1.一種溫度檢測電路，其特征在于，包括帶隙基準電路、電流產(chǎn)生電路、閾值電壓產(chǎn)生電路、第一遲滯比較器、第二遲滯比較器、控制電路和片外電阻；
所述帶隙基準電路的一個輸出端向所述電流產(chǎn)生電路的輸入端輸出帶隙基準電壓，所述帶隙基準電路的另一個輸出端向所述第一遲滯比較器的一個輸入端和所述第二遲滯比較器的一個輸入端輸出正溫度系數(shù)的電壓；
所述片外電阻的第一端接所述電流產(chǎn)生電路的一路輸出電流和所述閾值電壓產(chǎn)生電路的輸入端，所述片外電阻的第二端接地；
所述閾值電壓產(chǎn)生電路的一個輸出端向所述第一遲滯比較器的另一個輸入端輸出第一閾值電壓，所述閾值電壓產(chǎn)生電路的另一個輸出端向所述第二遲滯比較器的另一個輸入端輸出第二閾值電壓；
所述控制電路的兩個輸入端接所述第一遲滯比較器和所述第二遲滯比較器的輸出端，所述控制電路根據(jù)所述第一遲滯比較器和所述第二遲滯比較器的輸出控制所述電流產(chǎn)生電路輸出給功率放大器的偏置電流；
其中，所述片外電阻的電阻值可變。
2.根據(jù)權利要求1所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述閾值電壓產(chǎn)生電路包括第一運算放大器、第一MOS管、第一電阻和第二電阻；
所述第一運算放大器的一個輸入端作為所述閾值電壓產(chǎn)生電路的輸入端與所述片外電阻的第一端連接，所述第一運算放大器的輸出端與所述第一MOS管的柵極連接；
所述第一MOS管的第一極接電源，所述第一MOS管的第二極接所述第一電阻的第一端并作為所述閾值電壓產(chǎn)生電路的一個輸出端輸出所述第一閾值電壓，所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端和所述第一運算放大器的另一個輸入端連接并作為所述閾值電壓產(chǎn)生電路的另一個輸出端輸出所述第二閾值電壓，所述第二電阻的第二端接地。
3.根據(jù)權利要求2所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述第一MOS管是NMOS管，所述第一MOS管的第一極是漏極，所述第一MOS管的第二極是源極。
4.根據(jù)權利要求1所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述溫度檢測電路還包括偏置電阻，所述電流產(chǎn)生電路還包括第二運算放大器、第二MOS管、第三MOS管和MOS管陣列；
所述第二運算放大器的一個輸入端作為所述電流產(chǎn)生電路的輸入端接收所述帶隙基準電壓，所述第二運算放大器的輸出端與所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述MOS管陣列中各MOS管的柵極連接，所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述MOS管陣列中各MOS管的第一極接電源；
所述第二MOS管的第二極與所述偏置電阻的第一端和所述第二運算放大器的另一個輸入端連接，所述第三MOS管的第二極與所述片外電阻的第一端連接，所述偏置電阻的第二端和所述片外電阻的第二端接地；
所述MOS管陣列中各MOS管相互串并聯(lián)，所述MOS管陣列中各MOS管的第二極相互連接并輸出所述偏置電流給所述功率放大器，所述控制電路根據(jù)所述第一遲滯比較器和所述第二遲滯比較器的輸出控制所述MOS管陣列中各MOS管的導通或關斷，以控制所述電流產(chǎn)生電路輸出給所述功率放大器的偏置電流。
5.根據(jù)權利要求4所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述MOS管陣列中的各MOS管是NMOS管，所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述MOS管陣列中的各MOS管的第一極是漏極，第二極是源極。
6.根據(jù)權利要求1所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述帶隙基準電路包括第四至第十五MOS管、第一至第三雙極型晶體管、第三至第六電阻；
所述第一至第三雙極型晶體管的基極和第二極和所述第六電阻的第二端相互連接并接地，所述第一雙極型晶體管的第一極與所述第四MOS管的第二極連接，所述第二雙極型晶體管的第一極與所述第三電阻的第二端連接；
所述第四MOS管的柵極與所述第五MOS管的柵極、所述第四電阻的第二端和所述第六MOS管的第一極連接，所述第四MOS管的第一極與所述第六MOS管的第二極連接，所述第五MOS管的第二極與所述第三電阻的第一端連接，所述第五MOS管的第一極與所述第七MOS管的第二極連接；
所述第六MOS管的柵極與所述第四電阻的第一端、所述第七MOS管的柵極和所述第八MOS管的第二極連接，所述第七MOS管的第一極與所述第八至第十一MOS管的柵極和所述第九MOS管的第二極連接；
所述第八MOS管的第一極與所述第十二MOS管的第二極連接，所述第九MOS管的第一極與所述第十二至第十五MOS管的柵極和所述第十三MOS管的第二極連接；
所述第十二至第十五MOS管的第一極相互連接并與電源連接，所述第十四MOS管的第二極與所述第十MOS管的第一極連接，所述第十五MOS管的第二極與所述第十一MOS管的第一極連接；
所述第十MOS管的第二極與所述第五電阻的第一端連接并輸出所述帶隙基準電壓，所述第五電阻的第二端與所述第三雙極型晶體管的第一極連接，所述第十一MOS管的第二極與所述第六電阻的第一端連接并輸出所述正溫度系數(shù)的電壓。
7.根據(jù)權利要求6所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述第一至第三雙極型晶體管是NPN管，所述第一至第三雙極型晶體管的第一極是集電極，第二極是發(fā)射極；
所述第四至第七MOS管是NMOS管，所述第四至第七MOS管的第一極是漏極，第二極是源極；
所述第八至第十五MOS管是PMOS管，所述第八至第十五MOS管的第一極是源極，第二極是漏極。
8.根據(jù)權利要求2或3所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述第一電阻和所述第二電阻是同種類型的電阻。
9.根據(jù)權利要求8所述的溫度檢測電路，其特征在于，所述第一電阻和所述第二電阻是P型多晶電阻。