磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路及具備該電路的磁傳感器的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001] 本實用新型設及磁傳感器領域，具體說是一種磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路及具 備該電路的磁傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002] 開關(guān)型的霍爾磁場傳感器巧片在生產(chǎn)的過程由于工藝漂移、封裝應力等因素的影 響，成品的磁場靈敏度會有波動。成品一般通過測試，按照磁場的靈敏度大小進行分類，形 成不同的產(chǎn)品等級出售給客戶。在靈敏度超出或者低于所確定的范圍之外的巧片，將作為 廢品報廢，該將降低了產(chǎn)品的良率。
[0003] 其中，一種現(xiàn)有技術(shù)磁傳感器（CN201080028529)，該專利是調(diào)整霍爾器件的幾何 形狀來調(diào)整靈敏度，調(diào)整幾何形狀后，霍爾器件將變成非對稱結(jié)構(gòu)，不適合單片集成。
[0004] 此外，另一現(xiàn)有技術(shù)一種可編程開關(guān)型霍爾傳感器（CN201410183714)，該專利是 通過改變遲滯比較器的闊值比較電壓來實現(xiàn)靈敏度的調(diào)整，在實際的操作過程中，可能需 要經(jīng)過巧片的多次測試和多次調(diào)整才能達到預定的靈敏度，較為繁瑣。 【實用新型內(nèi)容】
[0005] 本實用新型為解決上述問題，提供了一種磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路及具備該 電路的磁傳感器。
[0006] 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為：
[0007] 一種磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路，包括一霍爾盤HP，還包括一由第十PMOS管 MlO和第^^一PMOS管Mll組成的第一電流鏡、由第一NMOS管Ml和第二NOMS管M2組成的 第二電流鏡、由第^；：NMOS管M7和第八NMOS管M8組成的第^電流鏡，由第^PMOS管M3和 第四NMOS管M4組成的反相器化及一電流源組；所述霍爾盤HP電源端連接所述第一電流鏡 的第二輸出端，所述第一電流鏡的第一輸入端連接所述第一電流鏡的第二輸入端、所述電 流源組輸入端、所述反相器輸入端、一電流源輸入端和系統(tǒng)電源正端，所述第一電流鏡的第 一輸出端連接所述第二電流鏡的第二輸入端、所述第=電流鏡的第二輸入端和一第九NMOS 管M9輸出端，所述第九NMOS管M9輸入端連接所述電流源組輸出端和一第六NMOS管M6輸 入端，所述第六NMOS管M6輸出端連接所述第S電流鏡的第一輸入端和一第五NMOS管M5 輸入端，所述第九NMOS管M9控制端連接所述第五NMOS管M5控制端、所述反相器控制端和 一開關(guān)KO，所述第六NMOS管M6控制端連接所述第SPMOS管M3輸出端和第四NMOS管M4 輸入端，所述電流鏡輸出端連接所述第二電流鏡的第一輸入端，所述第二電流鏡的第一輸 出端連接所述反相器輸出端、所述第五NMOS管M5輸出端、所述第S電流鏡的第一輸出端、 所述第S電流鏡的第二輸出端、所述第二電流鏡的第二輸出端、所述霍爾盤HP接地端和系 統(tǒng)電源負端。
[000引在本實用新型一實施例中，所述電流源組包括N個電流源支路并聯(lián)，所述每個電 流源支路由一電流源和一開關(guān)串聯(lián)組成，其中N為正整數(shù)。
[0009] 在本實用新型一實施例中，一種磁傳感器，該磁傳感器包括權(quán)利要求I中所述的 磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路。
[0010] 本實用新型的有益效果是：
[0011] 本實用新型通過在霍爾傳感器巧片上集成雙向靈敏度調(diào)整電路，對巧片的成品進 行修調(diào)，提高產(chǎn)品良率，并可通過調(diào)整傳感器的靈敏度，產(chǎn)品調(diào)整至目標磁場靈敏度，有效 的針對目標客戶。
【附圖說明】
[0012] 此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構(gòu)成本實用新型的一部 分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的 不當限定。在附圖中：
[0013] 圖1為本實用新型原理框圖；
[0014] 圖2為本實用新型一具體實施例原理圖。
【具體實施方式】
[0015] 為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白，W 下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實 施例僅用W解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0016] 如圖1所示，本實用新型提供一種磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路，包括一霍爾盤 冊，還包括一由第十PMOS管Mio和第^^一PMOS管Mll組成的第一電流鏡、由第一NMOS管 Ml和第二NOMS管M2組成的第二電流鏡、由第^;：NMOS管M7和第八NMOS管M8組成的第^ 電流鏡，由第SPMOS管M3和第四NMOS管M4組成的反相器化及一電流源組；所述霍爾盤HP 電源端連接所述第一電流鏡的第二輸出端，所述第一電流鏡的第一輸入端連接所述第一電 流鏡的第二輸入端、所述電流源組輸入端、所述反相器輸入端、一電流源輸入端和系統(tǒng)電源 正端，所述第一電流鏡的第一輸出端連接所述第二電流鏡的第二輸入端、所述第=電流鏡 的第二輸入端和一第九NMOS管M9輸出端，所述第九NMOS管M9輸入端連接所述電流源組 輸出端和一第六NMOS管M6輸入端，所述第六NMOS管M6輸出端連接所述第S電流鏡的第 一輸入端和一第五NMOS管M5輸入端，所述第九NMOS管M9控制端連接所述第五NMOS管M5 控制端、所述反相器控制端和一開關(guān)K0,所述第六NMOS管M6控制端連接所述第SPMOS管 M3輸出端和第四NMOS管M4輸入端，所述電流鏡輸出端連接所述第二電流鏡的第一輸入端， 所述第二電流鏡的第一輸出端連接所述反相器輸出端、所述第五NMOS管M5輸出端、所述第 =電流鏡的第一輸出端、所述第=電流鏡的第二輸出端、所述第二電流鏡的第二輸出端、所 述霍爾盤HP接地端和系統(tǒng)電源負端。
[0017] 如圖2所示，本實用新型提供一種磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路，包括一霍爾盤 冊，其特征在于：還包括一由第十PMOS管MlO和第^^一PMOS管Mll組成的第一電流鏡、由 第一NMOS管Ml和第二NOMS管M2組成的第二電流鏡、由第^;：NMOS管M7和第八NMOS管M8 組成的第S電流鏡，由第SPMOS管M3和第四NMOS管M4組成的反相器化及一電流源組；所 述霍爾盤HP電源端連接所述第一電流鏡的第二輸出端，所述第一電流鏡的第一輸入端連 接所述第一電流鏡的第二輸入端、所述電流源組輸入端、所述反相器輸入端、一電流源輸入 端和系統(tǒng)電源正端，所述第一電流鏡的第一輸出端連接所述第二電流鏡的第二輸入端、所 述第S電流鏡的第二輸入端和一第九NMOS管M9輸出端，所述第九NMOS管M9輸入端連接 所述電流源組輸出端和一第六NMOS管M6輸入端，所述第六NMOS管M6輸出端連接所述第 S電流鏡的第一輸入端和一第五NMOS管M5輸入端，所述第九NMOS管M9控制端連接所述 第五NMOS管M5控制端、所述反相器控制端和一開關(guān)K0,所述第六NMOS管M6控制端連接所 述第SPMOS管M3輸出端和第四NMOS管M4輸入端，所述電流鏡輸出端連接所述第二電流 鏡的第一輸入端，所述第二電流鏡的第一輸出端連接所述反相器輸出端、所述第五NMOS管 M5輸出端、所述第S電流鏡的第一輸出端、所述第S電流鏡的第二輸出端、所述第二電流鏡 的第二輸出端、所述霍爾盤HP接地端和系統(tǒng)電源負端；所述電流源組包括N個電流源支路 并聯(lián)，所述每個電流源支路由一電流源和一開關(guān)串聯(lián)組成，其中N為正整數(shù)。
[001引優(yōu)選的，本實用新型還包括一種磁傳感器，該磁傳感器包括權(quán)利要求1中所述的 磁傳感器雙向靈敏度調(diào)整電路。
[0019] W下結(jié)合本實用新型的硬件電路說明本實用新型的工