80v高能沖擊波發(fā)生器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種裝置，具體而言涉及一種用于測試LED燈泡性能的80V高能沖擊波發(fā)生器。
【背景技術(shù)】
[0002]為了對臺(tái)灣YAMAHA、重慶YAMAHA的T50型二輪車用BK9燈具進(jìn)行檢測，必須使用80V高能沖擊波發(fā)生器。使用高能沖擊波發(fā)生器對BK9燈具進(jìn)行一定時(shí)長的脈沖沖擊，然后再測試燈具性能?，F(xiàn)在使用的高能沖擊波發(fā)生器設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜、造價(jià)昂貴，而且生產(chǎn)周期長，無法滿足BK9檢測的大量需求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種80V高能沖擊波發(fā)生器，該高能沖擊波發(fā)生器結(jié)構(gòu)簡單，造價(jià)低廉，能夠產(chǎn)生BK9燈具測試所需頻率和強(qiáng)度的脈沖，使用效果好。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取如下技術(shù)方案:
[0005]—種80V高能沖擊波發(fā)生器，包括殼體，殼體內(nèi)安有電源適配器和沖擊波發(fā)生電路板，殼體上安有外電路接口，外電路接口與電源適配器相連，電源適配器與沖擊波電路板相連，沖擊波電路板與待測元件接線端相連，所述沖擊波發(fā)生電路板包括控制電路模塊、推動(dòng)電路模塊、MOS功率開關(guān)及儲(chǔ)能電容，所述控制電路模塊發(fā)出脈沖信號給推動(dòng)電路模塊并控制脈沖時(shí)間，推動(dòng)電路模塊將脈沖信號放大后驅(qū)動(dòng)MOS功率開關(guān)，MOS功率開關(guān)控制儲(chǔ)能電容放電到所述待測元件接線端。
[0006]優(yōu)選的，所述MOS功率開關(guān)由三個(gè)MOS管并聯(lián)而成，所述儲(chǔ)能電容由兩個(gè)電容并聯(lián)
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[0007]優(yōu)選的，所述控制電路模塊采用STM32芯片，在所述殼體上安有交互面板與所述控制電路模塊進(jìn)行通信。
[0008]本實(shí)用新型采用控制電路模塊作為脈沖信號源，并控制脈沖時(shí)間，通過放大電路模塊將脈沖信號放大后驅(qū)動(dòng)MOS功率開關(guān)，進(jìn)而控制儲(chǔ)能電容放電，這就通過較為簡單的結(jié)構(gòu)提供了BK9燈具測試時(shí)所需的頻率和強(qiáng)度的沖擊波。多個(gè)MOS管并聯(lián)和多個(gè)儲(chǔ)能電容并聯(lián)，能夠更好地提高使用的穩(wěn)定性并增強(qiáng)使用效果。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明:
[0011]本80V高能沖擊波發(fā)生器具有殼體，在殼體內(nèi)安有電源適配器和沖擊波發(fā)生電路板，殼體上安有外電路接口，外電路接口與電源適配器相連，電源適配器與沖擊波發(fā)生電路板相連，沖擊波電路板與待測元件接線端相連。沖擊波發(fā)生電路板由多個(gè)模塊組成，包括控制電路模塊、推動(dòng)電路模塊、MOS功率開關(guān)及儲(chǔ)能電容，如圖1所示?？刂齐娐纺K發(fā)出脈沖信號給推動(dòng)電路模塊，可以通過STM32芯片來實(shí)現(xiàn)，由該芯片產(chǎn)生方波信號，同時(shí)還有計(jì)時(shí)功能，并能夠與設(shè)置在殼體上的交互面板進(jìn)行通信，產(chǎn)生的方波信號被推動(dòng)電路模塊內(nèi)的三極管進(jìn)行放大后用于驅(qū)動(dòng)MOS功率開關(guān)進(jìn)行工作。電源適配器為控制電路模塊充電，同時(shí)還為儲(chǔ)能電容充電，儲(chǔ)能電容由兩個(gè)電容并聯(lián)而成，以增大蓄電量，MOS功率開關(guān)控制電容是否放電。為了增加運(yùn)行穩(wěn)定性和提升功率，MOS功率開關(guān)由三個(gè)MOS管并聯(lián)而成。儲(chǔ)能電容與待測元件接線端相連。
[0012]測試時(shí)，將待測元件接在待測元件接線端上，電源適配器同時(shí)也為待測元件供電，然后通過交互面板設(shè)定時(shí)間，由控制電路模塊發(fā)出脈沖信號經(jīng)放大后驅(qū)動(dòng)MOS功率開關(guān)，MOS功率開關(guān)控制儲(chǔ)能電容進(jìn)行放電，產(chǎn)生的沖擊波對待測元件進(jìn)行沖擊。沖擊完畢后再用其他手段測試待測元件受沖擊后的性能。
[0013]本實(shí)施例只是對本實(shí)用新型構(gòu)思和實(shí)現(xiàn)的一個(gè)說明，并非對其進(jìn)行限制，在本實(shí)用新型構(gòu)思下，未經(jīng)實(shí)質(zhì)變換的技術(shù)方案仍然在保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種80V高能沖擊波發(fā)生器，包括殼體，其特征在于，殼體內(nèi)安有電源適配器和沖擊波發(fā)生電路板，殼體上安有外電路接口，外電路接口與電源適配器相連，電源適配器與沖擊波電路板相連，沖擊波電路板與待測元件接線端相連，所述沖擊波發(fā)生電路板包括控制電路模塊、推動(dòng)電路模塊、MOS功率開關(guān)及儲(chǔ)能電容，所述控制電路模塊發(fā)出脈沖信號給推動(dòng)電路模塊并控制脈沖時(shí)間，推動(dòng)電路模塊將脈沖信號放大后驅(qū)動(dòng)MOS功率開關(guān)，MOS功率開關(guān)控制儲(chǔ)能電容放電到所述待測元件接線端。2.如權(quán)利要求1所述的80V高能沖擊波發(fā)生器，其特征在于，所述MOS功率開關(guān)由三個(gè)MOS管并聯(lián)而成，所述儲(chǔ)能電容由兩個(gè)電容并聯(lián)而成。3.如權(quán)利要求1或2所述的80V高能沖擊波發(fā)生器，其特征在于，所述控制電路模塊采用STM32芯片，在所述殼體上安有交互面板與所述控制電路模塊進(jìn)行通信。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種80V高能沖擊波發(fā)生器，該裝置通過控制電路模塊作為脈沖信號源，并控制脈沖時(shí)間，通過放大電路模塊將脈沖信號放大后驅(qū)動(dòng)MOS功率開關(guān)，進(jìn)而控制儲(chǔ)能電容放電。該高能沖擊波發(fā)生器結(jié)構(gòu)簡單，造價(jià)低廉，能夠產(chǎn)生BK9燈具測試所需頻率和強(qiáng)度的脈沖，使用效果好。
【IPC分類】G01R31/44
【公開號】CN205374705
【申請?zhí)枴緾N201620198792
【發(fā)明人】孫俐忠, 李然
【申請人】保定來福汽車照明集團(tuán)有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2016年3月8日