專利名稱：基準電壓生成電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置中形成的基準電壓生成電路，特別是涉及能夠調整基準電壓生成電路的溫度特性的技術。
背景技術：
基準電壓生成電路作為搭載于半導體集成電路的模擬電路的基準電壓供給源是必要的。圖7是表示現(xiàn)有的基準電壓生成電路的一般結構的電路圖。圖7所示的基準電壓生成電路具備電流密度不同的二極管Dl、D2 ；電阻元件Rl、R2、R3 ；PMOS晶體管MPl及運算放大器(運算放大電路)OP。二極管D1、D2的順向電壓Vdl、Vd2具有負的溫度系數(shù)。另一方面，二極管D1、D2的順向電壓差具有正的溫度系數(shù)。因此，通過在二極管Dl的順向電壓Vl上加上順向電壓差Δ V (Vdl-Vd2)，從而使得輸出電壓Vo沒有溫度依存性，例如輸出約 1. 25V。關于這一點，利用數(shù)學式進行說明。首先，二極管的電流方程式一般由下式表示Vd = V τ XLn (Id/Is)其中，V τ = κ T/q,k 玻耳茲曼常數(shù)；q:電子的電荷量；T 絕對溫度；Id 在二極管中流過的電流；Is:二極管的飽和電流。由圖7的結構和上述的二極管的電流方程式可知，下式[1] [5]成立。[l]Vdl = Vt XLn(Idl/Is)[2]Vd2 = Vt XLn(Id2/Is)[3]Ir3 = (Vo-Vdl)/R3[4]Ir3 = (Vdl-Vd2)/R2[5] Idl = (Vo-Vdl)/Rl因此，基準電壓生成電路的輸出電壓Vo表示為下式。Vo = Vdl+(R3/R2) XV τ XLn(Idl/Id2)— (11)關于該式(11)，第1項具有負的溫度系數(shù)，第2項根據(jù)([1]_[2])可知具有正的溫度系數(shù)。因此，理想情況下沒有溫度依存性，輸出約1.25V。但是，實際上因器件的擴散偏差等，會使溫度梯度也具有偏差。因此，提出了例如圖8所示的盡可能與溫度無關的基準電壓生成電路(參照專利文獻1)。在圖8的結構中，雙極性晶體管Tl、T2的集電極被共同連接于供給電壓源的端子 VDD，基極被共同連接于基準電位的端子GND。晶體管Tl的發(fā)射極經(jīng)由電阻Rl而與晶體管 Ml的漏極連接，晶體管T2的發(fā)射極經(jīng)由串聯(lián)電阻R3、R2而與晶體管M2的漏極連接。成為電流源的晶體管Ml、M2的源極與供給電壓源的端子VSS連接。運算放大器OP的反相輸入端連接在電阻Rl與晶體管Tl的發(fā)射極之間的節(jié)點，非反相輸入端連接在電阻R2、R3之間的節(jié)點，輸出端連接在晶體管M1、M2的柵極。并且，電阻R2與晶體管M2的漏極之間的節(jié)點連接在輸出端子VREF。這里，若利用晶體管Tl、T2的發(fā)射極電流IE1、IE2，則輸出端子VREF的電壓為下式。-VREF = VBE1+R2/R3 X ( κ T/q) X Ln (IE1/IE2) ... (12)其中，VBEl是晶體管Tl的基極與發(fā)射極之間的電壓。因為以基準電位GND為基準，所以輸出電壓VREF具有負的極性。在上式(12)中， 第1項具有負的溫度系數(shù)，第2項具有正的溫度系數(shù)。這里，可知第2項的電壓依賴于電阻比R2/R3及電流比IE1/IE2。因此，通過變更電流比IE1/IE2來補償溫度系數(shù)。并且，在圖8的結構中，用于調整電流比IE1/IE2的電流調整裝置與晶體管Ml并聯(lián)地設置。晶體管M3 M8構成了電流源。晶體管M9 M12構成了晶體管開關，通過控制輸入端子SEl SE4的電位來控制導通截止。通過電流調整裝置可增大或減少電流IE1，由此調整電流比IE1/IE2，從而補償溫度系數(shù)。(現(xiàn)有技術文獻)(專利文獻)專利文獻1 日本特開昭62-79515號公報

發(fā)明內容
(發(fā)明要解決的課題)在圖8的電路結構中，通過調整雙極性晶體管的發(fā)射極電流，從而可進行用于溫度系數(shù)補償?shù)恼{整。但是，雙極性晶體管的發(fā)射極電流是經(jīng)由電阻流動的。為此，通過調整發(fā)射極電流，會使得在該電阻產(chǎn)生的電壓增減，相應地發(fā)射極電流的調整幅度受到限制。其結果，溫度梯度的調整幅度被限定。本發(fā)明的目的在于提供一種在利用了二極管的基準電壓生成電路中能夠更自由地調整其溫度特性的結構。(用于解決課題的手段)在本發(fā)明的一方式中，基準電壓生成電路具備陰極與第1電源連接的第1 二極管及第2 二極管；連接在所述第1 二極管的陽極與輸出節(jié)點之間的第1電阻元件；在所述第2 二極管的陽極與所述輸出節(jié)點之間串聯(lián)連接的第2電阻元件及第3電阻元件；運算放大電路，其將所述第1 二極管的陽極與所述第1電阻元件之間的節(jié)點電壓、和所述第2電阻元件與所述第3電阻元件之間的節(jié)點電壓作為輸入；恒定電流控制電路，其至少具有設置在第 2電源與所述輸出節(jié)點之間的晶體管，接受所述運算放大電路的輸出電壓，經(jīng)由所述晶體管向所述第1 二極管及第2 二極管供給電流；和調整電流供給部，其接受所述運算放大電路的輸出電壓，向所述第1二極管及第2 二極管中的一個二極管的陽極供給用于調整二極管電流的調整電流；所述調整電流供給部構成為能夠變更所述調整電流的大小，并且構成為能夠生成與所述第1二極管及第2 二極管中的另一個二極管的二極管電流成比例關系的電流來作為所述調整電流。根據(jù)該方式，在利用了二極管的基準電壓生成電路中設置了調整電流供給部，該調整電流供給部向第1二極管及第2二極管中的一個二極管的陽極供給用于調整二極管電流的調整電流。該調整電流供給部構成為能夠變更調整電流的大小，并且構成為能夠生成與第1二極管及第2二極管中的另一個二極管的二極管電流成比例關系的電流來作為調整電流。因此，即便在電路制造之后，也能通過變更調整電流的大小來直接調整二極管電流， 并且通過使調整電流與另一個二極管的二極管電流成比例關系而能夠自由地調整基準電壓生成電路的溫度特性。并且，由于調整電流不流經(jīng)電阻元件，而直接使二極管電流增減， 所以電流調整量不會受到電壓的限制，其結果可將溫度梯度的調整幅度確保為大幅度。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，在電路制造之后，能夠自由地調整基準電壓生成電路的溫度特性，并且能夠將溫度梯度的調整幅度確保為大幅度。


圖1是表示實施方式1涉及的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖2是表示作為調整電流供給部的一例而具有電流增加電路的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖3是表示作為調整電流供給部的一例而具有電流減少電路的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖4是表示實施方式2涉及的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖5是表示實施方式3涉及的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖6是表示實施方式4涉及的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖7是現(xiàn)有的基準電壓生成電路的電路圖。圖8是現(xiàn)有的基準電壓生成電路的電路圖。
具體實施例方式以下參照

用于實施本發(fā)明的最優(yōu)方式。(實施方式1)圖1是表示實施方式1涉及的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖1所示的基準電壓生成電路構成為通過直接調整二極管電流Id2而能夠變更溫度特性。在圖1中，Dl為第1 二極管，D2為第2 二極管。其中，第2 二極管D2假設并聯(lián)配置了 Z2個。第1 二極管及第2 二極管Dl、D2的陰極都與供給接地電位GND的第1電源連接。并且，在第1 二極管Dl的陽極與輸出節(jié)點Vo之間連接著第1電阻元件R1。另外，在第 2 二極管D2的陽極與輸出節(jié)點Vo之間串聯(lián)連接著第2電阻元件及第3電阻元件R2、R3。運算放大電路OP將第1 二極管Dl的陽極與第1電阻元件Rl之間的節(jié)點電壓、以及第2電阻元件R2與第3電阻元件R3之間的節(jié)點電壓作為輸入。另外，在供給正的電源電位VDD的第2電源與輸出節(jié)點Vo之間設置了 PMOS晶體管MP1，向該PMOS晶體管MPl的柵極施加運算放大電路OP的輸出電壓。由該PMOS晶體管MPl構成了向第1 二極管及第2 二極管Dl、D2供給電流的恒定電流控制電路。而且，設置了調整電流供給部10，該調整電流供給部10向第2 二極管D2的陽極供給用于調整二極管電流Id2的調整電流Iref2。調整電流供給部10接受運算放大電路OP的輸出電壓，構成為能夠生成與第1 二極管D的二極管電流Idl成比例關系的電流，將該電流作為調整電流Iref2進行供給。由該調整電流供給部10直接調整二極管電流Id2。另夕卜，調整電流供給部10構成為能夠變更調整電流Iref2的大小。這里，利用數(shù)學式來說明本實施方式中的二極管電流Id2的調整。在本實施方式的結構中，背景技術中已說明的公知的基準電壓生成電路所涉及的式[1] [5]成立。除此之外，下式[6]成立。[6]Z2XId2 = Ir3+Iref2因此，基準電壓生成電路的輸出電壓Vo如下。Vo = Vdl+ (R3/R2) XV τ XLn[Ζ2/ {(R1/R3) + (Iref2/Idl)}]這里，若有下式(1)，Iret2 = AXIdl ...(1)則可得到下式(2)。Vo = Vdl+ (R3/R2) XV τ XLn [Ζ2/ {(R1/R3) +A}] ... (2)S卩，如式(1)所示，通過使用于調整二極管電流Id2的調整電流Iref2與二極管電流Idl成比例關系，從而式(2)所示的輸出電壓Vo的具有正的溫度系數(shù)的第2項由比例常數(shù)A來決定。因此，通過變更比例常數(shù)A能夠自由地調整溫度特性。下面，對調整電流供給部的具體結構的例子進行說明。圖2是表示作為調整電流供給部的一例而具有電流增加電路PUSHl的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖2所示的電流增加電路PUSHl用于增加二極管電流Id2，具備N 個基本電流生成電路111 11N(N為1以上的整數(shù))?；倦娏魃呻娐?11具備PM0S晶體管MP11，其源極與第2電源連接，漏極與第2 二極管D2的陽極連接；和由MOS晶體管構成的開關SWPUSH1，其構成為能夠切換是否向PMOS晶體管MPll的柵極施加運算放大電路OP 的輸出電壓。其他的基本電流生成電路也采用同樣的構成。通過基于控制信號CPUSHl N的開關SWPUSH1 N的切換控制，能夠變更調整電流Iref2的大小。這里，由于運算放大電路OP的差動輸入假設接地，因而在第1電阻元件Rl和第3 電阻元件R3中流過的電流的比率始終固定。S卩，PMOS晶體管MPl中流動的電流之中的Rl/ (R1+R3)的比例相當于二極管電流Idl。因此，為了使式(2)成立，按照調整電流Iref2相對于PMOS晶體管MPl中流動的電流成為AXR1/(R1+R3)的比例的方式，選擇電流增加電路 PUSHl中的電流源即可。該選擇能夠通過開關SWPUSH1 N實現(xiàn)。此時，常數(shù)A既可以是整數(shù)也可以是小數(shù)。這里，考慮在調整了二極管電流Id2時的溫度系數(shù)的變化的條件。例如，考慮用于設為不依存于溫度的O溫度系數(shù)的常數(shù)A。首先，由式(2)得到下式。0 Vo/a VT- a VcIa VT+ (R3/R2) X K/q xLn[Z2； I(R1/R3)+A1]這里，3Vo/3VT= O，在室溫的情況下有3Vdl/3VT = -1.5 mV/°K、κ/q = 0. 087mV/° K，所以有(R3/R2) XLn[Z2/ {(R1/R3) +A} ] = 17.2。另外，這里若Rl R2 R3 = 6 1 6、Z2 = 36，則在A = 1時基準電壓Vo不依存于溫度，變?yōu)?.25V。此外，因為A存在于分母中，所以在A> 1時負的溫度系數(shù)變大， 在A < 1時正的溫度系數(shù)變大。圖3是表示作為調整電流供給部的一例而具有電流減少電路PULLl的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖3所示的電流減少電路PULLl用于減少二極管電流Id2，具備 NMOS晶體管MN21，其源極與第1電源連接，漏極與第2 二極管D2的陽極連接；匪OS晶體管麗22，其源極與第1電源連接，漏極和柵極與NMOS晶體管麗21的柵極連接；和M個基本電流生成電路121 12M(M為1以上的整數(shù))。匪OS晶體管麗21對匪OS晶體管麗22中流過的電流進行鏡像。基本電流生成電路121具備PM0S晶體管MP21，其源極與第2電源連接、漏極與NMOS晶體管麗22的漏極連接；由MOS晶體管構成的開關SWPULL1，其構成為能夠切換是否向PMOS晶體管MP21的柵極施加運算放大電路OP的輸出電壓。其他的基本電流生成電路也采用同樣的構成。通過基于控制信號CPULLl M的開關SWPULL1 M的切換控制，能夠變更調整電流Iref2的大小。關于調整電流的設定，由于與實施方式1同樣，因此省略說明。此外，通過設置這種電流減少電路PULL1，由于二極管電流的一部分流經(jīng)電流減少電路PULLl的NMOS晶體管， 由此能夠減少二極管的個數(shù)，也得到了能削減芯片面積的附加效果。此外，在圖2所示的電流增加電路PUSHl中的PMOS晶體管MPll MPlN以及圖3 所示的電流減少電路PULLl中的PMOS晶體管MP21 MP2M的柵極，與構成恒定電流控制電路的PMOS晶體管MPl的柵極同樣地，被施加運算放大電路OP的輸出電壓。S卩，PMOS晶體管MPll MP1N、MP21 MP2M的柵極電位與PMOS晶體管MPl的柵極電位變得相等。因此， 作為調整電流Iref2，生成了與二極管電流Idl成比例關系的電流。這樣，根據(jù)本實施方式，設置了調整電流供給部10，來向第2 二極管D2的陽極供給用于調整二極管電流Id2的調整電流Iref2，該調整電流供給部10構成為能夠變更調整電流Iref2的大小，并且構成為能夠生成與第1 二極管Dl的二極管電流Idl成比例關系的電流來作為調整電流Iref2。因此，即便在電路制造之后，也能直接調整二極管電流Id2，從而能夠自由地調整基準電壓生成電路的溫度特性。而且，由于調整電流Iref2不流經(jīng)電阻元件，直接使二極管電流Id2增減，所以電流調整量不會受到電壓的限制，其結果能夠將溫度梯度的調整幅度確保為大幅度。此外，圖2所示的電流增加電路PUSHl或圖3所示的電流減少電路PULLl只是電路結構的一例，也可采用能實現(xiàn)同樣的電流增加功能或電流減少功能的其他電路結構。另外，調整電流供給部10也可采用下述結構，即，具備圖2所示的電流增加電路 PUSHl和圖3所示的電流減少電路PULLl這兩者。根據(jù)該結構，能夠將二極管電流Idl、Id2 的電流比的調整幅度確保為大幅度。(實施方式2)在實施方式1中，采用了通過以二極管電流Idl為基準的調整電流Iref2來直接調整二極管電流Id2的結構。在本實施方式中，相反地表示通過以二極管電流Id2為基準的調整電流Irer來直接調整二極管電流Idl的結構。圖4是表示實施方式2的基準電壓生成電路的結構的電路圖。圖4所示的基準電壓生成電路構成為，能夠通過直接調整二極管電流Idl來變更溫度特性。在圖4中，對于與圖1公共的結構要素賦予與圖1相同的符號，并在此省略其詳細說明。其中第1 二極管Dl 假設并聯(lián)配置了 Zl個。并且，設置了調整電流供給部20，向第1 二極管Dl的陽極供給用于調整二極管電流Idl的調整電流Irefl。調整電流供給部20接受運算放大電路OP的輸出電壓，構成為能夠生成與第2 二極管D2的二極管電流Id2成比例關系的電流，并將該電流作為調整電流 Irefl進行供給。通過該調整電流供給部20來直接調整二極管電流Idl。另外，調整電流供給部20構成為能夠變更調整電流Irefl的大小。這里，利用數(shù)學式來說明本實施方式中的二極管電流Idl的調整。在本實施方式的結構中，除了背景技術中已說明的公知的基準電壓生成電路所涉及的式[1]、[2]成立之外，下式[7] [10]也成立。[7] Irl = (Vo-Vdl)/Rl[8]Id2 = (Vdl-Vd2)/R2[9]Id2 = (Vo-Vdl)/R3[10]ZlXIdl = Irl+Irefl因此，基準電壓生成電路的輸出電壓Vo如下。Vo = Vdl+(R3/R2)X V τ X Ln[{(R3/R1) + (Irefl/Id2)} /Zl]這里，若有下式(3)，Irefl = aXId2 ...(3)則可得到下式(4)。Vo = Vdl+ (R3/R2) X V τ X Ln [ {(R3/R1) +a} /Zl] ... (4)S卩，如圖3所示，通過使調整二極管電流Idl的電流Irefl與二極管電流Id2成比例關系，從而式(4)所示的輸出電壓Vo的具有正的溫度系數(shù)的第2項由比例常數(shù)a決定。 因此，通過變更比例常數(shù)a，能夠自由地調整溫度系數(shù)。關于調整電流供給部20的具體結構例，與實施方式1相同。例如，設置圖2所示的電流增加電路PUSHl或圖3所示的電流減少電路PULLl即可。這里，PMOS晶體管MPl中流動的電流之中的R3/(R1+R3)的比例相當于二極管電流Id2。因此，在設置了圖2所示的電流增加電路PUSHl的情況下，為使式(4)成立，按照調整電流Irefl相對于PMOS晶體管MPl中流動的電流成為aXR3/(Rl+R3)的比例的方式選擇電流增加電路PUSHl中的電流源即可。該選擇能夠通過開關SWPUSH1 N實現(xiàn)。此時， 常數(shù)a既可以是整數(shù)也可以是小數(shù)。設置了圖3所示的電流減少電路PULLl的情況也是同樣的。這里，考慮在調整了二極管電流Idl時的溫度系數(shù)的變化的條件。若按照實施方式ι所示的常數(shù)A的條件式計算方法，并且設二極管的個數(shù)Zl = 1來計算，則在a = 17時基準電壓Vo不依存于溫度，變?yōu)?. 25V。此外，因為a存在于分子之中，所以在a > 17時正的溫度系數(shù)變大，在a < 17時負的溫度系數(shù)變大。在本實施方式中，也能夠得到與第1實施方式相同的作用效果。即，設置了調整電流供給部20，來向第1 二極管Dl的陽極供給用于調整二極管電流Idl的調整電流Irefl， 該調整電流供給部20構成為能夠變更調整電流Irefl的大小，并且構成為能夠生成與第2 二極管D2的二極管電流Id2成比例關系的電流來作為調整電流Irefl。為此，即便在電路制造之后，也能直接調整二極管電流Idl，自由地調整基準電壓生成電路的溫度特性。而且， 由于調整電流Irefl不流經(jīng)電阻元件，而直接使二極管電流Idl增減，所以電流調整量不受到電壓的限制，其結果能夠將溫度梯度的調整幅度確保為大幅度。另外，調整電流供給部20也可采用下述結構，即，具備圖2所示的電流增加電路PUSHl和圖3所示的電流減少電路PULLl這兩者。根據(jù)該結構，能夠將二極管電流Idl、Id2 的電流比的調整幅度確保為大幅度。(實施方式3)圖5是表示實施方式3涉及的基準電壓生成電路的結構的圖。圖5所示的基準電壓生成電路設置了實施方式1所示的調整電流供給部10和實施方式2所示的調整電流供給部20這兩者。關于調整電流供給部10、20的具體結構例，如上所述，在此省略說明。其中，例如調整電流供給部10、20可都具備電流增加電路，也可都具備電流減少電路，還可都具備電流增加電路和電流減少電路這兩者。另外，也可以是調整電流供給部10、20的一方具備電流增加電路，另一方具備電流減少電路?；蛘撸梢允钦{整電流供給部10、20的一方具備電流增加電路和電流減少電路這兩者，另一方具備電流增加電路或電流減少電路的一個。(實施方式4)圖6是表示實施方式4涉及的基準電壓生成電路的結構的圖。在圖1的結構中， 通過在供給正的電源電位VDD的第2電源與輸出節(jié)點Vo之間設置的PMOS晶體管MP1，構成了恒定電流控制電路。相對于此，在圖6的結構中，設置了與圖1的結構不同的恒定電流控制電路30。恒定電流控制電路30具備PM0S晶體管MP31，其源極與第2電源連接、漏極與輸出節(jié)點Vo連接；PMOS晶體管MP32，其源極與第2電源連接、漏極和柵極與PMOS晶體管 MP31的柵極連接；和NMOS晶體管麗31，其源極與第1電源連接、漏極與PMOS晶體管MP32 的漏極連接、并在柵極接受運算放大電路0P2的輸出電壓。此外，運算放大電路0P2的內部結構變?yōu)閺膱D1所示的運算放大電路OP中除去電流鏡像部(相當于晶體管MP32、麗31)后的結構。另外，在圖6中，作為調整電流供給部的一例而示出了電流增加電路PUSH2。電流增加電路PUSH2具備PM0S晶體管MP42，其源極與第2電源連接、漏極與第2 二極管D2的陽極連接；PMOS晶體管MP41，其源極與第2電源連接、漏極和柵極與PMOS晶體管MP42的柵極連接；NMOS晶體管MN41，其源極與第1電源連接、漏極與PMOS晶體管MP41的漏極連接； 和開關SWPUSH1，其構成為能夠切換是否向NMOS晶體管MN41的柵極施加運算放大電路0P2 的輸出電壓。開關SWPUSH1可通過控制信號CPUSHl進行切換控制。本實施方式的結構中也能得到與上述各實施方式同樣的作用效果。此外，在上述各實施方式的電路結構中，設第1電源用于供給接地電位GND、第2電源用于供給正的電源電位VDD來進行了說明。不過，此外，例如第1電源供給負的電源電位 VSS、第2電源供給接地電位GND的電路結構的基準電壓生成電路也能夠與各實施方式同樣地實現(xiàn)。此時，例如在圖1的結構中將PMOS晶體管MPl替換成NMOS晶體管即可。另外，在上述各實施方式中，第1 二極管及第2 二極管D1、D2可分別由一個二極管元件構成，也可由串聯(lián)或并聯(lián)連接的多個二極管元件構成。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)在本發(fā)明中，由于容易自由地改變基準電壓生成電路的溫度特性，因而例如特別是作為利用溫度特性的電路的基準電壓生成電路而有用。符號說明10、20 調整電流供給部
30恒定電流控制電路111 IlN基本電流生成電路121 12M基本電流生成電路Dl第 1 二極管D2第 2 二極管Idl二極管電流Id2二極管電流Irefl 調整電流Iref 2 調整電流MN21 第 1NM0S 晶體管MN22 第 2NM0S 晶體管MN31 NMOS 晶體管MPlPMOS晶體管(恒定電流控制電路)MPll MPlN 第 2PM0S 晶體管MP21 MP2M 第 2PM0S 晶體管MP31第 1PM0S 晶體管MP32第 2PM0S 晶體管0P、0P2 運算放大電路PULLl電流減少電路PUSHl電流增加電路Rl第1電阻元件R2第2電阻元件R3第3電阻元件SWPULL1 M 開關SffPUSHl ~ N 開關Vo輸出節(jié)點
權利要求
1.一種基準電壓生成電路，具備陰極與第1電源連接的第1二極管及第2 二極管；連接在所述第1二極管的陽極與輸出節(jié)點之間的第1電阻元件；在所述第2 二極管的陽極與所述輸出節(jié)點之間串聯(lián)連接的第2電阻元件及第3電阻元件；運算放大電路，其將所述第1 二極管的陽極與所述第1電阻元件之間的節(jié)點電壓、和所述第2電阻元件與所述第3電阻元件之間的節(jié)點電壓作為輸入；恒定電流控制電路，其至少具有設置在第2電源與所述輸出節(jié)點之間的晶體管，接受所述運算放大電路的輸出電壓，并經(jīng)由所述晶體管向所述第1 二極管及第2 二極管供給電流；和調整電流供給部，其接受所述運算放大電路的輸出電壓，向所述第1 二極管及第2 二極管中的一個二極管的陽極供給用于調整二極管電流的調整電流；所述調整電流供給部構成為能夠變更所述調整電流的大小，并且構成為能夠生成與所述第1二極管及第2二極管中的另一個二極管的二極管電流成比例關系的電流來作為所述調整電流。
2.根據(jù)權利要求1所述的基準電壓生成電路，其特征在于，所述恒定電流控制電路，作為所述晶體管而具備源極與所述第2電源連接、漏極與所述輸出節(jié)點連接并在柵極接受所述運算放大電路的輸出電壓的PMOS晶體管。
3.根據(jù)權利要求2所述的基準電壓生成電路，其特征在于，所述調整電流供給部具備用于使二極管電流增加的電流增加電路； 所述電流增加電路具有至少一個基本電流生成電路； 所述基本電流生成電路具備第2PM0S晶體管，其源極與所述第2電源連接，漏極與所述一個二極管的陽極連接；和開關，其構成為能夠切換是否向所述第2PM0S晶體管的柵極施加所述運算放大電路的輸出電壓。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的基準電壓生成電路，其特征在于，所述調整電流供給部具備用于使二極管電流減少的電流減少電路； 所述電流減少電路具有 至少一個基本電流生成電路；第1NM0S晶體管，其源極與所述第1電源連接，漏極與所述一個二極管的陽極連接；和第2NM0S晶體管，其源極與所述第1電源連接，漏極和柵極與所述第1NM0S晶體管的柵極連接；所述基本電流生成電路具備第2PM0S晶體管，其源極與所述第2電源連接，漏極與所述第2NM0S晶體管的漏極連接；和開關，其構成為能夠切換是否向所述第2PM0S晶體管的柵極施加所述運算放大電路的輸出電壓。
5.根據(jù)權利要求1所述的基準電壓生成電路，其特征在于， 所述恒定電流控制電路具備第1PM0S晶體管，其源極與所述第2電源連接，漏極與所述輸出節(jié)點連接； 第2PM0S晶體管，其源極與所述第2電源連接，漏極和柵極與所述第1PM0S晶體管的柵極連接；和NMOS晶體管，其源極與所述第1電源連接，漏極與所述第2PM0S晶體管的漏極連接，并在柵極接受所述運算放大電路的輸出電壓。
6.根據(jù)權利要求1所述的基準電壓生成電路，其特征在于，所述基準電壓生成電路具備第2調整電流供給部，該第2調整電流供給部接受所述運算放大電路的輸出電壓，并向所述另一個二極管的陽極供給用于調整二極管電流的第2調整電流；所述第2調整電流供給部構成為能夠變更所述第2調整電流的大小，并且構成為能夠生成與所述一個二極管的二極管電流成比例關系的電流來作為所述第2調整電流。
7.根據(jù)權利要求1所述的基準電壓生成電路，其特征在于， 所述第1電源用于供給接地電位；所述第2電源用于供給正的電源電位。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基準電壓生成電路。在利用了二極管的基準電壓生成電路中，能夠更自由地調整其溫度特性。調整電流供給部(10)向第1及第2二極管(D1、D2)中的一個二極管的陽極供給用于調整二極管電流的調整電流(Iref2)。調整電流供給部(10)能夠變更調整電流(Iref2)的大小，并且能夠生成與另一個二極管的二極管電流成比例關系的電流來作為調整電流(Iref2)。
文檔編號G05F3/30GK102473018SQ20108003410
公開日2012年5月23日 申請日期2010年1月21日 優(yōu)先權日2009年8月6日
發(fā)明者森田紋子, 藤山博邦, 西川香 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社