本實用新型涉及干擾儀領域，特別是涉及一種功率放大器的功率控制電路 。

背景技術：

近些年來，無論是利用移動電話進行考試作弊還是利用手機的振鈴電路原理制作手機遙控炸彈進行恐怖活動，都日益猖獗，我們必須盡快找到更好更有效的應對方法。手機信號干擾技術可以應用在以下場合：防止各類考試手機作弊；防恐，主要是對付手機遙控炸彈；一些對手機有嚴格管制要求的場合，如某些軍事管理區(qū)、加油站、會議中心、重要的建筑物等。對于手機信號干擾技術的研究都是使用單一制式信號干擾，產(chǎn)生的干擾效果并不理想，常常出現(xiàn)干擾盲點問題?，F(xiàn)有的干擾儀造成噪聲頻譜密度不夠高，存在干擾盲點，干擾效果一般，功率高，難以滿足對手機有嚴格管制要求的場合。

在功率放大器設計中，尤其是飽和功率放大器設計中，需要對功率放大器的輸出功率做控制，在不同通訊強度的應用環(huán)境中，要求功率放大器可以輸出不同的輸出功率。

目前，常規(guī)的功率控制方法有三種：第一，限制放大器的電源電壓。功率控制器的輸出作為放大器的電源電壓，通過Ramp 信號（斜坡信號）控制功率控制器的輸出，使得放大器的電源電壓跟隨Ramp 信號變化，從而實現(xiàn)輸出功率控制。第二，電流檢測反饋型。通過檢測放大器的工作電流，反饋給基帶做處理，基帶再通過功率控制器改變放大器的工作電流，通過該反饋完成功率控制。第三，功率耦合器，通過芯片外圍的定向耦合器檢測輸出功率，將功率值返回給基帶，基帶通過功率控制器（或者調整輸入功率）相應改變輸出功率，通過該反饋實現(xiàn)功率控制。，第三種需要額外的功率耦合器設計，設計成本偏高；第一種和第二種共有的缺陷是功率放大器的負載失配導致功率變化，該變化不受功率控制反饋環(huán)的影響，從而導致功率控制不夠準確。

技術實現(xiàn)要素：

針對上述存在的不足，本實用新型提供一種功率放大器的功率控制電路 。

本實用新型通過以下技術方案解決上述問題：

一種功率放大器的功率控制電路，包括基準電壓電路、采樣電路、控制電路和偏置電路；

所述采樣電路的采樣端與外部放大電路的輸出端連接；所述采樣電路的輸出端與控制電路連接；所述基準電壓電路的輸出端與控制電路連接；所述控制電路的輸出端與偏置電路連接；所述偏置電路的輸出端與外部放大電路連接。

上述方案中，優(yōu)選的是控制電路為環(huán)路控制電路；所述環(huán)路控制電路包括Mos場效應晶體管M1、Mos場效應晶體管M2、Mos場效應晶體管M3、放大器A、電阻R4、電阻R5和電容C4；

所述Mos場效應晶體管M1和Mos場效應晶體管M2為鏡像電流源；Mos場效應晶體管M1的柵極和Mos場效應晶體管M2的柵極相連；Mos場效應晶體管M1的柵極和其漏極相連；Mos場效應晶體管M2的漏極接電阻R4作為電流電壓轉換器；Mos場效應晶體管M2的漏極和電阻R4的節(jié)點與放大器A的正向輸入端相連；放大器A的反向輸入端與控制電壓（vramp）相連；放大器A的輸出端接Mos場效應晶體管M3的柵極；Mos場效應晶體管M3的柵極經(jīng)電阻R5、電容C4接Mos場效應晶體管M3的漏極； Mos場效應晶體管M1、Mos場效應晶體管M2和Mos場效應晶體管M3的源極接電源。

上述方案中，優(yōu)選的是采樣電路經(jīng)一采樣電阻與外部放大電路的輸出端連接；所述采樣電阻與外部放大電路的輸出端并聯(lián)。

上述方案中，優(yōu)選的是采樣電路與控制電路之間接有光耦隔離器；所述光耦隔離器的輸入端與采樣電路的輸出端連接；所述光耦隔離器的輸出端與控制電路連接。

本實用新型的優(yōu)點與效果是：

1、本實用新型通過控制電路對放大電路進行控制，實現(xiàn)很好的環(huán)路控制，能更好根據(jù)放大電路的功率進行補償控制；

2、本實用新型在采樣電路與控制電路之間接有光耦隔離器能更好的對控制電路進行保護，防止大電壓對控制電路的影響，而影響控制結果。

附圖說明

圖1為本實用新型系統(tǒng)框圖；

圖2為本實用新型控制電路原理圖。

具體實施方式

以下結合實施例對本實用新型作進一步說明。

一種功率放大器的功率控制電路，如圖1所示，包括基準電壓電路、采樣電路、控制電路和偏置電路。

所述采樣電路的采樣端與外部放大電路的輸出端連接；所述采樣電路的輸出端與控制電路連接；所述基準電壓電路的輸出端與控制電路連接；所述控制電路的輸出端與偏置電路連接；所述偏置電路的輸出端與外部放大電路連接。

所述控制電路為環(huán)路控制電路；所述環(huán)路控制電路包括Mos場效應晶體管M1、Mos場效應晶體管M2、Mos場效應晶體管M3、放大器A、電阻R4、電阻R5和電容C4。所述控制電路主要通過偏置電路進一步對放大電路進行控制，實現(xiàn)放大電路的功率控制。

所述Mos場效應晶體管M1和Mos場效應晶體管M2為鏡像電流源；Mos場效應晶體管M1的柵極和Mos場效應晶體管M2的柵極相連；Mos場效應晶體管M1的柵極和其漏極相連；Mos場效應晶體管M2的漏極接電阻R4作為電流電壓轉換器；Mos場效應晶體管M2的漏極和電阻R4的節(jié)點與放大器A的正向輸入端相連；放大器A的反向輸入端與控制電壓（vramp）相連；放大器A的輸出端接Mos場效應晶體管M3的柵極；Mos場效應晶體管M3的柵極經(jīng)電阻R5、電容C4接Mos場效應晶體管M3的漏極； Mos場效應晶體管M1、Mos場效應晶體管M2和Mos場效應晶體管M3的源極接電源。

所述采樣電路經(jīng)一采樣電阻與外部放大電路的輸出端連接；所述采樣電阻與外部放大電路的輸出端并聯(lián)。采樣電阻的大小根據(jù)放大電路輸出端的電壓大小而定。

所述基準電壓電路主要給控制電路提供基準電壓，從而使得控制電路對采樣回來的電壓處理更加準確。

所述采樣電路與控制電路之間接有光耦隔離器；所述光耦隔離器的輸入端與采樣電路的輸出端連接；所述光耦隔離器的輸出端與控制電路連接。防止大電壓對控制電路的影響，而影響控制結果。

以上已對本實用新型創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明，但本實用新型并不限于實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本實用新型創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請的范圍內。