專利名稱：低壓差調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低壓差調(diào)節(jié)器，尤其涉及一種具有可變阻抗負(fù)載補(bǔ)償電 路的低壓差調(diào)節(jié)器。
背景技術(shù)：
電壓調(diào)節(jié)電路通常設(shè)置在電源供應(yīng)電路與負(fù)載電路之間。當(dāng)電源供應(yīng)電 路所產(chǎn)生的電壓變動(dòng)時(shí)，電壓調(diào)節(jié)電路仍可提供一固定的電壓給負(fù)載電路。 以行動(dòng)電話所使用的電池為例，若沒(méi)有對(duì)電池充電，則電池的電壓可能會(huì)下 降。然而，透過(guò)電壓調(diào)節(jié)電路，就算電池的輸出電壓下降，只要電池的電壓 大于電壓調(diào)節(jié)電路所提供的固定電壓，電壓調(diào)節(jié)電路便可持續(xù)提供一固定的 電壓給行動(dòng)電話的負(fù)載電路。為了使電壓調(diào)節(jié)電路提供固定的電壓， 一壓差 電壓會(huì)接著被定義成一最小電壓差。該最小電壓差必須從電壓調(diào)節(jié)電路的輸 入端，被提供至電壓調(diào)節(jié)電路的輸出端。舉例而言， 一電壓調(diào)節(jié)器提供的固
定電壓為1.8V。當(dāng)電壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓為2.0V時(shí)，該電壓調(diào)節(jié)器便可輸出 1.8V的固定電壓。因此，在此例中，壓差電壓為0.2V(2.0V-1.8V)。所謂的低 壓差(low drop-out; LDO)調(diào)節(jié)器(regulator)就是具有低壓差電壓的電壓調(diào)節(jié)器。 在調(diào)制解調(diào)器(modem)的應(yīng)用中，電壓調(diào)節(jié)器的壓差電壓需小于50mV。
請(qǐng)參考圖1，圖1顯示具有第一補(bǔ)償電路的低壓差調(diào)節(jié)器10。低壓差調(diào) 節(jié)器10具有第一級(jí)放大器101、反相放大器102、旁路晶體管(pass transistor)MP、反射晶體管(mirror transistor)MS、電流-電壓轉(zhuǎn)換器103、補(bǔ)償 電容Cc以及補(bǔ)償電阻Rc。低壓差調(diào)節(jié)器10輸出一輸出電壓OUT。不論輸入 電壓Vdd如何変化，輸出電壓OUT會(huì)維持在一固定值。從輸入電壓VDD開(kāi)始，一負(fù)載電流lL會(huì)經(jīng)過(guò)旁路晶體管MP，而進(jìn)入負(fù)載Zt。第一電阻RA及第二電
阻RB產(chǎn)生一電壓，該電壓與輸出電壓OUT之間具有比例關(guān)系。該電壓會(huì)與 參考電壓VREF作比較，并透過(guò)放大器101、 102以及旁路晶體管MP，控制輸 出電壓OUT。補(bǔ)償電容Cc及補(bǔ)償電阻Rc可提供一補(bǔ)償頻率。由于補(bǔ)償電阻 Rc所接收的電壓經(jīng)過(guò)反射晶體管MS以及電流-電壓轉(zhuǎn)換器103，故補(bǔ)償頻率 隨著流經(jīng)旁路晶體管MP的電流而變化。
請(qǐng)參考圖2，圖2顯示具有第二補(bǔ)償電路的低壓差調(diào)節(jié)器20。低壓差調(diào) 節(jié)器20具有第一級(jí)放大器201、緩沖器202、旁路晶體管MP、第一電阻RA、 第二電阻Ru、補(bǔ)償電阻Rc以及補(bǔ)償電容Cc。低壓差調(diào)節(jié)器20輸出一輸出電 壓OUT。不論輸入電壓Vdd如何変化，輸出電壓OUT會(huì)維持在一固定值。 流經(jīng)負(fù)載Zi^的負(fù)載電流L，是由旁路晶體管MP所提供。低壓差調(diào)節(jié)器20 與低壓差調(diào)節(jié)器IO相似。另外，雖然第一補(bǔ)償電路與第二補(bǔ)償電路不太一樣， 但原理相同。
低壓差調(diào)節(jié)器10及20具有一些缺點(diǎn)。第一，低壓差調(diào)節(jié)器10及20的 電源抑制比(PSRR)不夠高。在圖1所示的低壓差調(diào)節(jié)器10中，第一級(jí)放大器 101的輸出端x到交流地端(AC ground)之間具有一寄生電容，該寄生電容的容 值Cu =(1+A)CC。在圖2所示的低壓差調(diào)節(jié)器20中，第一級(jí)放大器101的輸 出端x到交流地端(AC groimd)的寄生電容的容值CU=CC。這表示圖2的補(bǔ)償 電容Cc必須非常大。因此，低壓差調(diào)節(jié)器10及20的PSRR頻率響應(yīng)的零點(diǎn) (zero)在1/2兀Cur。p其中r。,為第一級(jí)放大器的輸出阻抗。
第二，低壓差調(diào)節(jié)器10及20的補(bǔ)償無(wú)法應(yīng)用在輸出電壓OUT。也就是 說(shuō)，圖l及圖2所示的補(bǔ)償方法，無(wú)法將輸出電壓的極點(diǎn)(pole)移至較高的頻 率。
第三，低壓差調(diào)節(jié)器10及20的可變補(bǔ)償電阻Rc由MOSFET所構(gòu)成。 因此，可變補(bǔ)償電阻Rc所能夠提供的補(bǔ)償效應(yīng)會(huì)受到MOSFET的制造工藝 或是溫度的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器，目的是用以解決現(xiàn)有的低壓差調(diào)節(jié) 器電源抑制比不夠高，頻率補(bǔ)償不夠好，且易受制造工藝和溫度影響的缺點(diǎn)。 所述低壓差調(diào)節(jié)器包括一放大器、 一旁路晶體管、 一分壓器、 一補(bǔ)償網(wǎng)以及 一控制電路。放大器的第一端接收一參考信號(hào)，其第二端接收一回授信號(hào)， 其輸出端根據(jù)該參考信號(hào)以及該回授信號(hào)，輸出一補(bǔ)償結(jié)果。旁路晶體管的 輸入端耦接放大器的輸出端，其輸出端根據(jù)該補(bǔ)償結(jié)果，產(chǎn)生一輸出電流。 分壓器耦接該旁路晶體管，用以根據(jù)該輸出電流，產(chǎn)生該回授信號(hào)。補(bǔ)償網(wǎng) 耦接于旁路晶體管的輸出端與該放大器的一低阻抗節(jié)點(diǎn)之間，并包括一補(bǔ)償 電容以及一可變電阻?？勺冸娮桉罱友a(bǔ)償電容?？刂齐娐否罱优月肪w管的 輸入端以及可變電阻，用以根據(jù)旁路晶體管的輸出電流，控制可變電阻的阻 抗。
本發(fā)明實(shí)施例的低壓差調(diào)節(jié)器，可以將補(bǔ)償應(yīng)用至輸出電壓，因此，可 提供較佳的頻率補(bǔ)償。另外，本發(fā)明實(shí)施例的低壓差調(diào)節(jié)器中，補(bǔ)償電阻為
多晶硅電阻(polyresistor),避免了補(bǔ)償效應(yīng)受制造工藝和溫度的影響?？刂齐?路中包含電流補(bǔ)償器，該電流補(bǔ)償器具有精確的參考電流，故可提供更穩(wěn)定 的分辨率。


此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部
分，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。在附圖中
圖1為現(xiàn)有具有第一補(bǔ)償電路的低壓差調(diào)節(jié)器。
圖2為現(xiàn)有具有第二補(bǔ)償電路的低壓差調(diào)節(jié)器。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例的低壓差調(diào)節(jié)器的示意圖。
圖4為圖3所示的低壓差調(diào)節(jié)器的一可能實(shí)施例。
圖5顯示在負(fù)載很小時(shí)，圖4所示的低壓差調(diào)節(jié)器的頻率響應(yīng)示意圖。圖6顯示在負(fù)載很大時(shí)，圖4所示的低壓差調(diào)節(jié)器的頻率響應(yīng)示意圖。 圖7顯示在負(fù)載適中時(shí)，圖4所示的低壓差調(diào)節(jié)器的頻率響應(yīng)示意圖。 圖8顯示在不同補(bǔ)償阻抗值下， 負(fù)載電流之間的關(guān)系示意圖。 附圖標(biāo)號(hào)
10、 20、 30:低壓差調(diào)節(jié)器； 101、 201、 301:第一級(jí)放大器
102:反相放大器； MS:反射晶體管； Cc:補(bǔ)償電容； OUT:輸出電壓； RA、 RB:電阻；
II:負(fù)載電壓； 303:控制電路； MSl MSn:晶體管； SW廣SWn:開(kāi)關(guān)； di:輸出。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合附圖對(duì)本 發(fā)明實(shí)施例做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。在此，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于 解釋本發(fā)明，但并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例的低壓差調(diào)節(jié)器的示意圖。如圖所示，低壓差調(diào)節(jié) 器30具有第一級(jí)放大器301、緩沖器302、旁路晶體管MP、第一電阻RA及 第二電阻RB。第一級(jí)放大器301的第一端(-)接收參考信號(hào)VreF，其第二端(+) 接收一回授信號(hào)。根據(jù)參考信號(hào)Vref以及回授信號(hào)，第一級(jí)放大器301的輸
圖4所示的低壓差調(diào)節(jié)器的相位邊距與
MP:旁路晶體管； 103:電流-電壓轉(zhuǎn)換器; Rc:補(bǔ)償電阻； VDD:輸入電壓； Zl:負(fù)載； 202、 302:緩沖器； VreF:參考信號(hào)；
Ra Roi:電阻段；
Im. lRn:參考電流源；出端(x)便可輸出一補(bǔ)償結(jié)果。旁路晶體管MP的輸入端耦接第一級(jí)放大器301 的輸出端，其輸出端根據(jù)第一級(jí)放大器301的補(bǔ)償結(jié)果，產(chǎn)生一輸出電流 OUT。第一電阻RA與第二電阻RB構(gòu)成一分壓器。該分壓器耦接旁路晶體管 MP，用以根據(jù)輸出電壓OUT，產(chǎn)生該回授信號(hào)。低壓差調(diào)節(jié)器30更包括一 補(bǔ)償網(wǎng)。該補(bǔ)償網(wǎng)耦接在旁路晶體管MP的輸出端至第一級(jí)放大器301的低 阻抗節(jié)點(diǎn)(y)之間。補(bǔ)償網(wǎng)包括，補(bǔ)償電容Cc以及可變電阻Rd?？勺冸娮鑂c 耦接補(bǔ)償電容Cc?？刂齐娐?03耦接旁路晶體管MP的輸入端以及可變電阻 Rc，用以根據(jù)旁路晶體管MP的輸出電流，控制可變電阻Rc的阻抗。
圖3可補(bǔ)償?shù)谝患?jí)放大器301的低阻抗節(jié)點(diǎn)(y)。因此，在本實(shí)施例中， CL1=CP1 ，其中CP1(—般小于lOOfF)為輸出端x至交流地(AC ground)之間的 寄生容值，CP1極小于圖1的C"CL產(chǎn)(l+A)Cc)或是圖2的Cc(通常大于10pF)。 因此，相較于圖1及圖2，圖3的PSRR頻率響應(yīng)的零點(diǎn)會(huì)在較高的頻率。也 就是說(shuō)，在高頻下，低壓差調(diào)節(jié)器30具有較佳的PSRR(相對(duì)于低壓差調(diào)節(jié)器 10及20而言)。
圖4為低壓差調(diào)節(jié)器30的一可能實(shí)施例?？勺冸娮鑂c具有多個(gè)電阻段 Ra Rcn。電阻段Rc廣Rcn串聯(lián)于補(bǔ)償電容Cc與第一級(jí)放大器301的低阻抗節(jié) 點(diǎn)(y)之間。相鄰的電阻段(如電阻段Ra與Rc2)之間具有一內(nèi)部節(jié)點(diǎn)?？勺冸?阻Rc更包括多個(gè)開(kāi)關(guān)SW廣SWn。每一開(kāi)關(guān)(如SW2)耦接于補(bǔ)償電容Cc與相 對(duì)應(yīng)的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)之間。
控制電路303包括多個(gè)晶體管(電流鏡)MS1、 MS2、 ...、 MSn-l、 MSn。 晶體管MSl MSn的尺寸相同，每一晶體管提供一小電流給旁路晶體管MP，
也就是負(fù)電流IiX因?yàn)榱鹘?jīng)第一電阻RA及第二電阻RB的電流很小，可忽略)。 控制電路303更包括多個(gè)參考電流源。這些電流源分別提供參考電流 iRl lRn(lRl〈lR2〈.. .〈1Rn-l〈lRn)。參考參考電流 Iri Irji 并不會(huì)受到溫度的影響。 MOS晶體管MSi與參考電流lRi構(gòu)成多個(gè)電流補(bǔ)償器，其中i-l、 2、 ...、 n-l、 n。當(dāng)MOS晶體管MSi的電流大于電流源Iw時(shí)，相對(duì)應(yīng)的電流補(bǔ)償器的輸出di將為高平。由于開(kāi)關(guān)SWi由電流補(bǔ)償器的輸出di所控制，故可通過(guò)短路可
變電阻Rc的相對(duì)應(yīng)電阻段Rc廣Rcn，改變可變電阻Rc的阻抗。當(dāng)電流補(bǔ)償器 的輸出di為高平時(shí)，導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SWi，并不導(dǎo)通其它開(kāi)關(guān)。當(dāng)負(fù)載電流IfO時(shí)，
可變電阻Rc^Ra+Rc2+…+R^-i+Rcn(最大值)。當(dāng)負(fù)載電流IL增加時(shí)，可變電 阻Rc的阻抗變小。當(dāng)負(fù)載電流lL為最大值時(shí)，則可變電阻Rc的阻抗等于O。 為了穩(wěn)定圖4所示的低壓差調(diào)節(jié)器30的動(dòng)作，高PSRR補(bǔ)償?shù)幕厩闆r 為本領(lǐng)域人士所深知。然而，在低壓差調(diào)節(jié)器30中，通過(guò)串聯(lián)的補(bǔ)償電阻 Rc與補(bǔ)償電容Cc，便可改變高PSRR補(bǔ)償。由小信號(hào)(small-signal)分析可失口，
PSRR并非明顯地受到補(bǔ)償電阻Rc的影響。然而，補(bǔ)償電阻Rc的阻抗必須可 變，用以在負(fù)載改變時(shí)，得知極點(diǎn)的變化。以下將說(shuō)明為何需要可變的補(bǔ)償 電阻Rc。
由小信號(hào)分析可得知，低壓差調(diào)節(jié)器的回路增益具有一低頻極點(diǎn)O)w， 一
高頻極點(diǎn)0)P2、以及一零點(diǎn)coz。在適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償后，便可定義出單位增益頻率 (unity gain frequency) co0。低頻極點(diǎn)coP1，高頻極點(diǎn)coP2、以及零點(diǎn)①z分另U如 式(1) (3)所示
<formula>formula see original document page 9</formula>(3)
其中g(shù)ml為第一級(jí)放大器301的跨導(dǎo)(transconductance)，gm2為旁路晶體管 MP的跨導(dǎo)，ri為第一級(jí)放大器301的輸出阻抗，r2大致上為負(fù)載RL的阻抗， Ci為第一級(jí)放大器301的輸出端的寄生容值，C2大致上為負(fù)載電容CL的容值， Cc為補(bǔ)償容值，Rc為補(bǔ)償阻抗。由式(1) (3)可知，有兩個(gè)極點(diǎn)是有意義的，并且當(dāng)兩極點(diǎn)之間的間隔很大時(shí)，則可達(dá)到較佳的穩(wěn)定度。然而，補(bǔ)償電阻
Rc及補(bǔ)償電容Cc所提供的零點(diǎn)可幫助改善補(bǔ)償，稍后將詳細(xì)說(shuō)明。一般而言， 較佳的穩(wěn)定度為，相位邊界(phasemargin)①m在45。 卯。之間。
假設(shè)，補(bǔ)償電阻Rc的阻抗等于O，將其代入式(1) (3)后，可得式(4) (6):
斷1 - "C，2+g附2""C (4) 處二oo (6)
當(dāng)負(fù)載較小(即負(fù)載Rl的阻抗r2很大)，則極點(diǎn)o)m很小。另外，由于
gm2Cc/dC2很大，故極點(diǎn)C0P2很大。在另一方面，極點(diǎn)C0P1與C0P2之間的間隔
很大，故可滿足<Dm，進(jìn)而具有較佳的穩(wěn)定度。若適度地加重負(fù)載(即負(fù)載RL
的阻抗r2變小)時(shí)，則負(fù)載電流L會(huì)適度的增加，并且gm2亦會(huì)增加。由于均
方根(square-root)的特性，gm2并不會(huì)與負(fù)載電流L呈比例關(guān)系。接著，由式(4) 及(5)可知，極點(diǎn)com增加的比極點(diǎn)cop2還多，并且極點(diǎn)之間的間隔變小，使得 相位邊距^降低，因而降低穩(wěn)定度。由式(6)可知，零點(diǎn)coz無(wú)限大，故可協(xié)
助改善穩(wěn)定度。然而，在加重負(fù)載時(shí)，負(fù)載電流lL為最大值，并且gm2也相對(duì) 較大。然后，再次由式(4)及(5)可知，極點(diǎn)CO!M變得比較小，而極點(diǎn)Q)P2變得比 較大，因此，增加極點(diǎn)之間的間隔，并再次改善穩(wěn)定度。根據(jù)以上的內(nèi)容，
當(dāng)可變電阻Rc無(wú)限大時(shí)，不論負(fù)載為最大或最小時(shí)，均可得到較佳的穩(wěn)定度。 假設(shè)，可變電阻Rc的阻抗并非無(wú)限大，則可引用式(1) (3)。由式(l)可知，
若可變電阻Rc的阻抗f2較大時(shí)，則極點(diǎn)0)P1無(wú)法變大。此時(shí)的穩(wěn)定度所適合 的負(fù)載的值為中間偏低。然而，由式(2)可知，當(dāng)負(fù)載電流Il及gm2增加時(shí)，
就算可變電阻Rc的阻抗很大，仍無(wú)法使極點(diǎn)C0P2變大。相反地，由式(2)的第
l及第3項(xiàng)可知，當(dāng)負(fù)載電流IL增加時(shí)，實(shí)際上會(huì)使極點(diǎn)COp2變小。因此，當(dāng)
負(fù)載的值為中間偏高時(shí)，若可變電阻Rc具有較大的阻抗時(shí)，極點(diǎn)間的間隔會(huì) 變小，因而使得穩(wěn)定度變差。然而，由式(3)可知，零點(diǎn)①z是由補(bǔ)償電阻Rc
10與補(bǔ)償電容Cc所決定。在負(fù)載的值為中間值時(shí)，若極點(diǎn)之間的間隔不夠大， 則可使補(bǔ)償電阻Rc與補(bǔ)償電容Cc所提供的零點(diǎn)Q)z接近極點(diǎn)COP2，用以改善
穩(wěn)定度?？偠灾?dāng)負(fù)載為中間值時(shí)，部分的可變電阻Rc的阻抗(不會(huì)太大)
對(duì)穩(wěn)定度是有益的。
在負(fù)載的值較小以及中間偏低時(shí)，可變電阻Rc需具有較大的阻抗，方能
提供較佳的穩(wěn)定度。然而，在負(fù)載的值為中間偏高時(shí)，可變電阻Rc需具有較 小的阻抗，方能提供較佳的穩(wěn)定值。在負(fù)載的值較大時(shí)，則可變電阻Rc的阻 抗需等于零，方能提供較佳的穩(wěn)定度。圖5為負(fù)載的值較小時(shí)，極點(diǎn)分布的 示意圖。圖6為負(fù)載的值較大時(shí)，極點(diǎn)分布的示意圖。圖7為負(fù)載的值適中 時(shí)，極點(diǎn)分布的示意圖。圖8顯示可變電阻為Rc在具有四種不同的阻抗值(如 0Q、 2KQ、 20KQ、 100KQ)的情況下，相位邊界Om與負(fù)載電流L之間的關(guān)系。 針對(duì)所有的負(fù)載電流L，相位邊界OV無(wú)法完全地滿足四種不同的阻抗值的任 一種。
低壓差調(diào)節(jié)器IO、 20的補(bǔ)償無(wú)法應(yīng)用到輸出節(jié)點(diǎn)OUT。也就是說(shuō)，現(xiàn)有 的補(bǔ)償方式無(wú)法將輸出極點(diǎn)移動(dòng)至較高的頻率。然而，在低壓差調(diào)節(jié)器30中， 可以實(shí)質(zhì)上將補(bǔ)償應(yīng)用至輸出電壓OUT，因此，可提供較佳的頻率補(bǔ)償。另 外，在圖l及圖2所示的可變補(bǔ)償電阻Rc均為MOSFET。因此，現(xiàn)有的補(bǔ)償 方法會(huì)受到制造工藝及溫度的影響(因MOSFET易受到制造工藝及溫度的影 響)。然而，在低壓差調(diào)節(jié)器30中，補(bǔ)償電阻Rc為一多晶硅電阻(poly resistor)。 因此，可利用控制電路303，根據(jù)負(fù)載電流lL的預(yù)設(shè)值，以數(shù)字方式切換補(bǔ)償 電阻Rc?？刂齐娐?03包含電流補(bǔ)償器。電流補(bǔ)償器具有精確的參考電流， 故可提供更穩(wěn)定的分辨率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種低壓差調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述的低壓差調(diào)節(jié)器包括一放大器，具有一第一端、一第二端以及一第一輸出端，所述第一端接收一參考信號(hào)，所述第二端接收一回授信號(hào)，所述第一輸出端根據(jù)所述參考信號(hào)以及所述回授信號(hào)，輸出一補(bǔ)償結(jié)果；一旁路晶體管，具有一第一輸入端以及一第二輸出端，所述第一輸入端耦接所述第一輸出端，所述第二輸出端根據(jù)所述補(bǔ)償結(jié)果，產(chǎn)生一輸出電流；一分壓器，耦接所述旁路晶體管，用以根據(jù)所述輸出電流，產(chǎn)生所述回授信號(hào)；一補(bǔ)償網(wǎng)，耦接于所述第二輸出端與所述放大器的一低阻抗節(jié)點(diǎn)之間，所述補(bǔ)償網(wǎng)具有一補(bǔ)償電容以及一可變電阻，所述可變電阻耦接所述補(bǔ)償電容；以及一控制電路，耦接所述第一輸入端以及所述可變電阻，用以根據(jù)所述輸出電流，控制所述可變電阻的阻抗。
2、 如權(quán)利要求1所述的低壓差調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述可變電阻包括 多個(gè)電阻段，形成一電阻串，并串聯(lián)于所述補(bǔ)償電容與所述放大器的所述低阻抗節(jié)點(diǎn)之間，相鄰電阻段之間具有一內(nèi)部節(jié)點(diǎn)；以及多個(gè)開(kāi)關(guān)，每一所述開(kāi)關(guān)耦接于所述補(bǔ)償電容與一相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)之間。
3、 如權(quán)利要求2所述的低壓差調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述控制電路包括 多個(gè)電流補(bǔ)償器，每一所述電流補(bǔ)償器，包括一電流鏡，耦接于所述第一輸入端，用以反射所述輸出電流；以及 一參考電流源，耦接所述電流鏡與所述開(kāi)關(guān)中的一相對(duì)開(kāi)關(guān)，用以根據(jù) 所述電流源與所述電流鏡的一電流補(bǔ)償結(jié)果，短路一相對(duì)應(yīng)的所述電阻段。
4、 如權(quán)利要求2所述的低壓差調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述電阻均為多晶 硅電阻。
5、 如權(quán)利要求1所述的低壓差調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述的低壓差調(diào)節(jié)器進(jìn)一步包括一緩沖器，具有一第二輸入端以及一第三輸出端，所述第二輸入端耦接 所述第一輸出端，所述第三輸出端耦接所述第一輸入端，用以輸出所述補(bǔ)償 結(jié)果給所述旁路晶體管。
6、 如權(quán)利要求1所述的低壓差調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述分壓器包括 一第一電阻；以及一第二電阻，耦接所述第一電阻。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種低壓差調(diào)節(jié)器，用以補(bǔ)償大范圍的負(fù)載，該低壓差調(diào)節(jié)器包括一放大器、一旁路晶體管、一分壓器、一補(bǔ)償網(wǎng)以及一控制電路。放大器根據(jù)一參考信號(hào)以及一回授信號(hào)，輸出一補(bǔ)償結(jié)果。旁路晶體管根據(jù)該補(bǔ)償結(jié)果，產(chǎn)生一輸出電流。分壓器根據(jù)該輸出電流，產(chǎn)生該回授信號(hào)。補(bǔ)償網(wǎng)耦接于第二輸出端與該放大器的一低阻抗節(jié)點(diǎn)之間，并具有一補(bǔ)償電容以及一可變電阻。該可變電阻耦接該補(bǔ)償電容?？刂齐娐否罱釉摰谝惠斎攵艘约霸摽勺冸娮?，用以根據(jù)該輸出電流，控制該可變電阻的阻抗。本發(fā)明實(shí)施例的低壓差調(diào)節(jié)器，可提供較佳的頻率補(bǔ)償和更穩(wěn)定的分辨率，并且避免了補(bǔ)償效應(yīng)受制造工藝和溫度的影響。
文檔編號(hào)G05F1/56GK101676829SQ20091016197
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月15日
發(fā)明者坦吉爾·愛(ài)立克森德, 達(dá)思古帕塔·尤達(dá) 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技(新加坡)私人有限公司