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一種耐壓測(cè)試儀的制作方法_2

文檔序號(hào):8622783閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
間連接有CPLD邏輯器件和EPROM波形文件,在所述CPLD邏輯器件上連接有FLASH文件存儲(chǔ)和MCU處理器,在所述MCU處理器上連接有USB外部存儲(chǔ)和外擴(kuò)掃描通道模塊,所述第一光耦隔離器連接到12位D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器,所述第二光耦隔離器連接到D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
[0015]更進(jìn)一步的,為了能擴(kuò)展容量,在所述外擴(kuò)掃描通道模塊處連接有掃描儀,所述掃描儀為6臺(tái)16通道掃描儀。
[0016]進(jìn)一步的,為了確保功率放大模塊的正常運(yùn)行,在所述功率放大模塊上連接有OTP過(guò)溫度保護(hù)和溫控散熱風(fēng)扇。
[0017]進(jìn)一步的,所述取樣電阻陣列和電弧偵測(cè)取樣處連接有防觸電保護(hù)設(shè)備。
[0018]其中:CPLD邏輯器件(復(fù)雜可編程邏輯器件)可對(duì)MCU處理器的I/O 口進(jìn)行擴(kuò)展;MCU處理器(微控制單元)控制儀器運(yùn)行,數(shù)量處理等;EPR0M波形文件(計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片)用于正弦波數(shù)據(jù)表存儲(chǔ),即使在斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ);FLASH文件存儲(chǔ)用于存儲(chǔ)測(cè)試步驟、設(shè)定電壓、設(shè)定電流、電弧級(jí)別等測(cè)試參數(shù);USB外部存儲(chǔ)的作用是支持USB外部存儲(chǔ),可在不同儀器間拷貝設(shè)定測(cè)試文件;外擴(kuò)掃描通過(guò)模塊的作用是支持外接掃描儀;0CP(over current protect1n)過(guò)電流保護(hù)的作用是采樣回來(lái)流經(jīng)變壓器初級(jí)的電流,判斷是否超過(guò)設(shè)定電流,以作保護(hù);功率放大模塊用于電壓放大,同時(shí)功率放大;高壓變壓器的作用是將功率放大后的正弦波信號(hào)升壓成為高壓交流電壓,交流最大可達(dá)到5000VAC,30mA電流輸出,直流最大可達(dá)到6000VDC,1mA電流輸出;高壓整流的作用是當(dāng)高壓變壓器選擇直流輸出時(shí),將高壓變壓器的交流輸出整流為直流輸出;掃描通道切換模塊的作用是將電壓輸出在不同通道間切換,內(nèi)置模塊包含8通道;電壓取樣電路時(shí)對(duì)輸出電壓進(jìn)行取樣,有高、低兩檔可自動(dòng)切換;取樣電阻陣列是對(duì)輸出電流進(jìn)行取樣,有6個(gè)檔位可自動(dòng)切換,電流測(cè)量更為精準(zhǔn);電弧偵測(cè)取樣的用途是當(dāng)被測(cè)物放置在DUT處出現(xiàn)放電時(shí),會(huì)產(chǎn)生電弧,電弧偵測(cè)取樣偵測(cè)到電話,與業(yè)內(nèi)經(jīng)驗(yàn)劃分的9個(gè)級(jí)別作對(duì)比,以便確定被測(cè)物放電危害程度;防觸電保護(hù)設(shè)備是當(dāng)輸出高壓有解除到人體時(shí),此設(shè)備可以偵測(cè)到流經(jīng)人體的電流,根據(jù)業(yè)內(nèi)規(guī)定的安全電流,保護(hù)人體的安全;差分測(cè)量電路對(duì)采樣回的電壓、電流信號(hào)進(jìn)行放大、整流等處理,以方便測(cè)量;12位D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器是將設(shè)定的電弧級(jí)別、過(guò)電流設(shè)定值一級(jí)待測(cè)量的電壓、電流值轉(zhuǎn)換為模擬量,以供測(cè)量或比較,使測(cè)量快速、準(zhǔn)確。
[0019]針對(duì)各種產(chǎn)品進(jìn)行安規(guī)測(cè)試,給產(chǎn)品施加一個(gè)遠(yuǎn)高于正常工作電壓的電壓,確認(rèn)產(chǎn)品的漏電流是否在安全范圍內(nèi),以保證產(chǎn)品的安全性能,可用于日常電器、線材、電子元件等產(chǎn)品的交流耐壓測(cè)試、直流耐壓測(cè)試和絕緣電阻測(cè)試,檢測(cè)數(shù)據(jù)精準(zhǔn),電器、線材、電子元件后續(xù)使用環(huán)境提供了一個(gè)很好的數(shù)據(jù)對(duì)比。
[0020]需要強(qiáng)調(diào)的是,以上是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施列而已,凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種耐壓測(cè)試儀,其特征在于:包括主控模塊、用于將信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦波的D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器、功率放大模塊、高壓變壓器、差分測(cè)量電路、電弧偵測(cè)和過(guò)電流偵測(cè),所述主控模塊信號(hào)出口連接到D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器,主控模塊信號(hào)進(jìn)口連接到一 12位D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器,所述D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器將信號(hào)轉(zhuǎn)換成正弦波后經(jīng)過(guò)功率放大模塊分兩路:一路連接到高壓變壓器,另一路接地,從高壓變壓器升壓后分兩路:經(jīng)過(guò)高壓繞組HV后連接到電流選擇開(kāi)關(guān),另一路經(jīng)過(guò)低壓繞組LO后連接到內(nèi)部電路接地;電流選擇開(kāi)關(guān)的直流DC 口經(jīng)過(guò)高壓整流器后連接掃描通道切換模塊,電流選擇開(kāi)關(guān)的交流AC 口直接連接到掃描通道切模模塊;掃描通道切換模塊連接被測(cè)試裝置DUT,之后連接到取樣電阻陣列,所述取樣電阻陣列分別連接到差分測(cè)量電路和一電弧偵測(cè)取樣,所述差分測(cè)量電路的進(jìn)口連接一電壓取樣電路,該電壓取樣電路一端連接到掃描通道切換模塊,另一端連接內(nèi)部電路接地,所述差分測(cè)量電路的出口連接第一選擇開(kāi)關(guān),該第一選擇開(kāi)關(guān)的出口連接到比較測(cè)量器后連接到主控模塊;所述電弧偵測(cè)取樣連接到電弧偵測(cè);從所述12位D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器分兩路連接:一路連接到比較測(cè)量器,另一路連接第二選擇開(kāi)關(guān);所述第二選擇開(kāi)關(guān)的電弧級(jí)別偵測(cè)口連接電弧偵測(cè)后連接到主控模塊,第二選擇開(kāi)關(guān)的過(guò)電流保護(hù)設(shè)定口連接到過(guò)電流偵測(cè)后連接到主控模塊,第二選擇開(kāi)關(guān)的輸出電壓設(shè)定口分別連接到D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第三選擇開(kāi)關(guān),所述第三選擇開(kāi)關(guān)連接到第一選擇開(kāi)關(guān)上,所述過(guò)電流偵測(cè)的進(jìn)口還連接一 OCP過(guò)電流保護(hù),該OCP過(guò)電流保護(hù)連接到電流取樣電路,所述電流取樣電路一端接地,電流取樣電路的另一端連接高壓變壓器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐壓測(cè)試儀,其特征在于:所述主控模塊包括用于提供電壓的電源模塊、兩個(gè)進(jìn)行隔離干擾信號(hào)的第一光耦隔離器和第二光耦隔離器、在第一光耦隔離器和第二光耦隔離器之間連接有CPLD邏輯器件和EPROM波形文件,在所述CPLD邏輯器件上連接有FLASH文件存儲(chǔ)和MCU處理器,在所述MCU處理器上連接有USB外部存儲(chǔ)和外擴(kuò)掃描通道模塊,所述第一光耦隔離器連接到12位D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器,所述第二光耦隔離器連接到D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種耐壓測(cè)試儀,其特征在于:在所述外擴(kuò)掃描通道模塊處連接有掃描儀,所述掃描儀為6臺(tái)16通道掃描儀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐壓測(cè)試儀,其特征在于:在所述功率放大模塊上連接有OTP過(guò)溫度保護(hù)和溫控散熱風(fēng)扇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐壓測(cè)試儀,其特征在于:所述取樣電阻陣列和電弧偵測(cè)取樣處連接有防觸電保護(hù)設(shè)備。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種耐壓測(cè)試儀,其特征在于:包括主控模塊、用于將信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦波的D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器、功率放大模塊、高壓變壓器、差分測(cè)量電路、電弧偵測(cè)和過(guò)電流偵測(cè),所述主控模塊信號(hào)出口連接到D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器,主控模塊信號(hào)進(jìn)口連接到一12位D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換器,高壓變壓器經(jīng)過(guò)電流選擇開(kāi)關(guān)后連接到掃描通道切換模塊,掃描通道切換模塊連接被測(cè)試裝置DUT,被檢測(cè)物放置在DUT處,經(jīng)過(guò)取樣電阻陣列將信號(hào)傳遞到電弧偵測(cè)。本實(shí)用新型針對(duì)各種產(chǎn)品進(jìn)行安規(guī)測(cè)試,給產(chǎn)品施加一個(gè)遠(yuǎn)高于正常工作電壓的電壓,確認(rèn)產(chǎn)品的漏電流是否在安全范圍內(nèi),以保證產(chǎn)品的安全性能,可用于日常電器、線材、電子元件等產(chǎn)品的交流耐壓測(cè)試、直流耐壓測(cè)試和絕緣電阻測(cè)試。
【IPC分類】G01R31-12
【公開(kāi)號(hào)】CN204330963
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520029402
【發(fā)明人】唐志娟
【申請(qǐng)人】蘇州茂鼎電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日
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