供成通過垂直延伸部分204A和連接結(jié)構(gòu)204被短路。盡管隨后這樣的磁阻感測元件不提供感測功能性，但是它可以有助于針對每個磁阻感測元件202具有磁阻感測元件202的相同圍繞并且確保每個感測元件以相同方式被圍繞的感測元件影響，不管它們是否是功能性的。
[0064]類似于之前描述的實施例，可以將磁阻感測元件202串聯(lián)、并聯(lián)或并聯(lián)和串聯(lián)兩者連接以形成電阻器。
[0065]此外，關(guān)于圖8和圖9A到D所描述的任何實施例能夠與關(guān)于與之前圖1到7B相關(guān)的實施例所描述的特征組合。比如圖8和9A到D的實施例能夠具有高數(shù)目的感測元件，例如等于或高于一百、等于或高于五百、或等于或高于一千。此外，圖8和9A到D的實施例也能夠被應(yīng)用到除了磁阻傳感器器件之外的器件。
[0066]在以上描述中，在本文中已示出和描述實施例，從而使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠以足夠細節(jié)來實踐在本文中公開的教導。其它實施例可以被采用并且從其獲得，使得可以進行結(jié)構(gòu)和邏輯替代和改變而沒有脫離該公開內(nèi)容的范圍。
[0067]因此該【具體實施方式】不要以限制的意思來理解，并且各種實施例的范圍僅由所附權(quán)利要求連同這樣的權(quán)利要求所賦予的等價物的全部范圍來限定。
[0068]僅出于方便并且沒有意圖主動將該申請的范圍限制到任何單個發(fā)明或發(fā)明構(gòu)思(如果事實上公開多于一個)，發(fā)明主題內(nèi)容的這樣的實施例可以在本文中通過術(shù)語“發(fā)明”個別地和/或集體地涉及。因而，盡管在本文中已圖解和描述特定實施例，但是應(yīng)該意識到被計算成實現(xiàn)相同目的的任何布置可以替代示出的特定實施例。該公開內(nèi)容意圖覆蓋各種實施例的任何和所有修改或變化。在查閱以上描述時，以上實施例的組合以及在本文中未被特定描述的其它實施例對本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。
[0069]要進一步指出，除了在這些實體中的實施方式之外，與特定實體組合而描述的實施例也可以包含在所述描述實體的一個或多個子實體或子區(qū)中的一個或多個實施方式。比如在本文中描述的特定實施例描述在另一個實施例中未被示出的工藝步驟或特征的形成。要理解也可以在其它實施例中形成這樣的特征或也可以在其它實施例中施加這樣的工藝步驟，除非在本文中明確地排除或技術(shù)上不可能。
[0070]形成其部分的附圖借助于圖解而不是作為限制示出在其中可以實踐主題內(nèi)容的特定實施例。
[0071]在前述【具體實施方式】中，能夠看到出于簡化公開內(nèi)容的目的在單個實施例中將各種特征群組在一起。公開內(nèi)容的該方法不要被解釋為反映下述意圖:要求保護的實施例要求比在每個權(quán)利要求中明確列舉的更多的特征。相反，如下面權(quán)利要求反映，發(fā)明主題內(nèi)容處于比單個公開的實施例的所有特征更少。因而下面的權(quán)利要求由此被結(jié)合在【具體實施方式】中，其中每個權(quán)利要求可以自身獨立為分離的實施例。盡管每個權(quán)利要求可以自身獨立為分離的實施例，但是要指出盡管從屬權(quán)利要求可以在權(quán)利要求中指的是與一個或多個其它權(quán)利要求的特定組合，但是其它實施例也可以包含從屬權(quán)利要求與每個其它從屬權(quán)利要求的主題內(nèi)容的組合。在本文中提出這樣的組合，除非陳述不意圖特定組合。此外，意圖也將權(quán)利要求的特征包含到任何其它獨立權(quán)利要求，即使該權(quán)利要求不直接從屬于獨立權(quán)利要求。
[0072]此外，意圖在該【具體實施方式】中以相反或互換方式也包含所描述的特征、元件等中的一個或多個，除非另外指出。
[0073]要進一步指出在說明書或在權(quán)利要求中公開的方法可以由具有用于執(zhí)行這些方法的分別步驟中的每個的裝置的器件實施。
[0074]進一步，要理解在說明書或權(quán)利要求中公開的多個步驟或功能的公開內(nèi)容可以不被解釋為在特定次序內(nèi)。因此，多個步驟或功能的公開內(nèi)容將不將這些限制到特定次序，除非這樣的步驟或功能出于技術(shù)原因不可互換。
[0075]此外，在一些實施例中，單個步驟可以包含或可以被分成多個子步驟。這樣的子步驟可以被包含并且可以是該單個步驟的公開內(nèi)容的部分，除非明確排除。
【主權(quán)項】
1.一種磁速度傳感器器件，包括: 自旋閥類型的多個磁阻感測元件， 其中磁阻感測元件被電連接以形成速度感測布置， 其中多個磁阻感測元件中的每個包括自由層和參考層， 其中每個磁阻感測元件的自由層包括等于或大于2的長寬比，并且 其中每個磁阻感測元件的自由層包括圓形凸面輪廓。2.依據(jù)權(quán)利要求1的所述磁速度傳感器，其中多個磁阻感測元件操作在不飽和范圍中。3.依據(jù)權(quán)利要求1的所述器件，其中自由層的形狀包括長對稱軸和短對稱軸，其中參考層的參考磁化在短對稱軸的方向上。4.依據(jù)權(quán)利要求1的所述器件，其中自由層具有橢圓形狀。5.依據(jù)權(quán)利要求1的所述器件，進一步包括分接來自多個磁阻感測元件的感測信號并且將感測信號饋送到信號處理元件的信號分接，其中信號處理元件被配置成基于跨過閾值來生成脈沖。6.依據(jù)權(quán)利要求5的所述器件，其中每個脈沖基于磁場矢量的旋轉(zhuǎn)來指示角度改變。7.依據(jù)權(quán)利要求1的所述器件，其中器件包括惠斯通電橋，其中惠斯通電橋中的每個電阻器包括一百個或更多個磁阻感測元件。8.依據(jù)權(quán)利要求1的所述器件，其中器件包括惠斯通電橋，其中惠斯通電橋中的每個電阻器包括一千個或更多個磁阻感測元件。9.依據(jù)權(quán)利要求1的所述器件，其中多個磁阻感測元件包括電連接結(jié)構(gòu)以將電流引入到每個磁阻感測元件并且從每個磁阻感測元件抽取電流。10.依據(jù)權(quán)利要求1的所述磁速度傳感器，其中多個磁阻感測元件的自由層的對稱軸在相同方向上。11.依據(jù)權(quán)利要求1的所述磁速度傳感器，其中多個磁阻感測元件的自由層的對稱軸在不同方向上。12.依據(jù)權(quán)利要求1的所述磁速度傳感器，其中每個磁阻感測元件的自由層包括等于或大于6的長寬比。13.—種磁速度傳感器包括: 電連接以形成感測布置的自旋閥類型的多個磁阻感測元件，其中多個磁阻感測元件中的每個包括自由層和參考層； 其中多個磁阻感測元件包括一百個或更多個磁阻感測元件。14.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，其中磁速度傳感器被配置成感測磁場矢量的旋轉(zhuǎn)并且輸出脈沖。15.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，其中磁阻感測元件操作在不飽和范圍中。16.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，其中每個磁阻感測元件的自由層的輪廓具有圓形凸面形狀，所述圓形凸面形狀帶有等于或大于2的長寬比。17.依據(jù)權(quán)利要求16的所述磁速度傳感器，其中自由層包括長和短對稱軸，其中由參考層提供的參考磁化在短對稱軸的方向上。18.依據(jù)權(quán)利要求16的所述磁速度傳感器，其中自由層包括橢圓形狀。19.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，進一步包括分接來自感測布置的感測信號并且將感測信號饋送到信號處理元件的信號分接，其中信號處理元件被配置成基于跨過閾值來生成脈沖。20.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，其中磁速度傳感器包括惠斯通電橋，其中惠斯通電橋中的每個電阻器包括至少多于1000個磁阻感測元件。21.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，其中多個磁阻感測元件包括延長的電連接結(jié)構(gòu)以將電流引入到磁阻感測元件并且從磁阻感測元件抽取電流。22.依據(jù)權(quán)利要求13的所述磁速度傳感器，其中連接結(jié)構(gòu)被布置成垂直于自由層的短對稱軸。23.—種方法包括: 利用磁速度傳感器來感測繞軸旋轉(zhuǎn)，磁速度傳感器包括形成感測布置的自旋閥類型的多個磁阻感測元件，其中多個磁阻感測元件中的每個包括自由層和參考層；并且 其中感測布置包括電橋電路，其中電橋電路的每個電阻器包括至少多于100個磁阻感測元件。24.一種磁阻器件包括: 多個磁阻元件； 連接結(jié)構(gòu)，用于電連接多個磁阻元件中的分別磁阻元件，其中連接結(jié)構(gòu)包括垂直延伸部分，其中分別垂直延伸部分沿界面平面接觸分別磁阻元件，其中垂直延伸部分沿界面平面在橫向方向上延伸超過磁阻元件。25.依據(jù)權(quán)利要求24的所述磁阻器件，其中分別垂直延伸部分在選自組的一個或多個方向上延伸超過分別磁阻元件，所述組含有: 磁阻元件的寬度方向， 磁阻元件的長度方向，以及 磁阻元件的長度和寬度方向。26.依據(jù)權(quán)利要求25的所述磁阻器件，其中垂直延伸部分在一個或多個方向上延伸接觸區(qū)域在一個或多個方向上的延伸的至少1.2倍。27.依據(jù)權(quán)利要求24的所述磁阻器件，其中垂直延伸部分具有漸尖側(cè)壁。28.依據(jù)權(quán)利要求24的所述磁阻器件，其中連接結(jié)構(gòu)包括結(jié)構(gòu)化的金屬層和金屬填充通孔，結(jié)構(gòu)化的金屬層和金屬填充通孔被布置在CMOS金屬堆疊中。
【專利摘要】本發(fā)明涉及磁阻器件。一種磁阻器件包括多個磁阻感測元件。多個磁阻感測元件中的每個包括自由層和參考層。自由層具有帶有長寬比為2或更大的圓形凸面輪廓。
【IPC分類】G01P3/44
【公開號】CN105527451
【申請?zhí)枴緾N201510663825
【發(fā)明人】W.拉貝格, A.施特拉澤
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年10月15日
【公告號】DE102015117547A1, US20160109537