專利名稱：用于電源電流感測及壓降損失補(bǔ)償?shù)目删幊绦Ｕ娐返闹谱鞣椒?br>
交叉引用根據(jù)35 U.S.C.§119，本申請(qǐng)要求申請(qǐng)日為2003年6月30日提供出的美國臨時(shí)申請(qǐng)60/484105的優(yōu)先權(quán)，這里其以參考的形式全文本申請(qǐng)。
背景技術(shù)：
人們一般會(huì)使用多相電壓調(diào)節(jié)器而不是單相電壓調(diào)節(jié)器，這是因?yàn)槠淠墚a(chǎn)生更高的電流輸出、更快地瞬時(shí)響應(yīng)，并能更有效地應(yīng)用在微處理器的電源中。由于各個(gè)元件與電源裝置不相匹配，因此負(fù)載電流并不自始至終地平衡分配到多相調(diào)節(jié)器的所有相位上，從而使多相電源中一個(gè)或多個(gè)相位上的功率裝置出現(xiàn)過熱以及工作不佳。為了克服這個(gè)問題，可用有效電流共享來使各個(gè)相位上的電流達(dá)到平衡。這就需要有一個(gè)電流檢測電路。由于檢測電阻工作效率低并且價(jià)格較貴，因此可用其它電阻元件如MOSFET功率的RDSon、感應(yīng)器的DCR、以及軌跡板來檢測電源中每一相的源電流。這些元件之間會(huì)根據(jù)環(huán)境的不同以及生產(chǎn)的變化而出現(xiàn)很大的變化。在歷史上，用這些元件來檢測電流曾引起不同相位之間電流的不匹配?，F(xiàn)在還沒有很好的方案能夠解決這個(gè)問題。
在電源中需要用壓降功能來根據(jù)輸出電流使輸出電壓自動(dòng)壓降。該性能可在負(fù)載瞬間應(yīng)答時(shí)提供更多的余量，并且還能減少輸出電容的數(shù)量，從而在滿足所需電壓容差的條件下降低成本。該壓降由處理器的生產(chǎn)商來設(shè)定，并根據(jù)調(diào)節(jié)器輸出電流的性能確定。因此，壓降的精度直接關(guān)系到電流檢測的精度。
現(xiàn)在有許多方法都能根據(jù)所檢測的電流來設(shè)定壓降。例如，一種方法是限制電流模式電源中誤差放大器的DC增益，將參考電壓降低一比率(該比率與整個(gè)電流相關(guān))，根據(jù)整個(gè)電流的比率提高回饋值，或者是根據(jù)整個(gè)電流的比率降低誤差。所有這些技術(shù)都需要精確的電流檢測以及精確的比率設(shè)定值以便負(fù)載電流調(diào)節(jié)輸出電壓。在歷史上，由于電流檢測的不佳以及處理器批生產(chǎn)的不同，精確地設(shè)定壓降也曾是一個(gè)很主要的問題。
當(dāng)前，壓降的設(shè)定值是固定的，因此一旦系統(tǒng)建成，那么除非重來，否則壓降率很難改變。如今，處理器對(duì)功率需求會(huì)隨著處理器的不同而不同，即使是那些由同一生產(chǎn)商在同一批生產(chǎn)出來的處理器也是如此。由于壓降的設(shè)定值是固定的，因此該電源不能適應(yīng)于處理器電源的需要。由此，如果其功率參數(shù)超出了電源的范圍，該處理器就廢了。這種處理器上的浪費(fèi)非常不值得并且代價(jià)太大。
影響電流檢測電路的另一個(gè)參數(shù)是溫度。用在電流檢測中的多數(shù)元件具有負(fù)溫度系數(shù)；電路的電阻會(huì)隨著溫度的升高而升高。這種變化會(huì)導(dǎo)致電流的測量值隨著溫度變化而出現(xiàn)不正確的數(shù)值從而使壓降的誤差更大。
本發(fā)明提供一種低成本的自動(dòng)化方法以解決當(dāng)前設(shè)備、系統(tǒng)和方法的上述問題以及其它缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例可以是一種電路，其包括一調(diào)節(jié)電路以及一校正控制電路。該校正控制電路包括一控制器、一個(gè)與非易失存儲(chǔ)器相連的接口、壓降輸出、檢測輸出、負(fù)載電壓輸入以及溫度輸入。該校正控制電路通過檢測輸出、壓降輸出和負(fù)載電壓輸入與調(diào)節(jié)電路相接。該校正控制電路與溫度輸入相接從而接收溫度數(shù)據(jù)。校正控制電路可用溫度數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)檢測輸出和壓降輸出。校正控制電路還與溫度輸入電路和負(fù)載電壓輸入電路相接從而校正該校正數(shù)據(jù)，其中的校正數(shù)據(jù)可保存在非易失存儲(chǔ)器中。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，調(diào)節(jié)電路可以是電壓調(diào)節(jié)器、電流調(diào)節(jié)器、降壓調(diào)節(jié)器、V方形調(diào)節(jié)器、hysteretics或者是其它的功率調(diào)節(jié)器。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)電路可以是一種具有一至無窮的任一數(shù)目相位的多相調(diào)節(jié)器。該控制器為多相調(diào)節(jié)器的每一相都至少具有一個(gè)檢測輸出。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，校正控制電路根據(jù)非易失存儲(chǔ)器中保存的數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)檢測輸出和壓降輸出。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，非易失存儲(chǔ)器中保存了調(diào)節(jié)器的性能參數(shù)以及應(yīng)用的特定功率曲線數(shù)據(jù)。該非易失存儲(chǔ)器既可是單片電路也可是非單片電路。保存在非易失存儲(chǔ)器中用于壓降輸出電路和檢測輸出電路的數(shù)據(jù)可基于負(fù)載電壓輸入和溫度輸入。在一實(shí)施例中，調(diào)節(jié)電路校正數(shù)據(jù)可保存在非易失存儲(chǔ)器的查詢表中。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，壓降輸出和檢測輸出包括一個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其帶有寄存輸入和放大器的緩沖器。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，負(fù)載電壓輸入可包括一個(gè)帶有寄存輸出的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該溫度輸入還可包括一個(gè)帶有寄存輸出的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，同時(shí)該寄存輸出帶有一個(gè)放大器和一個(gè)溫度傳感器。該溫度傳感器可以設(shè)置在電路的內(nèi)部或外部，同時(shí)可以是一個(gè)RTD、電熱調(diào)節(jié)器或者是一個(gè)熱電偶。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，該負(fù)載可包括諸如下面的處理器IntelPentium系列處理器、Intel Centrino系列處理器、Intel Express系列處理器、Intel Xenon系列處理器、Intel Celeron系列處理器、AMDAthlon系列處理器、AMD Duron系列處理器、AMD K6系列處理器、AMDOpteron系列處理器、或者是Power PC Sonnet系列處理器.
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，校正控制電路可包括一個(gè)帶有數(shù)模轉(zhuǎn)換器的溫度輸出，同時(shí)該數(shù)模轉(zhuǎn)換器帶有寄存輸入和一個(gè)放大器的緩沖器。該放大器可以是一種可調(diào)節(jié)放大器，其可通過控制器的溫度輸出電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，校正控制電路可包括一個(gè)到一外部控制器的外部接口。該處理器可監(jiān)測負(fù)載電壓輸入以及溫度輸入。該處理器還可控制檢測輸出、壓降輸出、從非易失存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)、并將數(shù)據(jù)寫入非易失存儲(chǔ)器。這種處理可由一計(jì)算機(jī)、狀態(tài)機(jī)或者是其它控制器來實(shí)施。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，該校正控制電路包括一個(gè)誤差輸出。該輸出可包括一個(gè)帶有寄存輸入和一個(gè)放大緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該輸出可與調(diào)節(jié)器的誤差電路相連接。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，該調(diào)節(jié)電路包括一個(gè)多相時(shí)鐘寄存器、多個(gè)相位、一個(gè)可調(diào)節(jié)的壓降放大器、以及一個(gè)帶有誤差放大器的誤差電路。調(diào)節(jié)器的每一相均可由多相時(shí)鐘發(fā)生器的一相供電，并且其包括一固定寄存器、門驅(qū)動(dòng)器、輸出FET、一電流檢測電路、一可調(diào)節(jié)的檢測放大器、以及一個(gè)脈寬調(diào)制器。該多相時(shí)鐘寄存器可具有N相，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)。同樣，調(diào)節(jié)器可具有N相。多相時(shí)鐘發(fā)生器的一相驅(qū)動(dòng)所述固定寄存器的固定輸入。該固定寄存器驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)器和輸出FET。這些輸出FET驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載。電流檢測電路測出輸出FET的電流并通過可調(diào)節(jié)檢測放大器和脈寬調(diào)制器將其反饋寄存器。該可調(diào)節(jié)檢測放大器還將其送到可調(diào)節(jié)壓降放大器中。該壓降放大器驅(qū)動(dòng)誤差電路。該誤差電路驅(qū)動(dòng)每一相上的脈寬調(diào)制器。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，多相調(diào)節(jié)器包括一個(gè)到一外部控制的接口。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，校正控制電路借助于檢測輸出電路來調(diào)節(jié)每一相的檢測放大器從而與多相調(diào)節(jié)器交互。該校正控制電路還可通過壓降輸出電路來調(diào)節(jié)壓降放大器。此外，該校正控制電路可通過負(fù)載電壓輸入電路來監(jiān)測電流檢測電路的負(fù)載電壓輸出電路。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，電流檢測電路可以是一感應(yīng)器的功率MOSFET DCR的RDSon、一組檢測電阻、或者是一個(gè)軌跡板。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，可以對(duì)可調(diào)節(jié)壓降放大器進(jìn)行調(diào)節(jié)從而補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。同樣可對(duì)檢測放大器進(jìn)行調(diào)節(jié)從而補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
本發(fā)明還包括一種對(duì)一校正控制電路進(jìn)行校正的方法，其中的校正控制電路與一個(gè)給負(fù)載供電的調(diào)節(jié)器相連。本方法首先是估計(jì)出電路負(fù)載的預(yù)期工作參數(shù)。然后可根據(jù)所估出的結(jié)果生成輸出數(shù)據(jù)，并將其保存到非易失存儲(chǔ)器中。調(diào)節(jié)器和校正控制電路均可布置在一個(gè)帶有一負(fù)載的電路中?？蓪?duì)控制電路的負(fù)載電壓輸入和溫度輸入進(jìn)行采樣?？蓪?duì)檢測輸出和壓降輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)直到輸入負(fù)載電壓滿足負(fù)載工作參數(shù)。然后，控制器生成數(shù)據(jù)以便將溫度與檢測輸出以及壓降輸出關(guān)聯(lián)起來，并將該數(shù)據(jù)保存到非易失存貯囂中。在本實(shí)施例中，某些操作可以省略，也可按更好的次序進(jìn)行。在所預(yù)期的工作溫度范圍、不同的相位之間以及所預(yù)期的各個(gè)負(fù)載上重復(fù)上述操作。還可通過一個(gè)外部控制器以及一個(gè)測量設(shè)備來對(duì)本方法進(jìn)行監(jiān)測和控制。其中該外部控制器可生成輸出數(shù)據(jù)，并將其寫入外部存儲(chǔ)器。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，校正控制電路和調(diào)節(jié)器可包括在一個(gè)電路即控制調(diào)節(jié)器中。為了將芯片加工中生產(chǎn)變化所帶來的浪費(fèi)降到最少，本控制調(diào)節(jié)器可用來給芯片供電。其中的控制調(diào)節(jié)器可以從多種控制調(diào)節(jié)器選出，同時(shí)負(fù)載也可是從多種芯片中選出的一種。它倆可布置在同一電路中，由此該芯片就可成為該控制調(diào)節(jié)器的負(fù)載，同時(shí)校正操作可使每一個(gè)控制調(diào)節(jié)器均能根據(jù)每一芯片的特定功率需求來給該芯片供電。這些芯片可以是處理器、RAM、控制器、微處理器、或者其它任何一種功率參數(shù)會(huì)隨著加工或溫度變化而變化的芯片。本實(shí)施例能使芯片加工商能夠在更寬的工作參數(shù)下使用芯片從而減少了芯片的浪費(fèi)，這是因?yàn)橥ㄟ^對(duì)控制調(diào)節(jié)器的校正能夠補(bǔ)償所匹配芯片的特定功率需求。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，校正控制電路用一個(gè)帶有調(diào)節(jié)器的電路來實(shí)現(xiàn)，其中第一采樣溫度數(shù)據(jù)來自溫度輸入電路。然后控制器參考存儲(chǔ)器中保存的、可能與該采樣溫度相關(guān)的校正數(shù)據(jù)。最后，控制器根據(jù)校正后的數(shù)據(jù)來設(shè)定校正控制電路中的檢測輸出和壓降輸出。這些操作可以以預(yù)定的時(shí)間間隔在每個(gè)相位上連續(xù)地重復(fù)進(jìn)行。
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖，其展示了一個(gè)帶有校正控制電路的多相調(diào)節(jié)器的兩個(gè)相位；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖，其展示的是校正控制電路。
具體實(shí)施例方式
顯然，本發(fā)明并限于這里所述的特定的方法、化合物、材料、生產(chǎn)技術(shù)、用法以及應(yīng)用，其可有所變化。顯然，這里所用的術(shù)語僅用來描述本發(fā)明的特定實(shí)施例，并不用來限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。必須注意的是，在說明書和權(quán)利要求書中，單數(shù)形式的“一”或者是“這樣”包括有復(fù)數(shù)的含義，除非上下文另有說明。例如，“一元件”表示一個(gè)或多個(gè)元件，并包括本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其它等同的元件。同樣，“一步驟”或“一方法”也表示一個(gè)或多個(gè)步驟或方法，并可包括多個(gè)子步驟和子方法。所有的連詞均應(yīng)理解成最廣泛的含義。例如，詞“或”在邏輯上應(yīng)理解為“或者是”而不是“排除性的或”，除非上下文另有說明。這里所述的結(jié)構(gòu)也應(yīng)理解為功能上等同的所有這類結(jié)構(gòu)。這里所用的語言應(yīng)理解為與其最接近的含義，除非上下文另有說明。
除非是另有定義，否則這里所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語均與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的相同。這里描述的是優(yōu)選的方法、技術(shù)、設(shè)備和材料，當(dāng)然在本發(fā)明實(shí)際使用或測試中也可使用與之等同或類似的任一種方法、技術(shù)、設(shè)備或材料。這里所述的結(jié)構(gòu)也應(yīng)理解為具有同等功能的所有結(jié)構(gòu)。所有的引用文獻(xiàn)均以全文引用到這里。
本發(fā)明是一種新的革命性的有效電流共享的應(yīng)用，共能使多相調(diào)節(jié)器的各個(gè)相位之間形成近乎完美的電流匹配。本發(fā)明還能提供精確的獨(dú)立于溫度的壓降設(shè)置，其經(jīng)編程可用于該領(lǐng)域中特定的、不斷變化的應(yīng)用場合。這里所公開的電路經(jīng)數(shù)字校正從而能補(bǔ)償電流檢測元件的誤差。該校正數(shù)據(jù)優(yōu)選保存在非易失存儲(chǔ)器中，并在電源的整個(gè)使用壽命期間始終是在這里被重復(fù)使用、修改并重新保存。因此，在啟動(dòng)時(shí)，校正參數(shù)對(duì)電流檢測機(jī)構(gòu)進(jìn)行調(diào)節(jié)，由此使檢測機(jī)構(gòu)在所有相位上的全部增益達(dá)到匹配，同時(shí)不管溫度或負(fù)載如何變化所有相位上的全部電流被平衡分配。
本發(fā)明能夠給負(fù)載在多相電源的所有相位上提供近乎相同的功率。通過在各個(gè)溫度上對(duì)某一特定負(fù)載的壓降及檢測設(shè)置進(jìn)行校正，該電源能夠補(bǔ)償電路中的偏差。該校正數(shù)據(jù)可保存在非易失存儲(chǔ)器中。在各個(gè)相位提供上等同的功率能夠提高負(fù)載的性能。這種校正還能給電源提供必要的設(shè)置以滿足負(fù)載的特定需求。該負(fù)載可以是任意類型的電路。通常，該負(fù)載可以是一個(gè)集成電路處理器、存儲(chǔ)器或者是其它的集成電路。該處理器可包括Intel Pentium系列處理器、Intel Centrino系列處理器、InterExpress系列處理器、Intel Xenon系列處理器、Intel Celeron系列處理器、AMD Athlon系列處理器、AMD Duron系列處理器、AMD K6系列處理器、AMD Opteron系列處理器、或者是Power PC Sonnet系列處理器。負(fù)載也可是存儲(chǔ)器、閃存、集成電路或者是完整系統(tǒng)應(yīng)用中的一種。本發(fā)明還可給一種電路供電，該電路的功率在各個(gè)相位上始終保持不變，不會(huì)隨著溫度的變化而變化。
本發(fā)明還提供一種使用本發(fā)明校正電路的方法。其中的調(diào)節(jié)器可布置在一個(gè)電路中從而使其給一負(fù)載供電。該負(fù)載可以是任何一種需要根據(jù)應(yīng)用來供電的電路。通過一個(gè)連接到編程處理器或狀態(tài)機(jī)上的外部接口，可對(duì)該調(diào)節(jié)器進(jìn)行校正從而滿足負(fù)載的特定載荷需求。可對(duì)負(fù)載電壓和溫度進(jìn)行監(jiān)測，同時(shí)可對(duì)壓降和檢測設(shè)置進(jìn)行調(diào)節(jié)直到負(fù)載電壓滿足負(fù)載參數(shù)?？蓪?duì)應(yīng)于溫度以及壓降和檢測設(shè)置來生成數(shù)據(jù)。然后將數(shù)據(jù)保存到存儲(chǔ)器中。該過程可在所預(yù)期的溫度范圍內(nèi)重復(fù)進(jìn)行?？稍谡麄€(gè)電路的測試和標(biāo)定階段進(jìn)行上述操作。使調(diào)節(jié)器的各個(gè)相位保持一致同時(shí)使調(diào)節(jié)器滿足負(fù)載的特定參數(shù)能夠使電路制造商使用功率需求范圍更寬的負(fù)載。因此，因調(diào)節(jié)器不能滿足其需求而導(dǎo)致浪費(fèi)的負(fù)載數(shù)目可降到最低。此外，由于校正電路能根據(jù)溫度變化來提供設(shè)置，因此負(fù)載的性能也進(jìn)一步提高。
本發(fā)明還可包括一種電路，其包括一調(diào)節(jié)電路以及一校正控制電路。該校正控制電路包括一控制器、一個(gè)與非易失存儲(chǔ)器相連的接口、壓降輸出、檢測輸出、負(fù)載電壓輸入以及溫度輸入。該校正控制電路通過檢測輸出、壓降輸出和負(fù)載電壓輸入與調(diào)節(jié)電路相接。該校正控制電路與所述溫度輸入相接從而接收溫度數(shù)據(jù)。校正控制電路可用溫度數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)檢測輸出和壓降輸出。校正控制還與溫度輸入和負(fù)載電壓輸入相接從而校正該校正數(shù)據(jù)，其中的校正數(shù)據(jù)可保存在非易失存儲(chǔ)器中。
本發(fā)明的調(diào)節(jié)電路可以包括電壓調(diào)節(jié)器、電流調(diào)節(jié)器、降壓調(diào)節(jié)器、V方形調(diào)節(jié)器、hysteretics或者是其它的功率調(diào)節(jié)器。調(diào)節(jié)電路也可是一種具有一至無窮的任一數(shù)目相位的多相調(diào)節(jié)器。該控制器優(yōu)選為多相調(diào)節(jié)器的每一相都至少具有一個(gè)檢測輸出。
本發(fā)明的校正控制電路根據(jù)非易失存儲(chǔ)器中保存的數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)檢測輸出和壓降輸出。
本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器可保存調(diào)節(jié)器的性能參數(shù)以及應(yīng)用的特定功率曲線數(shù)據(jù)。該非易失存儲(chǔ)器既可是單片電路也可是非單片電路。保存在非易失存儲(chǔ)器中用于壓降輸出和檢測輸出的數(shù)據(jù)可基于負(fù)載電壓輸入和溫度輸入。在一實(shí)施例中，調(diào)節(jié)電路校正數(shù)據(jù)可保存在非易失存儲(chǔ)器的查詢表中。
本發(fā)明的輸出可包括一個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其帶有寄存輸入電路和放大器的緩沖器。同時(shí)輸入電路可包括一個(gè)帶有寄存輸出的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該溫度輸入還可包括一個(gè)放大器和一個(gè)溫度傳感器。該溫度傳感器可以設(shè)置在電路的內(nèi)部或外部，同時(shí)可以是一個(gè)RTD、電熱調(diào)節(jié)器或者是一個(gè)熱電偶。
本發(fā)明的校正控制電路可包括一個(gè)溫度輸出，該溫度輸出可包括一個(gè)帶有寄存輸入和一個(gè)放大器的緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該放大器可以是一種可調(diào)節(jié)放大器，其可通過控制器的溫度輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)。
本發(fā)明的電路可包括一個(gè)到一外部控制器的外部接口。該處理器可監(jiān)測負(fù)載電壓輸入以及溫度輸入。該處理器還可控制檢測輸出、壓降輸出、從非易失存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)、并將數(shù)據(jù)寫入非易失存儲(chǔ)器。該處理器可以是一計(jì)算機(jī)、狀態(tài)機(jī)或者是其它任何一種控制器。
該校正控制電路可包括一個(gè)誤差輸出電路。該輸出可包括一個(gè)帶有寄存輸入和一個(gè)放大器的緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該輸出可與調(diào)節(jié)器的誤差電路相連接。
該調(diào)節(jié)電路包括一個(gè)多相時(shí)鐘寄存器、多個(gè)相位、一個(gè)可調(diào)節(jié)的壓降放大器、以及一個(gè)帶有誤差放大器的誤差電路。調(diào)節(jié)器的每一相均可由多相時(shí)鐘發(fā)生器的一相供電，并且其包括一固定寄存器、門驅(qū)動(dòng)器、輸出FET、一電流檢測電路、一可調(diào)節(jié)的檢測放大器、以及一個(gè)脈寬調(diào)制器。該多相時(shí)鐘寄存器可具有N相，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)。同樣，調(diào)節(jié)器可具有N相。多相時(shí)鐘發(fā)生器的一相可驅(qū)動(dòng)所述固定寄存器的固定輸入。該固定寄存器驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)器和輸出FET。這些輸出FET用來驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載。電流檢測電路測出輸出FET的電流并通過可調(diào)節(jié)檢測放大器和脈寬調(diào)制器將其反饋寄存器。該可調(diào)節(jié)檢測放大器還將其送到可調(diào)節(jié)壓降放大器中。該壓降放大器驅(qū)動(dòng)誤差電路。該誤差電路驅(qū)動(dòng)每一相上的脈寬調(diào)制器。該多相調(diào)節(jié)器可包括一個(gè)到外部控制器的接口。
本發(fā)明的校正控制電路借助于通過檢測輸出來調(diào)節(jié)每一相的檢測放大器從而與多相調(diào)節(jié)器交互。該校正控制電路還可通過壓降輸出電路來調(diào)節(jié)壓降放大器。此外，該校正控制電路可通過負(fù)載電壓輸入來監(jiān)測電流檢測電路的負(fù)載電壓輸出。該校正控制電路可調(diào)節(jié)誤差放大器。
該電流檢測電路可包括一感應(yīng)器的功率MOSFET DCR的RDSon、一組檢測電阻、或者是一個(gè)軌跡板。
可以對(duì)可調(diào)節(jié)壓降放大器進(jìn)行調(diào)節(jié)從而補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。同樣可對(duì)檢測放大器進(jìn)行調(diào)節(jié)從而補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
本發(fā)明還包括一種對(duì)校正控制電路進(jìn)行校正的方法，其中的校正控制電路與一個(gè)給負(fù)載供電的調(diào)節(jié)器相連。本方法首先是估計(jì)出電路負(fù)載的預(yù)期工作參數(shù)，然后可根據(jù)所估出的結(jié)果生成輸出數(shù)據(jù)，獲取該輸出數(shù)據(jù)并將其保存到非易失存儲(chǔ)器中。調(diào)節(jié)器和校正控制電路均可布置在一個(gè)帶有一負(fù)載的電路中。之后，可對(duì)調(diào)節(jié)器和負(fù)載之間接口處的負(fù)載電壓輸入進(jìn)行采樣，并對(duì)校正控制電路的溫度輸入進(jìn)行采樣。接著，可對(duì)檢測輸出和壓降輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)直到輸入負(fù)載電壓滿足負(fù)載工作參數(shù)。然后，控制器可生成數(shù)據(jù)以便將溫度與檢測輸出以及壓降輸出關(guān)聯(lián)起來，并將該數(shù)據(jù)保存到非易失存貯囂中。在本發(fā)明的方法中，某些操作可以省略，也可按更好的次序進(jìn)行?？稍谒A(yù)期的工作溫度范圍、在不同的相位之間以及所預(yù)期的各個(gè)負(fù)載上重復(fù)上述操作。還可通過一個(gè)外部控制器以及一個(gè)測量設(shè)備來對(duì)本方法進(jìn)行監(jiān)測和控制。其中的外部控制器可生成輸出數(shù)據(jù)，并將其寫入外部存儲(chǔ)器。
校正控制電路和調(diào)節(jié)器可包括在一個(gè)電路即控制調(diào)節(jié)器中。為了將芯片加工中生產(chǎn)變化所帶來的浪費(fèi)降到最少，本控制調(diào)節(jié)器可用來給芯片供電。該控制調(diào)節(jié)器可以從多種控制調(diào)節(jié)器中選出，同時(shí)負(fù)載也可是從多種芯片中選出的一種。它倆可布置在同一電路中，由此該芯片就可成為該控制調(diào)節(jié)器的負(fù)載，同時(shí)該校正操作可使每一個(gè)控制調(diào)節(jié)器均能根據(jù)每一芯片的特定功率需求來給該芯片供電。這些芯片可以是處理器、RAM、控制器、微處理器、或者其它任何一種功率參數(shù)會(huì)隨著加工或溫度變化而變化的芯片。本實(shí)施例能使芯片加工商能夠在更寬的工作參數(shù)下使用芯片從而減少了芯片的浪費(fèi)，這是因?yàn)橥ㄟ^對(duì)控制調(diào)節(jié)器的校正能夠補(bǔ)償所匹配芯片的特定功率需求。在本發(fā)明的另一應(yīng)用中，該負(fù)載也可是任意一種完整的由多個(gè)部件構(gòu)成的應(yīng)用系統(tǒng)。
本發(fā)明的負(fù)載可包括諸如下面的處理器Intel Pentium系列處理器、Intel Centrino系列處理器、Intel Express系列處理器、Intel Xenon系列處理器、Intel Celeron系列處理器、AMD Athlon系列處理器、AMDDuron系列處理器、AMD K6系列處理器、AMD Opteron系列處理器、PowerPC Sonnet系列處理器、或者是任意一種集成電路處理器。負(fù)載也可是存儲(chǔ)器、閃存、集成電路或者是完整的應(yīng)用系統(tǒng)應(yīng)用中的一種。
校正控制電路可用一個(gè)帶有調(diào)節(jié)器的電路來實(shí)現(xiàn)，其中第一采樣溫度數(shù)據(jù)來自溫度輸入。然后控制器參考存儲(chǔ)器中保存的、可能與該采樣溫度相關(guān)的校正數(shù)據(jù)。最后，控制器根據(jù)校正后的數(shù)據(jù)來設(shè)定校正控制電路中的檢測輸出和壓降輸出。這些操作可以以預(yù)定的時(shí)間間隔在每個(gè)相位上按照實(shí)際有益的次序連續(xù)地重復(fù)進(jìn)行。
參見附圖，圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖，其展示了一個(gè)帶有校正控制電路190的多相調(diào)節(jié)器的兩相。該多相發(fā)生器可以是一個(gè)相位數(shù)目從1到無窮的多相發(fā)生器。每一相上的多相時(shí)鐘發(fā)生器100均驅(qū)動(dòng)相位控制固定寄存器110的固定輸入。該寄存器反過來再驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)器120和輸出FET 130從而為特定的相位輸出產(chǎn)生功率源。
電流檢測電路140可布置在輸出FET 130和負(fù)載165之間。該電流檢測電路可通過以下測量操作來實(shí)現(xiàn)檢測寄存器之間的電流，輸出FET驅(qū)動(dòng)器上的RDS，DCR電路上感應(yīng)器之間的電流，或者是軌跡板電阻之間的電流。無論電流檢測電路如何實(shí)現(xiàn)，電流檢測電路均通過可調(diào)節(jié)檢測放大器150和一個(gè)脈寬調(diào)制器160反饋到調(diào)節(jié)電路。可通過校正控制電路190來對(duì)可調(diào)節(jié)檢測放大器進(jìn)行調(diào)節(jié)。該可調(diào)節(jié)檢測放大器150控制電流檢測電路中的變化。通過對(duì)可調(diào)節(jié)檢測放大器150反饋增益的調(diào)節(jié)，每一相上電流檢測電路中的變化均能平衡從而使多相調(diào)節(jié)器每一相所看到的負(fù)載相等。
可調(diào)節(jié)檢測放大器150的輸出電路驅(qū)動(dòng)脈寬調(diào)制器160(PWM)的電流檢測輸入從而給功率輸出FET 130產(chǎn)生合適脈寬的信號(hào)從而對(duì)輸出功率進(jìn)行調(diào)節(jié)?？烧{(diào)節(jié)檢測放大器150還將共享的輸入端口驅(qū)動(dòng)到可調(diào)節(jié)壓降放大器180。該可調(diào)節(jié)壓降放大器180可用來調(diào)節(jié)電流檢測電路140之間的壓降損失?？烧{(diào)節(jié)壓降放大器180的調(diào)節(jié)操作可用來驅(qū)動(dòng)一誤差電路。調(diào)節(jié)后的電壓驅(qū)動(dòng)電路可與誤差放大器175處的參考電壓進(jìn)行對(duì)比從而給脈寬調(diào)制器160產(chǎn)生電壓差。調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓降放大器180相當(dāng)于對(duì)參考電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)?？赏ㄟ^校正控制電路190對(duì)負(fù)載電壓165進(jìn)行監(jiān)測。
誤差放大器175的輸出驅(qū)動(dòng)每一個(gè)脈寬調(diào)制器160的一端口從而補(bǔ)償壓降損失。各個(gè)脈寬調(diào)制器160的輸出均驅(qū)動(dòng)其相關(guān)聯(lián)的相位控制固定寄存器110從而對(duì)輸出FET 130進(jìn)行控制。
電流檢測電路140還會(huì)隨著工作而變化。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，溫度傳感器210，其與可調(diào)節(jié)溫度放大器200在一行，并與校正控制電路190進(jìn)行交互，可用來監(jiān)測工作溫度的變化。該溫度傳感器可布置在調(diào)節(jié)電路或校正控制電路190的內(nèi)部或外部。從溫度傳感器210所接收的數(shù)據(jù)可用來調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓降放大器180和可調(diào)節(jié)檢測放大器150從而隨著溫度變化來調(diào)節(jié)輸出功率。
圖2進(jìn)一步詳細(xì)地展示了圖1中的校正控制電路190。圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖，該校正控制電路通過壓降輸出550來控制對(duì)壓降放大器的調(diào)節(jié)，并通過檢測輸出530來控制對(duì)檢測放大器的調(diào)節(jié)。該校正控制電路的主要部件是控制器500?？刂破?00可以是一個(gè)狀態(tài)機(jī)、處理器或者是其它的一種邏輯設(shè)備。
控制器500通過檢測輸出530來調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)電路的檢測放大器?？刂破?00對(duì)多相調(diào)節(jié)器的每一相都有一個(gè)輸出。在一實(shí)施例中，這些檢測輸出530通過一個(gè)帶有寄存輸入510的數(shù)模轉(zhuǎn)換器和一個(gè)放大器505來與可調(diào)節(jié)檢測放大器進(jìn)行交互。同樣，在一實(shí)施例中，來自控制器500的壓降輸出550也通過一個(gè)帶有寄存輸入600的數(shù)模轉(zhuǎn)換器和一個(gè)放大器640來與可調(diào)節(jié)壓降放大器進(jìn)行交互。此外，在一實(shí)施例中，來自控制器500的溫度輸出560通過一個(gè)帶有寄存輸入610的數(shù)模轉(zhuǎn)換器和一個(gè)放大器650來與可調(diào)節(jié)溫度放大器進(jìn)行交互。
在一實(shí)施例中，控制器通過一個(gè)帶有寄存輸出670的模數(shù)轉(zhuǎn)換器對(duì)來自調(diào)節(jié)電路的負(fù)載電壓輸入570進(jìn)行采樣。同樣，在一實(shí)施例中，控制器通過一個(gè)帶有寄存輸出680的模數(shù)轉(zhuǎn)換器對(duì)來自溫度傳感器的溫度輸入580進(jìn)行采樣。
控制器500與非易失存儲(chǔ)器590進(jìn)行交互，該存儲(chǔ)器590保存有壓降輸出和檢測輸出的溫度相關(guān)設(shè)置。該非易失存儲(chǔ)器590可布置在校正控制電路上，或者是其它的地方?？刂破?00還與一外部控制器進(jìn)行交互，該外部控制器可直接對(duì)調(diào)節(jié)操作進(jìn)行控制，讀取溫度和負(fù)載電壓采樣輸入的狀態(tài)數(shù)值，并且對(duì)非易失存貯內(nèi)容進(jìn)行讀寫。
顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員都清楚在本發(fā)明的構(gòu)思和保護(hù)范圍之內(nèi)還有各個(gè)變化和修改。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)這里公開的內(nèi)容可以顯而易見地得到其它的實(shí)施例。本發(fā)明的說明書和實(shí)施例僅用來示例說明本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種電路，其包括一調(diào)節(jié)電路以及一校正控制電路，其中所述校正控制電路包括一控制器、一個(gè)與非易失存儲(chǔ)器相連的接口、壓降輸出、檢測輸出、負(fù)載電壓輸入以及溫度輸入；其中所述非易失存儲(chǔ)器保存校正數(shù)據(jù)；所述校正控制電路通過所述檢測輸出、所述壓降輸出和所述負(fù)載電壓輸入與所述調(diào)節(jié)電路交互；所述校正控制電路與所述非易失存儲(chǔ)器交互從而保存校正數(shù)據(jù)；所述校正控制電路與溫度輸入相交互從而接收溫度數(shù)據(jù)；所述校正控制電路用所述溫度數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)所述檢測輸出和所述壓降輸出；以及所述校正控制電路還與所述溫度輸入和所述負(fù)載電壓輸入相交互從而校正所述校正數(shù)據(jù)，其中所述校正數(shù)據(jù)保存在所述非易失存儲(chǔ)器中。
2.如權(quán)利要求1的電路，所述調(diào)節(jié)電路從下列一組選取電壓調(diào)節(jié)器、電流調(diào)節(jié)器、降壓調(diào)節(jié)器、V方形調(diào)節(jié)器、hysteretics。
3.如權(quán)利要求1的電路，其中所述調(diào)節(jié)電路從下列一組選取單相調(diào)節(jié)器，兩相調(diào)節(jié)器、多相調(diào)節(jié)器以及N相調(diào)節(jié)器，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)。
4.如權(quán)利要求3的電路，其中所述控制器為多相調(diào)節(jié)器的每一相都至少具有一個(gè)檢測輸出。
5.如權(quán)利要求1的電路，其中所述校正控制電路根據(jù)所述非易失存儲(chǔ)器中保存的數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)所述檢測輸出和所述壓降輸出。
6.如權(quán)利要求1的電路，其中所述非易失存儲(chǔ)器中保存了調(diào)節(jié)器的性能參數(shù)。
7.如權(quán)利要求1的電路，其中所述非易失存儲(chǔ)器保存了應(yīng)用的特定功率曲線數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求1的電路，其中所述非易失存儲(chǔ)器是單片電路或者是非單片電路。
9.如權(quán)利要求1的電路，其中非易失存儲(chǔ)器中保存了用于所述壓降輸出和所述檢測輸出的數(shù)據(jù)，其中所述數(shù)據(jù)基于負(fù)載電壓輸入和溫度輸入。
10.如權(quán)利要求1的電路，其中所述每一個(gè)檢測輸出均包括一個(gè)帶有寄存輸入和一放大器的緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
11.如權(quán)利要求1的電路，其中所述壓降輸出均包括一個(gè)帶有寄存輸入和一放大器的緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
12.如權(quán)利要求1的電路，其中所述校正控制電路包括一溫度輸出，其包括一個(gè)帶有寄存輸入和一放大器的緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
13.如權(quán)利要求1的電路，其中所述負(fù)載電壓輸入可包括一個(gè)帶有寄存輸出的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
14.如權(quán)利要求1的電路，其中所述溫度輸入電路包括一個(gè)溫度傳感器、一個(gè)放大器和一個(gè)帶有寄存輸出的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
15.如權(quán)利要求14的電路，其中所述溫度傳感器從下列一組中選取一個(gè)RTD、電熱調(diào)節(jié)器或者是一個(gè)熱電偶。
16.如權(quán)利要求14的電路，其中所述溫度傳感器要么在電路外部，要么在電路內(nèi)部。
17.如權(quán)利要求14的電路，其中所述校正控制電路包括一溫度輸出，所述放大器是一個(gè)可調(diào)節(jié)放大器，并且所述控制器經(jīng)所述溫度輸出來調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)放大器。
18.如權(quán)利要求1的電路，其中所述校正控制電路包括一個(gè)到一外部控制器的外部接口。
19.如權(quán)利要求18的電路，其中所述到一個(gè)外部控制器的外部接口能使所述外部控制器與所述校正控制電路進(jìn)行交互，監(jiān)測所述負(fù)載電壓輸入，監(jiān)測所述溫度輸入，控制檢測輸出，壓降輸出，讀取所述非易失存儲(chǔ)器，并寫入非易失存儲(chǔ)器。
20.如權(quán)利要求18的電路，其中所述外部控制器從下列一組中選取處理器、計(jì)算機(jī)和狀態(tài)機(jī)。
21.如權(quán)利要求1的電路，其中所述調(diào)節(jié)電路校正數(shù)據(jù)保存在所述非易失存儲(chǔ)器的查詢表中。
22.如權(quán)利要求1的電路，其中所述控制器從下列一組中選取狀態(tài)機(jī)和處理器。
23.如權(quán)利要求1的電路，其中所述校正控制電路包括一個(gè)誤差輸出。
24.如權(quán)利要求23的電路，其中所述誤差輸出電路包括一個(gè)帶有寄存輸入和一個(gè)放大緩沖器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
25.如權(quán)利要求24的電路，其中所述校正控制電路通過所述誤差輸出與所述調(diào)節(jié)器相交互。
26.如權(quán)利要求1的調(diào)節(jié)電路，其進(jìn)一步包括一個(gè)多相時(shí)鐘寄存器、多個(gè)相位、一個(gè)可調(diào)節(jié)的壓降放大器、以及一個(gè)帶有誤差放大器的誤差電路，其中所述調(diào)節(jié)器的每一相均包括一固定寄存器、門驅(qū)動(dòng)器、輸出FET、一電流檢測電路、一可調(diào)節(jié)的檢測放大器、以及一個(gè)脈寬調(diào)制器；并且其中所述多相時(shí)鐘寄存器具有N相，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)；所述多相為N相，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)；所述多相時(shí)鐘發(fā)生器的一相驅(qū)動(dòng)所述固定寄存器的固定輸入；所述固定寄存器驅(qū)動(dòng)所述門驅(qū)動(dòng)器和所述輸出FET；所述這些輸出FET驅(qū)動(dòng)該電路的負(fù)載；所述電流檢測電路測出所述輸出FET的電流并通過所述可調(diào)節(jié)檢測放大器和所述脈寬調(diào)制器將其反饋給所述固定寄存器；所述可調(diào)節(jié)檢測放大器還將其送到所述可調(diào)節(jié)壓降放大器中；所述壓降放大器驅(qū)動(dòng)所述誤差電路；以及所述誤差電路驅(qū)動(dòng)所述每一相上的所述每一個(gè)脈寬調(diào)制器。
27.如權(quán)利要求26的電路，其中所述調(diào)節(jié)器包括一個(gè)從所述多相時(shí)鐘發(fā)生器到一外部控制器的接口。
28.如權(quán)利要求27的電路，其中所述外部控制器從下列一組中選取處理器、計(jì)算機(jī)和狀態(tài)機(jī)。
29.如權(quán)利要求26的電路，其中所述調(diào)節(jié)器包括一個(gè)到所述校正控制電路的接口，其中所述校正控制電路通過以下方式與所述多相調(diào)節(jié)器交互通過所述檢測輸出調(diào)節(jié)每一相中的所述檢測放大器，通過所述壓降輸出來調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)壓降放大器，通過所述負(fù)載電壓輸入電路監(jiān)測所述電流檢測電路的負(fù)載電壓輸出。
30.如權(quán)利要求26的電路，其中所述電流檢測電路從下列一組選取一感應(yīng)器的DCR，一功率MOSFET的RDSon，一組檢測電阻，一個(gè)軌跡板。
31.如權(quán)利要求26的電路，其中所述可調(diào)節(jié)壓降放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
32.如權(quán)利要求26的電路，其中所述可調(diào)節(jié)檢測放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
33.如權(quán)利要求26的電路，其中所述誤差電路包括一個(gè)可調(diào)節(jié)放大器。
34.如權(quán)利要求33的電路，其中所述可調(diào)節(jié)誤差放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
35.如權(quán)利要求34的電路，其中所述校正控制電路包括一個(gè)與所述可調(diào)節(jié)誤差放大器交互的誤差輸出電路。
36.如權(quán)利要求34的電路，其中所述可調(diào)節(jié)誤差放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償誤差電路的變化。
37.一種電路，其包括一個(gè)多相時(shí)鐘寄存器、多個(gè)相位、一個(gè)可調(diào)節(jié)壓降放大器、以及一個(gè)帶有誤差放大器的誤差電路，其中所述調(diào)節(jié)器的每一相均包括一固定寄存器、門驅(qū)動(dòng)器、輸出FET、一電流檢測電路、一可調(diào)節(jié)檢測放大器、以及一個(gè)脈寬調(diào)制器；并且其中所述多相時(shí)鐘寄存器具有N相，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)；所述多相為N相，其中N為1到無窮的一個(gè)整數(shù)；所述多相時(shí)鐘發(fā)生器的一相驅(qū)動(dòng)所述固定寄存器的固定輸入；所述固定寄存器驅(qū)動(dòng)所述門驅(qū)動(dòng)器和所述輸出FET；所述這些輸出FET驅(qū)動(dòng)該電路的負(fù)載；所述電流檢測電路測出所述輸出FET的電流并通過所述可調(diào)節(jié)檢測放大器和所述脈寬調(diào)制器將其反饋給所述固定寄存器；所述可調(diào)節(jié)檢測放大器還將其送到所述可調(diào)節(jié)壓降放大器中；所述壓降放大器驅(qū)動(dòng)所述誤差電路；以及所述誤差電路驅(qū)動(dòng)所述每一相上的所述每一個(gè)脈寬調(diào)制器。
38.如權(quán)利要求37的電路，其中所述多相調(diào)節(jié)器包括一個(gè)從所述多相時(shí)鐘發(fā)生器到一外部控制器的接口。
39.如權(quán)利要求37的電路，其中所述電流檢測電路從下列一組選取一功率MOSFET的RDSon，一感應(yīng)器的DCR，一組檢測電阻，一個(gè)軌跡板。
40.如權(quán)利要求37的電路，其中所述可調(diào)節(jié)壓降放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
41.如權(quán)利要求37的電路，其中所述可調(diào)節(jié)檢測放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
42.如權(quán)利要求37的電路，其中所述誤差電路包括一個(gè)比較器和一個(gè)放大器。
43.如權(quán)利要求42的電路，其中所述誤差放大器是一個(gè)可調(diào)節(jié)放大器。
44.如權(quán)利要求43的電路，其中所述可調(diào)節(jié)誤差放大器經(jīng)調(diào)節(jié)來補(bǔ)償調(diào)節(jié)電路的變化。
45.如權(quán)利要求37的電路，其中所述負(fù)載從下列一組中選取一處理器、存儲(chǔ)器、閃存、以及一集成電路。
46.如權(quán)利要求37的電路，其中所述負(fù)載從下面的處理器選取IntelPentium系列處理器、Intel Centrino系列處理器、Intel Express系列處理器、Intel Xenon系列處理器、Intel Celeron系列處理器、AMDAthlon系列處理器、AMD Duron系列處理器、AMD K6系列處理器、AMDOpteron系列處理器、Power PC Sonnet系列處理器。
47.一種對(duì)校正控制電路進(jìn)行校正的方法，其中的校正控制電路與一個(gè)給一負(fù)載供電的調(diào)節(jié)器相連，該包括如下步驟估計(jì)出所述負(fù)載的預(yù)期工作參數(shù)；根據(jù)所估出的結(jié)果生成一組輸出數(shù)據(jù)；將所述輸出數(shù)據(jù)保存到非易失存儲(chǔ)器中；將所述調(diào)節(jié)器和所述校正控制電路布置在一個(gè)帶有一負(fù)載的電路中；從所述調(diào)節(jié)器之間接口處的負(fù)載電壓輸入對(duì)所述校正控制電路的輸入進(jìn)行采樣；對(duì)校正控制電路的溫度輸入進(jìn)行采樣；對(duì)所述校正控制電路的檢測輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)直到輸入負(fù)載電壓滿足負(fù)載工作參數(shù)。對(duì)所述校正控制電路的壓降輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)直到輸入負(fù)載電壓滿足負(fù)載工作參數(shù)；生成輸出數(shù)據(jù)，其將溫度輸入與檢測輸出以及溫度數(shù)據(jù)與壓降輸出關(guān)聯(lián)起來；以及將生成的數(shù)據(jù)保存到非易失存貯囂中；其中的一個(gè)或多個(gè)步驟可按任一合適的次序進(jìn)行。
48.如權(quán)利要求47的方法，其中的調(diào)節(jié)器是一個(gè)多相調(diào)節(jié)器。
49.如權(quán)利要求47的方法，其中的方法在不同的工作溫度上重復(fù)進(jìn)行。
50.如權(quán)利要求47的方法，其中的非易失存儲(chǔ)器要么是單片電路，要么是非單片電路。
51.如權(quán)利要求47的方法，其中所述輸出數(shù)據(jù)保存在查詢表中。
52.如權(quán)利要求47的方法，其中的方法按不同的負(fù)載重復(fù)進(jìn)行。
53.如權(quán)利要求47的方法，其中所述方法通過一個(gè)外部接口來控制和監(jiān)測。
54.如權(quán)利要求47的方法，其中的校正控制電路和調(diào)節(jié)器是同一電路中的一個(gè)部分。
55.如權(quán)利要求47的方法，其中的負(fù)載電壓用外部測量設(shè)備來測量，所述的輸出數(shù)據(jù)在外部生成，同時(shí)所述的輸出數(shù)據(jù)傳送到所述校正控制電路。
56.如權(quán)利要求47的方法，其中所述校正控制電路由一外部控制器控制，該外部控制器從下列一組選取一處理器、一計(jì)算機(jī)、以及一狀態(tài)機(jī)。
57.如權(quán)利要求47的方法，其中的調(diào)節(jié)器為多相調(diào)節(jié)器，并且該在所述多相調(diào)節(jié)器的每一相上重復(fù)進(jìn)行。
58.如權(quán)利要求57的方法，其中的方法在不同的工作溫度上重復(fù)進(jìn)行。
59.如權(quán)利要求47的方法，其中的方法按不同的負(fù)載重復(fù)進(jìn)行。
60.如權(quán)利要求47的方法，其中所述校正控制電路和所述調(diào)節(jié)器包括在一個(gè)控制調(diào)節(jié)器中。
61.如權(quán)利要求60的方法，其中所述控制調(diào)節(jié)器從多種控制調(diào)節(jié)器中選出，同時(shí)所述負(fù)載是從多種芯片中選出的一種，這樣所述芯片就成為所述控制調(diào)節(jié)器的所述負(fù)載，同時(shí)所述校正操作能使每一個(gè)控制調(diào)節(jié)器均能根據(jù)每一芯片的特定功率需求來給該芯片供電。
62.如權(quán)利要求61的方法，其中所述芯片從下列一組選取處理器、RAM、控制器、以及微處理器。
63.如權(quán)利要求61的方法，其中所述控制調(diào)節(jié)器從下列一組選取單相調(diào)節(jié)器，兩相調(diào)節(jié)器、多相調(diào)節(jié)器以及N相調(diào)節(jié)器，其中N為從1到無窮的一個(gè)整數(shù)。
64.一種使用校正控制電路的方法，其包括以下步驟從溫度輸入電路接收溫度數(shù)據(jù)；參考存儲(chǔ)器中保存的、與所述溫度數(shù)據(jù)相關(guān)的校正數(shù)據(jù)；根據(jù)所述校正后的數(shù)據(jù)來設(shè)定所述校正控制電路中的檢測輸出值；以及根據(jù)所述校正后的數(shù)據(jù)來設(shè)定所述校正控制電路中的壓降輸出值；其中的一個(gè)或多個(gè)步驟可按任一合適的次序進(jìn)行。
65.如權(quán)利要求64的方法，其中的方法以固定的時(shí)間間隔連續(xù)地重復(fù)進(jìn)行。
66.如權(quán)利要求64的方法，其中校正控制調(diào)節(jié)器控制多個(gè)相位，同時(shí)所述方法在所述的多個(gè)相位上重復(fù)進(jìn)行。
67.如權(quán)利要求64的方法，其中所述每一個(gè)檢測輸出均連接到所述調(diào)節(jié)電路的一個(gè)檢測放大器上，同時(shí)所述壓降輸出連接到所述調(diào)節(jié)電路的壓降放大器上。
全文摘要
這里公開了一種用來調(diào)整功率的電路。本發(fā)明提供了一種電路和方法，其用于電流檢測變化、靜態(tài)壓降設(shè)定、不匹配相位輸出以及多相功率調(diào)節(jié)器中溫度變化。該電路可包括一校正控制器，其檢測并調(diào)整電流檢測電路和功率調(diào)節(jié)器在一溫度范圍間的壓降，從而使相位輸出相同。本發(fā)明包括該電路的示意結(jié)構(gòu)和實(shí)施方式，電路的校正、使用及實(shí)施。本發(fā)明所提供的電路和方法最好能根據(jù)處理器或IC芯片特定的功率參數(shù)正確地給處理器或IC芯片供電。
文檔編號(hào)G05D3/12GK1864114SQ200480020635
公開日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2004年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日
發(fā)明者菲瑞頓·泰拜恩, 海姆德·賽達(dá)提, 艾利·海杰茲, 艾哈邁德·阿什瑞贊得 申請(qǐng)人:優(yōu)力半導(dǎo)體有限公司