專利名稱：基準(zhǔn)電壓生成電路、電源裝置、液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及接受可變電壓的輸入，并生成針對它設(shè)定了規(guī)定的上限值和下限值的基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓生成電路，以及使用該基準(zhǔn)電壓生成電路的電源裝置和液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
圖4是表示基準(zhǔn)電壓生成電路的第一現(xiàn)有例的電路圖。第一現(xiàn)有例的基準(zhǔn)電壓生成電路70，從溫度傳感器60接受溫度檢測電壓VT (電壓值根據(jù)周圍的溫度變化而發(fā)生變動的電壓信號)的輸入，并生成針對它設(shè)定了規(guī)定的上限電壓VH和下限電壓VL的基準(zhǔn)電壓 VREF (參照圖3)。第一現(xiàn)有例的基準(zhǔn)電壓生成電路70，作為用于以模擬方式實現(xiàn)上述動作的單元， 構(gòu)成為具有第一放大器電路X，其優(yōu)先輸出溫度檢測電壓VT和下限電壓VL中電壓高的一方；以及第二放大器電路Y，其優(yōu)先輸出第一放大器電路X的輸出電壓VX和上限電壓VH中電壓低的一方作為基準(zhǔn)電壓VREF。而且，作為第一放大器電路X的輸入級，構(gòu)成為具有對各個基極輸入溫度檢測電壓VT和下限電壓VL的npn型雙極型晶體管Xl和X2 (所謂npn輸入型放大器)，作為第二放大器電路的輸入單元，構(gòu)成為具有對各個基極輸入輸出電壓VX和上限電壓VH的pnp雙極型晶體管Yl和Y2 (所謂pnp輸入型放大器)。而且，作為與上述關(guān)聯(lián)的現(xiàn)有技術(shù)的一個示例，能夠列舉JP特開2009-232550號公報。然而，在第一現(xiàn)有例的基準(zhǔn)電壓生成電路70中，由于采用了 pnp輸入型的第二放大器電路Y，因此，作為驅(qū)動第二放大器電路Y的輸入級的電源電壓，至少針對施加于晶體管Y2的基極的上限電壓VH，需要追加了晶體管Y2的導(dǎo)通閾值電壓Vf和電流源Y5的下降電壓Vsat后得到的電壓值(=VH+Vf+Vsat VH+1V)。因此，在第一現(xiàn)有例的基準(zhǔn)電壓生成電路70中，存在不能充分降低最低動作電壓(用于維持正常動作所需要的電源電壓的最低值)的問題。而且，如圖5所示，作為生成針對溫度檢測電壓VT設(shè)定了上限電壓VH和下限電壓 VL的基準(zhǔn)電壓VREF的單元，雖然也可考慮將緩存器91 93、比較器94和95、邏輯電路96 以及選擇器97進行組合的數(shù)字方式的嘗試，但電路規(guī)模的增大或隨之的成本增加、選擇器切換處理時產(chǎn)生的噪聲、過渡特性的變差等，還有上述以外的很多問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，鑒于本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)的上述問題，其目的在于，提供一種能夠降低其最低動作電壓的基準(zhǔn)電壓生成電路，以及采用該基準(zhǔn)電壓生成電路的電源裝置以及液晶顯示裝置。為了達到上述目的，本說明書中所公開的基準(zhǔn)電壓生成電路，具有第一放大器電路和第二放大器電路。所述第一放大器電路，包括第一輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入可變電壓和規(guī)定的下限電壓的兩個npn型晶體管或兩個N溝道頻道型晶體 管；第一輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或P溝道型晶體管； 以及第一放大級，其控制所述第一輸出級，以使所述可變電壓以及所述下限電壓中電壓較高的一方與所述基準(zhǔn)電壓一致。所述第二放大器電路，包括第二輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入所述基準(zhǔn)電壓和規(guī)定的上限電壓的兩個npn型晶體管或兩個N頻道型晶體管；第二輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或P 頻道型晶體管；以及第二放大級，其控制所述第二輸出級，以使所述基準(zhǔn)電壓與所述上限電壓一致。此外，對于本發(fā)明的其它特征、要素、步驟、優(yōu)點以及特性，通過以下的優(yōu)選方式的詳細(xì)說明及其相關(guān)的附圖，進一步得以明確。


圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個構(gòu)成例的方框圖。圖2是表示基準(zhǔn)電壓生成電路11以及溫度傳感器20的一個構(gòu)成例的電路圖。圖3是溫度變化與基準(zhǔn)電壓VREF的相關(guān)圖。圖4是表示基準(zhǔn)電壓生成電路的第一現(xiàn)有例的電路圖。圖5是表示基準(zhǔn)電壓生成電路的第二現(xiàn)有例的電路圖。圖中1 液晶顯示裝置，10 電源 IC，11基準(zhǔn)電壓生成電路，12 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，20溫度傳感器，21、22 電阻，23 熱敏電阻，30柵極驅(qū)動器，40源極驅(qū)動器，50 液晶顯示面板(IXD面板)，A 第一放大器電路，A1、A2 npn型雙極型晶體管，
A4運算放大器(放大級)，A5-A7 電流源，B第二放大器電路，B1、B2 npn型雙極型晶體管，B3 pnp型雙極型晶體管，
B4運算放大器(放大級)B5、B6 電流源。
具體實施例方式圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個構(gòu)成例的方框圖。該構(gòu)成例的液晶顯示裝置1具有電源ICio ；溫度傳感器20 ；柵極驅(qū)動器30 ；源極驅(qū)動器40 ；和液晶顯示面板 50 (以下，稱為 LCD (Liquid Crystal Display 液晶顯示)面板 50)。電源IClO是根據(jù)輸入電壓VIN生成輸出電壓VOUT而供給柵極驅(qū)動器30的半導(dǎo)體裝置，其具有基準(zhǔn)電壓生成電路11和DC/⑶轉(zhuǎn)換器12?；鶞?zhǔn)電壓生成電路11從溫度傳感器20接收溫度檢測電壓VT (電壓值根據(jù)IXD面板50的溫度變化而發(fā)生變動的電壓信號)的輸入，并生成針對它設(shè)定了規(guī)定的上限電壓VH 和下限電壓VL的基準(zhǔn)電壓VREF(參照圖3)。而且，針對基準(zhǔn)電壓生成電路11的結(jié)構(gòu)以及動作，在后面進行詳細(xì)的說明。DC/DC轉(zhuǎn)換器12根據(jù)輸入電壓VIN生成與基準(zhǔn)電壓VREF對應(yīng)的輸出電壓V0UT。 而且，針對DC/DC轉(zhuǎn)換器12，只要能夠根據(jù)輸入電壓Vl生成所希望的輸出電壓V0UT，就可以采用任何電路結(jié)構(gòu)(開關(guān)調(diào)節(jié)器、串聯(lián)調(diào)節(jié)器、電荷泵等)。溫度傳感器20配設(shè)在IXD面板50的周邊，生成電壓值根據(jù)IXD面板50的溫度變化而發(fā)生變動的溫度檢測電壓VT。而且，針對溫度傳感器20的結(jié)構(gòu)以及動作，在后面列舉具體例來詳細(xì)地進行說明。柵極驅(qū)動器30從電源IC接收輸出電壓VOUT的供給而進行動作，根據(jù)從未圖示的邏輯部所輸入的垂直掃描信號，生成按照每個LCD面板50的液晶單元所設(shè)置的薄膜晶體管 (TFT(Thin Film Transistor 薄膜場效應(yīng)晶體管))的柵極驅(qū)動信號。而且，上述柵極驅(qū)動信號的電壓值依存于輸出電壓VOUT而發(fā)生變動。源極驅(qū)動器40根據(jù)從未圖示的邏輯部所輸入的影像信號，生成按照每個IXD面板 50的液晶單元所設(shè)置的薄膜晶體管的源極驅(qū)動信號。IXD面板50從柵極驅(qū)動器30和源極驅(qū)動器40分別接收柵極驅(qū)動信號和源極驅(qū)動信號的輸入，顯示任意的文字或圖像。如上所述，在本結(jié)構(gòu)例的液晶顯示裝置1中，電源IClO構(gòu)成為具有根據(jù)IXD面板 50的周邊溫度，對供給柵極驅(qū)動器30的輸出電壓VOUT的電壓值(進一步延伸而言，供給 LCD面板50的柵極驅(qū)動信號的電壓值)進行可變控制的功能，換言之，具有LCD面板50的溫度補償功能。通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)不依賴于溫度變化的恒定的面板特性(對比度或伽馬曲線等)，提高LCD面板50的清晰度或顏色再現(xiàn)性。圖2是表示基準(zhǔn)電壓生成電路11和溫度傳感器20的一個結(jié)構(gòu)例的電路圖。本結(jié)構(gòu)例的基準(zhǔn)電壓生成電路11具有第一放大器電路A ；和第二放大器電路B。第一放大器電路A具有mpn型雙極型晶體管Al及A2 ；pnp型雙極型晶體管A3 ；運算放大器A4 ；和電流源 A5 A7。第二放大器電路B具有npn型雙極型晶體管Bl及B2 ；pnp型雙極型晶體管B3 ； 運算放大器B4 ；和電流源B5及B6。晶體管Al的集電極與電源端連接。晶體管Al的發(fā)射極經(jīng)由電流源A5與接地端連接。晶體管Al的基極與溫度檢測電壓VT的施加端連接。晶體管A2的集電極與電源端連接。晶體管A2的發(fā)射極經(jīng)由電流源A6與接地端連接。晶體管A2的基極與下限電壓VL 的施加端連接。運算放大器A4的第一非反相輸入端(+)與晶體管Al的發(fā)射極連接。運算放大器A4的第二非反相輸入端(+)與晶體管A2的發(fā)射極連接。運算放大器A4的反相輸入端㈠與基準(zhǔn)電壓VREF的輸出端連接。運算放大器A4的輸出端與晶體管A3的基極連接。晶體管A3的發(fā)射極與基準(zhǔn)電壓VREF的輸出端連接，另一方面，經(jīng)由電流源A7還與電源端連接。晶體管A3的集電極與接地端連接。晶體管Bl的集 電極與電源端連接。晶體管Bl的發(fā)射極經(jīng)由電流源B5與接地端連接。晶體管Bl的基極，與上限電壓VH的施加端連接。晶體管B2的集電極與電源端連接。晶體管B2的發(fā)射極經(jīng)由電流源B6與接地端連接。晶體管B2的基極與基準(zhǔn)電壓VREF 的輸出端連接。運算放大器B4的非反相輸入端(+)與晶體管Bl的發(fā)射極連接。運算放大器B4的反相輸入端(_)與晶體管B2的發(fā)射極連接。運算放大器B4的輸出端與晶體管B3 的基極連接。晶體管B3的發(fā)射極與基準(zhǔn)電壓VREF的輸出端連接。晶體管B3的集電極與接地端連接。而且，在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第一放大器電路A中，由晶體管Al和A2、以及電流源 A5和A6形成第一輸入級。此外，由晶體管A3以及電流源A7形成第一輸出級。此外，由運算放大器A4形成對第一輸出級(更具體而言，是晶體管A3)進行控制以使溫度檢測電壓VT 和下限電壓VL電壓中電壓高的一方與基準(zhǔn)電壓VREF —致的第一放大級。此外，在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第二放大器電路B中，由晶體管Bl和B2、以及電流源 B5和B6形成第二輸入級。此外，由晶體管B3形成第二輸出級。此外，由運算放大器B4形成對第二輸出級(更具體而言，是晶體管B3)進行控制以使基準(zhǔn)電壓VREF與上限電壓VH 一致的第二放大級。此外，本結(jié)構(gòu)例的溫度傳感器20具有電阻21以及22 ；和熱敏電阻23。電阻21 連接在電源端與溫度檢測電壓VT的輸出端之間。電阻22連接在接地端與溫度檢測電壓VT 的輸出端之間。熱敏電阻23與電阻21并聯(lián)連接。而且，作為熱敏電阻23，采用具有若IXD面板50的周邊溫度上升則電阻值下降的負(fù)溫度系數(shù)的元件，也就是所謂的NTC(Negative Temperature Coefficient 負(fù)溫度系數(shù)) 熱敏電阻。因此，電阻21與熱敏電阻23的合成電阻值是LCD面板50的周邊溫度越上升越小，溫度檢測電壓VT的電壓值，如圖3所示，是IXD面板50的周邊溫度越上升越高。接著，針對由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的基準(zhǔn)電壓生成電路11的動作，具體地進行說明。當(dāng)VT < VL時，在第一放大器電路A中，進行基于運算放大器A4進行的晶體管A3 的反饋控制，以使在溫度檢測電壓VT和下限電壓VL之中電壓值更高的下限電壓VL與基準(zhǔn)電壓VREF—致。即，第一放大器電路A成為相比于溫度檢測電壓VT更優(yōu)先輸出下限電壓VL 的形式。另一方面，在第二放大器電路B中，進行基于運算放大器B4進行的晶體管B3的反饋控制，以使基準(zhǔn)電壓VREF與上限電壓VH —致。然而，晶體管B3只具備從基準(zhǔn)電壓VREF 的輸出端抽取電流的能力(換言之，降低基準(zhǔn)電壓VREF的電壓值以使基準(zhǔn)電壓VREF不高于上限電壓VH的能力)，因此，在基準(zhǔn)電壓VREF低于上限電壓VH的狀態(tài)下，第二放大器電路B處于不發(fā)揮任何功能的狀態(tài)(更具體而言，運算放大器B4的輸出信號擺脫高電平，晶體管B3完全被截止的狀態(tài))。通過以上的動作，基準(zhǔn)電壓VREF被維持在下限電壓VL而不會低于下限電壓VL。
當(dāng)VL < VT < VH時，在第一放大器電路A中，進行基于運算放大器A4進行的晶體管A3的反饋控制，以使溫度檢測電壓VT和下限電壓VL之中電壓值更高的溫度檢測電壓VT 與基準(zhǔn)電壓VREF —致。即，第一放大器電路A成為相比于下限電壓VL更優(yōu)先輸出溫度檢測電壓VT的形式。另一方面，在第二放大器電路B中，進行基于運算放大器B4進行的晶體管B3的反饋控制，以使基準(zhǔn)電壓VREF與上限電壓VH —致。然而，如上所述，晶體管B3由于只具有從基準(zhǔn)電壓VREF的輸出端抽取電流的能力，因此，在基準(zhǔn)電壓VREF低于上限電壓 VH的狀態(tài)下，第二放大器電路B成為不發(fā)揮任何功能的狀態(tài)。通過以上的動作，基準(zhǔn)電壓 VREF與溫度檢測電壓VT同步地變動其電壓值。
當(dāng)VH彡VT時，在第一放大器電路A中，進行基于運算放大器A4進行的晶體管A3 的反饋控制，以使溫度檢測電壓VT和下限電壓VL之中電壓值更高的溫度檢測電壓VT與基準(zhǔn)電壓VREF —致。即，第一放大器電路A成為相比于下限電壓VL更優(yōu)先輸出溫度檢測電壓VT的形式。另一方面，在第二放大器電路B中，進行基于運算放大器B4進行的晶體管B3 的反饋控制，以使基準(zhǔn)電壓VREF與上限電壓VH —致。即，在第二放大器電路B中，經(jīng)由晶體管B3從基準(zhǔn)電壓VREF的輸出端抽取電流，使基準(zhǔn)電壓VREF降低至上限電壓VH。而且， 此時，在第一放大器電路A中，如上所述，進行基于運算放大器A4進行的晶體管A3的反饋控制，以使溫度檢測電壓VT與基準(zhǔn)電壓VREF—致。然而，晶體管A3由于不具備從基準(zhǔn)電壓VREF的輸出端抽取電流的能力，因此，在基準(zhǔn)電壓VREF被箝壓至比溫度檢測電壓VT還低的上限電壓VH的狀態(tài)下，第一放大器電路A成為不發(fā)揮任何功能的狀態(tài)(更具體而言， 運算放大器A4的輸出信號擺脫高電平，晶體管A3完全被截止的狀態(tài))。通過以上的動作， 基準(zhǔn)電壓VREF被維持在上限電壓VH而不會高于上限電壓VH。如上述所說明，本結(jié)構(gòu)例的基準(zhǔn)電壓生成電路11，與采用npn輸入型的第一放大器電路X和pnp輸入型的第二放大器電路Y的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(參照圖4)不同，其構(gòu)成為采用具備npn型輸入級和pnp型輸出級且僅具有電流抽取能力的第一放大器電路A以及第二放大器電路B，通過將各個輸出端子短路，生成基準(zhǔn)電壓VREF。通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)將基準(zhǔn)電壓VREF箝壓至上限電壓VH的功能(優(yōu)先輸出兩個輸入電壓之中電壓較低的一方的功能)，而不采用pnp輸入型的第二放大器電路Y (特別是，在基極輸入上限電壓VH的pnp 型晶體管Y2)，因此，能夠降低基準(zhǔn)電壓生成電路11的最低動作電壓，進一步延伸而言，能夠?qū)Σ捎迷摶鶞?zhǔn)電壓生成電路11的電源IClO和液晶顯示裝置1的耗電降低做出貢獻。而且，在上述實施方式中，作為分別形成第一放大器電路A以及第二放大器電路B的晶體管，雖然以采用了雙極型晶體管Al A3和Bl B3的結(jié)構(gòu)為例進行了說明，但本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不局限于此，也可以改變雙極型晶體管而采用例如MOS (Metal Oxide Semiconductor 金屬氧化物半導(dǎo)體)電場效應(yīng)晶體管。此時，只要以雙極型晶體管的基極、 發(fā)射極、集電極相當(dāng)于MOS電場效應(yīng)晶體管的柵極、源極、漏極的方式進行元件的置換即可。此外，在上述實施方式中，雖然以將本發(fā)明引用于生成針對溫度檢測電壓VT設(shè)定了上限電壓VH和下限電壓VL的基準(zhǔn)電壓VREF的基準(zhǔn)電壓生成電路11的結(jié)構(gòu)為例進行了說明，但本發(fā)明的應(yīng)用對象不局限于此，本發(fā)明能夠全面廣泛地應(yīng)用于生成針對可變電壓設(shè)定了上限值和下限值的基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓生成電路。而且，根據(jù)本說明書中所公開的基準(zhǔn)電壓生成電路，能夠降低其最低動作電壓，并能夠?qū)Σ捎迷摶鶞?zhǔn)電壓生成電路的電源裝置以及液晶顯示裝置的消耗功率降低做出貢獻。此外 ，本說明書中所公開的技術(shù)特征，例如，能夠作為用于降低液晶顯示面板的具有溫度補償功能的電源裝置的最低動作電壓的技術(shù)而有效地進行利用。而且，在上述中，雖然對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但所公開的發(fā)明能夠以各種方法進行變形，此外，能夠獲得與上述具體列舉的結(jié)構(gòu)不同的各種實施方式，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在技術(shù)方案中謀求在不脫離本發(fā)明的宗旨或技術(shù)范疇的范圍內(nèi)，將本發(fā)明的任何變形例都包含于技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基準(zhǔn)電壓生成電路，具有 第一放大器電路；和第二放大器電路， 所述第一放大器電路，包括第一輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入可變電壓和規(guī)定的下限電壓的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管；第一輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或P溝道型晶體管；以及第一放大級，其控制所述第一輸出級，以使所述可變電壓以及所述下限電壓中電壓較高的一方與所述基準(zhǔn)電壓一致， 所述第二放大器電路，包括第二輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入所述基準(zhǔn)電壓和規(guī)定的上限電壓的兩個 npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管；第二輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或 P溝道型晶體管；以及第二放大級，其控制所述第二輸出級，以使所述基準(zhǔn)電壓與所述上限電壓一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準(zhǔn)電壓生成電路，其中，所述第一輸出級包括連接在電源端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端之間的電流源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準(zhǔn)電壓生成電路，其中，所述第一輸入級以及所述第二輸入級都包括電流源，所述電流源分別連接于所述第一輸入級以及所述第二輸入級所包含的npn型晶體管或N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極與接地端之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準(zhǔn)電壓生成電路，其中， 所述第一放大級包括第一運算放大器，其第一非反相輸入端以及第二非反相輸入端分別與所述第一輸入級所包含的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極連接，反相輸入端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接，輸出端與所述第一輸出級所包含的pnp型晶體管或P溝道型晶體管的基極或柵極連接， 所述第二放大級包括第二運算放大器，其非反相輸入端以及反相輸入端分別與所述第二輸入級所包含的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極連接，輸出端與所述第二輸出級所包含的pnp型晶體管或P溝道型晶體管的基極或柵極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準(zhǔn)電壓生成電路，其中，所述可變電壓是電壓值根據(jù)溫度變化而變動的溫度檢測電壓。
6.一種電源裝置，具有基準(zhǔn)電壓生成電路，其生成基準(zhǔn)電壓；和DC/DC轉(zhuǎn)換器，其根據(jù)所述基準(zhǔn)電壓由輸入電壓生成輸出電壓，所述基準(zhǔn)電壓生成電路，包括第一放大器電路；和第二放大器電路， 所述第一放大器電路包括第一輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入可變電壓和規(guī)定的下限電壓的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管；第一輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或 P溝道型晶體管；以及第一放大級，其控制所述第一輸出級，以使所述可變電壓以及所述下限電壓中電壓較高的一方與所述基準(zhǔn)電壓一致， 所述第二放大器電路，包括第二輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入所述基準(zhǔn)電壓和規(guī)定的上限電壓的兩個 npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管；第二輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或 P溝道型晶體管；以及第二放大級，其控制所述第二輸出級，以使所述基準(zhǔn)電壓與所述上限電壓一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電源裝置，其中，所述第一輸出級包括連接于電源端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端之間的電流源。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電源裝置，其特征在于，所述第一輸入級以及所述第二輸入級都包括電流源，所述電流源分別連接于所述第一輸入級以及所述第二輸入級所包含的npn型晶體管或N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極與接地端之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電源裝置，其中， 所述第一放大級，包括第一運算放大器，其第一非反相輸入端以及第二非反相輸入端分別與所述第一輸入級所包含的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極連接，反相輸入端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接，輸出端與所述第一輸出級所包含的pnp型晶體管或P溝道型晶體管的基極或柵極連接， 所述第二放大級，包括第二運算放大器，其非反相輸入端以及反相輸入端分別與所述第二輸入級所包含的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極連接，輸出端與所述第二輸出級所包含的pnp型晶體管或P溝道型晶體管的基極或柵極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電源裝置，其中，所述可變電壓是電壓值根據(jù)溫度變化而變動的溫度檢測電壓。
11.一種液晶顯示裝置，具有溫度傳感器，其生成電壓值根據(jù)溫度變化而變動的溫度檢測電壓； 電源裝置，其根據(jù)輸入電壓生成輸出電壓； 柵極驅(qū)動器，其接受所述輸出電壓的供給，從而生成柵極驅(qū)動信號； 源極驅(qū)動器，其生成源極驅(qū)動信號；以及液晶顯示面板，其接受所述柵極驅(qū)動信號以及所述源極驅(qū)動信號，從而進行動作， 所述電源裝置，包括基準(zhǔn)電壓生成電路，其生成基準(zhǔn)電壓；以及DC/DC轉(zhuǎn)換器，其根據(jù)所述基準(zhǔn)電壓由所述輸入電壓生成所述輸出電壓， 所述基準(zhǔn)電壓生成電路，包括 第一放大器電路；和第二放大器電路， 所述第一放大器電路包括第一輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入所述溫度檢測電壓和規(guī)定的下限電壓的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管；第一輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或 P溝道型晶體管；以及第一放大級，其控制所述第一輸出級，以使所述溫度檢測電壓以及所述下限電壓中電壓較高的一方與所述基準(zhǔn)電壓一致， 所述第二放大器電路，包括第二輸入級，其包括對基極或柵極分別輸入所述基準(zhǔn)電壓和規(guī)定的上限電壓的兩個 npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管；第二輸出級，其包括將發(fā)射極或源極與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管或 P溝道型晶體管；以及第二放大級，其控制所述第二輸出級，以使所述基準(zhǔn)電壓與所述上限電壓一致。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一輸出級包括連接于電源端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端之間的電流源。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一輸入級以及所述第二輸入級都包括電流源，所述電流源分別連接于所述第一輸入級以及所述第二輸入級所包含的npn型晶體管或N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極與接地端之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中， 所述第一放大級，包括第一運算放大器，其第一非反相輸入端以及第二非反相輸入端分別與所述第一輸入級所包含的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極連接，反相輸入端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接，輸出端與所述第一輸出級所包含的pnp型晶體管或P溝道型晶體管的基極或柵極連接， 所述第二放大級包括第二運算放大器，其非反相輸入端以及反相輸入端分別與所述第二輸入級所包含的兩個npn型晶體管或兩個N溝道型晶體管的發(fā)射極或源極連接，輸出端與所述第二輸出級所包含的pnp型晶體管或P溝道型晶體管的基極或柵極連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述溫度傳感器，根據(jù)所述液晶顯示面板的周邊溫度，生成所述溫度檢測電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中， 所述溫度傳感器，包括第一電阻，其連接在電源端與所述溫度檢測電壓的輸出端之間；第二電阻，其連接在接地端與所述溫度檢測電壓的輸出端之間；以及熱敏電阻，其與所述第一電阻并聯(lián)連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其中，所述熱敏電阻，具有若溫度上升則電阻值下降的負(fù)溫度系數(shù)。
全文摘要
一種基準(zhǔn)電壓生成電路、電源裝置、液晶顯示裝置。該基準(zhǔn)電壓生成電路具有第一放大器電路和第二放大器電路。第一放大器電路包括第一輸入級，其包括對基極分別輸入可變電壓和規(guī)定的下限電壓的兩個npn型晶體管；第一輸出級，其包括將發(fā)射極與基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管；以及第一放大級，其控制第一輸出級，以使可變電壓以及下限電壓中電壓較高的一方與基準(zhǔn)電壓一致。該第二放大器電路，包括第二輸入級，其包括對基極分別輸入基準(zhǔn)電壓和規(guī)定的上限電壓的兩個npn型晶體管；第二輸出級，其包括將發(fā)射極與基準(zhǔn)電壓的輸出端連接的pnp型晶體管；以及第二放大級，其控制第二輸出級，以使基準(zhǔn)電壓與上限電壓一致。
文檔編號G05F3/16GK102354485SQ20111015223
公開日2012年2月15日 申請日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者村上和宏 申請人:羅姆股份有限公司