專利名稱：一種具有主動(dòng)式返送電流限制電路的電源調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種返送限制電路及使用該電路的電源調(diào)節(jié)器，尤其是有關(guān)于一種使用
主動(dòng)式返送限制電路的電源調(diào)節(jié)器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的方法如圖1及圖2所示。 —般而言，在直流電壓穩(wěn)壓器(電源調(diào)節(jié)器)的應(yīng)用中，都會(huì)有一些保護(hù)電路，而這些保護(hù)電路有過電壓保護(hù)、過溫度保護(hù)以及短路電流保護(hù)，其中短路電流保護(hù)可以利用一返送電流限制電路(foldback current limiting circuit)來實(shí)現(xiàn)。返送電流限制的機(jī)制，最常利用階段性改變檢測(cè)電流的大小，來達(dá)到較小的限制電流。 圖1與圖2為返送電流限制電路的現(xiàn)有技術(shù)，圖1利用晶體管M皿來檢測(cè)功率晶體管M1Q1的電流，當(dāng)發(fā)生過電流的狀況時(shí)，電阻RS1M上的壓降足以讓晶體管M1Q5導(dǎo)通，此時(shí)會(huì)有一充電電流將M皿的柵極電壓VEQ1給箝制住，達(dá)到初始的限流目的。
在圖1中的晶體管M皿，與電阻Rs皿為返送電流限制電路，目的為短路電流保護(hù)。當(dāng)發(fā)生輸出電壓短路的狀況時(shí)，晶體管M^將關(guān)閉，此時(shí)流過電阻Rs皿的電流增加，所以晶體管M1Q5的充電電流也隨之增加，如此M皿的柵極電壓，將會(huì)被箝制住在更高的電壓準(zhǔn)位，讓短路電流限制在較低的狀態(tài)。 在圖2中，當(dāng)晶體管M2。2檢測(cè)到功率晶體管M2Q1有過電流發(fā)生時(shí)，電阻R2。3上的壓降足夠?qū)⒕w管M22。導(dǎo)通，再利用電阻R2。5將M22。的電流轉(zhuǎn)換成電壓，并且讓晶體管M2。3導(dǎo)通，產(chǎn)生一充電電流將M^的柵極電壓V，給箝制住，與圖1 一樣達(dá)到初始的限流目的。當(dāng)發(fā)生輸出電壓短路的狀況時(shí)，晶體管M222關(guān)閉，導(dǎo)致M223導(dǎo)通、M221關(guān)閉，此時(shí)電阻R2。4將提升晶體管M，的柵極電壓，最終將會(huì)增加晶體管M^的充電電流，讓短路電流限制在較低的狀態(tài)。 不過，圖1與圖2中的電阻Rs做，R2。3， R鵬還有圖2中的晶體管M，，會(huì)受工藝與溫度的變化，而直接影響短路電流限制電路的精準(zhǔn)度。除此之外，現(xiàn)有技術(shù)均有使用到電阻，若要將電流限制在較低的值，勢(shì)必要增加電阻值。在圖1中，還需考慮晶體管M皿所產(chǎn)生的導(dǎo)通阻抗，若晶體管M^的導(dǎo)通阻抗過大，則可能影響到電壓穩(wěn)壓器的正常動(dòng)作。綜合上述說明，提高不同工藝與溫度變化下限流的精準(zhǔn)度，與芯片面積有效率的使用(areaefficiency)，均為本發(fā)明的重點(diǎn)。 因此，本案的發(fā)明人研究出一種返送電流限制電路，尤其是有關(guān)于一種使用主動(dòng)式返送電流限制電路的電源調(diào)節(jié)器，其可改善現(xiàn)有技術(shù)中的不同工藝與溫度變化下限流的精準(zhǔn)度差異大的現(xiàn)狀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是關(guān)于一種電源調(diào)節(jié)器，其是利用一主動(dòng)式返送電流限制電路，進(jìn)而達(dá)成的高精確電壓感測(cè)的目的。
較佳的，該電源調(diào)節(jié)器，其至少包含 —P型功率晶體管，其源極接收一未調(diào)節(jié)的第一電壓源依據(jù)一控制信號(hào)而于漏極產(chǎn)生一被調(diào)節(jié)的第二電壓； —反饋電路，其經(jīng)由對(duì)該第二電壓的分壓產(chǎn)生一反饋信號(hào)； —差動(dòng)放大器，其輸出耦合至該功率晶體管的柵極，其正輸入端耦合至該反饋信號(hào)，其負(fù)輸入端耦合至一參考電壓； —保護(hù)電路，該保護(hù)電路被組態(tài)為限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的第一電流，且當(dāng)?shù)谝浑娏鞒^一預(yù)定值時(shí)，提高該該功率晶體管的柵極的電壓；其中，該保護(hù)電路進(jìn)一步包含一第一直流電流鏡，該第一直流電流鏡包括一對(duì)N型晶體管，該對(duì)N型晶體管柵極對(duì)柵極相接，其中一 N型晶體管柵極與漏極相接為輸入端，另一 N型晶體管的漏極為輸出端；以及
—主動(dòng)式返送電流限制電路，其用以限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的該第一電流，且當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管發(fā)生短路電流時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電流鏡輸出端的電流。
較佳的，該電源調(diào)節(jié)器，其至少包含 —P型功率晶體管，其源極接收一未調(diào)節(jié)的第一電壓源依據(jù)一控制信號(hào)而于漏極產(chǎn)生一被調(diào)節(jié)的第二電壓； —反饋電路，其經(jīng)由對(duì)該第二電壓的分壓產(chǎn)生一反饋信號(hào)； —差動(dòng)放大器，其輸出耦合至該功率晶體管的柵極，其正輸入端耦合至該反饋信號(hào)，其負(fù)輸入端耦合至一參考電壓； —保護(hù)電路，該保護(hù)電路被組態(tài)為限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的第一電流，且當(dāng)?shù)谝浑娏鞒^一預(yù)定值時(shí)，提高該該功率晶體管的柵極的電壓；其中，該保護(hù)電路進(jìn)一步包含一第一直流電流鏡，該第一直流電流鏡包括一對(duì)N型晶體管，該對(duì)N型晶體管柵極對(duì)柵極相接，其中一 N型晶體管柵極與漏極相接為輸入端，另一 N型晶體管的漏極為輸出端；以及
—主動(dòng)式返送電流限制電路，其用以限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的該第一電流，且當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管發(fā)生短路電流時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電流鏡輸入端的電流。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)目的和功效，茲配合圖標(biāo)范例詳細(xì)說明如后。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的范例示意圖； 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的另一范例示意圖； 圖3為用于本發(fā)明的主動(dòng)式返送電流限制電路的一范例示意圖； 圖4 圖5為用于本發(fā)明的主動(dòng)式返送電流限制電路的電路圖； 圖6為用于本發(fā)明的主動(dòng)式返送電流限制電路的另一范例示意圖；以及 圖7 圖8為用于本發(fā)明的主動(dòng)式返送電流限制電路的另一電路圖。主要組件符號(hào)說明
M1Q1 功率晶體管 M1Q2 M1Q5 M1Q6 晶體管 RS1M RS1。2 電阻 M2Q1 功率晶體管 M201 M202 M203 M220 M221 M223 晶體管

R203 R21
V vE
300
M301
M303 M3lM302 M3l0P3
RFB3
丁 '
J"LIM400
M407 M508、ME0P6RFB6
M601
M603 M6IM602 M6I600
:R205 電阻: 電壓
主動(dòng)式返送電流限制電路功率晶體管: 晶體管
;M3。6 晶體管
差動(dòng)放大器反饋電路'I,
LLIM403
信號(hào)M418 晶體管15與M522 晶體管差動(dòng)放大器
反饋電路功率晶體管,4 晶體管,5 M606 晶體管主動(dòng)式返送電流限制電路輸出信號(hào)晶體管輸出信號(hào)M8。7 827 晶體管
I
M7I
LIM701 703
LLIM801 80具體實(shí)施例方式
為了避免短路電流的發(fā)生，本發(fā)明提出一主動(dòng)式的返送電流限制電路(ActiveFoldback Current Limiting Circuit, AFCLC)，將短路電流限制在極低的狀態(tài)，并且降低此時(shí)的功率消耗，避免損壞包裝。 圖3為主動(dòng)式返送電流限制電路及使用該主動(dòng)式返送電流限制電路的電源調(diào)節(jié)器示意圖，該電源調(diào)節(jié)器包括一P型功率晶體管M皿；一反饋電路RFB3 ; —差動(dòng)放大器
0P3 ;—包含N型晶體管電流鏡(由晶體管M^，M3。4所組成)的保護(hù)電路(包含晶體管M，，M3。5， M3。6);以及一不包含電阻的主動(dòng)式返送電流限制電路300，其用以限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管M3Q1的電流，且當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管M皿短路時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電流源中晶體管M，輸出端的電流。 圖4為可使用于圖3該電路300的N_l型主動(dòng)式返送電流限制電路，晶體管M， M418構(gòu)成一返送機(jī)制，其中晶體管M，，M^，M^為一定直流電流源，晶體管M，M^，M^為決定短路限流的大小，而晶體管M41。的柵極接到反饋電壓VFB3，晶體管M414， M418則接到電壓穩(wěn)壓器的輸出端，輸出信號(hào)IUM4Q1 Iu,則接到圖3中晶體管M306的柵極。動(dòng)作原理如下一開始的限流動(dòng)作為，當(dāng)輸出負(fù)載電流有過電流的情況發(fā)生，使得晶體管M，導(dǎo)通，并且產(chǎn)生一充電電流將M皿的柵極電壓給箝制住，所以完成了最初的電流限制(Iu,。)，此時(shí)晶體管M41。、 M414與M418均導(dǎo)通。當(dāng)輸出負(fù)載電流愈大，則輸出電壓將會(huì)下降，所以反饋電壓VFB3也會(huì)下降，當(dāng)反饋電壓V^低于晶體管M，的臨限電壓(Threshold)時(shí)，晶體管M41。關(guān)閉，此 時(shí)晶體管M4。9會(huì)對(duì)晶體管M3。6的柵極放電，于是功率晶體管M3Q1的柵極將被箝制在更高的電 壓準(zhǔn)位，所以達(dá)成了第一階段的返送電流限制(Iumm)。同理，當(dāng)輸出負(fù)載電流繼續(xù)增加，輸 出電壓也持續(xù)下降，若是適當(dāng)設(shè)計(jì)晶體管M414與M418所需的最小導(dǎo)通電壓，也就是M414的最 小導(dǎo)通電壓大于M^的最小導(dǎo)通電壓。所以晶體管M^將會(huì)先關(guān)閉，而晶體管M^會(huì)增加對(duì) 晶體管M3。6柵極的放電電流，于是功率晶體管M3Q1的柵極電壓，將被箝制在比第一階段更高 的電壓準(zhǔn)位，如此完成了第二階段的返送電流限制(IUM4。2)。最后，負(fù)載電流增加到讓輸出 電壓足夠關(guān)閉晶體管M418，此時(shí)晶體管M417再次地增加對(duì)晶體管M3。6柵極的放電電流，然后 完成第三階段的返送電流限制(IUM4。3)。 同理，圖5為可使用于圖3該電路300的P_2型主動(dòng)式返送電流限制電路。在最 初限流發(fā)生時(shí)，晶體管M5。8、M515與M522均導(dǎo)通，當(dāng)階段式的返送機(jī)制啟動(dòng)，晶體管M5。8、M515與 M522會(huì)依序關(guān)閉，如此功率晶體管M3Q1的柵極電壓，將會(huì)被箝制在更高的電壓位準(zhǔn)上。
圖6為主動(dòng)式返送電流限制電路及使用該主動(dòng)式返送電流限制電路的電源調(diào)節(jié) 器示意圖，該電源調(diào)節(jié)器包括一P型功率晶體管M^ ; —反饋電路RFB6 ; —差動(dòng)放大器
0P6 ;—包含N型晶體管電流鏡(由晶體管M,，M,所組成)的保護(hù)電路(進(jìn)一步包含晶體 管M6。2， M6。5， M6。6);以及一不包含電阻的主動(dòng)式返送電流限制電路600，其用以限制流經(jīng)該P(yáng) 型功率晶體管M咖的電流，且當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管M6M短路時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電 流源中晶體管M6。3輸入端的電流。 圖3與圖6相異處在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路300及該主動(dòng)式返送電流限 制電路600分別接于該直流電流鏡的輸出端及該直流電流鏡輸入端。 圖7為可使用于圖6中的該電路600的N_2型主動(dòng)式返送電流限制電路，晶體管 M7。7 718構(gòu)成一返送機(jī)制，其中晶體管M7。7，M711，M715為一定電流，晶體管M7。9，M713，M717為決定 短路限流的大小，而晶體管M710的柵極接到反饋電壓V,，晶體管M^，則接到電壓穩(wěn)壓器 的輸出端，輸出信號(hào)Iu訓(xùn)卜7。3則接到圖6中晶體管M6。2， M6。3的漏極。 其動(dòng)作原理如下一開始的限流動(dòng)作與圖6相同，當(dāng)輸出負(fù)載電流有過電流的情 況發(fā)生，使得晶體管M,導(dǎo)通，并且產(chǎn)生一充電電流將MeM的柵極電壓給箝制住，所以完 成了最初的電流限制(1，。。)，此時(shí)晶體管M，、 Mw與M，均導(dǎo)通。當(dāng)輸出負(fù)載電流愈大， 則輸出電壓將會(huì)下降，所以反饋電壓VFB6也會(huì)下降，當(dāng)反饋電壓VFB6低于晶體管M71。的臨 限電壓時(shí)，晶體管M，關(guān)閉，此時(shí)流過晶體管M,的電流，由原本的I2-(I9+I13+I17)增加為
V -(113+117)，使得晶體管16。6的柵極電壓下降更多，并且增加了對(duì)功率晶體管16。1柵極的 充電電流，而功率晶體管M^的柵極將被箝制在更高的電壓準(zhǔn)位，所以達(dá)成了第一階段的返 送電流限制(IUM7Q1)。同理，當(dāng)輸出負(fù)載電流繼續(xù)增加，輸出電壓也持續(xù)下降，若是適當(dāng)設(shè) 計(jì)晶體管M714與M718所需的最小導(dǎo)通電壓，也就是M714的最小導(dǎo)通電壓大于M718所需的最 小導(dǎo)通電壓。所以晶體管Mm將會(huì)先關(guān)閉，此時(shí)流過晶體管M,的電流，由返送第一階段的
V -a13+i17)增加為I2〃 -Im并且增加了對(duì)功率晶體管MeM柵極的充電電流，如此便完 成了第二階段的返送電流限制(IUM7。2)。最后，負(fù)載電流增加到讓輸出電壓足夠關(guān)閉晶體管 M，，此時(shí)流過晶體管M,的電流為IZ 〃 ，再次地增加對(duì)功率晶體管M^柵極的充電電流， 然后完成第三階段的返送電流限制(IUM7。3)。由于第三階段的返送限流由電流12' 〃所決 定，所以返送限流的誤差就只剩電流12' 〃 ，只要晶體管M^所檢測(cè)到的電流足夠精準(zhǔn)，那返送限流誤差將會(huì)大大的降低。 同理，圖8為P-l型主動(dòng)式返送電流限制電路圖，其P-l型的動(dòng)作原理如下晶體 管M8。7 827構(gòu)成一返送機(jī)制，其中晶體管M8。7、 M814、 M821、 M8。9、 M816與M823為一定電流源，晶體 管M812/813、M819/82。、M826/827的漏極，分別接到晶體管M8。8、M815與M822的柵極，而晶體管M81。/811的 柵極接到反饋電壓VFB6，晶體管M817/818與M824/825的柵極則連接到電壓穩(wěn)壓器的輸出端，而 輸出信號(hào)IUM8Q1 8。3則接到圖6中晶體管M6。2/6。3的漏極。初始的限流動(dòng)作圖6與圖3相同， 當(dāng)輸出負(fù)載電流有過電流的情況發(fā)生，使得晶體管M,導(dǎo)通，并且產(chǎn)生一充電電流將功率晶 體管M^的柵極電壓給箝制住，所以完成了最初的電流限制(IUM8。。)，此時(shí)晶體管M,、M^與 M622并不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)發(fā)生過電流的情況，也就是反饋電壓VFB6低于晶體管M811的臨限電壓 時(shí)，晶體管M^加的漏極電壓將為零，所以晶體管M8。8導(dǎo)通，并且提供一充電電流，使得功率 晶體管M^的柵極電壓被箝制在更高的電壓，如此完成了第一階段的返送電流限(IUM8Q1)， 而反復(fù)重復(fù)這樣的運(yùn)作原理，便可以完成主動(dòng)式返送電流限制。 本發(fā)明所揭示的四種主動(dòng)式返送電流限制電路亦可交互或同時(shí)應(yīng)用于在同一電 源調(diào)節(jié)器，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可了解，在此不再贅述。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，在不背離本發(fā) 明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和 變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，至少包含一P型功率晶體管，其源極接收一未調(diào)節(jié)的第一電壓源依據(jù)一控制信號(hào)而于漏極產(chǎn)生一被調(diào)節(jié)的第二電壓；一反饋電路，其經(jīng)由對(duì)該第二電壓的分壓產(chǎn)生一反饋信號(hào)；一差動(dòng)放大器，其輸出耦合至該功率晶體管的柵極，其正輸入端耦合至該反饋信號(hào)，其負(fù)輸入端耦合至一參考電壓；一保護(hù)電路，該保護(hù)電路被組態(tài)為限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的第一電流，且當(dāng)?shù)谝浑娏鞒^一預(yù)定值時(shí)，提高該該功率晶體管的柵極的電壓；其中，該保護(hù)電路進(jìn)一步包含一第一直流電流鏡，該第一直流電流鏡包括一對(duì)N型晶體管，該對(duì)N型晶體管柵極對(duì)柵極相接，其中一N型晶體管柵極與漏極相接為輸入端，另一N型晶體管的漏極為輸出端；以及一主動(dòng)式返送電流限制電路，其用以限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的該第一電流，且當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管發(fā)生短路電流時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電流鏡輸出端的電流。
2. 如權(quán)利要求l所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路至少包含一多組的電流源，且該電流源為P型晶體管所組成；一多組的N型晶體管電流鏡，該多組的電流鏡其輸入分別接于該多組的電流源，其輸 出接于該第一直流電流鏡的輸出；以及一多組的N型晶體管開關(guān)，其用以控制該多組的N型晶體管電流鏡是否導(dǎo)通。
3. 如權(quán)利要求1所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路至少包含一多組的電流源，且該電流源為P型晶體管所組成；一多組的反向器，該多組的反向器其P型晶體管的源極分別由該多組的電流源供給電 流；以及一多組的P型晶體管開關(guān)，其用以控制該多組的P型晶體管電流源是否供給電流至該 第一直流電流鏡的輸出，而其柵極耦合于該多組的反向器的輸出；其中，該多組的P型晶體 管電流鏡其輸出耦合于該第一直流電流鏡的輸出。
4. 如權(quán)利要求2所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路的N型晶 體管開關(guān)的一耦合于該P(yáng)型功率晶體管的漏極。
5. 如權(quán)利要求2所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路的N型晶 體管開關(guān)的一耦合于該反饋電路的輸出。
6. 如權(quán)利要求2所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路的N型晶 體管開關(guān)其臨限電壓依照該第二電壓與該功率晶體管的短路電流的所需而設(shè)定。
7. 如權(quán)利要求3所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路的反向 器的一輸入端耦合于該P(yáng)型功率晶體管的漏極。
8. 如權(quán)利要求3所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路的反向 器的一輸入端耦合于該反饋電路的輸出。
9. 如權(quán)利要求3所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，的主動(dòng)式返送電流限制電路的反向 器中的N型晶體管其臨限電壓依照該第二電壓與該功率晶體管的短路電流的所需而設(shè)定。
10. —種電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，至少包含一 P型功率晶體管，其源極接收一未調(diào)節(jié)的第一電壓源依據(jù)一控制信號(hào)而于漏極產(chǎn)生一被調(diào)節(jié)的第二電壓；一反饋電路，其經(jīng)由對(duì)該第二電壓的分壓產(chǎn)生一反饋信號(hào)；一差動(dòng)放大器，其輸出耦合至該功率晶體管的柵極，其正輸入端耦合至該反饋信號(hào)，其負(fù)輸入端耦合至一參考電壓；一保護(hù)電路，該保護(hù)電路被組態(tài)為限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的第一電流，且當(dāng)?shù)谝浑娏鞒^一預(yù)定值時(shí)，提高該該功率晶體管的柵極的電壓；其中，該保護(hù)電路進(jìn)一步包含一第一直流電流鏡，該第一直流電流鏡包括一對(duì)N型晶體管，該對(duì)N型晶體管柵極對(duì)柵極相接，其中一 N型晶體管柵極與漏極相接為輸入端，另一 N型晶體管的漏極為輸出端；以及一主動(dòng)式返送電流限制電路，其用以限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的該第一電流，且當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管發(fā)生短路電流時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電流源輸入鏡的電流。
11. 如權(quán)利要求io所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路至少包含一多組的電流源，且該電流源為P型晶體管所組成；一多組的N型晶體管電流鏡，該多組的電流鏡其輸入分別接于該多組的電流源，其輸出接于該第一直流電流鏡的輸出；以及一多組的N型晶體管開關(guān)，其用以控制該多組的N型晶體管電流鏡的輸出端的源極是否接地。
12. 如權(quán)利要求IO所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路至少包含一多組的電流源，且該電流源為P型晶體管所組成；一多組的第一反向器，該多組的第一反向器其P型晶體管的源極分別由該多組的電流源供給電流；一多組的第二反向器，該多組的第二反向器其輸入端分別耦合至該多組的第一反向器的一輸出端；以及一多組的P型晶體管開關(guān)，其用以控制該多組的P型晶體管電流鏡是否供給電流至該第一電流鏡的輸出，而其柵極耦合于該多組的第二反向器的輸出；其中，該多組的P型晶體管電流鏡其輸出耦合于該第一電流鏡的輸出。
13. 如權(quán)利要求ll所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路的N型晶體管開關(guān)的一耦合于該P(yáng)型功率晶體管的漏極。
14. 如權(quán)利要求ll所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路的N型晶體管開關(guān)的一耦合于該反饋電路的輸出。
15. 如權(quán)利要求ll所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路的N型晶體管開關(guān)其臨限電壓依照該第二電壓與短路電流的所需而設(shè)定。
16. 如權(quán)利要求12所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路的第一反向器的一輸入端耦合于該P(yáng)型功率晶體管的漏極。
17. 如權(quán)利要求12所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路的第一反向器的一輸入端耦合于該反饋電路的輸出。
18. 如權(quán)利要求12所述的電源調(diào)節(jié)器，其特征在于，該主動(dòng)式返送電流限制電路的第一反向器的N型晶體管其臨限電壓依照該第二電壓與短路電流的所需而設(shè)定'
全文摘要
本發(fā)明主要為電源調(diào)節(jié)器，其包括一P型功率晶體管；一反饋電路；一差動(dòng)放大器；一包含N型晶體管電流鏡的保護(hù)電路；以及一不包含電阻的主動(dòng)式返送電流限制電路。當(dāng)該P(yáng)型功率晶體管發(fā)生短路電流時(shí)，增加該保護(hù)電路中該直流電流鏡輸出端的電流以限制流經(jīng)該P(yáng)型功率晶體管的電流。本發(fā)明亦揭示一主動(dòng)式返送電流限制電路其亦可增加該保護(hù)電路中該直流電流源輸入端的電流達(dá)到相同目的。
文檔編號(hào)G05F1/573GK101739053SQ20081016189
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月13日
發(fā)明者簡銘宏 申請(qǐng)人:盛群半導(dǎo)體股份有限公司