專利名稱：半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體集成電路器件的技術(shù)，并且特別涉及一種如果應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)線所使用的晶片傳送系統(tǒng)時(shí)有效的技術(shù)。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的多產(chǎn)品形成和循環(huán)時(shí)間的短暫，半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求進(jìn)一步縮短TAT(周轉(zhuǎn)時(shí)間)和縮短工藝處理時(shí)間。隨著半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)的直徑的增加，每個(gè)晶片的重量在增加。因此，用機(jī)器傳送晶片的自動(dòng)處理就成為操縱具有300mm直徑的晶片的自動(dòng)生產(chǎn)線的必備要求。
在處理300mm晶片的半導(dǎo)體生產(chǎn)線中，一般將各種制造設(shè)備分成稱為間隔的設(shè)備組，間隔又按間隔單元布置在一個(gè)潔凈室之內(nèi)。因此，晶片自動(dòng)傳送系統(tǒng)也相應(yīng)地構(gòu)成為分成多個(gè)單元(部分)，例如間隔到間隔傳送、間隔內(nèi)傳送和儲(chǔ)料器。
在這些部分中，在間隔到間隔傳送中，一般使用一種稱為OHS(高架梭車)的吊式傳送方法。在間隔內(nèi)傳送中，使用一種稱為RGV(軌導(dǎo)向車)的傳送車，它在一個(gè)導(dǎo)軌上自動(dòng)地行駛；一種稱為AGV(自動(dòng)導(dǎo)向車)的傳送車，它在非導(dǎo)軌上自動(dòng)地行駛；或與一種吊式傳送方法對(duì)應(yīng)的OHT(高架吊起運(yùn)送)；或其他類似方法。
儲(chǔ)料器分別安排在間隔到間隔傳送與間隔內(nèi)傳送之間的中轉(zhuǎn)位置。晶片傳送裝置(晶片運(yùn)載器)所容納的各晶片暫時(shí)保持在其對(duì)應(yīng)儲(chǔ)料器中，之后將它送入間隔。關(guān)于300mm晶片傳送裝置(晶片運(yùn)載器)，使用一個(gè)稱為FOUP(FOUP前開式一體艙)的裝置，其中使一個(gè)晶片盒和一個(gè)艙(箱)成為一體，以使得有可能以密封狀態(tài)傳送多片晶片，或使用一個(gè)稱為OC(OC開式盒)的裝置，其中使晶片暴露于潔凈室中。
順便地，在1997年12月20日出版的“Monthly SemiconductorWorld”，Press Journal Inc.，pp.131-149，或其他類似文獻(xiàn)中，已經(jīng)描述了處理300mm晶片的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的晶片傳送系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明人的調(diào)查，迄今提出的適合半導(dǎo)體生產(chǎn)線的300mm晶片的晶片傳送系統(tǒng)，在實(shí)現(xiàn)晶片傳送時(shí)間的縮短和改進(jìn)生產(chǎn)線使用效率方面遇到困難，并且特別由于以下問(wèn)題，在縮短傳送周期短的各產(chǎn)品的TAT方面產(chǎn)生了瓶頸。
(1)在生產(chǎn)達(dá)到200mm晶片的半導(dǎo)體生產(chǎn)線中，一種引入的地面行駛式晶片傳送系統(tǒng)需要限制最大行駛速度，并且在傳送區(qū)中需要采取工業(yè)上針對(duì)傳送車(AGV和RGV)所提供的安全措施，以便允許傳送車和人員相互共存。然而，在基于傳送車和人員相互共存的假設(shè)下，由于安全措施妨礙了傳送系統(tǒng)中各輛傳送車的行駛速度的增加，所以限制了晶片傳送時(shí)間的縮短。
(2)一種使用AGV和RGV的地面行駛式晶片傳送系統(tǒng)需要執(zhí)行多個(gè)傳送車的協(xié)同服務(wù)，并且需要構(gòu)成一種實(shí)現(xiàn)復(fù)雜傳送路徑的系統(tǒng)(算法)，以便提高各晶片的傳送能力。然而，由于在這樣的復(fù)雜系統(tǒng)中經(jīng)常出現(xiàn)等待各傳送車所需要的時(shí)間，所以難以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線使用效率的改進(jìn)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠縮短晶片傳送時(shí)間的晶片傳送系統(tǒng)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能夠改進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的使用效率的晶片傳送系統(tǒng)。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種能夠縮短晶片處理時(shí)間的晶片傳送系統(tǒng)。
由本說(shuō)明書的描述和附圖，本發(fā)明的以上和其它目的及新穎特點(diǎn)將變得顯而易見。
如下將簡(jiǎn)短地描述本說(shuō)明書所公開的本發(fā)明的代表性方面的概要。
本發(fā)明目的在于，在通過(guò)使用半導(dǎo)體生產(chǎn)線以及一個(gè)包括間隔站的晶片傳送系統(tǒng)，在晶片上形成集成電路時(shí)，其中將多個(gè)單晶片處理式半導(dǎo)體制造設(shè)備分隔成多個(gè)間隔(設(shè)備組)，并且安裝在一個(gè)潔凈室之內(nèi)，執(zhí)行間隔到間隔傳送和間隔內(nèi)傳送，并且使傳送中轉(zhuǎn)，通過(guò)RGV執(zhí)行晶片間隔內(nèi)傳送，各RGV沿一個(gè)與人員工作區(qū)分開的傳送區(qū)之內(nèi)設(shè)置的單直線傳送軌道，交替地向前和向后移動(dòng)。
RGV在傳送軌道上直線地行駛，這些傳送軌道按照各晶片的要求傳送量和晶片的傳送方式，分別在多個(gè)RGV之間共享，并且多個(gè)RGV的行駛區(qū)分別與其他RGV的行駛區(qū)相互分開。
在各晶片密封在FOUP中的狀態(tài)下，執(zhí)行各晶片的間隔內(nèi)傳送和其間隔到間隔傳送。
通過(guò)減少FOUP所容納的晶片數(shù)，使每個(gè)晶片的處理時(shí)間縮短。


圖1是表示用于半導(dǎo)體生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)傳送系統(tǒng)的總平面圖，說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例；圖2是說(shuō)明圖1所示傳送系統(tǒng)的一部分的平面圖；圖3是描述圖1所示傳送系統(tǒng)的聯(lián)鎖控制方法的平面圖；圖4是畫出圖1所示半導(dǎo)體生產(chǎn)線的晶片傳送區(qū)和工作區(qū)的平面圖；圖5是晶片傳送方法的說(shuō)明圖，適用于安裝在圖1所示的半導(dǎo)體生產(chǎn)線中的各制造設(shè)備；圖6是晶片傳送方法的說(shuō)明圖，適用于安裝在圖1所示的半導(dǎo)體生產(chǎn)線中的各制造設(shè)備；圖7是晶片傳送方法的說(shuō)明圖，適用于安裝在圖1所示的半導(dǎo)體生產(chǎn)線中的各制造設(shè)備；以及圖8是描述本發(fā)明的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的另一個(gè)實(shí)施例的視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將根據(jù)附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。順便地，在用于描述實(shí)施例的所有圖中，具有相同功能的部件用同樣標(biāo)號(hào)識(shí)別，并且將省略它們的重復(fù)描述。
圖1是表示用于半導(dǎo)體制造或生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)傳送系統(tǒng)的總平面圖，它與一種具有300mm直徑的晶片相關(guān)，以及圖2是表示該傳送系統(tǒng)的部分(與3個(gè)間隔對(duì)應(yīng)的區(qū))的平面圖。
將半導(dǎo)體制造中所使用的各種制造設(shè)備1，例如熱處理設(shè)備、離子注入系統(tǒng)、蝕刻系統(tǒng)、淀積設(shè)備、清潔設(shè)備、光刻膠涂層設(shè)備、暴露系統(tǒng)等分成多個(gè)間隔(設(shè)備組)，并且布置在一個(gè)潔凈室CR中。位于潔凈室CR之內(nèi)的晶片傳送系統(tǒng)與這樣的布置相應(yīng)，并且由間隔站(儲(chǔ)料器)BS構(gòu)成，間隔站BS執(zhí)行間隔到間隔傳送和間隔內(nèi)傳送，并且使傳送中轉(zhuǎn)。
間隔到間隔傳送通過(guò)OHS(高架梭車)執(zhí)行，以通過(guò)安裝在潔凈室CR內(nèi)的天花板上的導(dǎo)軌2來(lái)傳送各晶片。另一方面，間隔內(nèi)傳送通過(guò)在潔凈室CR的地板上鋪設(shè)的傳送軌道3上行駛的RGV(軌導(dǎo)向車)(晶片傳送裝置)11來(lái)執(zhí)行。傳送軌道3按照各晶片的要求傳送量和晶片的傳送形式或方式而在多個(gè)RGV 11之間共享。各RGV 11能夠以等效于非導(dǎo)軌上行駛的AGV(自動(dòng)導(dǎo)向車)的速度(60m/s)兩倍或更大的高速運(yùn)行或行駛。
按照本實(shí)施例的晶片傳送系統(tǒng)在于傳送軌道3分別沿間隔直線鋪設(shè)，從而將設(shè)備之間移動(dòng)的RGV 11的行駛設(shè)置為簡(jiǎn)單的直線往返移動(dòng)。將RGV 11的行駛限制為直線往返移動(dòng)使得有可能對(duì)于各傳送區(qū)實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省，并且不需要構(gòu)造一種算法來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的送給或傳送通路或路徑。此外，即使以后改變制造設(shè)備1的布局，本實(shí)施例也能夠靈活地處理它。
而且在按照本實(shí)施例的晶片傳送系統(tǒng)中，各個(gè)RGV 11的行駛區(qū)分別由分隔間(隔壁)4所分開，并且將一個(gè)間隔站BS分配給一個(gè)RGV 11。因此，由于對(duì)分別共享使用傳送軌道3的其他RGV 11無(wú)相互干擾，所以不會(huì)出現(xiàn)等待其他RGV 11的時(shí)間，因此使得有可能提高整個(gè)生產(chǎn)線的生產(chǎn)效率。通過(guò)將一個(gè)間隔站BS分配給一個(gè)RGV 11，能將通過(guò)OHS傳送到間隔站BS的晶片快速地傳遞到RGV 11。也就是，由于晶片能不用通過(guò)供暫時(shí)存儲(chǔ)晶片的儲(chǔ)料器而傳遞，所以能縮短供給晶片所需要的時(shí)間。還能夠使間隔站BS的尺寸減小，并且能實(shí)現(xiàn)潔凈室內(nèi)的空間節(jié)省。
此外，按照本實(shí)施例的晶片傳送系統(tǒng)采用一種結(jié)構(gòu)，其中鋪設(shè)傳送軌道3的傳送區(qū)由分隔間(隔壁)5所包圍，并且在相鄰制造設(shè)備1之間分別裝設(shè)門6，從而將傳送區(qū)和人員工作區(qū)分開，并且防止在生產(chǎn)線操作的人員進(jìn)入傳送區(qū)。在設(shè)備之間裝設(shè)的門6分別與一個(gè)如圖3所示的RGV 11的聯(lián)鎖控制系統(tǒng)連接。當(dāng)門6打開時(shí)，相應(yīng)RGV11立即停止，以便能確保不注意地進(jìn)入傳送區(qū)的人員的安全。當(dāng)人員在生產(chǎn)線非操作時(shí)對(duì)制造設(shè)備1和RGV 11執(zhí)行維護(hù)或其他類似處理而進(jìn)入對(duì)應(yīng)傳送區(qū)時(shí)，人員在打開門6之后進(jìn)入傳送區(qū)。
因此，由于假定傳送區(qū)不與人員在其中共存的條件下設(shè)計(jì)按照本實(shí)施例的晶片傳送系統(tǒng)，所以能放寬工業(yè)提供的針對(duì)RGV 11的安全措施(例如安裝運(yùn)行指示燈、安全傳感器)。還可能增加各RGV 11的最大行駛速度，從而縮短傳送或運(yùn)載時(shí)間。由于RGV 11的行駛限于直線往返移動(dòng)，所以消除了RGV 11在轉(zhuǎn)彎和分支處減速的因素。因此，能夠使各RVG 11在保持最大速度的時(shí)候行駛達(dá)到預(yù)期位置或地點(diǎn)。正是在這點(diǎn)上，能縮短各晶片的傳送時(shí)間。
由于能夠以高速供給晶片，所以就整個(gè)生產(chǎn)線的生產(chǎn)率來(lái)說(shuō)使各RGV的等待時(shí)間的影響減小。因此，還可行的是為了特別大量傳送而使RGV 11等待。能極大地縮短各產(chǎn)品的TAT，其中從接收命令到傳送的周期很短。
由于在按照本實(shí)施例的晶片傳送系統(tǒng)中晶片的傳送區(qū)和人員工作區(qū)相互完全分開，所以如圖4所示，在其間設(shè)置制造設(shè)備1的傳送區(qū)的相對(duì)側(cè)，分別設(shè)有將新制造設(shè)備1運(yùn)入潔凈室內(nèi)，以及將折舊制造設(shè)備1運(yùn)出潔凈室所經(jīng)過(guò)的路徑。由于按照本實(shí)施例的晶片傳送系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)傳送區(qū)的空間節(jié)省，所以能相應(yīng)寬廣地確保設(shè)備的運(yùn)入/運(yùn)出路徑。而且執(zhí)行人員也能在這里操作，例如各設(shè)備的終端操作、其監(jiān)視、各設(shè)備的維護(hù)(室內(nèi)清潔、部件更換、維修、參數(shù)調(diào)節(jié))。
在假定晶片處理的所有步驟都由一個(gè)單晶片處理系統(tǒng)來(lái)處理的條件下，設(shè)計(jì)按照本實(shí)施例的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。
在間隔之間和間隔之內(nèi)的晶片傳送時(shí)，將晶片盒和艙(箱)集成一體，并且使用一個(gè)FOUP(FOUP前開式一體艙)，它能夠以密封狀態(tài)最大容納約25片晶片。由于FOUP是一個(gè)以密封狀態(tài)傳送各晶片的晶片運(yùn)載器，所以各晶片的清潔率能保持在Class 1或較小，而不取決于周圍環(huán)境。因此，由于整個(gè)潔凈室CR可能不用清潔到Class 1或較小，所以能降低潔凈室CR的設(shè)備成本，并且能提高設(shè)計(jì)的自由度。與一個(gè)向潔凈室CR以打開狀態(tài)容納各晶片的開式盒比較，由于FOUP能夠可靠地固定各晶片，所以FOUP的耐沖擊力高，并且適合高速傳送。
通過(guò)安裝在潔凈室CR內(nèi)的天花板上的OHS，將其中容納晶片的FOUP供給預(yù)定間隔內(nèi)其對(duì)應(yīng)間隔站BS，在間隔站將FOUP安裝在對(duì)應(yīng)RGV 11上，并且傳送到間隔內(nèi)的制造設(shè)備1。FOUP在面對(duì)制造設(shè)備1的前面設(shè)有一個(gè)門，并且當(dāng)使門與制造設(shè)備1的裝載機(jī)密切接觸的時(shí)候，將一個(gè)晶片送入設(shè)備。各制造設(shè)備1設(shè)有一個(gè)開門器，以打開/關(guān)閉FOUP的門。因此，關(guān)于制造設(shè)備1的各裝載鎖定室的結(jié)構(gòu)，如圖5所示，例如采用一種系統(tǒng)，以通過(guò)在多個(gè)FOUP 7與裝載鎖定室8之間設(shè)有的個(gè)別傳送機(jī)器人9來(lái)傳送晶片10，而不采用如現(xiàn)有技術(shù)那樣的一種系統(tǒng)，其中以傳送機(jī)器人為中心，在傳送機(jī)器人周圍放射狀地安排多個(gè)室?？蛇x擇地，如圖6所示，可以通過(guò)在多個(gè)FOUP 7與制造設(shè)備1之間設(shè)有的個(gè)別傳送機(jī)器人9來(lái)傳送晶片10，或如圖7所示，可以通過(guò)在一個(gè)FOUP 7與多個(gè)制造設(shè)備1之間設(shè)有的傳送機(jī)器人9來(lái)傳送晶片10。
裝入各制造設(shè)備1的晶片經(jīng)受預(yù)定單晶片處理，其后從制造設(shè)備1卸下，并且容納于FOUP。然后將晶片安裝在對(duì)應(yīng)RGV 11中，并且傳送到另一個(gè)制造設(shè)備1。完成了預(yù)定間隔內(nèi)的處理的晶片容納于FOUP，并且傳送到間隔站BS，通過(guò)OHS進(jìn)一步供給下一個(gè)處理的間隔的間隔站BS，隨后經(jīng)受下一個(gè)單晶片處理。
按照如上所述的布置，各產(chǎn)品(晶片)的大量布置能用少數(shù)組合來(lái)替代，其中將一批例如處理25個(gè)或更多晶片的常規(guī)分批處理設(shè)備用一個(gè)單晶片設(shè)備來(lái)替換，將25片/FOUP變?yōu)?3片/FOUP。結(jié)果，能使每個(gè)FOUP的處理時(shí)間縮短。通過(guò)形成如同1至3片/FOUP的非常少數(shù)組合，能極大地縮短傳送周期短的各產(chǎn)品的TAT。
雖然已經(jīng)根據(jù)實(shí)施例具體地描述了以上由本發(fā)明人所研制的本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。不用說(shuō)在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)的范圍之內(nèi)，能對(duì)其實(shí)現(xiàn)各種各樣的改變。
如圖8所示，例如除了主生產(chǎn)線之外，設(shè)置一個(gè)次生產(chǎn)線，它由一組使用頻率高的制造設(shè)備構(gòu)成，并且例如用于傳送周期短的各產(chǎn)品，從而使得有可能極大地減小TAT。
按照本發(fā)明的生產(chǎn)線，在晶片處理的所有步驟由單晶片處理系統(tǒng)所處理的情況下，縮短TAT的效果成為最大。然而，有些循環(huán)時(shí)間短的制造設(shè)備可以用分批式制造設(shè)備構(gòu)成。
在不要求在潔凈室內(nèi)高速傳送的各區(qū)中，可能不是直線鋪設(shè)傳送軌道?？梢越M合利用多個(gè)RGV的共同入口、轉(zhuǎn)彎運(yùn)行、分支運(yùn)行、低速運(yùn)行等。
分配給一個(gè)RGV的間隔站數(shù)不限于一個(gè)?？梢苑峙涠鄠€(gè)間隔站。可以部分地布置各備有一個(gè)晶片儲(chǔ)料器功能的大容量間隔站。
通過(guò)使得有可能移動(dòng)分隔間(隔壁)，以將傳送區(qū)與工作區(qū)分開，同樣能自由地改變各人員工作區(qū)相對(duì)其對(duì)應(yīng)傳送區(qū)的面積。
即使關(guān)于分配給一個(gè)RGV的制造設(shè)備數(shù)，也可以按照制造設(shè)備的容量對(duì)各個(gè)間隔分配不同的數(shù)，而不使其數(shù)在所有間隔之間相同。還可能提供這樣的靈活性，以便能在操作期間容易地改變它們的分配。
如下簡(jiǎn)短說(shuō)明本申請(qǐng)所公開的本發(fā)明的代表性方面所獲得的效果由于能縮短晶片傳送時(shí)間，所以能縮短傳送周期短的半導(dǎo)體產(chǎn)品的TAT。
由于能改進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的使用效率，所以能縮短傳送周期短的半導(dǎo)體產(chǎn)品的TAT。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，所述制造方法使用一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線和一個(gè)晶片傳送系統(tǒng)，包括間隔到間隔傳送和間隔內(nèi)傳送，以及中轉(zhuǎn)所述傳送的間隔站，在一個(gè)或多個(gè)晶片上形成集成電路，在所述半導(dǎo)體生產(chǎn)線中將多個(gè)半導(dǎo)體制造設(shè)備分隔成多個(gè)間隔(設(shè)備組)，并且安裝在一個(gè)潔凈室之內(nèi)，其中所述各晶片的所述間隔內(nèi)傳送通過(guò)晶片傳送裝置來(lái)執(zhí)行，所述晶片傳送裝置各個(gè)沿一條單直線行駛路徑交替地向前和向后移動(dòng)。
2.按照權(quán)利要求1的制造方法，其中所述晶片傳送裝置是一個(gè)RGV，所述RGV在所述潔凈室的地板上鋪設(shè)的各傳送軌道上，或沿所述傳送軌道行駛。
3.按照權(quán)利要求2的制造方法，其中所述傳送軌道按照所述各晶片的要求傳送量和其傳送方式，分別在多個(gè)RGV之間共享，并且所述多個(gè)RGV的行駛區(qū)分別與其他RGV的行駛區(qū)相互分開。
4.按照權(quán)利要求3的制造方法，其中所述間隔站一個(gè)一個(gè)地分配給每個(gè)RGV。
5.按照權(quán)利要求1的制造方法，其中通過(guò)布置在所述潔凈室內(nèi)的天花板上的導(dǎo)軌來(lái)執(zhí)行所述各晶片的所述間隔到間隔傳送。
6.按照權(quán)利要求1的制造方法，其中在所述各晶片密封在一個(gè)FOUP內(nèi)的狀態(tài)下，執(zhí)行所述各晶片的所述間隔內(nèi)傳送和其所述間隔到間隔傳送。
7.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，所述制造方法通過(guò)使用一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線和一種晶片傳送系統(tǒng)，包括間隔到間隔傳送和間隔內(nèi)傳送，以及中轉(zhuǎn)所述傳送的間隔站，在一個(gè)或多個(gè)晶片上形成集成電路，在所述半導(dǎo)體生產(chǎn)線中將多個(gè)半導(dǎo)體制造設(shè)備分隔成多個(gè)間隔(設(shè)備組)，并且安裝在一個(gè)潔凈室之內(nèi)，其中通過(guò)一個(gè)安裝在所述潔凈室內(nèi)的天花板上的導(dǎo)軌，執(zhí)行所述晶片間隔到間隔傳送，并且在與人員工作區(qū)分開的各傳送區(qū)內(nèi)，執(zhí)行所述晶片間隔內(nèi)傳送。
8.按照權(quán)利要求7的制造方法，其中通過(guò)晶片傳送裝置執(zhí)行所述傳送區(qū)內(nèi)所述各晶片的所述傳送，所述晶片傳送裝置各沿所述潔凈室的地板上設(shè)置的一條單直線行駛路徑，交替地向前和向后移動(dòng)。
9.按照權(quán)利要求8的制造方法，其中在其間設(shè)置所述間隔的所述傳送區(qū)的相對(duì)側(cè)，設(shè)置所述人員工作區(qū)。
10.按照權(quán)利要求9的制造方法，其中所述人員工作區(qū)的面積比所述傳送區(qū)的面積寬。
11.按照權(quán)利要求8的制造方法，其中所述晶片傳送裝置是一個(gè)在所述傳送區(qū)內(nèi)鋪設(shè)的各傳送軌道上行駛的RGV。
12.按照權(quán)利要求11的制造方法，其中所述傳送軌道按照所述各晶片的要求傳送量和其傳送方式，分別在多個(gè)RGV之間共享，并且所述多個(gè)RGV的行駛區(qū)分別與其他RGV的行駛區(qū)相互分開。
13.按照權(quán)利要求12的制造方法，其中所述間隔站一個(gè)一個(gè)地分配給每個(gè)RGV。
14.按照權(quán)利要求7的制造方法，其中在所述各晶片密封在一個(gè)FOUP內(nèi)的狀態(tài)下，執(zhí)行所述各晶片的所述間隔內(nèi)傳送和其所述間隔到間隔傳送。
15.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，所述制造方法通過(guò)使用一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線和一個(gè)晶片傳送系統(tǒng)，包括間隔到間隔傳送和間隔內(nèi)傳送，以及中轉(zhuǎn)所述傳送的間隔站，在多個(gè)晶片上形成集成電路，在所述半導(dǎo)體生產(chǎn)線中將多個(gè)單晶片處理式半導(dǎo)體制造設(shè)備分隔成多個(gè)間隔(設(shè)備組)，并且安裝在一個(gè)潔凈室之內(nèi)，其中所述晶片間隔內(nèi)傳送通過(guò)晶片傳送裝置來(lái)執(zhí)行，所述晶片傳送裝置各沿一條在與人員工作區(qū)分開的各傳送區(qū)之內(nèi)設(shè)置的單直線行駛路徑，交替地向前和向后移動(dòng)。
16.按照權(quán)利要求15的制造方法，其中在所述各晶片密封在一個(gè)晶片運(yùn)載器內(nèi)的狀態(tài)下，執(zhí)行所述晶片間隔內(nèi)傳送和所述間隔到間隔傳送。
17.按照權(quán)利要求16的制造方法，其中通過(guò)改變所述晶片運(yùn)載器內(nèi)所容納的所述晶片數(shù)，使每個(gè)晶片的處理時(shí)間最優(yōu)。
18.按照權(quán)利要求15的制造方法，其中所述晶片傳送裝置是一個(gè)在所述傳送區(qū)內(nèi)鋪設(shè)的各傳送軌道上行駛的RGV。
19.按照權(quán)利要求15的制造方法，其中在其間設(shè)置所述間隔的所述傳送區(qū)的相對(duì)側(cè)，設(shè)置所述人員工作區(qū)。
20.按照權(quán)利要求15的制造方法，其中通過(guò)一個(gè)布置在所述潔凈室內(nèi)的天花板上的導(dǎo)軌，執(zhí)行所述各晶片的所述間隔到間隔傳送。
21.按照權(quán)利要求15的制造方法，其中所述各晶片的直徑是300mm或更大。
全文摘要
通過(guò)在潔凈室的地板上鋪設(shè)的傳送軌道(3)上以高速直線行駛的RGV(軌導(dǎo)向車)，執(zhí)行潔凈室的間隔(設(shè)備組)內(nèi)的晶片的傳送。采用一種結(jié)構(gòu)，其中通過(guò)分隔間(隔壁)(4)將一個(gè)RGV在其上行駛的傳送區(qū)與人員工作區(qū)分開，并且在生產(chǎn)線操作時(shí)人員不進(jìn)入傳送區(qū)。
文檔編號(hào)G05B19/418GK1533601SQ0280842
公開日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2002年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月19日
發(fā)明者若林隆之, 內(nèi)野敏幸, 幸, 木口保雄, 雄, 義, 小池淳義 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技