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一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法

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一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括探測(cè)器、影像校正光譜儀、入射狹縫、匯聚透鏡、瑞利散射濾光片、聚焦物鏡、樣品以及激光器,所述的系統(tǒng)還包括設(shè)置在瑞利散射濾光片與聚焦物鏡之間的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,第一部件為圓形環(huán),第二部件沿所述的圓形環(huán)的徑向延伸,且第二部件的兩端與圓形環(huán)相接,第三部件設(shè)置在第二部件的中心。通過(guò)由采用特殊工藝制成的硅片替換現(xiàn)有光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中的二向色鏡,實(shí)現(xiàn)了熒光的光譜范圍不受任何限制,全波段通光,克服了現(xiàn)有技術(shù)中的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)法檢測(cè)更寬波段的技術(shù)問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型關(guān)于光譜檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,特別是關(guān)于光致發(fā)光光譜的檢測(cè)技術(shù),具體的講是一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]PL(光致發(fā)光,Photoluminescence)光譜測(cè)試在表征半導(dǎo)體材料的缺陷、雜質(zhì)以及材料的發(fā)光性能的研究領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用。市場(chǎng)上典型的光致發(fā)光光譜測(cè)量系統(tǒng)主要由激發(fā)光源(激光器)、樣品室、分光單色儀、光電探測(cè)器和數(shù)據(jù)采集器等部件組成,按照樣品室光路類型劃分通常有圖1所示的宏光路模式和圖2所示的顯微光路模式。
[0003]宏光路模式具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、搭建靈活、光譜探測(cè)范圍寬且成本低的特點(diǎn),因而應(yīng)用范圍較廣,但存在探測(cè)效率低的缺點(diǎn),對(duì)樣品的發(fā)光性能有較高的要求,不利于研究工作的深入開(kāi)展。
[0004]顯微光路模式更加符合材料受激輻射發(fā)光的最佳激發(fā)和收集方式(如圖3所示,垂直激發(fā),垂直接收),激發(fā)效率和收光效率大幅提高,因而探測(cè)效率更高,適用于納米、薄膜等弱發(fā)光材料的發(fā)光性能的檢測(cè)。但其光譜探測(cè)范圍受顯微光路中的二向色鏡(Dichroicmirror)的有效使用范圍的限制,通常難以進(jìn)行寬光譜探測(cè)。以最常見(jiàn)的基于325nm紫外激光器的光致發(fā)光光譜系統(tǒng)為例,其對(duì)應(yīng)的商用的二向色鏡通常的光譜適用范圍僅為380-SOOnm左右,僅能滿足可見(jiàn)光波段測(cè)試需要。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),通常采用325nm或266nm紫外激光器作為激發(fā)光源,米用顯微光路模式,選擇針對(duì)325nm或266nm短波反射,長(zhǎng)波透射的二向色鏡作為關(guān)鍵光學(xué)元件,輔以瑞利散射濾光片等光學(xué)件,經(jīng)光譜儀分光后測(cè)量出其熒光光譜譜圖,其系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖4所示,其中,I為CCD探測(cè)器,2為影像校正光譜儀,3為入射狹縫,4為匯聚透鏡,5為瑞利散射濾光片,6為二向色鏡,7為聚焦物鏡,8為樣品,9為激光器。
[0006]二向色鏡是顯微模式的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的核心部件之一,其光譜適用范圍決定了整套系統(tǒng)的光譜檢測(cè)范圍。通常市售的標(biāo)準(zhǔn)二向色鏡,針對(duì)325nm波長(zhǎng)的光譜適用范圍是380-800nm左右,針對(duì)266nm波長(zhǎng)的光譜適用范圍是280-600nm左右,因此極大的限制了整套系統(tǒng)的光譜檢測(cè)范圍,對(duì)于需要同時(shí)檢測(cè)更寬波段(如380nm-2500nm光譜波段)的研究,顯微光路模式將無(wú)法適用,實(shí)際用戶將不得不采用宏光路模式,但又由于宏光路模式激發(fā)和收光效率低,以至于影響了對(duì)材料光學(xué)性能的研究工作的深入開(kāi)展。
[0007]因此,如何研究和開(kāi)發(fā)出一種新的方案,其能夠檢測(cè)更寬波段是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)難題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)法檢測(cè)更寬波段的技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),通過(guò)由采用特殊工藝制成的硅片替換現(xiàn)有光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中的二向色鏡,實(shí)現(xiàn)了熒光的光譜范圍不受任何限制,全波段通光。
[0009]本實(shí)用新型的目的是,提供一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),所述的系統(tǒng)包括CCD探測(cè)器、影像校正光譜儀、入射狹縫、匯聚透鏡、瑞利散射濾光片、聚焦物鏡、樣品以及激光器,所述的系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述的瑞利散射濾光片與所述的聚焦物鏡之間的硅片。
[0010]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的硅片選用單晶硅棒。
[0011]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。
[0012]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第一部件為圓形環(huán),所述的第二部件沿所述的圓形環(huán)的徑向延伸,且所述第二部件的兩端與所述的圓形環(huán)相接,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。
[0013]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第一部件為橢圓形環(huán),所述的第二部件沿所述的橢圓形環(huán)的長(zhǎng)軸方向延伸,且所述第二部件的兩端與所述的橢圓形環(huán)相接,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。
[0014]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第一部件為矩形環(huán),所述的第二部件沿所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊方向延伸,所述第二部件的兩端與所述的矩形環(huán)相接,且所述第二部件的兩端位于所述矩形環(huán)的短邊的中心,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。
[0015]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊與短邊尺寸相同。
[0016]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第三部件為圓形。
[0017]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第三部件的直徑大于所述第二部件的寬度。
[0018]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第一部件的寬度為lmm-2mm,所述第二部件的寬度小于1mm,所述的第一部件、第二部件的厚度均為200μπι-300μπι。
[0019]本實(shí)用新型的有益效果在于,提供了一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),通過(guò)由采用特殊工藝制成的硅片替換現(xiàn)有光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中的二向色鏡,實(shí)現(xiàn)了熒光的光譜范圍不受任何限制,全波段通光,克服了現(xiàn)有技術(shù)中的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)法檢測(cè)更寬波段的技術(shù)問(wèn)題。
[0020]為讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的宏光路模式的光致發(fā)光光譜測(cè)量系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的微光路模式的光致發(fā)光光譜測(cè)量系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖3為顯微光路模式的垂直激發(fā)、垂直接收示意圖;
[0025]圖4為現(xiàn)有技術(shù)中的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0026]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0027]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中娃片的實(shí)施方式一的俯視圖;
[0028]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式二的俯視圖;
[0029]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式三的俯視圖;
[0030]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式四的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0032]本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)法檢測(cè)更寬波段的技術(shù)問(wèn)題,提出了一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),通過(guò)由采用特殊工藝制成的硅片替換現(xiàn)有光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中的二向色鏡,實(shí)現(xiàn)了熒光的光譜范圍不受任何限制,全波段通光。
[0033]如圖4所示,現(xiàn)有技術(shù)中的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的光譜范圍取決于光路中的二向色鏡的光譜適用范圍。
[0034]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖5所示,本實(shí)用新型提供的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)包括CCD探測(cè)器1、影像校正光譜儀2、入射狹縫3、匯聚透鏡4、瑞利散射濾光片5、聚焦物鏡7、樣品8以及激光器9,所述的系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述的瑞利散射濾光片5與所述的聚焦物鏡7之間的硅片1。
[0035]也即,本實(shí)用新型針對(duì)二向色鏡提出了替代方案,采用硅片來(lái)替換現(xiàn)有技術(shù)中的二向色鏡。本實(shí)用新型中的硅片,選用高品質(zhì)的單晶硅棒,經(jīng)過(guò)切片、倒角、研磨粗加工后,采用化學(xué)腐蝕去除表面受機(jī)械加工應(yīng)力產(chǎn)生的損傷層,再進(jìn)行精密拋光處理,達(dá)到平整度〈3μπι,粗糙度〈0.5nm,最后再切割成圖6-圖9的特殊形狀。
[0036]在本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】中,所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。
[0037]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式一的俯視圖,由圖6可知,在本實(shí)用新型的實(shí)施方式一中,所述的第一部件為圓形環(huán),所述的第二部件沿所述的圓形環(huán)的徑向延伸,且所述第二部件的兩端與所述的圓形環(huán)相接,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。
[0038]在實(shí)際的光路結(jié)構(gòu)中,用圖6所示的硅片取代二向色鏡,硅片中心的圓形部件用于反射紫外激發(fā)光,第一部件(即外圈)以及第二部件(即中間的橫幅)起到支撐、固定夾持的作用,鏤空的部分可以讓材料受激后產(chǎn)生的絕大部分熒光透過(guò),而且熒光的光譜范圍不受任何限制,真正做到全波段通光。
[0039]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式二的俯視圖,由圖7可知,在本實(shí)用新型的實(shí)施方式二中,所述的第一部件為橢圓形環(huán),所述的第二部件沿所述的橢圓形環(huán)的長(zhǎng)軸方向延伸,且所述第二部件的兩端與所述的橢圓形環(huán)相接,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。
[0040]在實(shí)際的光路結(jié)構(gòu)中,用圖7所示的硅片取代二向色鏡,硅片中心的圓形部件用于反射紫外激發(fā)光,第一部件(即外圈)以及第二部件(即中間的橫幅)起到支撐、固定夾持的作用,鏤空的部分可以讓材料受激后產(chǎn)生的絕大部分熒光透過(guò),而且熒光的光譜范圍不受任何限制,真正做到全波段通光。
[0041]圖8為為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式三的俯視圖,由圖8可知,在本實(shí)用新型的實(shí)施方式三中,所述的第一部件為矩形環(huán),所述的第二部件沿所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊方向延伸,所述第二部件的兩端與所述的矩形環(huán)相接,且所述第二部件的兩端位于所述矩形環(huán)的短邊的中心,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。
[0042]在實(shí)際的光路結(jié)構(gòu)中,用圖8所示的硅片取代二向色鏡,硅片中心的圓形部件用于反射紫外激發(fā)光,第一部件(即外圈)以及第二部件(即中間的橫幅)起到支撐、固定夾持的作用,鏤空的部分可以讓材料受激后產(chǎn)生的絕大部分熒光透過(guò),而且熒光的光譜范圍不受任何限制,真正做到全波段通光。
[0043]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中硅片的實(shí)施方式四的俯視圖,由圖9可知,在本實(shí)用新型的實(shí)施方式四中,所述的第一部件為矩形環(huán),所述的第二部件沿所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊方向延伸,所述第二部件的兩端與所述的矩形環(huán)相接,且所述第二部件的兩端位于所述矩形環(huán)的短邊的中心,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心,所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊與短邊尺寸相同。
[0044]在實(shí)際的光路結(jié)構(gòu)中,用圖9所示的硅片取代二向色鏡,硅片中心的圓形部件用于反射紫外激發(fā)光,第二部件(即外圈)以及第二部件(即中間的橫幅)起到支撐、固定夾持的作用,鏤空的部分可以讓材料受激后產(chǎn)生的絕大部分熒光透過(guò),而且熒光的光譜范圍不受任何限制,真正做到全波段通光。
[0045]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第三部件為圓形,且所述的第三部件的直徑大于所述第二部件的寬度。具體的,在實(shí)際的設(shè)計(jì)中,考慮到硅片的非鏤空部分在光路中對(duì)熒光會(huì)有一定的阻擋作用,所以要求用于支撐和固定夾持的外圈和橫幅的部分需要盡可能窄,因此,所述的第一部件的寬度設(shè)置為1_-2_、第二部件的寬度設(shè)置為Imm以下。
[0046]因?yàn)楣杵牧喜馁|(zhì)脆,太窄又不易加工,對(duì)厚度也需要有一定的考慮。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中,所述的第一部件、第二部件的厚度為200μπι-300μπι。在本實(shí)用新型的實(shí)際設(shè)計(jì)中,經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn),最終可選擇合適寬度的單條橫幅,既兼顧了加工件的強(qiáng)度,又盡可能減少了對(duì)于熒光的阻擋。
[0047]綜上所述,本實(shí)用新型提出的一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),通過(guò)由采用特殊工藝制成的硅片替換現(xiàn)有光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)中的二向色鏡,實(shí)現(xiàn)了熒光的光譜范圍不受任何限制,全波段通光,克服了現(xiàn)有技術(shù)中的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)法檢測(cè)更寬波段的技術(shù)問(wèn)題。
[0048]在確保系統(tǒng)架構(gòu)符合材料受激輻射發(fā)光的最佳激發(fā)和收集方式的同時(shí),完全解決了光譜范圍受限于二向色鏡的光譜適用范圍的問(wèn)題,使得基于紫外波段激發(fā)(200-355nm)的材料的光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)的光譜范圍可以得到全光譜釋放,能夠讓研究人員更深入的對(duì)材料發(fā)光性能進(jìn)行進(jìn)一步的研究。
[0049]本實(shí)用新型的技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)和欲保護(hù)點(diǎn)為采用特殊工藝制成的硅材料替代二向色鏡的功能,實(shí)現(xiàn)激發(fā)光的反射以及熒光的收集不受二向色鏡光譜適用范圍的限制,從而實(shí)現(xiàn)全光譜探測(cè)。
[0050]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分流程,可以通過(guò)計(jì)算機(jī)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成,所述的程序可存儲(chǔ)于一般計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中,該程序在執(zhí)行時(shí),可包括如上述各方法的實(shí)施例的流程。其中,所述的存儲(chǔ)介質(zhì)可為磁碟、光盤(pán)、只讀存儲(chǔ)記憶體(Read-Only Memory,ROM)或隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體(Random AccessMemory,RAM)等。
[0051]本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以了解到本實(shí)用新型實(shí)施例列出的各種功能是通過(guò)硬件還是軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)取決于特定的應(yīng)用和整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)于每種特定的應(yīng)用,可以使用各種方法實(shí)現(xiàn)所述的功能,但這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)被理解為超出本實(shí)用新型實(shí)施例保護(hù)的范圍。
[0052]本實(shí)用新型中應(yīng)用了具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述,以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想;同時(shí),對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本實(shí)用新型的思想,在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處,綜上所述,本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng)包括CCD探測(cè)器、影像校正光譜儀、入射狹縫、匯聚透鏡、瑞利散射濾光片、聚焦物鏡、樣品以及激光器,所述的系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述的瑞利散射濾光片與所述的聚焦物鏡之間的硅片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的硅片選用單晶硅棒。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的第一部件為圓形環(huán),所述的第二部件沿所述的圓形環(huán)的徑向延伸,且所述第二部件的兩端與所述的圓形環(huán)相接,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的第一部件為橢圓形環(huán),所述的第二部件沿所述的橢圓形環(huán)的長(zhǎng)軸方向延伸,且所述第二部件的兩端與所述的橢圓形環(huán)相接,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的第一部件為矩形環(huán),所述的第二部件沿所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊方向延伸,所述第二部件的兩端與所述的矩形環(huán)相接,且所述第二部件的兩端位于所述矩形環(huán)的短邊的中心,所述的第三部件設(shè)置在所述的第二部件的中心。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的矩形環(huán)的長(zhǎng)邊與短邊尺寸相同。8.根據(jù)權(quán)利要求3至6任意一項(xiàng)所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的第三部件為圓形。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的第三部件的直徑大于所述第二部件的寬度。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于紫外光激發(fā)的全光譜光致發(fā)光光譜檢測(cè)系統(tǒng),其特征是,所述的第一部件的寬度為lmm-2mm,所述第二部件的寬度小于1mm,所述的第一部件、第二部件的厚度均為200μπι-300μπι。
【文檔編號(hào)】G01N21/64GK205538683SQ201620260865
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】張恒
【申請(qǐng)人】北京卓立漢光儀器有限公司
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