生物量比化iomassratio)的觀點(diǎn)考慮，特別優(yōu)選為0. 02質(zhì)量份~0. 2質(zhì)量 份。晶核劑的上述含量低于0. 01質(zhì)量份時(shí)，結(jié)晶促進(jìn)的效果不充分，高于1. 0質(zhì)量份時(shí)，將 難W控制結(jié)晶化的速度，存在高分子壓電材料的透明性降低的傾向。
[0161] 需要說(shuō)明的是，從透明性的觀點(diǎn)考慮，高分子壓電材料優(yōu)選不含除光學(xué)活性高分 子（A)及穩(wěn)定劑做W外的成分。
[0162] 巧它物粗
[0163] 本實(shí)施方式中的高分子壓電材料的分子高度取向。作為表示該取向的指標(biāo)，有"分 子取向度M0R"。分子取向度M0R(Molecular化ientationRatio)是表示分子的取向程度 的值，可通過(guò)W下那樣的微波測(cè)定法測(cè)定。目P，將試樣（膜）配置于公知的微波分子取向度 測(cè)定裝置（也稱為微波透過(guò)型分子取向計(jì)）的微波共振導(dǎo)波管中，使上述試樣面（膜面）與 微波的行進(jìn)方向垂直。而后，在連續(xù)地向試樣照射振動(dòng)方向向一方向偏移的微波的狀態(tài)下， 在與微波的行進(jìn)方向垂直的面內(nèi)使試樣旋轉(zhuǎn)0~360°，測(cè)定透過(guò)試樣的微波強(qiáng)度，由此求 出分子取向度M0R。
[0164] 本實(shí)施方式中的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc是將基準(zhǔn)厚度tc設(shè)定為50ym時(shí)的M0R值， 可通過(guò)下式求出。
[016引MORc= (tcA)X(M0R- 1)+1
[0166] (tc:欲修正的基準(zhǔn)厚度，t:試樣厚度）
[0167] 標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc可利用已知的分子取向計(jì)、例如王子計(jì)測(cè)機(jī)器株式會(huì)社制 微波方式分子取向計(jì)M0A- 2012A、M0A- 6000等，W4GHz或12GHz附近的共振頻率進(jìn)行 測(cè)定。
[0168] 如后文所述，標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc主要可通過(guò)單軸拉伸膜的拉伸前的加熱處理 條件（加熱溫度及加熱時(shí)間）、拉伸條件（拉伸溫度及拉伸速度）等來(lái)控制。
[0169] 需要說(shuō)明的是，標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc也可轉(zhuǎn)化為相位差量（延遲，retardation) 除W膜的厚度而得到的雙折射率An。具體而言，推延可使用大塚電子株式會(huì)社制RETS100 來(lái)測(cè)定。另外，MORc與An存在大致直線性比例關(guān)系，并且An為0時(shí)，MORc為1。
[0170] 例如，光學(xué)活性高分子（A)為聚乳酸系高分子、且用550nm的測(cè)定波長(zhǎng)來(lái)測(cè)定雙折 射率An時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc的優(yōu)選范圍的下限2.0,可轉(zhuǎn)化為雙折射率An為0.005。 另外，高分子壓電材料的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc和結(jié)晶度的積的優(yōu)選范圍的下限40,可轉(zhuǎn)化 為高分子壓電材料的雙折射率An和結(jié)晶度的積為0. 1。
[0171] 〔標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc)
[0172] 本實(shí)施方式中的高分子壓電材料的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc優(yōu)選為3. 5~15. 0,更 優(yōu)選為4. 0~15. 0,進(jìn)一步優(yōu)選為6. 0~10. 0,更進(jìn)一步優(yōu)選為7~10. 0。標(biāo)準(zhǔn)化分子取 向MORc在3. 5~15. 0的范圍內(nèi)時(shí)，在拉伸方向上排列的聚乳酸分子鏈多，結(jié)果，取向結(jié)晶 的生成率變高，可呈現(xiàn)高壓電性。
[0173] 儲(chǔ)晶度）
[0174]高分子壓電材料的結(jié)晶度可通過(guò)DSC法求出，本實(shí)施方式中的高分子壓電材料的 結(jié)晶度為20 %~80%，優(yōu)選為25 %~70%，進(jìn)一步優(yōu)選為30 %~50%。結(jié)晶度在上述范 圍時(shí)，高分子壓電材料的壓電性、透明性的均衡性良好，而且在拉伸高分子壓電材料時(shí)，不 易發(fā)生白化、斷裂，容易制造。
[01巧]〔標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc和結(jié)晶度的積）
[0176] 高分子壓電材料的結(jié)晶度和標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc的積優(yōu)選為40~700,進(jìn)一步 優(yōu)選為75~680,進(jìn)一步優(yōu)選為90~660,進(jìn)一步優(yōu)選為125~650,進(jìn)一步優(yōu)選為180~ 350。高分子壓電材料的結(jié)晶度和標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc的積在40~700的范圍時(shí)，高分子 壓電材料的壓電性和透明性的均衡性良好，并且尺寸穩(wěn)定性也高，可合適地作為后述的壓 電元件使用。
[0177]〔透明性（內(nèi)部霧度））
[017引高分子壓電材料的透明性例如可通過(guò)目視觀察、霧度測(cè)定進(jìn)行評(píng)價(jià)。對(duì)于本實(shí)施 方式中的高分子壓電材料的霧度而言，相對(duì)于可見(jiàn)光的內(nèi)部霧度優(yōu)選為10%W下，更優(yōu)選 為5 %W下，特別優(yōu)選為1 %W下。此處，霧度是針對(duì)厚度為0. 05mm的高分子壓電材料，按 照J(rèn)IS-K7105,使用霧度測(cè)定機(jī)〔（有）東京電色制，TC-HIIIDPK)，在25°C下測(cè)定時(shí) 的值。高分子壓電材料的霧度越低越好，但從與壓電常數(shù)等的均衡性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為 0.01%~10%，更優(yōu)選為0. 1%~5%，特別優(yōu)選地為0. 1%~1%。需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng) 中所說(shuō)的"霧度"或"內(nèi)部霧度"是指高分子壓電材料的內(nèi)部霧度。內(nèi)部霧度是指將因高分 子壓電材料的外表面的形狀而導(dǎo)致的霧度除外的霧度。
[0179] <高分子壓電材料的制造方法>
[0180] 本實(shí)施方式中的高分子壓電材料的原料可通過(guò)將上文中說(shuō)明的聚乳酸系高分子 等光學(xué)活性高分子（A)、和根據(jù)需要的碳二亞胺化合物等穩(wěn)定劑度）等其他成分混合、制成 混合物而得到。可對(duì)混合物進(jìn)行烙融混煉。具體而言，針對(duì)混合的光學(xué)活性高分子（A)和 根據(jù)需要使用的其他成分，使用烙融混煉機(jī)〔東洋精機(jī)公司制，1油〇Plastomill)，在混合 機(jī)轉(zhuǎn)速30巧m~70巧m、180°C~250°C的條件下，進(jìn)行5分鐘~20分鐘烙融混煉，由此，可 得到光學(xué)活性高分子（A)與穩(wěn)定劑度）的共混物、多種螺旋手性高分子的共混物、螺旋手性 高分子與無(wú)機(jī)填料等其他成分的共混物等。
[0181] 本實(shí)施方式中的高分子壓電材料例如可通過(guò)包括W下工序的制造方法來(lái)制造：第 一工序，將包含光學(xué)活性高分子（A)和根據(jù)需要的穩(wěn)定劑度）的非晶狀態(tài)的片材進(jìn)行結(jié)晶 化，得到預(yù)結(jié)晶化片材（也稱為結(jié)晶化原片材）；和第二工序，主要沿單軸方向拉伸上述預(yù) 結(jié)晶化片材。
[0182] 通常，通過(guò)增大拉伸時(shí)施加至膜的力，可促進(jìn)螺旋手性高分子的取向，壓電常數(shù)也 變大，結(jié)晶化進(jìn)行，結(jié)晶尺寸變大，從而存在霧度變大的傾向。而且，由于內(nèi)部應(yīng)力增加，因 而存在尺寸變形率也增加的傾向。單純向膜施加力時(shí)，可形成如球晶那樣未取向的結(jié)晶。球 晶那樣的取向低的結(jié)晶雖然提高霧度，但難W有助于壓電常數(shù)的增加。因此，為了形成壓電 常數(shù)高、霧度及尺寸變形率低的膜，需要W不增大霧度的程度的微小尺寸高效地形成有助 于壓電常數(shù)的取向結(jié)晶。
[0183] 本實(shí)施方式中的高分子壓電材料的制造方法中，例如，在拉伸之前使片材內(nèi)預(yù)結(jié) 晶化，形成微細(xì)的結(jié)晶，然后進(jìn)行拉伸。由此，可將在拉伸時(shí)施加至膜的力高效地施加至 微晶與微晶之間的結(jié)晶性低的高分子部分，可使螺旋手性高分子沿著主拉伸方向高效地 取向。具體而言，在微晶與微晶之間的結(jié)晶性低的高分子部分內(nèi)，產(chǎn)生微細(xì)的取向結(jié)晶， 同時(shí)，通過(guò)預(yù)結(jié)晶化而產(chǎn)生的球晶崩潰，構(gòu)成球晶的片晶W與系帶分子鏈（tiemolecular chains)連接的串珠狀沿著拉伸方向取向，由此可得到所期望的值MORc。因此，可在不大幅 降低壓電常數(shù)的情況下，得到霧度及尺寸變形率的值低的片材。
[0184] 對(duì)于控制標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc而言，基于第一工序的加熱處理時(shí)間及加熱處理 溫度等進(jìn)行的結(jié)晶化原片材的結(jié)晶度的調(diào)整、及第二工序的拉伸速度及拉伸溫度的調(diào)整是 重要的。如上所述，螺旋手性高分子是具有分子光學(xué)活性的高分子。包含螺旋手性高分子和Carbodilite化合物的非晶狀態(tài)的片材，可W是可從市場(chǎng)獲得的片材，也可W利用擠出成型 等已知的膜成型方法制作。非晶狀態(tài)的片材可W是單層，也可W是多層。
[0185] 〔第一工序（預(yù)結(jié)晶化工序））
[0186] 預(yù)結(jié)晶化片材可通過(guò)對(duì)包含光學(xué)活性高分子（A)和根據(jù)需要的穩(wěn)定劑度）的非晶 狀態(tài)的片材進(jìn)行加熱處理而使其結(jié)晶化而得到。另外，也可通過(guò)W下方式得到具有規(guī)定的 結(jié)晶度的預(yù)結(jié)晶化片材：利用擠出成型法等將包含光學(xué)活性高分子（A)和穩(wěn)定劑度）的原 料加熱至比螺旋手性高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高的溫度，并擠出成型為片狀，然后用鑄機(jī) (caster)將擠出得到的片材急速冷卻，由此得到具有規(guī)定的結(jié)晶度的預(yù)結(jié)晶化片材。
[0187]另外，可W1)將預(yù)先經(jīng)結(jié)晶化的預(yù)結(jié)晶化片材送入后述的拉伸工序（第二工序）， 設(shè)置于拉伸裝置進(jìn)行拉伸（基于離線（offline)的加熱處理）；也可W2)將未通過(guò)加熱 處理進(jìn)行結(jié)晶化的非晶狀態(tài)的片材設(shè)置于拉伸裝置，用拉伸裝置加熱、進(jìn)行預(yù)結(jié)晶化，然后 連續(xù)地將其送入拉伸工序（第二工序），進(jìn)行拉伸（基于在線（inline)的加熱處理）。 [018引用于將非晶狀態(tài)的包含螺旋手性高分子的片材預(yù)結(jié)晶化的加熱溫度T，沒(méi)有特別 限制，但從提高利用本制造方法制造的高分子壓電材料的壓電性、透明性等的觀點(diǎn)考慮， 優(yōu)選設(shè)定為：上述T與螺旋手性高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg滿足下式的關(guān)系，結(jié)晶度為 3%~70%。
[0189] T邑一40°C蘭T蘭Tg+40°C
[0190] (Tg表示上述螺旋手性高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度）
[0191] 用于進(jìn)行預(yù)結(jié)晶化的加熱時(shí)間、或擠出成型為片狀時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化的情況下的加熱 時(shí)間可W進(jìn)行調(diào)整，使得滿足所期望的結(jié)晶度，并且使拉伸后（第二工序后）的高分子壓電 材料的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc和拉伸后的高分子壓電材料的結(jié)晶度的積優(yōu)選為40~700，進(jìn) 一步優(yōu)選為125~650,進(jìn)一步優(yōu)選為250~350。加熱時(shí)間變長(zhǎng)時(shí)，拉伸后的結(jié)晶度也變 高，拉伸后的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc也變高。加熱時(shí)間變短時(shí)，存在拉伸后的結(jié)晶度也變低、 拉伸后的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc也變低的傾向。
[0192] 拉伸前的預(yù)結(jié)晶化片材的結(jié)晶度變高時(shí)，片材變硬，更大的拉伸應(yīng)力施加至片材， 因此，上述片材中的結(jié)晶性較低的部分的取向也變強(qiáng)，拉伸后的標(biāo)準(zhǔn)化分子取向MORc也變 高。反之，拉伸前的預(yù)結(jié)晶化片材的結(jié)晶度變低時(shí)，片材變?nèi)彳?，拉伸?yīng)力變得更難W向片 材施加，因此認(rèn)為上述片材中的結(jié)晶性較低的部分的取向也變?nèi)?，拉伸后的?biāo)準(zhǔn)化分子取 向MORc也變低。
[0193] 加熱時(shí)間根據(jù)加熱溫度、片材的厚度、構(gòu)成片材的樹(shù)脂的分子量、添加劑等的種類(lèi) 或量的不同而不同。另外，對(duì)于使片材結(jié)晶化的實(shí)質(zhì)的加熱時(shí)間而言，在可W在下述拉伸工 序（第二工序）之前進(jìn)行的預(yù)熱中、在非晶狀態(tài)的片材結(jié)晶化的溫度下進(jìn)行了預(yù)熱的情況 下，相當(dāng)于上述預(yù)熱時(shí)間與預(yù)熱前的預(yù)結(jié)晶化工序中的加熱時(shí)間的和。
[0194] 非晶狀態(tài)的片材的加熱時(shí)間、或擠出成型為片狀時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化的情況下的加熱時(shí) 間，通常為5秒~60分鐘，從制造條件的穩(wěn)定化的觀點(diǎn)考慮，可W是1分鐘~30分鐘。例 如，在將非晶狀態(tài)的片材（包含聚乳酸系高分子作為螺旋手性高分子）預(yù)結(jié)晶化的情況下， 在20°C~170°C下加熱5秒~60分鐘是優(yōu)選的，也可W是1分鐘~30分鐘。
[0195] 為了高效地向拉伸后的片材賦予壓電性、透明性、高尺寸穩(wěn)定性，調(diào)整拉伸前的預(yù) 結(jié)晶化片材的結(jié)晶度是重要的。目p，通過(guò)拉伸從而壓電性、尺寸穩(wěn)定性提高的原因被認(rèn)為 是：由拉伸產(chǎn)生的應(yīng)力集中于推測(cè)處于球晶狀態(tài)的預(yù)結(jié)晶化片材中的結(jié)晶性較高的部分， 球晶被破壞并且發(fā)生取向，由此，壓電性di4提高，另一方面，拉伸應(yīng)力也經(jīng)球晶施加至結(jié)晶 性較低的部分，促進(jìn)取向，提高壓電性di4。
[0196] 可將拉伸后的片材的結(jié)晶度、或在進(jìn)行下述退火處理的情況下的退火處理后的結(jié) 晶度設(shè)定為20%~80%、優(yōu)選為40%~70%。因此，可將預(yù)結(jié)晶化片材的即將拉伸之前的 結(jié)晶度設(shè)定為3%~70%、優(yōu)選為10%~60%、進(jìn)一步優(yōu)選為15%~50%。
[0197] 對(duì)于預(yù)結(jié)晶化片材的結(jié)晶度的測(cè)定而言，與拉伸后的本實(shí)施方式中的高分子壓電 材料的結(jié)晶度的測(cè)定同樣地進(jìn)行即可。
[019引預(yù)結(jié)晶化片材的厚度主要取決于通過(guò)第二工序的拉伸想要得到的高分子壓電材 料的厚度和拉伸倍率，優(yōu)選為50ym~1000ym，更優(yōu)選為200ym~800ym左右。
[0199] 〔第二工序（拉伸工序））
[0200] 作為第二工序的拉伸工序中的拉伸方法沒(méi)有特別限制，可使用單軸拉伸、雙軸拉 伸、后述的固相拉伸等各種拉伸方法。通過(guò)對(duì)高分子壓電材料進(jìn)行拉伸，可得到主面的面積 大的高分子壓電材料。
[0201] 此處，"主面"是指高分子壓電材料的表面中面積最大的面。本實(shí)施方式中的高分 子壓電材料可W具有2個(gè)W上主面。例如，高分子壓電材料為具有2個(gè)10mmX0. 3mm長(zhǎng)方 形的面A、2個(gè)3mmX0. 3mm的長(zhǎng)方形的面B、2個(gè)lOmmXSmm的長(zhǎng)方形的面C的板狀體時(shí)，該 高分子壓電材料的主面為面C，具有2個(gè)主面。
[0202] 本實(shí)施方式中，主面的面積大是指，高分子壓電材料的主面的面積為5mm2W上。另 夕F，主面的面積優(yōu)選為10mm2W上。
[0203] 通過(guò)主要沿一個(gè)方向拉伸高分子壓電材料，可使高分子壓電材料中包含的聚乳酸 系高分子的分子鏈沿一個(gè)方向取向，并且使其高密度地排列，可推測(cè)能得到更高的壓電性。
[0204] 此處，高分子壓電材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度TgrC)及高分子壓電材料的烙點(diǎn)Tm rC)是W下溫度：使用差示掃描型量熱計(jì)值SC)，將高分子壓電材料在升溫速度為10°C/分 鐘的條件下提升溫度，將從此時(shí)的烙融吸熱曲線中作為曲線的拐點(diǎn)而得到的溫度作為高分 子壓電材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgrc)