本發(fā)明屬于AMR磁開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種AMR磁開關(guān)電路，尤其涉及一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路；同時，本發(fā)明還涉及一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償方法。

背景技術(shù)：
各向異性磁阻元件(AnisotropicMagneto-Resistive,簡稱AMR)是用于檢測磁場的重要磁性傳感器元件。它被廣泛應(yīng)用在汽車，工業(yè)控制，家電，通訊設(shè)備中，用于檢測速度、角度、位置等信息。與傳統(tǒng)的霍爾效應(yīng)元件相比，AMR具有功耗低、靈敏度高等優(yōu)良特性。但是AMR自身的溫度漂移比較大。它的靈敏度會隨溫度的升高而降低，典型的溫度系數(shù)可達(dá)到-3000ppm/K至-4000ppm/K。如果對AMR元件的溫度漂移不做補(bǔ)償，它會對傳感器的特性產(chǎn)生重大影響。圖1顯示了一個由4個AMR元件組成的惠斯通(Wheatstonebridge)電橋。它的工作原理是在加載了一定的偏置電壓VBIAS后，它的差分電壓輸出VOUT＝VP-VN，會隨外加磁場的強(qiáng)度而變化。通過檢測VOUT的大小，可以檢測到外界磁場的強(qiáng)弱。圖2顯示了一種現(xiàn)有的應(yīng)用AMR檢測外界磁場輸出高低電平的磁開關(guān)電路。在沒有外界磁場是，它輸出一個固定的高電平。在有外界磁場時，它將AMR電橋產(chǎn)生的差分電壓VOUT放大后通過比較器判斷，當(dāng)VOUT達(dá)到一定的閾值VREF時，電路將輸出低電平。在這個電路中，AMR的偏置電壓VBIAS和比較器的閾值電壓VREF均為固定的，所以當(dāng)溫度變化引起AMR輸出變化時，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)(即輸出由高變低或由低變高所對應(yīng)的磁場強(qiáng)度)將隨溫度而變化。這是在其應(yīng)用中需要避免的情況。有鑒于此，如今迫切需要設(shè)計(jì)一種新的AMR磁開關(guān)電路，以便克服現(xiàn)有AMR磁開關(guān)電路存在的上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路，可改善磁開關(guān)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的溫度特性，使其磁參數(shù)在寬的溫度范圍內(nèi)保持很好的一致性。此外，本發(fā)明還提供一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償方法，可改善磁開關(guān)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的溫度特性，使其磁參數(shù)在寬的溫度范圍內(nèi)保持很好的一致性。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路，所述溫度補(bǔ)償電路包括：第一電壓生成模塊、第二電壓生成模塊；所述第一電壓生成模塊用以生成決定AMR偏置電壓的第一電壓Vbg；第一電壓Vbg由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓，其不隨電源電壓或溫度的變化而變化；所述第二電壓生成模塊用以生成決定比較器閾值電壓的第二電壓；第二電壓Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，即當(dāng)溫度上升時，第二電壓Vpt會下降；當(dāng)?shù)诙妷篤pt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，從而進(jìn)行溫度補(bǔ)償；所述溫度補(bǔ)償電路具體包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻Rbg；電源電壓VDD分別連接所述第七PMOS管M7的源極、第五PMOS管M5的源極、第三PMOS管M3的源極、第四PMOS管M4的源極、第八PMOS管M8的源極；所述第七PMOS管M7的漏極連接第五電阻R5的第一端，第五電阻R5的第二端連接第六電阻R6的第一端，第六電阻R6的第二端接地；第五電阻R5、第六電阻R6之間形成第二電壓Vpt；所述第七PMOS管M7的柵極連接第五PMOS管M5的柵極、第五PMOS管M5的漏極、第六NMOS管M6的漏極，第六NMOS管M6的源極通過第四電阻R4接地；第六NMOS管M6的柵極連接第一NMOS管M1；所述第三PMOS管M3的柵極連接第四PMOS管M4的柵極、第三PMOS管M3的漏極；第三PMOS管M3的漏極連接第一NMOS管M1的漏極；第一NMOS管M1的源極連接第二電阻R2的第一端、第一三極管Q1的集電極；第一三極管Q1的基極連接第一三極管Q1的集電極，第一三極管Q1的發(fā)射極接地；所述第四PMOS管M4的漏極連接第二NMOS管M2的漏極、第二NMOS管M2的柵極、第一NMOS管M1的柵極；第二NMOS管M2的源極連接第一電阻R1的第一端、第三電阻R3的第一端；第三電阻R3的第二端接地，第一電阻R1的第二端連接第二三極管Q2的集電極、第二三極管Q2的基極，第二三極管Q2的發(fā)射極接地；所述第八PMOS管M8的柵極連接第四PMOS管M4，第八PMOS管M8的漏極連接第七電阻Rbg的第一端，第七電阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏極、第七電阻Rbg之間形成第一電壓Vbg；通過第二電阻R2的電流具有負(fù)溫度系數(shù)，通過第一三極管Q1的電流具有正溫度系數(shù)，當(dāng)二者互相抵消時，它們的和電流具有零溫度系數(shù)，該電流通過第一電流鏡成為輸出參考電流Ibg，第一電流鏡包括M3和M8；通過選擇合適的第四電阻R4阻值讓流過第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的電流相等，則第六NMOS管M6的源極電壓等于第一三極管Q1的Vbg，由于Vbg具有負(fù)溫度系數(shù)，此時通過第四電阻R4的電流也具有了負(fù)溫度系數(shù)；然后再通過第二電流鏡得到輸出參考電流Ipt，第二電流鏡包括M5和M7，它也同樣具有負(fù)溫度系數(shù)；要想使Ipt的溫度系數(shù)與AMR的溫度系數(shù)達(dá)到一致，對第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的長寬比例和第四電阻R4和第一電阻R1的阻值比例做微調(diào)。一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路，所述溫度補(bǔ)償電路包括：第一電壓生成模塊、第二電壓生成模塊；所述第一電壓生成模塊用以生成決定AMR偏置電壓的第一電壓Vbg；第一電壓Vbg由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓；所述第二電壓生成模塊用以生成決定比較器閾值電壓的第二電壓；第二電壓Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，即當(dāng)溫度上升時，第二電壓Vpt下降。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述第一電壓生成模塊生成的第一電壓Vbg不隨電源電壓或溫度的變化而變化。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，當(dāng)?shù)诙妷篤pt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，從而進(jìn)行溫度補(bǔ)償。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述溫度補(bǔ)償電路具體包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻Rbg；電源電壓VDD分別連接所述第七PMOS管M7的源極、第五PMOS管M5的源極、第三PMOS管M3的源極、第四PMOS管M4的源極、第八PMOS管M8的源極；所述第七PMOS管M7的漏極連接第五電阻R5的第一端，第五電阻R5的第二端連接第六電阻R6的第一端，第六電阻R6的第二端接地；第五電阻R5、第六電阻R6之間形成第二電壓Vpt；所述第七PMOS管M7的柵極連接第五PMOS管M5的柵極、第五PMOS管M5的漏極、第六NMOS管M6的漏極，第六NMOS管M6的源極通過第四電阻R4接地；第六NMOS管M6的柵極連接第一NMOS管M1；所述第三PMOS管M3的柵極連接第四PMOS管M4的柵極、第三PMOS管M3的漏極；第三PMOS管M3的漏極連接第一NMOS管M1的漏極；第一NMOS管M1的源極連接第二電阻R2的第一端、第一三極管Q1的集電極；第一三極管Q1的基極連接第一三極管Q1的集電極，第一三極管Q1的發(fā)射極接地；所述第四PMOS管M4的漏極連接第二NMOS管M2的漏極、第二NMOS管M2的柵極、第一NMOS管M1的柵極；第二NMOS管M2的源極連接第一電阻R1的第一端、第三電阻R3的第一端；第三電阻R3的第二端接地，第一電阻R1的第二端連接第二三極管Q2的集電極、第二三極管Q2的基極，第二三極管Q2的發(fā)射極接地；所述第八PMOS管M8的柵極連接第四PMOS管M4，第八PMOS管M8的漏極連接第七電阻Rbg的第一端，第七電阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏極、第七電阻Rbg之間形成第一電壓Vbg。一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償方法，所述溫度補(bǔ)償方法包括：第一電壓生成模塊生成決定AMR偏置電壓的第一電壓Vbg；第一電壓Vbg由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓；第二電壓生成模塊生成決定比較器閾值電壓的第二電壓；第二電壓Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，即當(dāng)溫度上升時，第二電壓Vpt下降。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述第一電壓生成模塊生成的第一電壓Vbg不隨電源電壓或溫度的變化而變化。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，當(dāng)?shù)诙妷篤pt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，從而進(jìn)行溫度補(bǔ)償。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述溫度補(bǔ)償方法通過溫度補(bǔ)償電路實(shí)現(xiàn)；溫度補(bǔ)償電路具體包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻Rbg；電源電壓VDD分別連接所述第七PMOS管M7的源極、第五PMOS管M5的源極、第三PMOS管M3的源極、第四PMOS管M4的源極、第八PMOS管M8的源極；所述第七PMOS管M7的漏極連接第五電阻R5的第一端，第五電阻R5的第二端連接第六電阻R6的第一端，第六電阻R6的第二端接地；第五電阻R5、第六電阻R6之間形成第二電壓Vpt；所述第七PMOS管M7的柵極連接第五PMOS管M5的柵極、第五PMOS管M5的漏極、第六NMOS管M6的漏極，第六NMOS管M6的源極通過第四電阻R4接地；第六NMOS管M6的柵極連接第一NMOS管M1；所述第三PMOS管M3的柵極連接第四PMOS管M4的柵極、第三PMOS管M3的漏極；第三PMOS管M3的漏極連接第一NMOS管M1的漏極；第一NMOS管M1的源極連接第二電阻R2的第一端、第一三極管Q1的集電極；第一三極管Q1的基極連接第一三極管Q1的集電極，第一三極管Q1的發(fā)射極接地；所述第四PMOS管M4的漏極連接第二NMOS管M2的漏極、第二NMOS管M2的柵極、第一NMOS管M1的柵極；第二NMOS管M2的源極連接第一電阻R1的第一端、第三電阻R3的第一端；第三電阻R3的第二端接地，第一電阻R1的第二端連接第二三極管Q2的集電極、第二三極管Q2的基極，第二三極管Q2的發(fā)射極接地；所述第八PMOS管M8的柵極連接第四PMOS管M4，第八PMOS管M8的漏極連接第七電阻Rbg的第一端，第七電阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏極、第七電阻Rbg之間形成第一電壓Vbg。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，通過第二電阻R2的電流具有負(fù)溫度系數(shù)，通過第一三極管Q1的電流具有正溫度系數(shù)，當(dāng)二者互相抵消時，它們的和電流具有零溫度系數(shù)，該電流通過第一電流鏡成為輸出參考電流Ibg，第一電流鏡包括M3和M8；通過選擇合適的第四電阻R4阻值讓流過第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的電流相等，則第六NMOS管M6的源極電壓等于第一三極管Q1的Vbg，由于Vbg具有負(fù)溫度系數(shù)，此時通過第四電阻R4的電流也具有了負(fù)溫度系數(shù)；然后再通過第二電流鏡得到輸出參考電流Ipt，第二電流鏡包括M5和M7，它也同樣具有負(fù)溫度系數(shù)；要想使Ipt的溫度系數(shù)與AMR的溫度系數(shù)達(dá)到一致，對第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的長寬比例和第四電阻R4和第一電阻R1的阻值比例做微調(diào)。本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提出的AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路及補(bǔ)償方法，通過對AMR元件的溫度漂移做補(bǔ)償，改善磁開關(guān)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的溫度特性，使其磁參數(shù)在寬的溫度范圍內(nèi)保持很好的一致性。溫度補(bǔ)償?shù)碾娐穼?shí)現(xiàn)是在傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路上增加一個簡單的旁路產(chǎn)生具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電流。實(shí)現(xiàn)方法簡單，增加的電路面積和功率很小。附圖說明圖1：由AMR元件組成的惠斯通電橋示意圖。圖2：常見的AMR磁開關(guān)電路框圖。圖3：帶溫度補(bǔ)償?shù)腁MR磁開關(guān)的電路框圖。圖4：增加了PTAT輸出的帶隙基準(zhǔn)電路圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)施例一請參閱圖3、圖4，本發(fā)明揭示了一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路，所述溫度補(bǔ)償電路包括：第一電壓生成模塊、第二電壓生成模塊。所述第一電壓生成模塊用以生成決定AMR偏置電壓的第一電壓Vbg；第一電壓Vbg由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓，其不隨電源電壓或溫度的變化而變化。所述第二電壓生成模塊用以生成決定比較器閾值電壓的第二電壓；第二電壓Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，即當(dāng)溫度上升時，第二電壓Vpt會下降。當(dāng)?shù)诙妷篤pt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，從而進(jìn)行溫度補(bǔ)償。請參閱圖4，所述溫度補(bǔ)償電路具體包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻Rbg。電源電壓VDD分別連接所述第七PMOS管M7的源極、第五PMOS管M5的源極、第三PMOS管M3的源極、第四PMOS管M4的源極、第八PMOS管M8的源極。所述第七PMOS管M7的漏極連接第五電阻R5的第一端，第五電阻R5的第二端連接第六電阻R6的第一端，第六電阻R6的第二端接地；第五電阻R5、第六電阻R6之間形成第二電壓Vpt。所述第七PMOS管M7的柵極連接第五PMOS管M5的柵極、第五PMOS管M5的漏極、第六NMOS管M6的漏極，第六NMOS管M6的源極通過第四電阻R4接地；第六NMOS管M6的柵極連接第一NMOS管M1。所述第三PMOS管M3的柵極連接第四PMOS管M4的柵極、第三PMOS管M3的漏極；第三PMOS管M3的漏極連接第一NMOS管M1的漏極；第一NMOS管M1的源極連接第二電阻R2的第一端、第一三極管Q1的集電極；第一三極管Q1的基極連接第一三極管Q1的集電極，第一三極管Q1的發(fā)射極接地。所述第四PMOS管M4的漏極連接第二NMOS管M2的漏極、第二NMOS管M2的柵極、第一NMOS管M1的柵極；第二NMOS管M2的源極連接第一電阻R1的第一端、第三電阻R3的第一端；第三電阻R3的第二端接地，第一電阻R1的第二端連接第二三極管Q2的集電極、第二三極管Q2的基極，第二三極管Q2的發(fā)射極接地。所述第八PMOS管M8的柵極連接第四PMOS管M4，第八PMOS管M8的漏極連接第七電阻Rbg的第一端，第七電阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏極、第七電阻Rbg之間形成第一電壓Vbg。通過第二電阻R2的電流具有負(fù)溫度系數(shù)，通過第一三極管Q1的電流具有正溫度系數(shù)，當(dāng)二者互相抵消時，它們的和電流具有零溫度系數(shù)，該電流通過第一電流鏡成為輸出參考電流Ibg，第一電流鏡包括M3和M8。通過選擇合適的第四電阻R4阻值讓流過第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的電流相等，則第六NMOS管M6的源極電壓等于第一三極管Q1的Vbg，由于Vbg具有負(fù)溫度系數(shù)，此時通過第四電阻R4的電流也具有了負(fù)溫度系數(shù)；然后再通過第二電流鏡得到輸出參考電流Ipt，第二電流鏡包括M5和M7，它也同樣具有負(fù)溫度系數(shù)；要想使Ipt的溫度系數(shù)與AMR的溫度系數(shù)達(dá)到一致，對第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的長寬比例和第四電阻R4和第一電阻R1的阻值比例做微調(diào)。本發(fā)明還揭示一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償方法，所述溫度補(bǔ)償方法包括：第一電壓生成模塊生成決定AMR偏置電壓的第一電壓Vbg；第一電壓Vbg由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓。所述第一電壓生成模塊生成的第一電壓Vbg不隨電源電壓或溫度的變化而變化。第二電壓生成模塊生成決定比較器閾值電壓的第二電壓；第二電壓Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，即當(dāng)溫度上升時，第二電壓Vpt會下降。當(dāng)?shù)诙妷篤pt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，從而進(jìn)行溫度補(bǔ)償。所述溫度補(bǔ)償方法通過上述溫度補(bǔ)償電路實(shí)現(xiàn)。請參閱圖3，本發(fā)明揭示了一種可以對AMR的溫度漂移做補(bǔ)償?shù)碾娐芳夹g(shù)。在這個電路中，AMR的偏置電壓由Vbg決定，而比較器的閾值電壓由Vpt決定。Vbg是由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓，它不隨電源電壓或溫度的變化而變化。Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，也就是說當(dāng)溫度上升時，Vpt會下降。當(dāng)Vpt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，起到了溫度補(bǔ)償?shù)男Ч?。圖4揭示了一種基于傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生Vbg和Vpt的方法。它右半邊的電路是傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路。基本工作原理是：通過R2的電流具有負(fù)溫度系數(shù)，通過Q1的電流具有正溫度系數(shù)，當(dāng)二者互相抵消時，它們的和電流具有零溫度系數(shù)，該電流通過電流鏡(M3和M8)成為輸出參考電流Ibg。所以Ibg的溫度系數(shù)也為零。為了得到具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電流，現(xiàn)在增加了一個由M6和R4組成的旁路。它的工作原理是：通過選擇合適的R4阻值讓流過M6和M1的電流相等，則M6的源極電壓等于三極管Q1的Vbg，由于Vbg具有負(fù)溫度系數(shù)，此時通過R4的電流也具有了負(fù)溫度系數(shù)。然后再通過電流鏡M5和M7得到輸出參考電流Ipt，它也同樣具有負(fù)溫度系數(shù)。要想使Ipt的溫度系數(shù)與AMR的溫度系數(shù)達(dá)到一致，可以對M6和M1的長寬比例和R4和R1的阻值比例做微調(diào)。實(shí)施例二一種AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路，所述溫度補(bǔ)償電路包括：第一電壓生成模塊、第二電壓生成模塊。所述第一電壓生成模塊用以生成決定AMR偏置電壓的第一電壓Vbg；第一電壓Vbg由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓；所述第一電壓生成模塊生成的第一電壓Vbg不隨電源電壓或溫度的變化而變化。所述第二電壓生成模塊用以生成決定比較器閾值電壓的第二電壓；第二電壓Vpt是一個具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電壓，即當(dāng)溫度上升時，第二電壓Vpt會下降。當(dāng)?shù)诙妷篤pt的溫度系數(shù)和AMR的溫度系數(shù)相等時，由于AMR的輸出和比較器的閾值同時隨溫度變化，磁開關(guān)的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)將不隨溫度而變化，從而進(jìn)行溫度補(bǔ)償。綜上所述，本發(fā)明提出的AMR磁開關(guān)電路的溫度補(bǔ)償電路及補(bǔ)償方法，通過對AMR元件的溫度漂移做補(bǔ)償，改善磁開關(guān)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的溫度特性，使其磁參數(shù)在寬的溫度范圍內(nèi)保持很好的一致性。溫度補(bǔ)償?shù)碾娐穼?shí)現(xiàn)是在傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路上增加一個簡單的旁路產(chǎn)生具有負(fù)溫度系數(shù)的參考電流。實(shí)現(xiàn)方法簡單，增加的電路面積和功率很小。這里本發(fā)明的描述和應(yīng)用是說明性的，并非想將本發(fā)明的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或本質(zhì)特征的情況下，本發(fā)明可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實(shí)現(xiàn)。在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下，可以對這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。