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光敏二極管暗電流消除電路的制作方法

文檔序號:12004490閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種光敏二極管暗電流消除電路,其特征在于,包括:第一電流源,耦接于電源電壓與第一節(jié)點之間或者第一節(jié)點與接地電壓之間,提供第一電流;第二電流源,耦接于電源電壓與第二節(jié)點之間或者第二節(jié)點與接地電壓之間,提供第二電流;第三電流源,耦接于第三節(jié)點與接地電壓之間或者電源電壓與第三節(jié)點之間,提供第三電流;第四電流源,耦接至第四節(jié)點與接地電壓之間或者電源電壓與第四節(jié)點之間,提供第四電流;第一MOS晶體管,耦接于第一節(jié)點與第三節(jié)點之間,其漏極和源極分別耦接至第一節(jié)點和第三節(jié)點;第一運算放大器,其輸出端耦接至第一MOS晶體管的柵極,其一輸入端耦接至第三節(jié)點,其另一輸入端耦接外部第一參考電壓;第二MOS晶體管,耦接于第二節(jié)點與第四節(jié)點之間,其漏極和源極分別耦接至第二節(jié)點和第四節(jié)點;第二運算放大器,其輸出端耦接至第二MOS晶體管的柵極,其一輸入端耦接至第四節(jié)點,其另一輸入端耦接外部第二參考電壓;一電阻,耦接于第三節(jié)點與第四節(jié)點之間;所述第一MOS晶體管與第二MOS晶體管的類型相同,所述第一電流、第二電流、第三電流和第四電流的電流值相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光敏二極管暗電流消除電路,其特征在于:所述第一MOS管和第二MOS管分別是第一NMOS管和第二NMOS管,此時,第一運算放大器的正向輸入端耦接至第一參考電壓,負向輸入端耦接至第三節(jié)點,第二運算放大器的正向輸入端耦接至第二參考電壓,負向輸入端耦接至第四節(jié)點。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光敏二極管暗電流消除電路,其特征在于:所述第一MOS管和第二MOS管分別是第一PMOS管和第二PMOS管,此時,第一運算放大器的負向輸入端耦接至第一參考電壓,正向輸入端耦接至第三節(jié)點;第二運算放大器的負向輸入端耦接至第二參考電壓,正向輸入端耦接至第四節(jié)點。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的一種光敏二極管暗電流消除電路,其特征在于:所述電阻是可調(diào)電阻。

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