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偏置電路、芯片和電子裝置的制作方法

文檔序號(hào):40405242發(fā)布日期:2024-12-20 12:29閱讀:17來源:國知局
偏置電路、芯片和電子裝置的制作方法

本公開涉及集成電路,尤其是一種偏置電路、芯片和電子裝置。


背景技術(shù):

1、在模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路(analog?to?digital?converter,簡(jiǎn)稱:adc)、運(yùn)算放大器電路(operational?amplifier,簡(jiǎn)稱:oa)、低壓差線性穩(wěn)壓器(low?dropout?regulator,簡(jiǎn)稱:ldo)等模擬電路中,通常都需要一路或多路電流偏置,通過偏置電路為這些模擬電路提供偏置電壓或偏置電流。相關(guān)技術(shù)中的電流偏置電路產(chǎn)生的偏置電壓波動(dòng)范圍較大,容易導(dǎo)致模擬電路其它模塊功能異常,從而影響整體電路的穩(wěn)定性。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例提供了一種偏置電路、芯片和電子裝置。

2、根據(jù)本公開實(shí)施例的一個(gè)方面,提供了一種偏置電路,包括:偏置產(chǎn)生模塊,所述偏置產(chǎn)生模塊的第一輸入端用于輸入啟動(dòng)信號(hào);所述偏置產(chǎn)生模塊的第一輸出端用于輸出第一偏置電壓;負(fù)反饋模塊,所述負(fù)反饋模塊的第二輸入端與所述偏置產(chǎn)生模塊的所述第一輸出端連接,所述負(fù)反饋模塊的第二輸出端與所述偏置產(chǎn)生模塊連接;所述偏置產(chǎn)生模塊用于在所述啟動(dòng)信號(hào)的作用下,產(chǎn)生所述第一偏置電壓,從所述第一輸出端輸出所述第一偏置電壓;所述負(fù)反饋模塊用于在所述第一偏置電壓的作用下,向所述偏置產(chǎn)生模塊反饋調(diào)節(jié)電壓,以將所述偏置產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的所述第一偏置電壓調(diào)節(jié)為第二偏置電壓。

3、在一些實(shí)施例中,所述負(fù)反饋模塊包括:第一晶體管組件,所述第一晶體管組件的第一端與所述第二輸入端連接,所述第一晶體管組件的第二端連接電源電壓,所述第一晶體管組件的第三端與所述第二輸出端連接;第二晶體管組件,所述第二晶體管組件的第一端與所述第二輸入端連接,所述第二晶體管組件的第二端分別與所述第一晶體管組件的第三端和所述第二輸出端連接,所述第二晶體管組件的第三端接地;所述第一晶體管組件和所述第二晶體管組件用于:在所述第一偏置電壓高于第一電壓閾值的情況下,使所述第二輸出端輸出第一調(diào)節(jié)電壓,以將所述第一偏置電壓調(diào)節(jié)為小于所述第一偏置電壓的所述第二偏置電壓;以及,在所述第一偏置電壓低于第二電壓閾值的情況下,使所述第二輸出端輸出第二調(diào)節(jié)電壓,以將所述第一偏置電壓調(diào)節(jié)為大于所述第一偏置電壓的所述第二偏置電壓。

4、在一些實(shí)施例中,所述第一晶體管組件包括:第一pmos晶體管,所述第一pmos晶體管的第一端作為第一使能端,所述第一pmos晶體管的第二端作為所述第一晶體管組件的第二端連接電源電壓;第二pmos晶體管,所述第二pmos晶體管的第一端作為所述第一晶體管組件的第一端,所述第二pmos晶體管的第二端與所述第一pmos晶體管的第三端連接;所述第二pmos晶體管的第三端作為所述第一晶體管組件的第三端。

5、在一些實(shí)施例中,所述第二晶體管組件包括:第一nmos晶體管,所述第一nmos晶體管的第一端作為所述第二晶體管組件的第一端,所述第一nmos晶體管的第二端作為所述第二晶體管組件的第二端;第二nmos晶體管,所述第二nmos晶體管的第一端作為第二使能端,所述第二nmos晶體管的第二端與所述第一nmos晶體管的第三端連接,所述第二nmos晶體管的第三端作為所述第二晶體管組件的第三端接地;所述第一使能端和所述第二使能端連接相反的使能信號(hào);在所述第一使能端和所述第二使能端均為使能狀態(tài)的情況下,所述負(fù)反饋模塊處于工作狀態(tài);在所述第一使能端和所述第二使能端均為非使能狀態(tài)的情況下,所述負(fù)反饋模塊處于關(guān)閉狀態(tài)。

6、在一些實(shí)施例中,所述偏置產(chǎn)生模塊包括:?jiǎn)?dòng)控制組件,所述啟動(dòng)控制組件的第一端作為所述偏置產(chǎn)生模塊的第一輸入端,所述啟動(dòng)控制組件的第二端連接電源電壓;晶體管電流鏡組件,分別與所述啟動(dòng)控制組件的第三端和所述負(fù)反饋模塊的第二輸出端連接;輔助晶體管組件,分別與所述晶體管電流鏡組件和電源電壓連接;級(jí)聯(lián)晶體管組件,分別與所述輔助晶體管組件和所述第一輸出端連接;電阻,所述電阻的第一端分別與所述級(jí)聯(lián)晶體管組件和所述第一輸出端連接,所述電阻的第二端接地;所述啟動(dòng)控制組件在所述啟動(dòng)信號(hào)的作用下,啟動(dòng)所述偏置產(chǎn)生模塊,為所述晶體管電流鏡組件、所述級(jí)聯(lián)晶體管組件和所述電阻提供電流,在所述電阻的第一端產(chǎn)生所述第一偏置電壓,通過所述第一輸出端輸出所述第一偏置電壓;所述晶體管電流鏡組件用于,在所述負(fù)反饋模塊的調(diào)節(jié)電壓作用下,調(diào)節(jié)所述晶體管電流鏡組件、所述級(jí)聯(lián)晶體管組件和所述電阻的電流,以將所述電阻的第一端的所述第一偏置電壓調(diào)節(jié)為所述第二偏置電壓。

7、在一些實(shí)施例中,所述偏置產(chǎn)生模塊還包括:電容,所述電容的第一端與所述電阻的第一端連接,所述電容的第二端接地。

8、在一些實(shí)施例中,所述晶體管電流鏡組件包括:第三nmos晶體管,所述第三nmos晶體管的第一端分別與所述第三nmos晶體管的第二端、所述負(fù)反饋模塊的第二輸出端連接;所述第三nmos晶體管的第二端與所述啟動(dòng)控制組件的第三端連接;所述第三nmos晶體管的第三端接地;第四nmos晶體管,所述第四nmos晶體管的第一端與所述第三nmos晶體管的第一端連接,所述第四nmos晶體管的第二端與所述輔助晶體管組件連接,所述第四nmos晶體管的第三端接地;第五nmos晶體管,所述第五nmos晶體管的第一端與所述第三nmos晶體管的第一端連接,所述第五nmos晶體管的第二端與所述輔助晶體管組件連接,所述第五nmos晶體管的第三端接地。

9、在一些實(shí)施例中,所述輔助晶體管組件包括:第三pmos晶體管,所述第三pmos晶體管的第一端與所述級(jí)聯(lián)晶體管組件連接,所述第三pmos晶體管的第二端連接電源電壓,所述第三pmos晶體管的第三端分別與所述第三pmos晶體管的第一端、所述第四nmos晶體管的第二端連接;第四pmos晶體管,所述第四pmos晶體管的第一端與所述級(jí)聯(lián)晶體管組件連接,所述第四pmos晶體管的第二端連接電源電壓,所述第四pmos晶體管的第三端分別與所述第四pmos晶體管的第一端、所述第五nmos晶體管的第二端連接。

10、在一些實(shí)施例中,所述級(jí)聯(lián)晶體管組件包括:第五pmos晶體管,所述第五pmos晶體管的第一端與所述第三pmos晶體管的第一端連接,所述第五pmos晶體管的第二端連接電源電壓;第六pmos晶體管,所述第六pmos晶體管的第一端與所述第四pmos晶體管的第一端連接,所述第六pmos晶體管的第二端與所述第五pmos晶體管的第三端連接,所述第六pmos晶體管的第三端分別與所述第一輸出端、所述電阻的第一端連接。

11、在一些實(shí)施例中,所述偏置電路還包括:偏置調(diào)整模塊,包括至少一個(gè)并聯(lián)的開關(guān)支路,每一所述開關(guān)支路包括至少一個(gè)開關(guān)組件;每一所述開關(guān)支路的第一端連接調(diào)整控制信號(hào),每一所述開關(guān)支路的第二端連接電源電壓,每一所述開關(guān)支路的第三端與所述偏置產(chǎn)生模塊連接;每一所述開關(guān)支路用于在所述調(diào)整控制信號(hào)有效的情況下,為所述偏置產(chǎn)生模塊注入一路電流,以增大所述偏置產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的所述第一偏置電壓。

12、在一些實(shí)施例中,所述偏置產(chǎn)生模塊包括啟動(dòng)控制組件、晶體管電流鏡組件、輔助晶體管組件、級(jí)聯(lián)晶體管組件和電阻;每一所述開關(guān)支路的第三端分別與所述啟動(dòng)控制組件的第三端、所述晶體管電流鏡組件連接;每一所述開關(guān)支路用于在所述調(diào)整控制信號(hào)有效的情況下,為所述晶體管電流鏡組件注入一路電流,以增大所述晶體管電流鏡組件中晶體管的柵極電壓,使得流經(jīng)所述電阻的電流增大,將所述第一偏置電壓調(diào)整為大于所述第一偏置電壓的第三偏置電壓。

13、在一些實(shí)施例中,每一所述開關(guān)支路包括:至少兩個(gè)串聯(lián)的開關(guān)組件;每一開關(guān)組件的第一端與該開關(guān)支路的第一端連接;每一開關(guān)組件在所述調(diào)整控制信號(hào)有效的情況下導(dǎo)通,以在該開關(guān)支路產(chǎn)生電流;每一開關(guān)組件在所述調(diào)整控制信號(hào)無效的情況下關(guān)閉,以斷開該開關(guān)支路產(chǎn)生的電流。

14、根據(jù)本公開實(shí)施例的另一個(gè)方面,提供了一種芯片,包括:上述任一實(shí)施例提供的偏置電路。

15、根據(jù)本公開實(shí)施例的再一個(gè)方面,提供了一種電子裝置,包括:上述任一實(shí)施例提供的芯片。

16、本公開上述實(shí)施例提供的偏置電路、芯片和電子裝置,通過偏置產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第一偏置電壓,在第一偏置電壓過高或過低的情況下,可以通過負(fù)反饋模塊產(chǎn)生調(diào)節(jié)電壓,將偏置產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的第一偏置電壓調(diào)節(jié)至第二偏置電壓,從而可以將偏置產(chǎn)生模塊輸出的偏置電壓限制在較小范圍內(nèi)波動(dòng),有效縮小偏置電壓的波動(dòng)范圍,提高整體電路的穩(wěn)定性。

17、下面通過附圖和實(shí)施例,對(duì)本公開的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

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