1.一種低敏感度低電壓電流鏡，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管；
所述第一晶體管的漏極接入基準電流源，所述第二晶體管漏極輸出電流，所述第一晶體管的漏極和襯底相連，所述第一晶體管和所述第二晶體管的襯底相連，所述第一晶體管和所述第二晶體管的源極連接電壓源；
所述第三晶體管的源極與所述第四晶體管的漏極相連，所述第三晶體管的柵極和漏極接地，所述第三晶體管的襯底與所述第一晶體管的漏極相連；
所述第四晶體管的源極與電壓源相連、柵極接地、襯底與漏極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低敏感度低電壓電流鏡，其特征在于，還包含第一電容，所述第一電容的兩端分別接在所述電壓源和所述第一晶體管的漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低敏感度低電壓電流鏡，其特征在于，還包含第二電容，所述第二電容的一端與所述電壓源相連，另一端與所述第四晶體管、所述第二晶體管的襯底相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低敏感度低電壓電流鏡，其特征在于，還包含第二電容，所述第二電容的一端與所述電壓源相連，另一端與所述第四晶體管、所述第二晶體管的襯底相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4所述的低敏感度低電壓電流鏡，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管的類型為PMOS晶體管；所述輸入電流源的正極接所述第一晶體管的漏極，所述輸入電流源的負極接地；所述輸出電流的正極為所述第二晶體管的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4所述的低敏感度低電壓電流鏡，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管的類型為NMOS晶體管；所述輸入電流源的負極接所述第一晶體管的漏極，所述輸入電流源的正極接地；所述輸出電流的負極為所述第二晶體管的漏極。