1.一種溫控點可修調(diào)的智能溫控電路，其特征在于，所述的智能溫控電路包括：
帶隙基準模塊，用于產(chǎn)生帶隙基準電壓和正溫度系數(shù)電流，所述的帶隙基準模塊包括帶隙基準電壓輸出端和正溫度系數(shù)電流輸出端；
溫度控制模塊，用于調(diào)整內(nèi)部電阻的阻值以修調(diào)溫控點，確保芯片溫度在安全范圍內(nèi)，所述的溫度控制模塊分別與所述的帶隙基準電壓輸出端和所述的正溫度系數(shù)電流輸出端相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控點可修調(diào)的智能溫控電路，其特征在于，所述的溫度控制模塊包括用于測試25℃時VREF的電壓值的測試電阻，以及用于根據(jù)測得的VREF的電壓值調(diào)整阻值以修調(diào)溫控點的設定電阻，所述的測試電阻和所述的設定電阻并聯(lián)連接于所述的正溫度系數(shù)電流輸出端與接地端之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控點可修調(diào)的智能溫控電路，其特征在于，所述的帶隙基準模塊包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一三極管、第二三極管和N型MOS管，所述的第一P型MOS管的柵極分別與所述的第一P型MOS管的漏極、所述的第二P型MOS管的柵極、所述的第一三極管的集電極、所述的第四P型MOS管的柵極和啟動電路相連接，所述的第一P型MOS管的源極分別與所述的第二P型MOS管的源極、所述的第三P型MOS管的源極和所述的第四P型MOS管的源極相連接并接VCC，所述的第四P型MOS管的漏極與所述的正溫度系數(shù)電流輸出端相連接，所述的第二P型MOS管的漏極分別與所述的第二三極管的集電極和所述的N型MOS管的柵極相連接，所述的第三P型MOS管的漏極分別與所述的第三P型MOS管的柵極和所述的N型MOS管的漏極相連接，所述的N型MOS管的源極分別與所述的第一三極管的基極、所述的第二三極管的基極和所述的帶隙基準電壓輸出端相連接，所述的第一三極管的發(fā)射極與所述的第一電阻的第一端相連接，所述的第一電阻的第二端分別與所述的第二電阻的第一端和所述的第二三極管的發(fā)射極相連接，所述的第二電阻的第二端與所述的第三電阻的第一端相連接，所述的第三電阻的第二端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溫控點可修調(diào)的智能溫控電路，其特征在于，所述的溫度控制模塊包括第四電阻、第五電阻、第六電阻、測試電阻、設定電阻、第九電阻、第一電鍵、第二電鍵和第三三極管，所述的測試電阻的第二端分別與所述的設定電阻的第二端、所述的第三三極管的發(fā)射極、所述的第六電阻的第二端相連接并接地，所述的測試電阻的第一端與所述的第一電鍵的第二端相連接，所述的設定電阻的第一端與所述的第二電鍵的第二端相連接，所述的第一電鍵的第一端分別與所述的第二電鍵的第一端、所述的第九電阻的第二端和所述的第三三極管的基極相連接，所述的第九電阻的第一端與所述的正溫度系數(shù)電流輸出端相連接，所述的第三三極管的集電極分別與所述的第四電阻的第二端和所述的第五電阻的第一端相連接，所述的第四電阻的第一端與所述的帶隙基準電壓輸出端相連接，所述的第五電阻的第二端與所述的第六電阻的第一端相連接并接VREF。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溫控點可修調(diào)的智能溫控電路，其特征在于，所述的設定電阻為雙向可調(diào)電阻。