專利名稱：參考電壓產(chǎn)生電路的制作方法
技術領域：
參考電壓產(chǎn)生電路技術領域[0001]本實用新型涉及一種參考電壓產(chǎn)生電路。
背景技術：
[0002]在電子電路里面，一般要設定一參考電壓，通過參考電壓來確定其他路電壓相對于參考電壓的相對值，以對電路產(chǎn)生作用。[0003]現(xiàn)有技術的參考電壓在電路結構上一般比較大，研發(fā)和生產(chǎn)成本較高，而且參考電壓的值不穩(wěn)定。實用新型內容[0004]本實用新型的發(fā)明目的在于針對上述存在的問題，提供一種結構簡單、電壓值穩(wěn)定的參考電壓產(chǎn)生電路。[0005]本實用新型采用的技術方案是這樣的一種參考電壓產(chǎn)生電路，該電路包括P型的第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管，第二電阻，第四電阻，第五電阻和運算放大器。其中，所述第一 MOS管、第二 MOS管和第三MOS管的柵極均與運算放大器的輸出端連接，源極均與電源電壓連接；第一MOS管的漏極通過第二電阻接地，第二MOS管的漏極通過第 四電阻接地，第三MOS管的漏極通過第五電阻接地；運算放大器的兩個輸入端分別連接第一 MOS管的漏極和第二 MOS管的漏極；電壓輸出端連接第三MOS管的漏極。[0006]在上述的電路中，所述第一 MOS管、第二 MOS管和第三MOS管為參數(shù)相同的MOS管。[0007]在上述的電路中，所述第二電阻、第四電阻和第五電阻為參數(shù)相同的電阻。[0008]具體的，本實用新型的參考電壓產(chǎn)生電路中還包括第一電阻、第三電阻、第一二極管和第二二極管；所述第一二極管的負極端接地，正極端通過第一電阻連接至第一 MOS管的漏極；所述第二二極管的負極端接地，正極端通過第三電阻連接至第二 MOS管的漏極。作為優(yōu)選，前述的第一電阻和第三電阻為參數(shù)相同的電阻，第一二極管和第二二極管為參數(shù)相同的二極管。[0009]綜上所述，由于采用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是該電路結構簡單，可以降低研發(fā)及生產(chǎn)成本，產(chǎn)生的參考電壓值也穩(wěn)定。


[0010]圖I是本實用新型參考電壓產(chǎn)生電路的電路原理圖。
具體實施方式
[0011]
以下結合附圖，對本實用新型作詳細的說明。[0012]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。[0013]如圖I所示，是本實用新型參考電壓電路的電路原理圖。[0014]一種參考電壓產(chǎn)生電路，該電路包括P型的第一 MOS管P1、P型的第二 MOS管P2、 P型的第三MOS管P3，第二電阻R2，第四電阻R4，第五電阻R5和運算放大器。在本實用新型的技術方案中，第一 MOS管P1、第二 MOS管P2和第三MOS管P3為參數(shù)(各種電參數(shù)和溫度特性等)相同的MOS管；第二電阻R2、第四電阻R4和第五電阻R5為參數(shù)(電阻值和溫度特性等)相同的電阻。[0015]所述第一 MOS管P1、第二 MOS管P2和第三MOS管P3的柵極均與運算放大器的輸出端連接，源極均與電源電壓VDD連接；第一 MOS管Pl的漏極通過第二電阻R2接地，第二 MOS管P2的漏極通過第四電阻R4接地，第三MOS管P3的漏極通過第五電阻R5接地；運算放大器的兩個輸入端分別連接第一 MOS管Pl的漏極和第二 MOS管P2的漏極；電壓輸出端 VOUT連接第三MOS管P3的漏極。[0016]作為優(yōu)選，本實用新型的參考電壓產(chǎn)生電路還包括第一電阻R1、第三電阻R3、第一二極管Dl和第二二極管D2 ;所述第一二極管Dl的負極端接地，正極端通過第一電阻Rl 連接至第一 MOS管Pl的漏極；所述第二二極管D2的負極端接地，正極端通過第三電阻R3 連·接至第二 MOS管P2的漏極。[0017]其中，上述的第一電阻Rl和第三電阻R3為參數(shù)(電阻值和溫度特性等)相同的電阻；所述第一二極管Dl和第二二極管D2為參數(shù)相同的二極管。[0018]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，該電路包括P型的第一 MOS管(P1)、第二 MOS 管(P2)、第三MOS管(P3)，第二電阻(R2)，第四電阻(R4)，第五電阻(R5)和運算放大器；所述第一 MOS管(Pl )、第二 MOS管(P2)和第三MOS管(P3)的柵極均與運算放大器的輸出端連接，源極均與電源電壓(VDD)連接；第一 MOS管(Pl)的漏極通過第二電阻(R2)接地，第二 MOS管(P2)的漏極通過第四電阻(R4)接地，第三MOS管(P3)的漏極通過第五電阻 (R5)接地；運算放大器的兩個輸入端分別連接第一 MOS管(Pl)的漏極和第二 MOS管(P2) 的漏極；電壓輸出端(VOUT)連接第三MOS管(P3)的漏極。
2.根據(jù)權利要求I所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，第一MOS管(P1)、第二 MOS 管(P2)和第三MOS管(P3)為參數(shù)相同的MOS管。
3.根據(jù)權利要求I所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，第二電阻(R2)、第四電阻 (R4)和第五電阻(R5)為參數(shù)相同的電阻。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括第一電阻 (R1)、第三電阻(R3)、第一二極管(Dl)和第二二極管(D2);所述第一二極管(Dl)的負極端接地，正極端通過第一電阻(Rl)連接至第一 MOS管(Pl)的漏極；所述第二二極管(D2)的負極端接地，正極端通過第三電阻(R3)連接至第二 MOS管(P2)的漏極。
5.根據(jù)權利要求4所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一電阻(Rl)和第三電阻(R3)為參數(shù)相同的電阻。
6.根據(jù)權利要求4所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一二極管(Dl)和第二二極管(D2)為參數(shù)相同的二極管。
專利摘要本實用新型公開了一種參考電壓產(chǎn)生電路。該電路第一MOS管(P1)、第二MOS管(P2)和第三MOS管(P3)的柵極均與運算放大器的輸出端連接，源極均與電源電壓(VDD)連接；第一MOS管(P1)的漏極通過第二電阻(R2)接地，第二MOS管(P2)的漏極通過第四電阻(R4)接地，第三MOS管(P3)的漏極通過第五電阻(R5)接地；運算放大器的兩個輸入端分別連接第一MOS管(P1)的漏極和第二MOS管(P2)的漏極；電壓輸出端(VOUT)連接第三MOS管(P3)的漏極。本實用新型的有益效果是該電路結構簡單，可以降低研發(fā)及生產(chǎn)成本，產(chǎn)生的參考電壓值也穩(wěn)定。
文檔編號G05F1/56GK202795114SQ20122046557
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月13日 優(yōu)先權日2012年9月13日
發(fā)明者吳勇, 桑園 申請人:鄭州單點科技軟件有限公司