本實(shí)用新型公開了一種強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中PWM控制信號(hào)傳輸方法和裝置,涉及汽車的直流電機(jī)PWM控制技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
汽車的電器系統(tǒng)包括發(fā)電機(jī)、啟動(dòng)機(jī)和點(diǎn)火裝置以及控制系統(tǒng),屬于多種復(fù)合強(qiáng)電磁干擾環(huán)境。尤其是近年來(lái)發(fā)展較快的混動(dòng)汽車中,包括發(fā)動(dòng)機(jī)、高壓發(fā)電機(jī)以及拖動(dòng)電動(dòng)機(jī)等組合而成,其中至少包括兩套獨(dú)立的發(fā)電、供電電源系統(tǒng),即驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)和控制電源系統(tǒng),更具有強(qiáng)烈的電磁輻射。目前車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)由車輛主控單元ECU直接發(fā)出給被控電機(jī)電子控制單元,該P(yáng)WM電壓方波信號(hào),其幅值為車載控制電源電壓值,處于強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中的熱端,極容易受到電磁干擾,會(huì)將感應(yīng)到的高電壓脈沖帶入系統(tǒng)內(nèi),影響被控電機(jī)電子控制單元正常工作,造成故障。另外,這種電壓方波信號(hào)具有一定的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力。直接把這種PWM電壓方波信號(hào)接入負(fù)載控制系統(tǒng),和被控電機(jī)電子控制單元構(gòu)成直流回路,容易在負(fù)載控制系統(tǒng)出現(xiàn)短路等故障,可能會(huì)導(dǎo)致車輛主控單元ECU損壞。這些都是車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)傳輸存在的技術(shù)問題。嚴(yán)重制約了車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)傳輸?shù)陌踩浴?/p>
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,提供一種可以消除電磁干擾的強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中PWM控制信號(hào)傳輸方法和裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)特征表現(xiàn)為,在車輛主控單元ECU直接發(fā)出的PWM電壓方波信號(hào)和被控電機(jī)電子控制單元的輸入端之間設(shè)置場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路,在場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路的輸入柵極端,至少并聯(lián)兩只不同容量的電容器,組成寬頻帶的濾波電路;在場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路的負(fù)載端,設(shè)置輸出分壓及穩(wěn)壓電路,與被控電機(jī)電子控制單元的輸入端搭接,較好地解決了對(duì)電磁雜波的濾除和抑制。
具體地講,一種強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中PWM控制信號(hào)傳輸方法,其特征包括以下步驟:
A、將由車輛主控單元ECU直接發(fā)出的車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào),接入至少由兩只不同容量的電容器并聯(lián)組成的寬頻帶濾波電路,對(duì)高頻電磁干擾波進(jìn)行濾波;
B、將經(jīng)過(guò)寬頻帶濾波電路,對(duì)高頻電磁干擾波進(jìn)行濾波的車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)送到一個(gè)由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路進(jìn)行限幅放大;
C、將經(jīng)過(guò)進(jìn)行限幅放大后的車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)壓;
D、將經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓后的車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào),輸送至被控電機(jī)電子控制單元的輸入端。
本實(shí)用新型還提供了一種強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中PWM控制信號(hào)傳輸裝置,包括發(fā)出PWM電壓方波信號(hào)的車輛主控單元ECU,以及被控電機(jī)電子控制單元的輸入端之間設(shè)置的直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)的給定電路和接收電路,其特征在于:
所述的給定電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路構(gòu)成,其漏極與所述的接收電路相聯(lián)接,柵極與車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)源聯(lián)接,柵極與地之間并聯(lián)至少有兩只不同容量的電容器組成的濾波電路,源極串聯(lián)一電阻器與地相聯(lián),構(gòu)成深度負(fù)反饋電路;
所述的接收電路包括被控電機(jī)電子控制單元的輸入端,該輸入端與地之間聯(lián)接一穩(wěn)壓晶體管,還聯(lián)接兩個(gè)電阻器,其中一個(gè)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路的漏極相聯(lián)接,另一個(gè)與工作電源端聯(lián)接,構(gòu)成場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路的負(fù)載。
工作時(shí),由車輛主控單元ECU直接發(fā)出的車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào),送到由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路,其柵極與地之間并聯(lián)至少有兩只不同容量的電容器組成的濾波電路,將干擾信號(hào)過(guò)濾,經(jīng)源極深度負(fù)反饋電路放大,干擾信號(hào)幅度已經(jīng)大量衰減,放大后的車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)耦合到所述的接收電路被控電機(jī)電子控制單元的輸入端,經(jīng)過(guò)輸入端與地之間聯(lián)接的穩(wěn)壓晶體管限幅,形成足以推動(dòng)被控電機(jī)電子控制單元的純凈信號(hào)源。
本實(shí)用新型采用了看似簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu),其高明在于達(dá)到了既濾除了強(qiáng)電磁干擾,又滿足了傳輸匹配的要求。奧妙之處一是采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極很好地隔離和衰減了電磁干擾的傳送,加上放大電路深刻的負(fù)反饋?zhàn)饔?,最大限度的抑制了電磁干擾對(duì)下游設(shè)備的影響;二是設(shè)置了負(fù)載分壓電路和穩(wěn)壓晶體管搭接的復(fù)合交聯(lián)回路,使得直流耦合電位恰到好處。避免了車輛主控單元ECU直接發(fā)出的具有一定的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力的電壓方波信號(hào),接入負(fù)載控制系統(tǒng)與被控電機(jī)電子控制單元構(gòu)成直流回路,容易在負(fù)載控制系統(tǒng)出現(xiàn)短路等故障,可能會(huì)導(dǎo)致車輛主控單元ECU損壞。
本實(shí)用新型解決了車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)難題,具有簡(jiǎn)單高效,可靠性強(qiáng)成本低的優(yōu)點(diǎn)。適合在各種機(jī)動(dòng)車上應(yīng)用,具有良好的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型給定和接收單元的電路圖。
圖2是本實(shí)用新型給定電路的電路圖。
圖3是本實(shí)用新型接收電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
以下借助說(shuō)明書附圖,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例作進(jìn)一步披露。
實(shí)施例一
如圖1-3所示,一種強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中PWM控制信號(hào)傳輸裝置,包括發(fā)出PWM電壓方波信號(hào)的車輛主控單元ECU,以及被控電機(jī)電子控制單元的輸入端之間設(shè)置的直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)的給定電路和接收電路,其特征在于:
所述的給定電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路構(gòu)成,其漏極與所述的接收電路相聯(lián)接,柵極與車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)源聯(lián)接,柵極與地之間并聯(lián)至少有兩只不同容量的電容器組成的濾波電路,源極串聯(lián)一電阻器與地相聯(lián),構(gòu)成深度負(fù)反饋電路;
所述的接收電路包括被控電機(jī)電子控制單元的輸入端,該輸入端與地之間聯(lián)接一穩(wěn)壓晶體管,該輸入端還聯(lián)接兩個(gè)電阻器,其中一個(gè)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路的漏極相聯(lián)接,另一個(gè)與工作電源端聯(lián)接,構(gòu)成場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路的負(fù)載。
所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為MOSFET管,型號(hào)為IRL 2203N。
所述的穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值為5.5V。
所述的兩只不同容量的電容器容量分別為C1206X7R103K500CT和C1206X7R100K500CT。
本實(shí)施例設(shè)計(jì)一種無(wú)源PWM 信號(hào)給定電路,該電路僅提供開關(guān)無(wú)源信號(hào),PWM高低電平狀態(tài)有被控電機(jī)電子控制回路決定。避免由于負(fù)載控制系統(tǒng)出現(xiàn)短路等故障,導(dǎo)致車輛主控單元ECU損壞可能。
當(dāng)車輛主控單元ECU端的PWM電壓方波控制信號(hào)為高電平時(shí),該P(yáng)WM電壓方波幅值為車載電源幅值12V-15V直流,并加載在MOSFET管Q1N柵極G, 此時(shí)MOSFET管Q1N管導(dǎo)通,負(fù)載端電源VCC通過(guò)上拉電阻R1和電阻R2、MOSFET管漏極D、源極S、電阻R3接地GND構(gòu)成回路。由于上拉電阻R1的值一般為3.9-4.9千歐姆,遠(yuǎn)大于電阻R2與R3阻值之和,因此輸入到MCU控制器U1的DI端口為低電平;當(dāng)車輛主控單元ECU端的PWM電壓方波控制信號(hào)為低電平時(shí),加載在MOSFET管Q1N柵極G, 此時(shí)MOSFET管Q1N管截止,負(fù)載端電源VCC通過(guò)上拉電阻R1、穩(wěn)壓管Q2和接地GND構(gòu)成回路,由于穩(wěn)壓管Q2處于反向?qū)?,把電壓嵌?.5V,此時(shí)穩(wěn)壓管Q2的作用使得U1的DI端口穩(wěn)定在高電平狀態(tài)。
電路組成
所述的給定電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路構(gòu)成,PWM采樣信號(hào)端并聯(lián)濾波電容C1、C2后與MOSFET管Q1N漏極D相聯(lián),其漏極與所述的接收電路相聯(lián)接,PWM控制信號(hào)與MOSFET管Q1N柵極G相聯(lián),柵極與地之間并聯(lián)至少有兩只不同容量的電容器組成的濾波電路,MOSFET管Q1N源極S串聯(lián)電阻R3后接地,構(gòu)成深度負(fù)反饋電路;
所述的接收電路包括被控電機(jī)電子控制單元DI的輸入端,該輸入端與地之間聯(lián)接一穩(wěn)壓晶體管Q2,還聯(lián)接兩個(gè)電阻器R2和R1,其中R2與場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路的漏極相聯(lián)接,R1與工作電源端聯(lián)接,構(gòu)成場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路的負(fù)載。
具體的聯(lián)接是車載段主控單元ECU端PWM控制信號(hào)給定電路中,PWM采樣信號(hào)端并聯(lián)濾波電容C1、C2后與MOSFET管Q1N漏極D串聯(lián);PWM控制信號(hào)并聯(lián)濾波電容C3、C4后與MOSFET管Q1N柵極G串聯(lián), MOSFET管Q1N源極S串聯(lián)電阻R3后接地;電路由MOSFET管的漏極D引線與負(fù)載電機(jī)電子控制端PWM接收電路中電阻R2串聯(lián)。電阻R2、電阻R1,穩(wěn)壓管Q2和MCU控制器U1的DI端口并聯(lián)與一起,其中:電阻R2和電阻R1串聯(lián)后接車載電源VCC(12-15VDC),電阻R2與穩(wěn)壓管Q2的N極串聯(lián)后,在穩(wěn)壓管Q2的P極端接地,穩(wěn)壓管穩(wěn)壓在5.5V;電阻R2、電阻R1和穩(wěn)壓管Q2的N極并聯(lián)后,接入MCU控制器的DI輸入端。
實(shí)施例二
一種強(qiáng)電磁干擾環(huán)境中PWM控制信號(hào)傳輸裝置,其特征是包括車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)的給定電路和接收電路,所述的給定電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路構(gòu)成,其漏極與所述的接收電路相聯(lián)接,柵極與車用直流電機(jī)PWM脈寬調(diào)制信號(hào)源聯(lián)接,柵極與地之間并聯(lián)至少有兩只不同容量的電容器組成的濾波電路,源極串聯(lián)一電阻器與地相聯(lián),構(gòu)成深度負(fù)反饋電路;
所述的接收電路包括被控電機(jī)電子控制單元的輸入端,該輸入端與地之間聯(lián)接一下偏置電阻器,該輸入端還聯(lián)接兩個(gè)電阻器,其中一個(gè)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的開關(guān)電路的漏極相聯(lián)接,另一個(gè)與工作電源端聯(lián)接,構(gòu)成場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路的負(fù)載。
本實(shí)施例與實(shí)施例一不同之處在于采用下偏置電阻器代替了穩(wěn)壓管Q2,下偏置電阻器與電阻器R1構(gòu)成分壓電路,限定被控電機(jī)電子控制單元DI輸入端的電位處于理想值??煽啃愿咴靸r(jià)相對(duì)更低,受環(huán)境溫度影響小。
所述的下偏置電阻器的阻值與電阻器R1的阻值相近。