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一種基于saft的單晶硅內(nèi)部缺陷時(shí)域檢測(cè)成像方法

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一種基于saft的單晶硅內(nèi)部缺陷時(shí)域檢測(cè)成像方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及檢測(cè)成像技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于SAFT的單晶硅內(nèi)部缺陷時(shí)域 檢測(cè)成像方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著光伏產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,全球?qū)璧男枨蟾咚僭鲩L(zhǎng),而單晶硅材 料在生產(chǎn)過(guò)程中,晶棒、坩堝在多維復(fù)雜運(yùn)動(dòng)過(guò)程中由于加熱溫度、旋轉(zhuǎn)、拉伸速度的關(guān)系, 硅棒內(nèi)部會(huì)形成氣泡、雜質(zhì)、裂紋等缺陷。單晶硅硅棒被切割成硅晶片時(shí)將會(huì)產(chǎn)生大量的切 割廢料。因此,切片工序開始前,無(wú)損地發(fā)現(xiàn)硅棒中缺陷的位置、大小,對(duì)保護(hù)設(shè)備,降低更 換刀具帶來(lái)的成本以及提高工作效率等都有非常重要的意義。
[0003] 近幾年,隨著換能器技術(shù)的發(fā)展,大大提高了超聲換能器的中心頻率、靈活性以及 可靠性,特別是相控陣換能器的發(fā)展,大大減少大材料塊的檢測(cè)時(shí)間。因此,在很多工業(yè)部 門,超聲波無(wú)損評(píng)估就成了確保質(zhì)量和安全的標(biāo)準(zhǔn)化工具。常規(guī)情況下,在缺陷區(qū)域回波幅 度最大的條件下,通過(guò)距離-增益-尺寸(DGS)法,進(jìn)行了缺陷顯示的測(cè)量,DGS方法可反 應(yīng)缺陷尺寸,但不能評(píng)估缺陷的物理定向、形狀和程度,因此疲勞預(yù)測(cè)和結(jié)構(gòu)完整性評(píng)定會(huì) 出現(xiàn)較大的測(cè)量不確定性。測(cè)量的不確定性以及材料性能的不確定性最終會(huì)影響材料的評(píng) 定結(jié)。因此,減小評(píng)定的不確定性,提高缺陷測(cè)量的精確度成為檢測(cè)的關(guān)鍵,使用成像方法 來(lái)描述缺陷的程度、方位和形狀特征是一種有效檢測(cè)手段。
[0004] 隨著中心頻率的增強(qiáng)和頻帶寬度的增加,超聲無(wú)損評(píng)估的空間分辨率普遍提高。 高頻超聲波的主要受衰減、滲透限制和信噪比降低的限制。實(shí)際上,缺陷的檢測(cè)評(píng)估很大程 度上還取決于數(shù)據(jù)采集和后期處理技術(shù)。為了提高單個(gè)換能器的分辨率,提出了合成孔徑 聚焦技術(shù)(SAFT)。最早的合成孔徑聚焦技術(shù)的超聲被應(yīng)用于提高空中雷達(dá)系統(tǒng)的橫向分辨 率,其理念是通過(guò)大面積掃描天線來(lái)合成大型有效孔徑進(jìn)而提高分辨率。對(duì)于采用SAFT的 工業(yè)超聲無(wú)損評(píng)估應(yīng)用,需要完整的波形回波數(shù)據(jù),因此,可保存相位信息。當(dāng)用單個(gè)換能 器進(jìn)行合成孔徑聚焦技術(shù)時(shí),必須要從不同觀測(cè)角度,非常小心地手動(dòng)將入射角,也就是射 束軸調(diào)至與缺陷反射器垂直。而使用相控陣傳感器,便可以避免這種不便,因?yàn)橄嗫仃噦鞲?器可以自動(dòng)掃描預(yù)先設(shè)定范圍內(nèi)的入射角。如果忽略傳感器的位置不計(jì),基本可以確定,當(dāng) 角之間的掃描間隔足夠小時(shí),一些入射角垂直或基本垂直于缺陷反射器。近來(lái),在使用SAFT 進(jìn)行信號(hào)處理方面,工業(yè)超聲圖像增強(qiáng)的發(fā)展吸引了諸多關(guān)注。大部分研究,出于視覺化的 目的,側(cè)重研究信號(hào)處理的理論方面,其缺陷或特色相對(duì)明顯,而也有少數(shù)研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 針對(duì)存在小型缺陷的現(xiàn)實(shí)工業(yè)應(yīng)用,本發(fā)明提供了一種基于SAFT的單晶硅內(nèi)部 缺陷時(shí)域檢測(cè)成像方法。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:
[0007] 基于SAFT的單晶硅內(nèi)部缺陷時(shí)域檢測(cè)成像方法,包括如下步驟:
[0008] S1、將相控陣換能器沿掃描表面移動(dòng),通過(guò)探頭獲取每個(gè)數(shù)據(jù)采集點(diǎn)相應(yīng)的分散 的回波信號(hào);
[0009] S2、對(duì)步驟S1獲取的某一點(diǎn)重合回波求和,將處理后的這一點(diǎn)看做一個(gè)單元,逐 點(diǎn)完成整個(gè)二維或三維面;
[0010] S3、當(dāng)樣本點(diǎn)在一個(gè)平面時(shí),將它映射到二維的笛卡爾網(wǎng)格;當(dāng)樣本點(diǎn)在一個(gè)立體 空間時(shí),將它映射到三維的笛卡爾網(wǎng)格,從而確定可疑缺陷區(qū)域;
[0011] S4、用6dB-drop法描繪所得可疑缺陷區(qū)域的缺陷特征。
[0012] 其中,所述6dB_drop法具體包括如下步驟:
[0013] 步驟一、找出缺陷回波中的峰值點(diǎn)作為缺陷中心;
[0014] 步驟二、標(biāo)明每一個(gè)峰值的網(wǎng)格坐標(biāo),直到峰值降至6dB ;
[0015] 步驟三、采用區(qū)域增長(zhǎng)算法查找重建網(wǎng)格中的連通域,如果相連,將其鄰域包含進(jìn) 來(lái),連接其坐標(biāo)形成缺陷。
[0016] 本發(fā)明具有以下有益效果:
[0017] 可清楚辨別出兩個(gè)間隔小且直徑為0. 8_的孔洞,發(fā)現(xiàn)天然缺陷的尺寸和方位的 量化非常接近于實(shí)際測(cè)量出的切割試樣。有效提高了缺陷的空間分辨率和測(cè)量精度。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例中SATF示意圖;
[0019] 圖中,□探頭;缺陷位置;□重建網(wǎng)格;缺陷位置的射束;+缺陷位置的同 相合計(jì)。
[0020] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中SAFT產(chǎn)生的回波幅度。
[0021] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例中不同分辨率下的網(wǎng)格重建示意圖。
[0022] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中采樣點(diǎn)在重建網(wǎng)格中的映射圖。
[0023] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例中有2個(gè)孔的單晶硅實(shí)驗(yàn)材料示意圖。
[0024] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)際測(cè)量結(jié)果。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 為了使本發(fā)明的目的及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步 詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā) 明。
[0026] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于SAFT的單晶硅內(nèi)部缺陷時(shí)域檢測(cè)成像方法,包括 如下步驟
[0027] 如圖1所示,S1、將相控陣換能器沿掃描表面移動(dòng),通過(guò)探頭獲取每個(gè)數(shù)據(jù)采集點(diǎn) 相應(yīng)的分散的回波信號(hào);圖1中A處的產(chǎn)生某個(gè)入射角(虛線所示)的缺陷回波與從B、C 處產(chǎn)生的重合,可以將每個(gè)位置都可以看成一個(gè)孔徑元素。
[0028] S2、對(duì)某一點(diǎn)重合回波求和,將處理后的這一點(diǎn)看做一個(gè)單元,逐點(diǎn)完成整個(gè)二維 或三維面。這樣,在二維面構(gòu)成以缺陷位置為中心的虛擬大孔徑(如圖1中A、B、C三處的 虛線所示)。虛擬大孔徑的尺寸是指從A到C的距離,事實(shí)上,如果探頭的角掃范圍設(shè)置合 理的話,虛擬孔徑的尺寸要比探頭的尺寸大得多。如果虛擬孔徑集中在中心點(diǎn),求和會(huì)得到 較大的回波振幅,然而如果虛擬孔徑錯(cuò)開了中心點(diǎn),會(huì)得到偏小的回波振幅(如圖2所示)。 缺陷所在處回波信號(hào)增強(qiáng),材料顆粒的噪聲及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的噪聲減小,從而提高了缺陷 區(qū)域的信噪比。
[0029] S3、當(dāng)樣本點(diǎn)在一個(gè)平面時(shí),將它映射到二維的笛卡爾網(wǎng)格;當(dāng)樣本點(diǎn)在一個(gè)立體 空間時(shí),將它映射到三維的笛卡爾網(wǎng)格,從而確定可疑缺陷區(qū)域網(wǎng)格的分辨率參數(shù)設(shè)置確 保有效相位信息。SAFT垂直的分辨率應(yīng)該跟采樣間隔距離相等,而跟孔徑無(wú)關(guān);水平的分 辨率應(yīng)該跟探頭移動(dòng)的步長(zhǎng)相等。如圖3垂直分辨率是非常重要的參數(shù)。選擇過(guò)高的分辨 率可能會(huì)導(dǎo)致重建的網(wǎng)格出現(xiàn)空洞,而過(guò)低的分辨率可能會(huì)消除有效的相位信息。
[0030] 樣本點(diǎn)在網(wǎng)格里的映射是以相控陣換能器的設(shè)置及掃描面的幾何結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的, 在此采用二維網(wǎng)格和平面來(lái)說(shuō)明,圖4中用(i,j)表示一個(gè)網(wǎng)格單元。網(wǎng)格的大小M/N,i =1,…,M,j = 1,(,N.垂直分辨率設(shè)置為與樣本點(diǎn)間隔長(zhǎng)度相等,水平分辨率設(shè)為與探 頭沿平面移動(dòng)的步長(zhǎng)相等,P表示沿掃描面的位置,q代表垂直方向上的位置,r表示樣本 點(diǎn)到換能器的位置。假設(shè)P = 1,…,P,q = 1,…,Q,R = 1,…,R,a (q)表示q指示的 超聲的射入角。為了方便計(jì)算,假設(shè)物理坐標(biāo)和網(wǎng)格坐標(biāo)在同一原點(diǎn),設(shè)網(wǎng)格的左上角為原 點(diǎn),其物理位置是(〇,〇)。如圖4所示,用(p,q,r)代表樣本點(diǎn)的物理位置,可列為:
[0031] x(p,q, r) =L(r)sin(a (q))+S(p)
[0032] y(p,q, r) =L(r)cos(a (q)) (1)
[0033] 式中,L(r)是樣本點(diǎn)r到換能器的距離,S(p)是點(diǎn)p沿掃描平面的長(zhǎng)度,假設(shè)聲速 為u,采樣間隔為At,步長(zhǎng)AS可以輕松求得:
[0034] L (r) = r · u · Δ t/2
[0035] S (p) = p · Δ
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