǎn)生預(yù)定電位的升壓脈沖產(chǎn)生電路。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種能增加由其驅(qū)動(dòng)的電路中的工作容限的升壓脈沖產(chǎn)生電路。
按照本發(fā)明的總的方面，一升壓脈沖產(chǎn)生電路包括一個(gè)連接在第一電位結(jié)點(diǎn)和第二電位結(jié)點(diǎn)之間的、接受一個(gè)輸入信號(hào)的第一反相電路；通過一個(gè)連接成二極管的MOS晶體管連接在該第一電位結(jié)點(diǎn)和第二電位結(jié)點(diǎn)之間的并連接到一個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端的第二反相電路；一個(gè)連接在第一反相電路的一個(gè)輸出端和該二極管與第二反相電路的一個(gè)連接結(jié)點(diǎn)之間的電容器；其特征在于將所述MOS晶體管的一個(gè)背柵極連接到其柵極上。


圖1是應(yīng)用本發(fā)明的DRAM的一個(gè)框圖。
圖2是示出按照本發(fā)明的、MOS晶體管的閾值電壓關(guān)于背柵極和源極間的電壓的特性的一個(gè)圖。
圖3是示出按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種升壓脈沖產(chǎn)生電路的一個(gè)電路圖。
圖4是示出按照本發(fā)明的VBB產(chǎn)生電路的工作的一個(gè)定時(shí)圖。
圖5是示出按照本發(fā)明的升壓脈沖產(chǎn)生電路的一個(gè)修正例的一個(gè)電路圖。
圖6是示出按照本發(fā)明的升壓脈沖產(chǎn)生電路的工作的一個(gè)定時(shí)圖。
圖7是示出按照現(xiàn)有技術(shù)的一種升壓脈沖產(chǎn)生電路的一個(gè)電路圖。
圖8是示出按照現(xiàn)有技術(shù)的升壓脈沖產(chǎn)生電路的一個(gè)定時(shí)圖。
圖1示出應(yīng)用本發(fā)明的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的框圖，其中包括一個(gè)內(nèi)電位產(chǎn)生電路組200；一個(gè)POR(電源接通復(fù)位)電路210和一個(gè)存儲(chǔ)器單元陣列101，該陣列由排列成多行和多列的多個(gè)存儲(chǔ)器單元組成。/RAS(行地址選通脈沖)緩沖器110接受一個(gè)從外部施加的外部/RAS信號(hào)并輸出/RAS信號(hào)至一個(gè)地址緩沖器130；/CAS(列地址選通脈沖)緩沖器120接受一個(gè)從外部施加的外部/CAS信號(hào)并輸出/CAS信號(hào)至該地址緩沖器130。該地址緩沖器130接受一個(gè)外部地址信號(hào)ext Ai(i＝0，1，2，…)和該/RAS信號(hào)，鎖住外部地址信號(hào)extAi，并對(duì)內(nèi)部電路輸出行地址信號(hào)RAi和/RAi。再者，該地址緩沖器130接受外部地址信號(hào)ext Ai(i＝0，1，2，…)和該/CAS信號(hào)，鎖住外部地址信號(hào)ext Ai，并對(duì)內(nèi)部電路輸出列地址信號(hào)CAi和/CAi。
行譯碼器140從該地址緩沖器130接受行地址信號(hào)RAi和/RAi并選擇相應(yīng)的字線；列譯碼器150從該地址緩沖器130接受CAi和/CAi信號(hào)并選擇相應(yīng)的讀出放大器和I/O電路170，其中將從一條位線上讀出的一個(gè)存儲(chǔ)器單元101的電位進(jìn)行放大和將從該位線上讀出的該存儲(chǔ)器單元101的數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)移。數(shù)字160表示一個(gè)用于對(duì)被行譯碼器140選出的該字線的電位進(jìn)行升壓的字驅(qū)動(dòng)器；數(shù)字180表示一個(gè)接受從外部施加的一個(gè)寫啟動(dòng)信號(hào)ext/WE和一個(gè)輸出啟動(dòng)信號(hào)ext/OE并輸出一個(gè)用于控制內(nèi)部電路的讀和寫的信號(hào)WO的寫和讀控制電路；以及190表示一個(gè)I/O緩沖器，該緩沖器從寫和讀控制電路180接受信號(hào)WO，在寫的情況下通過一條數(shù)據(jù)線將從外部施加的數(shù)據(jù)ext Din轉(zhuǎn)移到讀出放大器和I/O電路170，在讀出的情況下通過該讀出放大器、I/O電路170和該數(shù)據(jù)線將從存儲(chǔ)器單元讀出的數(shù)據(jù)輸出到I/O引出腳作為數(shù)據(jù)ext Dout。
圖3是示出本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的升壓脈沖產(chǎn)生電路194的簡(jiǎn)圖，圖4是示出其工作的定時(shí)圖。在圖3中，該升壓脈沖產(chǎn)生電路與圖7中示出的通常的升壓脈沖產(chǎn)生電路在下述方面有區(qū)別將二極管替換為一個(gè)連接成二極管的MOS晶體管15，在MOS晶體管中，背柵極連接到柵極上。該MOS晶體管可以是N溝MOS晶體管或是P溝MOS晶體管。
以下參照?qǐng)D2描述將背柵極連接到柵極的MOS晶體管的閾值電壓。圖2是簡(jiǎn)要地示出MOS晶體管的閾值電壓關(guān)于該MOS晶體管的背柵極和源極之間的電位差的變動(dòng)關(guān)系的圖，電位差用下面的表達(dá)式(1)來示出。
Vth＝V0+K〔(2φF+VBS)1/2-(2φF)1/2〕(1)其中VBS表示背柵極電壓(基于源極電壓)，K表示體效應(yīng)常數(shù)，φF表示表面電位，V0表示VBS＝0V時(shí)的閾值電壓。
在圖2的圖中，(d)表示MOS晶體管的背柵極與柵極之間的電位差VBS等于該MOS晶體管的閾值電壓Vth的一個(gè)點(diǎn)。如從圖2中可明顯看出的那樣，作為VBS＝Vth的結(jié)果，可將其閾值電壓從通常的VBS＝-1.5V的情況下的0.7V減少到0.25V，該值比VBS＝0的情況下的MOS晶體管的閾值電壓0.35V小0.1V，這是因?yàn)閂BS變成等于Vth?？赏ㄟ^在MOS晶體管中連接背柵極和柵極來得到VBS＝Vth。在以下的描述中，為了區(qū)別起見，|Vtho|表示在連接背柵極和柵極時(shí)的MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值，而|Vth|表示VBS0＝-1.5V的通常的閾值電壓。
現(xiàn)在參照?qǐng)D4的定時(shí)圖來描述圖3中示出的升壓脈沖產(chǎn)生電路的工作情況。在圖4中，(a)表示在輸入信號(hào)IN的電位中的變動(dòng)，(b)表示在結(jié)點(diǎn)7的電位中的變動(dòng)，(c)表示在圖3中示出的升壓脈沖產(chǎn)生電路的輸出結(jié)點(diǎn)8的升壓輸出OUT中的變動(dòng)。
首先，當(dāng)輸入信號(hào)IN從VSS電平上升到Vcc電平時(shí)，反相電路2和1b的工作情況與通常的升壓脈沖產(chǎn)生電路中的反相電路的工作情況相同，但由于閾值電壓值中的差別，結(jié)點(diǎn)7和輸出結(jié)點(diǎn)8的電壓電位分別與通常的升壓脈沖產(chǎn)生電路中的相應(yīng)的電壓電位不同，這就是說，導(dǎo)致產(chǎn)生具有大的電壓幅度的升壓脈沖。
圖5示出圖1中指出的輸入/輸出緩沖器190的詳細(xì)的電路圖，其中引入一個(gè)升壓脈沖產(chǎn)生電路。圖6是示出該電路的工作情況的定時(shí)圖。在圖5中，該輸入/輸出緩沖器190由一個(gè)輸出緩沖器196和一個(gè)輸入緩沖器197組成，該輸出緩沖器196根據(jù)從存儲(chǔ)器單元陣列101的一個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出的讀出數(shù)據(jù)將輸出數(shù)據(jù)傳送到數(shù)據(jù)輸入/輸出結(jié)點(diǎn)N4，然后輸入到輸入結(jié)點(diǎn)190C，輸入緩沖器197根據(jù)輸入到數(shù)據(jù)輸入/輸出結(jié)點(diǎn)N4的輸入數(shù)據(jù)將要寫入存儲(chǔ)器單元陣列101的存儲(chǔ)器單元的寫入數(shù)據(jù)傳送到結(jié)點(diǎn)190C。
該輸出緩沖器196包括一個(gè)連接在電源電位結(jié)點(diǎn)190a和數(shù)據(jù)輸入/輸出結(jié)點(diǎn)N4之間的N溝MOS晶體管195n1和另一個(gè)連接在數(shù)據(jù)輸入/輸出結(jié)點(diǎn)N4和接地電位結(jié)點(diǎn)190b之間的N溝MOS晶體管195n2。該輸出緩沖器196還包括數(shù)據(jù)輸出控制電路191、192和一個(gè)升壓脈沖產(chǎn)生電路194。在該數(shù)據(jù)輸出控制電路191中，根據(jù)從存儲(chǔ)器單元陣列中的存儲(chǔ)器單元讀出的讀出數(shù)據(jù)和來自寫/讀控制電路180的一個(gè)寫/讀控制信號(hào)WO，當(dāng)寫/讀控制信號(hào)WO是在示出讀的H電平上時(shí)，如讀出數(shù)據(jù)是1，即二進(jìn)制電平的H電平，則N溝MOS晶體管195n2變成非導(dǎo)電狀態(tài)，而如讀出數(shù)據(jù)是在二進(jìn)制電平的剩下的L電平上，則N溝MOS晶體管195n2變成導(dǎo)電狀態(tài)。另一方面，當(dāng)寫/讀控制信號(hào)WO是在示出寫的L電平上時(shí)，不管讀出數(shù)據(jù)如何，N溝MOS晶體管195n2處于非導(dǎo)電狀態(tài)。所提到的數(shù)據(jù)輸出電路191包括一個(gè)邏輯電路191a。
在該數(shù)據(jù)輸出控制電路192中，響應(yīng)從存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)器單元讀出的讀出數(shù)據(jù)和來自寫/讀控制電路180的寫/讀控制信號(hào)WO，當(dāng)該寫/讀控制信號(hào)WO是在示出讀的H電平上時(shí)，將數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)輸出到一個(gè)結(jié)點(diǎn)N1這樣如果該讀出數(shù)據(jù)是在二進(jìn)制電平的L電平上的話該N溝MOS晶體管195n2處于非導(dǎo)電狀態(tài)，同時(shí)數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)輸出到該結(jié)點(diǎn)N1這樣如果該讀出數(shù)據(jù)是在二進(jìn)制電平的剩下的H電平上的話該N溝MOS晶體管195n2處于導(dǎo)電狀態(tài)。另一方面，當(dāng)該寫/讀控制信號(hào)WO是在示出寫的L電平上時(shí)，將數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)輸出到結(jié)點(diǎn)N1使得不管讀出數(shù)據(jù)如何，該N溝道MOS晶體管195n2處于非導(dǎo)電狀態(tài)。所提到的數(shù)據(jù)輸出電路192包括一個(gè)用于根據(jù)寫/讀控制信號(hào)WO和讀出數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)輸出到結(jié)點(diǎn)N1的邏輯電路192a。
再者，升壓信號(hào)產(chǎn)生電路194接受來自數(shù)據(jù)輸出控制電路192的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)，其中當(dāng)數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝道MOS晶體管195n1處于導(dǎo)電態(tài)時(shí)，N溝MOS晶體管195n1的柵電位被升到高于加到電源電位結(jié)點(diǎn)190a上的電源電位Vcc，N溝MOS晶體管195n1連接到該電源電位結(jié)點(diǎn)190a上，因此N溝MOS晶體管195n1處于導(dǎo)電狀態(tài)；當(dāng)數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝MOS晶體管195n1處于非導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，將N溝MOS晶體管195n1的柵電位降低到接地電位VSS，因此N溝MOS晶體管195n1處于非導(dǎo)電狀態(tài)。
升壓信號(hào)產(chǎn)生電路194包括一個(gè)反相電路192b；一個(gè)N溝MOS晶體管194n2；一個(gè)升壓電容器194c；一個(gè)P溝MOS晶體管194p1和一個(gè)N溝MOS晶體管194n1。所述的反相電路192b由一個(gè)用于對(duì)從數(shù)據(jù)輸出控制電路192輸出的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)進(jìn)行反相的反相器192ba和一個(gè)延遲電路192bb組成。所述的N溝MOS晶體管194n2在電源電位結(jié)點(diǎn)190a和升壓結(jié)點(diǎn)194q之間連接成二極管，使其從電源電位結(jié)點(diǎn)190a至升壓結(jié)點(diǎn)194q配置成正向，并且其中將柵極連接到背柵極。在所述的升壓電容器194c中，將一個(gè)電極連接到升壓結(jié)點(diǎn)194q，當(dāng)從數(shù)據(jù)輸出控制電路192輸出的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝MOS晶體管195n1處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，一個(gè)從反相電路192b輸出到結(jié)點(diǎn)N2的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)的反相和延遲信號(hào)由于電容耦合使升壓結(jié)點(diǎn)194q的電位升壓。將所述的P溝MOS晶體管194p1連接在該升壓結(jié)點(diǎn)194q和N溝MOS晶體管195n1的柵極之間，當(dāng)從數(shù)據(jù)輸出控制電路192輸出到結(jié)點(diǎn)N1的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝MOS晶體管195n1處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，該P(yáng)溝MOS晶體管194p1處于開路狀態(tài)，而當(dāng)從數(shù)據(jù)輸出控制電路192輸出到結(jié)點(diǎn)N1的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝MOS晶體管195n1處于非導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，該P(yáng)溝MOS晶體管194p1處于非導(dǎo)電狀態(tài)。將所述的N溝MOS晶體管194n1連接在N溝MOS晶體管195n1的柵極和接地電位結(jié)點(diǎn)190b之間，當(dāng)從數(shù)據(jù)輸出控制電路192輸出到結(jié)點(diǎn)N1的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝MOS晶體管195n1處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，該N溝MOS晶體管194n1處于閉路狀態(tài)，而當(dāng)從數(shù)據(jù)輸出控制電路192輸出到結(jié)點(diǎn)N1的數(shù)據(jù)輸出控制信號(hào)命令N溝MOS晶體管195n1處于非導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，該N溝MOS晶體管194n1處于導(dǎo)電狀態(tài)。
以下參照?qǐng)D6的定時(shí)圖描述圖5中示出的升壓脈沖產(chǎn)生電路的工作情況。在圖6中，(a)示出當(dāng)出現(xiàn)在輸入結(jié)點(diǎn)190c中的讀出數(shù)據(jù)是處于H電平時(shí)電位N190c的變動(dòng)；(b)示出寫/讀控制信號(hào)WO的電位變動(dòng)；(c)示出數(shù)據(jù)輸出電路192的輸出結(jié)點(diǎn)N1中的電位變動(dòng)；(d)示出升壓脈沖產(chǎn)生電路194的輸出結(jié)點(diǎn)N3中的電位變動(dòng)；(e)示出升壓結(jié)點(diǎn)194q中的電位N194q的變動(dòng)；以及(f)示出數(shù)據(jù)輸入/輸出結(jié)點(diǎn)N4中的電位變動(dòng)。
該升壓脈沖產(chǎn)生電路正好在來自結(jié)點(diǎn)N4的讀出數(shù)據(jù)是處在二進(jìn)制電平的一個(gè)N電平時(shí)顯示出一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)從存儲(chǔ)器單元陣列101的存儲(chǔ)器單元讀出的讀出數(shù)據(jù)是處在如圖6(a)中示出的二進(jìn)制電平的一個(gè)H電平以及來自寫/讀控制電路180的寫/讀控制信號(hào)WO是處在如圖6中示出的顯示讀的H電平時(shí)，來自數(shù)據(jù)輸出控制電路192的結(jié)點(diǎn)N1的電位從H電平降到L電平。其結(jié)果是N溝MOS晶體管195n1的柵極的結(jié)點(diǎn)N3的電位此刻上升到結(jié)點(diǎn)194q的電位電平，即，升到Vcc-|Vtho|。
因此，N溝MOS晶體管195n1處于導(dǎo)電狀態(tài)，而且如圖6(f)所示，因?yàn)榻Y(jié)點(diǎn)N3的電位電平是Vcc-|Vtho|，故結(jié)點(diǎn)N4的電平正從一種高阻抗?fàn)顟B(tài)升到H電平的電位電平被限制在Vcc-|Vtho|-|Vth|。其后，當(dāng)結(jié)點(diǎn)N1中的電位變動(dòng)被反相電路192b反相并被延遲和傳送到結(jié)點(diǎn)N3時(shí)，如圖6(e)中所示由于電容器194c的電容耦合，將結(jié)點(diǎn)194q的電位從預(yù)充電電位Vcc-|Vtho|進(jìn)一步升壓。然后將該升壓電位通過圖6(d)中示出的P溝MOS晶體管194p1傳送到結(jié)點(diǎn)N3，并且隨著結(jié)點(diǎn)N3上的電位的上升，輸出結(jié)點(diǎn)N4的電位如圖6(f)中所示上升到Vcc。如果不設(shè)置升壓脈沖產(chǎn)生電路194的話，則如圖6(f)中的虛線所示，該電位上升被限制于Vcc-|Vtho|-|Vth|。
在上述配置的升壓脈沖產(chǎn)生電路中，可對(duì)于電源電位進(jìn)行有效的升壓。使用一個(gè)連接成二極管以便從電源電位結(jié)點(diǎn)190a至第一連接結(jié)點(diǎn)194q配置成正向的、其中將背柵極連接到柵極的P溝MOS晶體管來代替所述的升壓脈沖產(chǎn)生電路中的N溝MOS晶體管194n2也是較為理想的。
已對(duì)本發(fā)明就某些實(shí)施例進(jìn)行了描述。對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)人員來說將會(huì)想到在本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)的各種修正和附加。因此，本發(fā)明的范圍只由下述的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種升壓脈沖產(chǎn)生電路，包括一個(gè)接受輸入信號(hào)的輸入端；一個(gè)連接在第一電位結(jié)點(diǎn)和第二電位結(jié)點(diǎn)之間的、接受所述輸入信號(hào)的第一反相電路；一個(gè)通過一個(gè)連接成二極管的MOS晶體管連接在所述第一電位結(jié)點(diǎn)和所述第二電位結(jié)點(diǎn)之間的、并連接到所述輸入端和一個(gè)輸出端的第二反相電路；一個(gè)連接在所述第一反相電路的一個(gè)輸出端和所述二極管與第二反相電路的一個(gè)連接結(jié)點(diǎn)之間的電容器；其特征在于將所述MOS晶體管的一個(gè)背柵極連接到其柵極上。
2.權(quán)利要求1中所述的升壓脈沖產(chǎn)生電路，其特征在于所述MOS晶體管是P溝MOS晶體管。
3.權(quán)利要求1中所述的升壓脈沖產(chǎn)生電路，其特征在于所述MOS晶體管是N溝MOS晶體管。
全文摘要
一種升壓脈沖產(chǎn)生電路包括一個(gè)連接在第一電位結(jié)點(diǎn)和第二電位結(jié)點(diǎn)之間的、接受輸入信號(hào)的第一反相電路；一個(gè)通過一個(gè)連接成二極管的MOS晶體管連接在該第一電位結(jié)點(diǎn)和該第二電位結(jié)點(diǎn)之間的、連接到一個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端的第二反相電路；一個(gè)連接在該第一反相電路的一個(gè)輸出端和該二極管與第二反相電路的一個(gè)連接結(jié)點(diǎn)之間的電容器；其特征在于將所述MOS晶體管的一個(gè)背柵極連接到其柵極上。
文檔編號(hào)G05F1/10GK1158516SQ9611975
公開日1997年9月3日 申請(qǐng)日期1996年12月11日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月11日
發(fā)明者飛田洋一 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社